JPS61144835A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS61144835A
JPS61144835A JP59266158A JP26615884A JPS61144835A JP S61144835 A JPS61144835 A JP S61144835A JP 59266158 A JP59266158 A JP 59266158A JP 26615884 A JP26615884 A JP 26615884A JP S61144835 A JPS61144835 A JP S61144835A
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JP
Japan
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film
wiring
semiconductor device
aluminum
bonding
Prior art date
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Pending
Application number
JP59266158A
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English (en)
Inventor
Kensuke Nakada
健介 中田
Tatsuo Itagaki
板垣　達夫
Yuji Hara
原　雄次
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPS61144835A publication Critical patent/JPS61144835A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、半導体装置の信頼性向上技術に適用して特に
有効な技術に関するもので、たとえばベレット上部のう
ち、ボンディングワイヤの接合する領域、およびその周
辺忙おける高信頼性技術に利用して有効な技術に関する
ものである。
〔背景技術〕
半導体装置において、顧客不良忙つながる配線の断線が
大きな問題となっている。ここで、半導体装置における
ベレット上部とボンディングワイヤと接合する予定の領
域、およびその周辺を総称して電極と称する事とすると
、この原因はこの電極において露出されたアルミニウム
などの配線と金線などのボンディングワイヤのボール部
との境界部分に、半導体装置外部から、樹脂内、あるい
は金線などのボンディングワイヤと樹脂との隙間を伝っ
て侵入してきた水分が、アルミニウムなどλ の配線と金線などのボンディングワイヤとの境界部分圧
溜り、局部電池現象によりアルミニウムなどの配線に断
線が起こるためである。
電極における高信頼性技術として、特開昭５３−６３９
７４号公報に見られる電極構造が考案された。この電極
構造は、パッジベージ嘗ン膜忙設けられた開孔部の内側
にアルミニウム配線を形成し、この開孔部をボンディン
グワイヤである金線のボール部で完全に被覆することに
よって、配線の断線を低減させようとするものである。
ところが、前記電極構造においては、ボンディングワイ
ヤである金線のボール部が接合するベレット上部の積層
構造が、上からパッジベージ曹ン膜、アルミニウム配線
、そしてフィールド酸化膜である部分が存在する。この
部分に上から力が加わると、軟質なアルミニウム配線が
変形する。この変形に前記部分周辺にあるパッシベーシ
ョン膜が追随できず、クラックが発生することとなる。
このクラックから水分が侵入し、アルミニウム配腺の断
線が生ずることが本発明者によって明らかとされｆｃｃ
〔発明の目的〕 この発明の目的は、半導体装置における顧客不良を低減
した、高信頼性の半導体装置を提供するものである。
この発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は
、本明細書の記述および添付の図面から明らかになるで
あろう、 〔発明の概要〕 本題において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、半導体装置の電極において、シラン膜などの
第二絶縁膜に設けられた開孔部の内側Ｋ、前記開孔部よ
りも小さくアルミニウムなどの配線を露出させる。、た
だし、金線などのボンディングワイヤのボール部が接合
される予定の範囲において、その積層構造が、上からＰ
ＳＧ（フォスフォ・シリケイト・ガラスの略称で、以下
単にＰＳＧと称す）などの萬二絶縁膜、アルミニウムな
どの配線、そして二酸化シリコンなどの第一絶縁膜であ
る領域が存在する。この領域、およびその周辺にある、
メタルパッドであるアルミニウムなどの配線に多数の貫
通孔を設ける。そして、前記開孔部を金線などのボンデ
ィングワイヤのボール部で覆うことにより、顧客不良に
つながる配線の断線を低減し、半導体装置の高信頼性を
達成するものである、 〔実施例Ｉ〕 第１図は、本発明の一実施例である半導体装置を示す一
部破砕平面図である。
第２図は、第１図におけるｎ　−ｎ’矢視断面図である
。
第１図、第２図においては、１は半導体素子の形成され
ているペレット。２は、ペレット１上部に形成された電
極。３は、ベレット１上に形成された素子と外部リード
を導通させるためのボンディングワイヤで、ペレッ）Ｉ
Ｋは熱圧着によってボンディングされるｅ４は、ペレッ
ト１を固定するためのタブで、タブ４にペレット３を接
合するｋは、金−シリコン（Ａｕ−８ｉ）共晶合金法な
どが用いられる。５は、外部リードである。外部リード
は、ソケットなどに挿入され、外部との間で信号の受は
渡しをする機能をもつ、尚、外部リード５は、樹脂封止
されるまではタブと外周部でつながっており（これをリ
ードフレームという）、前記リードフレームにペレット
１を金−シリコン（Ａｕ−８ｔ）共晶合金法などＫより
グイボンディングし、続いてワイヤボンディングを行な
った後、樹脂６で封止なし前記リードフレームの外周部
を切り落丁。そして、残った外部リード５を第２図のよ
うに折り曲げる、 第３図から第８図までは、第一図に示す半導体装置にお
いて、ボンディングワイヤとアルミニウムなどの金属配
線との接合部分を本発明の一実施例に従って形成した。
場合、具体的な製造方法を説明するための各工程におけ
るボンディング領域および、その周辺を拡大図示したも
のである。
ＷＸ４図は、第３図における■−■’矢視断面図である
。第３図、第４図に示すように、シリコンなど半導体基
板７上部ＫＰ”、あるいはＮ＋などの拡散層８を形成後
、二酸化シリコンなどの第一絶縁膜９を形成する。この
後、Ｐ＋あるいは、Ｎ＋などの拡散層とのコンタクト孔
からペレットの外周部付近との間Ｋ、アルミニウムなど
の金属配線を形成する。ただし、ペレットの外周部付近
においては、アルミニウムなどの金属配線ｌＯの先端部
分を円形状としくこれを、アルミニウムなどの円形状配
線部分１０ａとする）、前記先端部分以外の金属配線、
ボンディング領域近傍の金属配線には、貫通孔ｉｏｂを
多数設ける。
第３図、第４図においてＰ＋、あるいはＮ＋などの拡散
層８は、ＭＯ８回路などの半導体回路の一部を構成して
いる。二酸化シリコンなどの第一絶縁膜９は、シリコン
などの半導体基板７、およびＰ＋、あるいはＮ＋などの
拡散層８とアルミニウムなどの金属配線１０が、所望の
個所以外で導通しないようするためのものである。アル
ミニウムなどの金属配線１０は、Ｐ＋あるいはＮ＋など
の拡散層８とのコンタクト孔１２からボンディング領域
までを導通させるものである。貫通孔ｌＯｂは、その底
部に二酸化シリコンなどの第一絶縁膜９が露出している
ことから、この貫通孔１０ｂが形成されているアルミニ
ウムなどの金属配線に上から力が加わる場合、このアル
ミニウムなどの金属配線が力を受ける面積を少なくして
いる。
第６図は、第５図におけるｖｔ−ｖｆ矢視断面図である
。纂３図、第４図に示す工程の後、シリコンなどの半導
体基板７上部に、ＰＳＧなどの第二絶縁Ｍｌｌをペレッ
トの外周部付近にあるアルミニウムなどの金属配線１０
０円形状配線部分１０ａの全表面を露出すべく形成する
。
第５図、第６図において、ＰＳＧなどの第二絶縁１ｓ１
１は、金線などのボンディングワイヤとの接合部分を除
き、シリコンなどの半導体基板７上部を外部から保護し
ているので、半導体装置の信頼性を高めることができる
。
貫通孔１０ｂの部分でヲ工、ＰＳＧなどの第二絶縁膜１
１は、二酸化シリコンなどの第一絶縁膜９に直接接合し
ている。
２つの硬質なる物質すなわち、二酸化シリコンなどの第
一絶縁膜９とＰＳＧなどの第二絶縁膜１１が直接積層す
る配線領域（貫通孔１０ｂが設けられている）では、積
層構造上の強度が大きくなる。
第７図は、第８図における■−■′矢視断面図である。
第５図、第６図に示す工程の後第７図、第８図に示すよ
うに、アルミニウムなどの円形状配線部分１０ａ全表面
が露出されているＰＳＧなどの第二絶縁！ａ１１に設け
られた円形状開孔部１３を、金線などのボンディングワ
イヤ１５のボール部１４ａで完全に被覆する。
第８図において、ボンデインｌの瞬間のキャピラ＋３１
５を含めて図示しである。
最終的な、アルミニウムなどの円形状配線部分１０ａ、
ＰＳＧなどの第二絶縁ｍｉｉに設ける開孔部１３、そし
てボンディングが予定される領域のそれぞれの大きさの
関係は、ＰｓＧなどの第二絶縁膜ＩＩＫ設ける開孔部１
３を、ボンディングが予定されている領域よりも小さく
、アルミニウムなどの円形状配線部分１０ａよりも太き
いものとする。
第７図、第８図においてボンディング領域における円形
状配線部分１０ａ周辺の積層構造には、アルミニウムな
どの金属配線は含まれていない。
また、第７図、第８図においてボンディング領域、およ
びその周辺忙おいてアルミニウムなどの金属配線が形成
されである領域のうち、円形状配線部分１０ａを除く領
域には、多数の貫通孔１゜ｂにおいてＰＳＧ膜などの第
二絶縁膜１１が二酸化シリコンなどの第一性縁膜９に直
接接合している。
第７図、第８図においてＰＳＧなどの第二絶縁膜１１に
形成されｆｃ開孔部１３は、耐腐食性金属で保護されて
いる。このため樹脂封止後、外部から樹脂の中を通り、
あるいは金線などのボンディングワイヤ１４と樹脂との
隙間を通り、水分がアルミニウムなどの金属配線と金線
などのボンディングワイヤとの境界部分に侵入し、金属
配線が断線することが低減される。
第８図においてＪポンディングの際、キャピラリ１５か
ら金線などのボンディングワイヤ１５のボール部１４ａ
を介して、シリコンなどの半導体基板７上部に力が加わ
っても、ボンディング領域における円形状配線部分１０
ａ周辺は、硬質なる物質のみＫよって構成される積層構
造であるため。
二酸化シリコンなどの第一絶縁膜９、あるいはＰＳＧな
どの第二絶縁膜１１にクラックの生じることはない。
第７図、第８図において、金線などのボンディングワイ
ヤ１４のボール部１４ａの下に、ＰＳＧなどの第二絶縁
膜１１とアルミニウムなどの金属配８１０が積層してい
る領域では、多数の貫通孔１０ｂにおいて、２つの硬質
なる物質、すなわち二酸化シリコンなどの第−絶１１Ｍ
９とＰＳＧなどの第二絶縁膜１１が直接接合している。
このため、キャピラリ１５から金線などのボンディング
ワイヤ１４０ボール部１４ａを介して前記領域に下方向
の力が加わっても、アルミニウムなどの金属配線１０が
展延し、１０ｂが展延しないことによって、ＰＳＧなど
の第二絶縁膜１１に生じる応力は分散され、ＰＳＧなど
の第二絶縁膜１１にクラックの生じることが低減できる
。
第７図、−第８図に示す電極構造をとることＫよっ【、
高信頼性の半導体装置を得ることができる。
〔実施例■〕
第９図から第１４図までは、本発明の実施例Ｈの具体的
な製造方法を説明するための各工程における、半導体装
置のうち金線などのボンディングワイヤとアルミニウム
などの金属配線との接合部分について描いたものである
。
第１０図は、第９図のｘ　−ｘ’矢視断面図である、第
９図、第１０図において、シリコンなどの半導体基板７
の上に、二酸化シリコンなどの第一絶縁膜９が形成され
、その上に拡散層８とのコンタクト孔１２からボンディ
ング領域までアルミニウムなどの金属配線１６を形成す
る。この配線のうち、金線などのボンディングワイヤと
の接合領域における先端部分の形状は長方形としくこれ
を、アルミニウムなどの配線の長方形先端部分１６ｂと
する）、その中央の貫通孔がない部分が円形状となるよ
うに、周囲に貫通孔１６ｃを多数設ける。
二酸化シリコンなどの第一絶縁膜９は、シリコンなどの
半導基板７にアルミニウムなどの金属配線１６が所望個
所以外で導通することを防ぐために形成されているもの
である。
アルミニウムなどの金属配線１６は、拡散層８とのコン
タクト孔１２と金ｉｌｌどのボンディングワイヤのボン
ディング領域との間を導通させるものである。
第１２図は、第１１図のＸ１ｌ−ＸＩ’矢視断面図であ
る。
第９図、第１０図に示す工程の後、アルミニウムなどの
金属配線の長方形先端部分１６ｂにおいて、貫通孔１６
ｃが形成されていない円形状部分１６ａ全面が露出され
るよ５な開孔部１７を持つ、ＰＳＧなどの第二絶縁１ｉ
１１を、諸素子の形成されたシリコンなどの半導体基板
７上部に形成する。
貫通孔１６ｂにおいて、ＰＳＧなどの第二絶縁膜１１は
、二酸化シリコンなどの第一絶縁膜９に直接接合してい
る。
第９図、第１θ図に示す工程の後、アルミニウムなどの
配線の長方形先端部分１６ｂのうち、貫通孔１６ｂの形
成されていない円形状部分１６ａを除くペレット上部を
、ＰＳＧなどの第二絶縁膜１１によって外部から保護し
ている。
３１１１図、第１２図において、２つの硬質なる物質、
すなわち二酸化シリコンなどの第一絶縁膜９とＰＳＧな
どの第二絶縁膜１１が直接接合している貫通孔１６ｃが
多数あるため金線などのボンディングワイヤとの接合部
分であるアルミニウムなどの配線の長方形先端部分１６
ｂの上に形成されているＰＳＧなどの第二絶縁膜１１の
強度は大きくなる。
第１４図は、第１３図におｆｆ６、ＸＩＶ　−ＸＩＶ’
矢視断面図である。第１１図、第１２図に示す工程の後
、ＰＳＧなどの第二絶縁膜１３に設けられ大開孔部１７
を、熱圧着により金線などのボンディングワイヤのボー
ル部１４ａで完全に覆う。
第１４図において、金線などのボンディングワイヤ１４
のボール部１４ａの下ＫＰＳＧなどの第二絶縁膜１１が
積層している領域がある。前記領域に積層するアルミニ
ウムなどの配線の長方形先端部分１６ｂにある貫通孔１
６ｃにおいて、ＰＳＧなどの第二絶縁膜１１は二酸化シ
リコンなどの第一絶縁膜９に直接接合している。
尚、第１４図にはキャピラリ１５も一諸に図示しである
。
第１３図、第１４図に示す工程の後、ＰＳＧなどの第二
絶縁膜１１に設けられた開孔部１７は耐腐食性金属など
のボンディングワイヤ１４のボール部１４ａで保護され
ているため、樹脂封止後、半導体装置外部から水分が樹
脂の中を通り、あるいは金線などのボンディングワイヤ
１４と樹脂との隙間を伝わってきても、配線が断線する
ことは低減される。
！１４図において、金線などのボンディングワイヤ１４
のボール部１４ａの下になどの第二絶縁ｊｌｌｌがある
領域では、多数の貫通孔１６ｃにおいて、２つの硬質な
る物質、すなわち二酸化シリコンなどの第一絶縁膜９と
ＰＳＧなどの第二絶縁３１！１１が直接接合している。
このため、ボンディングの際、金線などのボンディング
ワイヤ１４０ボール５１４ａを介して、キャピラリ１５
から下方向に力が加わった場合、ボンディング領域にお
けるアルミニウムなどの配線１６ａが展延し１６Ｃが展
延しないことによってシラン膜などの第二絶縁ａｌｌに
生ずる応力は分散され、ＰＳＧＹｘどの第二絶縁膜１１
におけるクラックの発生は低減される。
以上、第１３図、第１４図に示す搗造を取ることで、配
線の断線を大幅に低減し、高信頼性の半導体製品を得る
ことができる。
以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。例えば、本実施例Ｉに
おいてアルミニウムなどの配線に設ｆｆ７’ｅ貫通孔の
形状は正方形であるが、これは円形状のものであっても
かまわない。
〔効果〕
１、ＰＳＧなどの第二絶縁膜に設けられ大開孔部を、金
線などのボンディングワイヤのボール部で蓋をすること
Ｋより、前記開孔部Ｋｉｌ出されたアルミニウムなどの
配線を、耐腐食性金属で保護するという作用で、アルミ
ニウムなどの配線と金線などのボンディングワイヤのボ
ール部との境界部分に、半導体装置外部から水が侵入し
難くできるという効果が得られる。
２、ＰＳＧなどの第二絶ｍ膜に設けられた開孔部の内側
に、前記開孔部よりも小さくアルミニウムなどの配線を
形成することにより上から、ＰＳＧなどの硬質かつ脆性
なる物質、アルミニウムなどの変形に富む物質、そして
、二酸化シリコンなどの硬質なる物質という積層構造の
部分を可能な限り少なくするという作用により、ワイヤ
ボンディングの際、ＰＳＧなどの硬質かつ脆性なる物質
にクラックの生じ易い構造を少なくできるという効果が
得られる。
３、　ワイヤボンディングの際、金線などのボンディン
グワイヤのボール部の下の積層構造が、上からＰＳＧな
どの硬質かつ脆性なる物質、アルミニウムなどの変形に
富む物質、そして二酸化シリコンなどの硬質なる物質と
なる予定の領域、およびその周辺のアルミニウムなどの
変形に富む物質Ｋ。
貫通孔大多数設けることにより、前記領域において、前
記、硬質かつ脆性なる物質と硬質なる物質が直接接合す
る個所が多数できるという作用で、ワイヤボンディング
の際、前記領域、および周辺の硬質かつ脆性なる物質に
クラックの生じることを低減できるという効果が得られ
る。
４、上記（１）、（３１によりさらにアルミニウムなど
の配線と金線などのボンディングワイヤとの接合部分に
、半導体装置外部から水分を侵入し難（するという作用
で、顧客不良につながる配線の断線を大幅に低減するこ
とができるという効果が得られる。
５、上記（１１〜（３）により、アルミニウムなどの配
線と金線などのボンディングワイヤとの接合部分に、半
導体装置外部から水分を侵入し難くするという作用で、
顧客不良につながる配線の断線を太幅に低減することが
できる。
６、半導体装置において、ベレット上部表面上から硬質
かつ脆性なる物質、変形に富む物質、そして硬質なる物
質という積層構造となる予定の領域Ｋ、上方向から力が
加わる時、前記領域およびその周辺の領域にある変形に
富む物質に貫通孔を多数設けることにより、前記領域に
おいて前記、硬質かつ脆性なる物質と硬質なる物質とが
直接接合する個所が多数できるという作用で、前記領域
周辺にある硬質かつ脆性なる物質Ｋ、クラックの生ずる
ことが低減されるという効果が得られる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。例えば、本実施例Ｉに
おいて、第一絶縁膜の下には半導体基板が積層する構造
を取っているが、この半導体基板と第一絶縁膜の間に、
下層にシリコン酸化膜、上層にアルミニウムなどの配線
からなる２層を加えた構造を取ってもかまわない。
〔技術分野〕
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
な−その背景となった利用分野である半導体装置の電極
技術に適用した場合について説明したが、それに限定さ
れるものではなく、たとえばハイブリッド・マイ・シー
やワイヤボンディングを必要とする配線基板にも適用す
ることができる。
本発明は、少なくともワイヤボンディングを必要とする
半導体装置には適用できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、レジン樹脂封止された半導体装置のレジン樹
脂を一部取り去り、電極を露出させたものの平面図、 第２図は、第１図のｎ−ｍ’矢視断面図、第３図から第
８図までは、本発明実施例■を製造工程の順に図示した
もの、 第３図は、アルミニウムなどの配線を拡散層からペレッ
ト外周付近まで形成した状態を示したもの、 第４図は、第３図の■−ｖ’矢視断面図、第５図は、第
３図における工程の後、ベレツ）上部全表面に金線など
のボンディングワイヤとの接合する予定の部分に開孔部
を持つ、第二絶縁膜を形成した状態を示したもの、 第６図は、第５図のＭ−■矢視断面図、第７図は、第５
図に示す工程の後、ワイヤボンディングをした状態を示
したもの、 第８図は、第７図の■−■矢視断面図に加えて、ボンデ
ィングの瞬間におけるキャピラリも同時に示したもの、 第９図から第１４図は、本発明実施例…を、製造工程の
ｌａＫ図示したもの、 第９図は、アルミニウムなどの配線を、拡散層とのコン
タクト孔からペレット外周付近まで、形成した状態を示
したもの、 第１０図は、第９図のＸ−Ｘ矢視断面図、第１１図は、
第９図に示す工程の後、ペレット上部全表面Ｋ、ボンデ
ィングをする予定の領域に開孔部を持つ、ＰＳＧなどの
第二絶縁膜を形成した状態を示し、たもの、 第１２図は、第１１図の刈−刈矢視断面図、第１３図は
、第１１図に示す工程の後、ワイヤボンディングした状
態を示したもの、 第１４図は、第１３図のｘｗ−ｘ■’矢視断面図に、ボ
ンディングの瞬間におけるキャピラリを同時に図示した
もの。 ｌ・・・ペレット、２・・・電極、３・・・ボンディン
グワイヤ、４・・・タブ、５・・・リードフレーム、６
・・・樹脂、７・・・シリコン基板、８・・・拡散層、
９・・・二酸化シリコン膜、１０・・・電極、１０ａ・
・・アルミニウム配線、１０ｂ・・・貫通孔、１１・・
・コンタクト孔、１２・・・ＰＳＧ膜、１３・・・開孔
部、１４・・・ボンディングワイヤ、１４ａ・・・ボン
ディングワイヤのポール部、１５・・・キャピラリ、１
６・・・アルミニウム配線、１６ａ・・・アルミニウム
配線、１６ｂ・・・貫通孔、１７・・・開孔部。 第　　１　　図 第　　２　　図 第　　３　　図 第　　４　　図 第　　５　　図 １σ久 第　　６　　図 第　　７　　図 第　　８ｖＡ 一 第　　９　　図 第１０図 第　　１１　図 第１２図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、ペレットとペレット外部との導通を図るためのメタ
    ルパッドであって、その周辺部又は、前記パッドと諸素
    子の形成されている領域間を導通させる配線の少なくと
    も一部には、上層と下層の絶縁膜を連通するための貫通
    孔が設けられたことを特徴とする半導体装置。 ２、（ａ）第１膜 （ｂ）第２膜 （ｃ）上記第１膜と上記第２膜の間に介在してなる第３
    膜 （ｄ）外部から力の加わる上記第３膜に形成された凹部
    とからなることを特徴とする半導体装置。 ３、（ａ）上記第１膜は二酸化シリコン （ｂ）上記第２膜はＰＳＧ（フォス・シリケイト・ガラ
    ス） （ｃ）上記第３膜はアルミニウム （ｄ）ボンディングワイヤから力の加わる上記第３膜に
    設けられた凹部 とからなることを特徴とする特許請求の範囲第２項記載
    の半導体装置。 ４、（ａ）第１膜 （ｂ）第２膜 （ｃ）上記第１膜と上記第２膜の間に介在してなる第３
    膜 （ｄ）ボンディングワイヤによって覆われた上記第２膜
    に設けられた開孔部 （ｅ）上記ボンディングワイヤによって力の加わる上記
    第３膜に設けられた凹部 とからなることを特徴とする半導体装置。 ５、（ａ）第１膜 （ｂ）第２膜 （ｃ）上記第１膜と上記第２膜の間に介在してなる第３
    膜 （ｄ）上記第２膜に設けられた開孔部 （ｅ）上記開孔部の内側に形成された第３膜（ｆ）ボン
    ディングワイヤから力の加わる第３膜に設けられた凹部
    とからなることを特徴とする半導体装置。 ６、（ａ）第１膜 （ｂ）第２膜 （ｃ）上記第１膜と上記第２膜の間に介在してなる第３
    膜 （ｄ）ボンディングワイヤによって覆われた上記第２膜
    に設けられた開孔部 （ｅ）上記開孔部の内側に形成された第３膜（ｆ）上記
    ボンディングワイヤによって力の加わる上記第３膜に設
    けられた凹部 とからなることを特徴とする半導体装置。 ７、（ａ）上記第１膜は二酸化シリコン （ｂ）上記第２膜はＰＳＧ（フォス・シリケイト・ガラ
    ス） （ｅ）上記第３膜はアルミニウム とからなることを特徴とする特許請求の範囲第６項記載
    の半導体装置。
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