JPS61142747A - 圧接型半導体装置 - Google Patents
圧接型半導体装置Info
- Publication number
- JPS61142747A JPS61142747A JP26448184A JP26448184A JPS61142747A JP S61142747 A JPS61142747 A JP S61142747A JP 26448184 A JP26448184 A JP 26448184A JP 26448184 A JP26448184 A JP 26448184A JP S61142747 A JPS61142747 A JP S61142747A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- lead
- out body
- main
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は加圧接触型（圧接型と略称する）半導体装置
にかかり、特に大型電力素子サイリスタの電極導出に用
いられるものである。
にかかり、特に大型電力素子サイリスタの電極導出に用
いられるものである。
圧接型半導体装置の例えば大型電力素子サイリスタ（サ
イリスタと略称する）の構造を第３図に。
イリスタと略称する）の構造を第３図に。
また、そのカソード電極導出体の形状を第４図に示し以
下に説明する。
下に説明する。
図において、（１０１）は半導体素子で一方の主面（図
の出土面）にはその中央のゲート電極（１０２ｇ）を囲
み例えばアルミニウムで形成された環状のカソード電極
（１０２ｃ）が、また、他方の主面（図の下主面）には
例えばアルミニウムで形成されたアノード電極（１０２
ａ）が夫々設けられている。
の出土面）にはその中央のゲート電極（１０２ｇ）を囲
み例えばアルミニウムで形成された環状のカソード電極
（１０２ｃ）が、また、他方の主面（図の下主面）には
例えばアルミニウムで形成されたアノード電極（１０２
ａ）が夫々設けられている。
この半導体素子（１０１）は主電極のカソード電極（１
０２ｃ）がこれに対応させて形成され例えば鋼で形成さ
れたカソード電極導出体（１０３ｃ）の圧接面と、他主
面の主電極の例えば銅で形成されたアノード電極（１０
２ａ）がこれに対応させて形成されたアノード電極導出
体（１０３ａ）の圧接面との間に夫々例えばモリブデン
の補助金属板（１０４ｃ、 １０４ａ）を介して圧接支
持される。
０２ｃ）がこれに対応させて形成され例えば鋼で形成さ
れたカソード電極導出体（１０３ｃ）の圧接面と、他主
面の主電極の例えば銅で形成されたアノード電極（１０
２ａ）がこれに対応させて形成されたアノード電極導出
体（１０３ａ）の圧接面との間に夫々例えばモリブデン
の補助金属板（１０４ｃ、 １０４ａ）を介して圧接支
持される。
上記カソード電極導出体（１０３ｃ）は第４図に示され
るように、円板部（１１３ｃ）にこれと同軸の筒状部（
１２３ｃ）が設けられており、かつ、その筒状部の先端
が半導体素子（１０１）のカソード電極（１０２ｃ）の
形状に対応し補助金属板（１０４ｃ）を介して圧接する
。
るように、円板部（１１３ｃ）にこれと同軸の筒状部（
１２３ｃ）が設けられており、かつ、その筒状部の先端
が半導体素子（１０１）のカソード電極（１０２ｃ）の
形状に対応し補助金属板（１０４ｃ）を介して圧接する
。
また、上記筒状部（１２３ｃ）にはその軸方向に大部（
１３３ｃ）が設けられたＳ夫（けっ）型になり、ここか
ら半導体素子中央部のゲート電極（１０２ｇ）の導出リ
ード（１０５）が導出され、さらに外囲器の側筒部（１
０６）を貫通して導出されている。
１３３ｃ）が設けられたＳ夫（けっ）型になり、ここか
ら半導体素子中央部のゲート電極（１０２ｇ）の導出リ
ード（１０５）が導出され、さらに外囲器の側筒部（１
０６）を貫通して導出されている。
叙主の如く、ゲート電極の導出リード（１０５）は一般
にアルミニウム等の金属線で、半導体素子（１０１）の
中央部からカソード電極導出体の筒状部（１２３ｃ）に
設けられた大部（１３３ｃ）を通って導出される。この
ような構造により、両電極導出体で半導体素子を挟圧し
ても大部は加圧されないので接触面積が低減し熱抵抗が
増大する。また、大部との境目はひずみが生じやすく、
大電流を流した場合境目の部分で破壊されるものが多い
などの問題点がある。
にアルミニウム等の金属線で、半導体素子（１０１）の
中央部からカソード電極導出体の筒状部（１２３ｃ）に
設けられた大部（１３３ｃ）を通って導出される。この
ような構造により、両電極導出体で半導体素子を挟圧し
ても大部は加圧されないので接触面積が低減し熱抵抗が
増大する。また、大部との境目はひずみが生じやすく、
大電流を流した場合境目の部分で破壊されるものが多い
などの問題点がある。
この発明は上記従来の問題点に鑑みて圧接型半導体装置
の改良された構造を提供する。
の改良された構造を提供する。
この発明にかかる圧接型半導体装置は、一方の主面に制
御電極とこれを包囲して形成された第１の主電極をまた
他方の主面に形成された第２の主電極を有する半導体素
子、筒状部を有してその端面が前記第１の主電極に補助
金属板を介して圧接する形状の第１電極導出体、前記第
１の主電極と対で第２の主電極に補助金属板を介して圧
接する第２電極導出体、前記制御電極に一端を接続し前
記第１電極導出体の筒状部をこの径方向に設けられた透
孔を経由して導出された制御電極導出体とを具備したこ
とを特徴とする。この発明によれば、第１主電極の接触
面積を減少させることなく熱抵抗を低減でき、大電流に
対しひずみ等からの破壊が減少する。
御電極とこれを包囲して形成された第１の主電極をまた
他方の主面に形成された第２の主電極を有する半導体素
子、筒状部を有してその端面が前記第１の主電極に補助
金属板を介して圧接する形状の第１電極導出体、前記第
１の主電極と対で第２の主電極に補助金属板を介して圧
接する第２電極導出体、前記制御電極に一端を接続し前
記第１電極導出体の筒状部をこの径方向に設けられた透
孔を経由して導出された制御電極導出体とを具備したこ
とを特徴とする。この発明によれば、第１主電極の接触
面積を減少させることなく熱抵抗を低減でき、大電流に
対しひずみ等からの破壊が減少する。
以下、この発明の１実施例につき第１図および第２図を
参照して説明する。なお、従来と変わらない部分につい
ては図に従来と同じ符号を付して示し説明を省略し、相
違点につき詳述する。
参照して説明する。なお、従来と変わらない部分につい
ては図に従来と同じ符号を付して示し説明を省略し、相
違点につき詳述する。
電極導出体（１０ｃ）は円板部（ｌｉｅ）は従来と変わ
らないが、これに同軸の筒状部（１２ｃ）が設けられて
おり、これに半径方向の透孔（１３ｃ）を備え、ここか
らゲート電極（１０２ｇ）の導出リード（１０５）を導
出させている。
らないが、これに同軸の筒状部（１２ｃ）が設けられて
おり、これに半径方向の透孔（１３ｃ）を備え、ここか
らゲート電極（１０２ｇ）の導出リード（１０５）を導
出させている。
救主の構造により筒状部（１２ｃ）の先端の電極圧接面
は切れ目のない環型であり、半導体素子（１０１）のカ
ソード電極（１０２ｃ）に補助金属板（１０４ｃ）を介
して均一に圧接する。
は切れ目のない環型であり、半導体素子（１０１）のカ
ソード電極（１０２ｃ）に補助金属板（１０４ｃ）を介
して均一に圧接する。
この発明によれば、従来の構造に比し補助金属、板を介
したカソード電極の接触面積が増大できる上に熱抵抗の
低減が得られ、大電流に対してもひずみ等による破壊を
減少できる。これにより、圧接型半導体装置の品質が向
上できる顕著な効果がある。
したカソード電極の接触面積が増大できる上に熱抵抗の
低減が得られ、大電流に対してもひずみ等による破壊を
減少できる。これにより、圧接型半導体装置の品質が向
上できる顕著な効果がある。
第１図は本発明の１実施例の圧接型半導体装置の断面図
、第２図はカソード電極導出体を示し、同図（ａ）は正
面図、同図（ｂ）は側面図、第３図は従来の圧接型半導
体装置の断面図、第４図はカソード電極導出体を示し、
同図（ａ）は正面図、同図（ｂ）は側面図である。 １０ｃ、１０３ｃ カソード（第１）電極導出体１
１ｃ、１１３ｃ 電極導出体の円板部１２ｃ、１２
３ｃ 電極導出体の筒状部１３ｃ（筒状部の）透孔 １０１ 半導体素子
、第２図はカソード電極導出体を示し、同図（ａ）は正
面図、同図（ｂ）は側面図、第３図は従来の圧接型半導
体装置の断面図、第４図はカソード電極導出体を示し、
同図（ａ）は正面図、同図（ｂ）は側面図である。 １０ｃ、１０３ｃ カソード（第１）電極導出体１
１ｃ、１１３ｃ 電極導出体の円板部１２ｃ、１２
３ｃ 電極導出体の筒状部１３ｃ（筒状部の）透孔 １０１ 半導体素子
Claims (1)
- 一方の主面に制御電極とこれを包囲して形成された第
１の主電極をまた他方の主面に形成された第２の主電極
を有する半導体素子、筒状部を有してその端面が前記第
１の主電極に補助金属板を介して圧接する形状の第１電
極導出体、前記第１の主電極と対で第２の主電極に補助
金属板を介して圧接する第２電極導出体、前記制御電極
に一端を接続し前記第１電極導出体の筒状部をこの径方
向に設けられた透孔を経由して導出された制御電極導出
体とを具備した圧接型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26448184A JPS61142747A (ja) | 1984-12-17 | 1984-12-17 | 圧接型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26448184A JPS61142747A (ja) | 1984-12-17 | 1984-12-17 | 圧接型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61142747A true JPS61142747A (ja) | 1986-06-30 |
Family
ID=17403829
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26448184A Pending JPS61142747A (ja) | 1984-12-17 | 1984-12-17 | 圧接型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61142747A (ja) |
-
1984
- 1984-12-17 JP JP26448184A patent/JPS61142747A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| GB1078779A (en) | Semiconductor devices | |
| JPS61142747A (ja) | 圧接型半導体装置 | |
| SE7408138L (ja) | ||
| US4556898A (en) | Semiconductor device | |
| JPS63141234A (ja) | 電子放出素子 | |
| JP3334509B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS61125143A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0543474Y2 (ja) | ||
| JP3196567B2 (ja) | 圧接平型半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS62101072A (ja) | サイリスタ | |
| JP2590256B2 (ja) | 圧接型半導体装置 | |
| JPS63173363A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6339972Y2 (ja) | ||
| JP2654852B2 (ja) | 圧接形パツケージ構造に適合した静電誘導形半導体素子 | |
| JPS63173364A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH05218397A (ja) | 圧接型半導体素子 | |
| JPH0666463B2 (ja) | ゲ−トタ−ンオフサイリスタ装置 | |
| JPS62195174A (ja) | サイリスタ | |
| JPS62229847A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH01215028A (ja) | 圧接型半導体装置 | |
| JPS6320116Y2 (ja) | ||
| JPH02220452A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH03290965A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS61134067A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6027135A (ja) | 半導体装置 |