JPS61137421A - 適応電子バツフアシステム - Google Patents
適応電子バツフアシステムInfo
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- JPS61137421A JPS61137421A JP60269556A JP26955685A JPS61137421A JP S61137421 A JPS61137421 A JP S61137421A JP 60269556 A JP60269556 A JP 60269556A JP 26955685 A JP26955685 A JP 26955685A JP S61137421 A JPS61137421 A JP S61137421A
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- circuit
- buffer
- sub
- conductance
- output
- Prior art date
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/003—Modifications for increasing the reliability for protection
- H03K19/00369—Modifications for compensating variations of temperature, supply voltage or other physical parameters
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/14—Modifications for compensating variations of physical values, e.g. of temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K5/00—Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
- H03K5/01—Shaping pulses
- H03K5/02—Shaping pulses by amplifying
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Computing Systems (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はセット出力端子を有しているセット回路と、信
号入力端子、信号出力端子及び前記セット出力端子に接
続されるセット入力端子を有しているバッファ回路とを
具えており、製造過程の変動分及び動作条件がバッファ
回路の出力コンダクタンスに及ぼす影響を相殺するため
に、前記セット回路が該回路のセット出力端子にセット
信号を発生するようにした適応電子出力バッファシステ
ムに関するものである。
号入力端子、信号出力端子及び前記セット出力端子に接
続されるセット入力端子を有しているバッファ回路とを
具えており、製造過程の変動分及び動作条件がバッファ
回路の出力コンダクタンスに及ぼす影響を相殺するため
に、前記セット回路が該回路のセット出力端子にセット
信号を発生するようにした適応電子出力バッファシステ
ムに関するものである。
バッファ回路の設計は特に、成る特定の時間周期内にそ
の回路の出力端子に接続した容量性の負荷を充電及び放
電させることに向けられている。
の回路の出力端子に接続した容量性の負荷を充電及び放
電させることに向けられている。
この要求に基いて、バッファ出力のコンダクタンスに関
しては最小値を決定することができる。出力コンダクタ
ンスについての斯かる要求を満足せしめるバッファ回路
の設計に当っては、その設計に用いられる製造過程にお
ける変動分及び動作条件(温度、供給電圧)も考慮する
必要がある。従来のバッファ回路は製造過程の変動分及
び動作条件が不所望に組合わさって設計される(所謂「
最悪ケース」)。このような最悪ケースの組合せは一般
に実際の設計では殆ど生じない。しかし、通常バッファ
が不釣合になること、つまり出力コンダクタンス及び出
力電流が設計上の計算値よりも大きくなることがある。
しては最小値を決定することができる。出力コンダクタ
ンスについての斯かる要求を満足せしめるバッファ回路
の設計に当っては、その設計に用いられる製造過程にお
ける変動分及び動作条件(温度、供給電圧)も考慮する
必要がある。従来のバッファ回路は製造過程の変動分及
び動作条件が不所望に組合わさって設計される(所謂「
最悪ケース」)。このような最悪ケースの組合せは一般
に実際の設計では殆ど生じない。しかし、通常バッファ
が不釣合になること、つまり出力コンダクタンス及び出
力電流が設計上の計算値よりも大きくなることがある。
このような場合には、スイッチング動作によって給電線
のコンダクタンス間における電流変動分(di/dt)
及び電圧ピークを速くする。スイッチング動作を行わせ
るパルスはディジタル回路における妨害マージン(余裕
度)を低減し、かつスイッチング動作を誤らせ、従って
メモリセル内の情報の損失をまねくことになる。
のコンダクタンス間における電流変動分(di/dt)
及び電圧ピークを速くする。スイッチング動作を行わせ
るパルスはディジタル回路における妨害マージン(余裕
度)を低減し、かつスイッチング動作を誤らせ、従って
メモリセル内の情報の損失をまねくことになる。
製造過程における変動分及び動作条件の影響を補償する
ためにアナログ制御信号によってバッファ回路をセット
するようにした回路は米国特許第3970875号に開
示されている。この回路は静的散逸バッファの出力端子
における充電電流を制御するが、この回路では放電電流
を制御することはできない。さらに、制御範囲の程度を
ランダムに選択することもできない。
ためにアナログ制御信号によってバッファ回路をセット
するようにした回路は米国特許第3970875号に開
示されている。この回路は静的散逸バッファの出力端子
における充電電流を制御するが、この回路では放電電流
を制御することはできない。さらに、制御範囲の程度を
ランダムに選択することもできない。
本発明の目的は、充電及び放電電流のばらつきがバッフ
ァ回路の製造過程における変動分及び動作条件に基いて
予想されるばらつきよりも遥かに小さくなるようにバッ
ファを適応させる適応電子バッファシステムを提供する
ことにある。
ァ回路の製造過程における変動分及び動作条件に基いて
予想されるばらつきよりも遥かに小さくなるようにバッ
ファを適応させる適応電子バッファシステムを提供する
ことにある。
本発明による適応電子バッファシステムは、前記バッフ
ァ回路が該回路の信号入力端子と信号出力端子との間に
並列に接続される少なくとも2個のサブ−バッファを具
え、これらのサブ−バッファの内の1つのサブ−バッフ
ァを切換自在のサブ−バッファとし、該サブ−バッファ
の起動入力端子を前記セット入力端子に接続すると共に
前記セット回路のセット出力端子に発生した2進セット
信号によって前記1つのサブ−バッファがコンダクタン
スの極限状態の1つに選択的にセットされるようにした
ことを特徴とする。
ァ回路が該回路の信号入力端子と信号出力端子との間に
並列に接続される少なくとも2個のサブ−バッファを具
え、これらのサブ−バッファの内の1つのサブ−バッフ
ァを切換自在のサブ−バッファとし、該サブ−バッファ
の起動入力端子を前記セット入力端子に接続すると共に
前記セット回路のセット出力端子に発生した2進セット
信号によって前記1つのサブ−バッファがコンダクタン
スの極限状態の1つに選択的にセットされるようにした
ことを特徴とする。
論理セット信号を用いると制御範囲が広くなる。
その理由は、各セット信号はバッファの総合出力コンダ
クタンスに対して自由に選択し得る寄与度に対応させる
ことができるからである。バッファ回路は並列に接続さ
れるN個のサブ−バッファを具えており、これらのサブ
−バッファはセット信号の制御下で作動させたり、させ
なくしたりし、セット信号により作動させたサブ−バッ
ファはバッファ回路の出力コンダクタンスに寄与する。
クタンスに対して自由に選択し得る寄与度に対応させる
ことができるからである。バッファ回路は並列に接続さ
れるN個のサブ−バッファを具えており、これらのサブ
−バッファはセット信号の制御下で作動させたり、させ
なくしたりし、セット信号により作動させたサブ−バッ
ファはバッファ回路の出力コンダクタンスに寄与する。
サブ−バッファから成るバッファ回路を集積回路で構成
する場合、必要な表面積及び出力容量は「最悪ケース」
の場合に基いて設計されるバッファ回路の場合と同じと
なる。
する場合、必要な表面積及び出力容量は「最悪ケース」
の場合に基いて設計されるバッファ回路の場合と同じと
なる。
セット回路にはバッファ回路用に調整した出力コンダク
タンスの特性を表わす測定コンダクタンスを呈する特徴
回路を設ける。測定コンダクタンスは一定の基準コンダ
クタンスと比較され、この基準コンダクタンスは製造過
程の変動分と動作条件によって影響されないようにする
のが好適である。この比較結果を論理回路に用いてセッ
ト信号を発生させるが、このためにはバッファの出力コ
ンダクタンスを目標値よりも僅かに高くするか、又は等
しくする。
タンスの特性を表わす測定コンダクタンスを呈する特徴
回路を設ける。測定コンダクタンスは一定の基準コンダ
クタンスと比較され、この基準コンダクタンスは製造過
程の変動分と動作条件によって影響されないようにする
のが好適である。この比較結果を論理回路に用いてセッ
ト信号を発生させるが、このためにはバッファの出力コ
ンダクタンスを目標値よりも僅かに高くするか、又は等
しくする。
以下図面につき本発明を説明する。
第1図は本発明によるバッファシステムの一例を概略的
に示したものであり、入力端子21と出力端子22とを
有しているバッファ回路20をN (N >1)個のセ
ット信号入力端子23を介してセット回路10のN個の
セット信号出力端子11に接続する。セット回路10は
セット信号出力端子11に接続されるN個の出力端子4
7と1個の入力端子43とを有している論理回路30を
具えている。この論理回路のN個の出力端子47は特徴
回路31のN個の入力端子44にも接続する。特徴回路
31は第1測定結線37と、第2測定結線38も有して
おり、その第1測定結線37は比較器33の第1比較入
力端子に接続し、第2測定結線38は第1給電端子42
に接続する。セット回路10は第1基準結線36及び第
2基準結線39も有しており、第1基準結線は比較器3
3の第2比較入力端子36′に接続し、第1基準結線3
9は第2測定結線38に接続する。第1電流線34及び
第2電流源35は第1結線によって第2給電端子46に
接続する。
に示したものであり、入力端子21と出力端子22とを
有しているバッファ回路20をN (N >1)個のセ
ット信号入力端子23を介してセット回路10のN個の
セット信号出力端子11に接続する。セット回路10は
セット信号出力端子11に接続されるN個の出力端子4
7と1個の入力端子43とを有している論理回路30を
具えている。この論理回路のN個の出力端子47は特徴
回路31のN個の入力端子44にも接続する。特徴回路
31は第1測定結線37と、第2測定結線38も有して
おり、その第1測定結線37は比較器33の第1比較入
力端子に接続し、第2測定結線38は第1給電端子42
に接続する。セット回路10は第1基準結線36及び第
2基準結線39も有しており、第1基準結線は比較器3
3の第2比較入力端子36′に接続し、第1基準結線3
9は第2測定結線38に接続する。第1電流線34及び
第2電流源35は第1結線によって第2給電端子46に
接続する。
第1及び第2電流源は第2結線を介して第1測定結線3
7及び第1基準結線36にそれぞれ接続する。
7及び第1基準結線36にそれぞれ接続する。
各電流源は第1基準結線36並びに第1測定結線37に
それぞれ電流を供給し、これらの電流強度の比は一定と
し、その値は回路設計により規定される。
それぞれ電流を供給し、これらの電流強度の比は一定と
し、その値は回路設計により規定される。
論理回路30、比較器33、基準素子32及び特徴回路
31によって形成される制御回路はバッファ回路用のセ
ット信号を発生する。これらのセット信号は特徴回路3
1の入力端子44にも供給する。第1測定結線37と第
2測定結線38との間の測定コンダクタンスは複数のバ
ッファ回路用に調整される出力コンダクタンスの特性を
表わし、斯かる測定コンダクタンスはバッファ回路の出
力コンダクタンスと同程度にセット信号、製造過程の変
動分及び動作条件に依存する。
31によって形成される制御回路はバッファ回路用のセ
ット信号を発生する。これらのセット信号は特徴回路3
1の入力端子44にも供給する。第1測定結線37と第
2測定結線38との間の測定コンダクタンスは複数のバ
ッファ回路用に調整される出力コンダクタンスの特性を
表わし、斯かる測定コンダクタンスはバッファ回路の出
力コンダクタンスと同程度にセット信号、製造過程の変
動分及び動作条件に依存する。
動作条件に依存する一定の適切に規定されたコンダクタ
ンスを呈するようにすべきである基準素子32を第1基
準結線36と第2基準結線39との間に接続する。バッ
ファシステムを集積回路に用いる場合には、斯かる基準
素子をチップの製造とは無関係に、しかもチップの動作
条件にも無関係な外部抵抗として構成するのが有利であ
る。斯かる抵抗は、よくある既存の集積回路におけるリ
セット回路に設けて、その抵抗性基準素子に対する追加
の入力端子を何部必要としないようにすることができる
。″ フィリッ、ブス・チクニッシュ・ティードシュリ
フト”(Philips Technisch Tij
dschrift)、1983、 NO,4,第115
〜116頁に記載されているように、基準素子はスイッ
チドーコンデンサ形態で集積回路に集積化することもで
きる。このようにすれば追加の構成部品を必要としない
で済むと云う利点がある。しかし、基準コンダクタンス
が製造過程の変動分に全く無関係とはならなくなると云
う欠点がある。そこで、出力コンダクタンスの広がり(
ばらつき)に較べて遥かに低い約10%の基準コンダク
タンスのばらつきを考慮する必要があることを確かめた
。基準素子としては集積化した抵抗形態のものを使用す
ることもできることは明らかである。しかし、この場合
には斯かる抵抗を製造過程の変動分及び動作条件に対し
て十分に無関係とする必要がある。
ンスを呈するようにすべきである基準素子32を第1基
準結線36と第2基準結線39との間に接続する。バッ
ファシステムを集積回路に用いる場合には、斯かる基準
素子をチップの製造とは無関係に、しかもチップの動作
条件にも無関係な外部抵抗として構成するのが有利であ
る。斯かる抵抗は、よくある既存の集積回路におけるリ
セット回路に設けて、その抵抗性基準素子に対する追加
の入力端子を何部必要としないようにすることができる
。″ フィリッ、ブス・チクニッシュ・ティードシュリ
フト”(Philips Technisch Tij
dschrift)、1983、 NO,4,第115
〜116頁に記載されているように、基準素子はスイッ
チドーコンデンサ形態で集積回路に集積化することもで
きる。このようにすれば追加の構成部品を必要としない
で済むと云う利点がある。しかし、基準コンダクタンス
が製造過程の変動分に全く無関係とはならなくなると云
う欠点がある。そこで、出力コンダクタンスの広がり(
ばらつき)に較べて遥かに低い約10%の基準コンダク
タンスのばらつきを考慮する必要があることを確かめた
。基準素子としては集積化した抵抗形態のものを使用す
ることもできることは明らかである。しかし、この場合
には斯かる抵抗を製造過程の変動分及び動作条件に対し
て十分に無関係とする必要がある。
比較器33は測定コンダクタンスと基準コンダクタンス
32に流れる電流によって発生される電圧を比較する。
32に流れる電流によって発生される電圧を比較する。
比較器33の出力信号は論理回路30に対する人力信号
として作用する。この論理回路の出力端子47に発生す
るセット信号は測定コンダクタンスを基準コンダクタン
スにより良好に近付けるようにする。制御回路は測定コ
ンダクタンス間の電圧が基準コンダクタンス間の電圧よ
りも僅かに低くなるか、又は等しくなる場合に平衡状態
になる。
として作用する。この論理回路の出力端子47に発生す
るセット信号は測定コンダクタンスを基準コンダクタン
スにより良好に近付けるようにする。制御回路は測定コ
ンダクタンス間の電圧が基準コンダクタンス間の電圧よ
りも僅かに低くなるか、又は等しくなる場合に平衡状態
になる。
バッファ回路の出力コンダクタンスが連続的に変動しな
いようにするためには、例えば0.1〜1秒のような適
当な時間間隔で最適なセツティングを行なう探索を成す
べきであり、この場合比較器の伝達関数に成る程度のヒ
ステリシスを導入させることができる。これがため、比
較器には所謂シュミット−トリガ回路を設けることがで
きる。このようにして、バッファ回路の出力コンダクタ
ンスが回路の設計時に決定した値よりも僅かに高くなる
か、又は等しくなる設定値を見い出すようにする。従っ
て、バッファ回路の出力端子における充電及び放電電流
のばらつきは製造過程の変動分及び動作条件によって生
ずるばらつきよりも直かに小さくなる。
いようにするためには、例えば0.1〜1秒のような適
当な時間間隔で最適なセツティングを行なう探索を成す
べきであり、この場合比較器の伝達関数に成る程度のヒ
ステリシスを導入させることができる。これがため、比
較器には所謂シュミット−トリガ回路を設けることがで
きる。このようにして、バッファ回路の出力コンダクタ
ンスが回路の設計時に決定した値よりも僅かに高くなる
か、又は等しくなる設定値を見い出すようにする。従っ
て、バッファ回路の出力端子における充電及び放電電流
のばらつきは製造過程の変動分及び動作条件によって生
ずるばらつきよりも直かに小さくなる。
論理回路30は多種形態で実現することができ、例えば
それを2進アツプ/ダウンカウンタをもって構成し、そ
のカウンタの計数方向を前記比較器による比較結果によ
り決定することができる。この場合、カウンタの出力は
セット信号を形成する。
それを2進アツプ/ダウンカウンタをもって構成し、そ
のカウンタの計数方向を前記比較器による比較結果によ
り決定することができる。この場合、カウンタの出力は
セット信号を形成する。
ついでバッファ回路及び特徴回路につき詳細に説明する
。
。
第2図は本発明によるバッファ回路20′を示すブロッ
ク線図であり、このバッファ回路は入力端子21′、出
力端子22′、第1セツト信号入力端子23′及び第2
セツト信号入力端子24 ’ (N=2)を有しており
、かつ第1 (25)及び第2 (26)の切換自在の
サブ−バッファを内蔵しており、これらの各サブ−バッ
ファは第1(23′)及び第2 (24’)のセット信
号入力端子にそれぞれ接続される起動入力端子(それぞ
れ28.29)を有している。
ク線図であり、このバッファ回路は入力端子21′、出
力端子22′、第1セツト信号入力端子23′及び第2
セツト信号入力端子24 ’ (N=2)を有しており
、かつ第1 (25)及び第2 (26)の切換自在の
サブ−バッファを内蔵しており、これらの各サブ−バッ
ファは第1(23′)及び第2 (24’)のセット信
号入力端子にそれぞれ接続される起動入力端子(それぞ
れ28.29)を有している。
バッファ回路には常時作動する非切換自在のサブ−バッ
ファ27を設けることもでき、このサブ−バッファは入
力端子と出力端子とを有しているだけである。サブ−バ
ッファのすべての入力端子の相互接続点はバッファ回路
20′の入力端子を成し、サブ−バッファのすべての出
力端子の相互接続点はバッファ回路20′の出力端子を
成す。切換自在のサブ−バッファ25及び26はそれら
の起動入力端子に現われるセット信号によってスイッチ
・オンされたり、スイッチ・オフされたりする。
ファ27を設けることもでき、このサブ−バッファは入
力端子と出力端子とを有しているだけである。サブ−バ
ッファのすべての入力端子の相互接続点はバッファ回路
20′の入力端子を成し、サブ−バッファのすべての出
力端子の相互接続点はバッファ回路20′の出力端子を
成す。切換自在のサブ−バッファ25及び26はそれら
の起動入力端子に現われるセット信号によってスイッチ
・オンされたり、スイッチ・オフされたりする。
第3図は上述したバッファ回路用の特徴回路31′の一
例を示したものである。この回路31′は第1入力端子
44′及び第2入力端子45 ’ (N =2)と、第
1給電端子42′及び第2給電端子46′と、第1測定
結線37′及び第2測定結線38′とを有している。
例を示したものである。この回路31′は第1入力端子
44′及び第2入力端子45 ’ (N =2)と、第
1給電端子42′及び第2給電端子46′と、第1測定
結線37′及び第2測定結線38′とを有している。
さらにこの特徴回路は第1制御回路50及び第2制御回
路51を具えており、これらの各制御回路はそれぞれ入
力端子44′及び45′と、それぞれ第1測定素子53
及び第2測定素子54に接続する出力端子とを有してい
る。これら2つの制御回路は第1給電端子42′への接
続線及び第2給電端子46′への接続線も有している。
路51を具えており、これらの各制御回路はそれぞれ入
力端子44′及び45′と、それぞれ第1測定素子53
及び第2測定素子54に接続する出力端子とを有してい
る。これら2つの制御回路は第1給電端子42′への接
続線及び第2給電端子46′への接続線も有している。
本例では各測定素子を絶縁ゲート電界効果トランジスタ
として構成し、このトランジスタのチャネルの一端を第
1測定結線37′に、他端を第2測定結線に接続すると
共に、ゲートを関連する制御回路の出力端子に接続する
。
として構成し、このトランジスタのチャネルの一端を第
1測定結線37′に、他端を第2測定結線に接続すると
共に、ゲートを関連する制御回路の出力端子に接続する
。
バッファ回路に非切換自在のサブ−バッファを設ける場
合には、特徴回路にバイアス回路52を設け、このバイ
アス回路にも第3の測定素子55を設ける。このバイア
ス回路52と測定素子55との結線は、上述した制御回
路50又は51と測定素子53又は54との結線とほぼ
同様にするが、相違点はバイアス回路52には入力端子
がなく、また第3の測定素子55は絶えずスイッチ・オ
ンさせる点にある。測定素子のチャネル長は、それによ
って特徴付けられるサブ−バッファにふける電界効果の
トランジスタ(IGF[ET)のチャネル長に対応させ
る。その理由は、コンダクタンスのばらつきはこれらの
チャネル長に大いに依存するからである。電界効果トラ
ンジスタのコンダクタンス−ファクタの比率は、これら
によって特徴付けられるサブ−バッファの出力コンダク
タンスの比率に等しくなるように選定する。
合には、特徴回路にバイアス回路52を設け、このバイ
アス回路にも第3の測定素子55を設ける。このバイア
ス回路52と測定素子55との結線は、上述した制御回
路50又は51と測定素子53又は54との結線とほぼ
同様にするが、相違点はバイアス回路52には入力端子
がなく、また第3の測定素子55は絶えずスイッチ・オ
ンさせる点にある。測定素子のチャネル長は、それによ
って特徴付けられるサブ−バッファにふける電界効果の
トランジスタ(IGF[ET)のチャネル長に対応させ
る。その理由は、コンダクタンスのばらつきはこれらの
チャネル長に大いに依存するからである。電界効果トラ
ンジスタのコンダクタンス−ファクタの比率は、これら
によって特徴付けられるサブ−バッファの出力コンダク
タンスの比率に等しくなるように選定する。
起動させた測定素子(IGFBT) は、そのゲートに
て2つの給電端子における電圧の平均値を受電するため
、そのFBTは成る特性のセツティングを行ない、しか
もチャネルのコンダクタンスは供給電圧に相互依存する
ようになる。電界効果トランジスタの温度はバッファ回
路の温度に等しくするのが好適である。バッファ回路を
集積回路に適用すに場合には、バッファ回路の特性を決
定する製造過程の変動分を、測定素子の特性を決定する
変動分に等しくする。このようにすれば、測定コンダク
タンスがバッファ回路の出力コンダクタンスの特性を表
わすようになる。
て2つの給電端子における電圧の平均値を受電するため
、そのFBTは成る特性のセツティングを行ない、しか
もチャネルのコンダクタンスは供給電圧に相互依存する
ようになる。電界効果トランジスタの温度はバッファ回
路の温度に等しくするのが好適である。バッファ回路を
集積回路に適用すに場合には、バッファ回路の特性を決
定する製造過程の変動分を、測定素子の特性を決定する
変動分に等しくする。このようにすれば、測定コンダク
タンスがバッファ回路の出力コンダクタンスの特性を表
わすようになる。
切換自在のサブ−バッファは、例えば既知の集積回路■
BF40098Bのような所謂3−状態バッファとして
構成3″ることができる。所要に応じ、セット信号入力
端子はバッファ回路の出力を高インピーダンス状態に切
換えるのに用いることもできる。
BF40098Bのような所謂3−状態バッファとして
構成3″ることができる。所要に応じ、セット信号入力
端子はバッファ回路の出力を高インピーダンス状態に切
換えるのに用いることもできる。
つぎの例は本発明によるバッフアンステムを用いて達成
される結果を説明するものである。出力コンダクタンス
がばらつき係数4(集積回路における実際の値)を呈し
、かつ2つの切換自在のサブ−バッファ(N =2)を
具えているバッファ回路を使用するものとした。「最悪
ケース」の情況によって総合バッファ容量を決定した。
される結果を説明するものである。出力コンダクタンス
がばらつき係数4(集積回路における実際の値)を呈し
、かつ2つの切換自在のサブ−バッファ(N =2)を
具えているバッファ回路を使用するものとした。「最悪
ケース」の情況によって総合バッファ容量を決定した。
この容量は2つのサブ−バッファ間に分配され、計算か
ら総バッファ容量は、第1サブ−バッファが総容量の0
.39倍に相当する容量を存し、第2サブ−バッファが
総容量の0.61倍に相当する容量を有するように分配
するのが最適であることを確めた。この場゛合、バッフ
ァ回路は最大でも1.6倍も大きくなり、これにより利
得が2.5倍となる。出力コンダクタンスが所望値より
も高くなると、集積回路におけるバッファを制御する素
子のコンダクタンスも高くなる。これによりバッファが
より一層速く駆動され、従ってバッファは大電流を供給
する。速い電流変動分(di、#t) と出力コンダ
クタンスとの間には二乗関係があることをシミュレーシ
ョンにより確めた。本発明によるバッファシステムにも
バッファ駆動回路を設けるのが有利である。この場合、
速い電流変化に対しても十分高い利得が得られる。
ら総バッファ容量は、第1サブ−バッファが総容量の0
.39倍に相当する容量を存し、第2サブ−バッファが
総容量の0.61倍に相当する容量を有するように分配
するのが最適であることを確めた。この場゛合、バッフ
ァ回路は最大でも1.6倍も大きくなり、これにより利
得が2.5倍となる。出力コンダクタンスが所望値より
も高くなると、集積回路におけるバッファを制御する素
子のコンダクタンスも高くなる。これによりバッファが
より一層速く駆動され、従ってバッファは大電流を供給
する。速い電流変動分(di、#t) と出力コンダ
クタンスとの間には二乗関係があることをシミュレーシ
ョンにより確めた。本発明によるバッファシステムにも
バッファ駆動回路を設けるのが有利である。この場合、
速い電流変化に対しても十分高い利得が得られる。
第1図には本発明によるバッファシステムの一例を示す
ブロック線図; 第2図はバッファ回路を詳細に示すブロック線図; 第3図は特徴回路の一例を示すブロック線図である。
ブロック線図; 第2図はバッファ回路を詳細に示すブロック線図; 第3図は特徴回路の一例を示すブロック線図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、セット出力端子を有しているセット回路と、信号入
力端子、信号出力端子及び前記セット出力端子に接続さ
れるセット入力端子を有しているバッファ回路とを具え
ており、製造過程の変動分及び動作条件がバッファ回路
の出力コンダクタンスに及ぼす影響を相殺するために、
前記セット回路が該回路のセット出力端子にセット信号
を発生するようにした適応電子出力バッファシステムに
おいて、前記バッファ回路が該回路の信号入力端子と信
号出力端子との間に並列に接続される少なくとも2個の
サブ−バッファを具え、これらのサブ−バッファの内の
1つのサブ−バッファを切換自在のサブ−バッファとし
、該サブ−バッファの起動入力端子を前記セット入力端
子に接続すると共に前記セット回路のセット出力端子に
発生した2進セット信号によって前記1つのサブ−バッ
ファがコンダクタンスの極限状態の1つに選択的にセッ
トされるようにしたことを特徴とする適応電子バッファ
システム。 2、前記バッファ回路がN個(N≧1)のセット入力端
子と、N個の切換自在のサブ−バッファとを具え、前記
セット回路がN個のセット出力端子を有し、前記各切換
自在のサブ−バッファが該サブ−バッファ固有のセット
入力端子を介して該サブ−バッファに固有の前記セット
回路のセット出力端子から2進セット信号を受信するよ
うにしたことを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載
の適応電子バッファシステム。 3、前記バッファシステムが複数個のバッファ回路を具
え、各バッファ回路における前記N個のセット入力端子
を前記特許請求の範囲第2項に記載した方法で前記N個
のセット出力端子に接続するようにしたことを特徴とす
る特許請求の範囲第2項に記載の適応電子バッファシス
テム。 4、前記セット回路が特徴回路を具え、該特徴回路がN
個の入力端子と、第1及び第2測定結線と、第1及び第
2基準結線とを有し、前記特徴回路の入力端子を前記N
個のセット出力端子に1対1の対応関係で接続し、前記
第1測定結線と第2測定結線との間の測定コンダクタン
スが各バッファ回路用に調整される出力コンダクタンス
に対する特性測度となるようにしたことを特徴とする特
許請求の範囲第1、2又は3項のいずれかに記載の適応
電子バッファシステム。 5、前記第1基準結線と第2基準結線に接続する基準素
子のコンダクタンスが一定値を有するようにしたことを
特徴とする特許請求の範囲第4項に記載の適応電子バッ
ファシステム。 6、前記基準素子が動作条件に無関係な抵抗を含むよう
にしたことを特徴とする特許請求の範囲第5項に記載の
適応電子バッファシステム。 7、前記基準素子がスイッチド−キャパシタンス抵抗を
含むようにしたことを特徴とする特許請求の範囲第5項
に記載の適応電子バッファシステム。 8、前記セット回路が、1個の入力端子及びN個の出力
端子を有している論理回路と、特徴回路と、基準素子と
、第1及び第2の比較入力端子及び1つの出力端子を有
している比較器とによって形成される制御回路を具え、
前記第1測定結線を前記比較器の第1入力端子に接続す
ると共に前記第1基準結線を前記比較器の第2入力端子
に接続し、前記比較器の出力端子を前記論理回路の入力
端子に接続し、前記第2測定結線及び前記第2基準結線
も相互接続し、前記比較器の第1及び第2入力端子に接
続した電流源が前記第1測定結線並びに前記第1基準結
線に電流を一定の比率で供給するようにしたことを特徴
とする特許請求の範囲第5項に記載の適応電子バッファ
システム。 9、前記特徴回路がN個の並列に接続した切換自在の測
定素子を含み、各測定素子が所定のセット信号の制御下
で総合コンダクタンスの測定に寄与するようにして、同
一セット信号により制御される切換自在の各サブ−バッ
ファによって形成されるバッファ回路の総合出力コンダ
クタンスに及ぼす寄与程度を前記各測定素子の寄与程度
によって特徴付けるようにしたことを特徴とする特許請
求の範囲第4又は8項のいずれかに記載の適応電子バッ
ファシステム。 10、前記特徴回路が第1及び第2給電端子への結線を
含み、前記測定素子が絶縁ゲート電界効果トランジスタ
を含み、これらトランジスタのチャネルの第1端部を前
記第1測定結線に接続すると共に、前記チャネルの第2
端部を第2測定結線に接続し、前記トランジスタのチャ
ネルのコンダクタンスがそれらのトランジスタによって
特徴付けられるサブ−バッファの出力コンダクタンスと
して関連するようにし、導通測定素子のゲートが前記両
給電端子における電圧の平均値に等しい制御電圧を受電
するようにしたことを特徴とする特許請求の範囲第9項
に記載の適応電子バッファシステム。 11、測定素子における電界効果トランジスタのチャネ
ルの長さが、これらの測定素子によって特徴付けられる
サブ−バッファにおける電界効果トランジスタのチャネ
ルの長さと等しくなるようにしたことを特徴とする特許
請求の範囲第9項に記載の適応電子バッファシステム。
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