JPS61136245A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS61136245A JPS61136245A JP25871184A JP25871184A JPS61136245A JP S61136245 A JPS61136245 A JP S61136245A JP 25871184 A JP25871184 A JP 25871184A JP 25871184 A JP25871184 A JP 25871184A JP S61136245 A JPS61136245 A JP S61136245A
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- Japan
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- interlayer insulating
- insulating film
- film
- sensitive resin
- metallic
- Prior art date
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- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の展造方法に関し、特に、多層金
属配線間を絶縁するた吟の層間絶縁膜を、半導体素子に
力学的損傷を与える墨無く平坦化するための方法に関す
る。
属配線間を絶縁するた吟の層間絶縁膜を、半導体素子に
力学的損傷を与える墨無く平坦化するための方法に関す
る。
半導体素子の高集積化が進むにつれて、金属配線を多層
構造にする必要に迫られている。多層配線構造にする上
で、最も問題となってくるのは。
構造にする必要に迫られている。多層配線構造にする上
で、最も問題となってくるのは。
段差部での配線の段切れである。段差部での段切れを防
止するためには、金属配線を形成する時の下地となる層
間絶縁膜をできるかぎり平坦化しなければならない。
止するためには、金属配線を形成する時の下地となる層
間絶縁膜をできるかぎり平坦化しなければならない。
従来、エツチングを利用した層間絶縁膜の平坦化方法と
しては、ジャーナル・オン・エレクトロケミカル＠ササ
イアテ４ （Ｊ ｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｏ
−ｃｈｅｍｉｃａｌ ５ｏｃｉｅｔｙ）、１２１ ：
３０７．１９７４と他にプロシーテイング・オン・セ
カンド・シンポジ、−ム・オン・ドライ・プロセス、ト
ーキヨウ（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ５ｅｃｏｎ
ｄ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ ｏｎＤｒｙＰｒｏｃｅｓｓ、
Ｔｏｋｙｏ）：４９．１９８０及び信学技報、 Ｖｏ
ｌ、 ８１． Ｎｏ、 ２０５５ＤＤ８１−７２に報告
され知られている。
しては、ジャーナル・オン・エレクトロケミカル＠ササ
イアテ４ （Ｊ ｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｏ
−ｃｈｅｍｉｃａｌ ５ｏｃｉｅｔｙ）、１２１ ：
３０７．１９７４と他にプロシーテイング・オン・セ
カンド・シンポジ、−ム・オン・ドライ・プロセス、ト
ーキヨウ（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ５ｅｃｏｎ
ｄ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ ｏｎＤｒｙＰｒｏｃｅｓｓ、
Ｔｏｋｙｏ）：４９．１９８０及び信学技報、 Ｖｏ
ｌ、 ８１． Ｎｏ、 ２０５５ＤＤ８１−７２に報告
され知られている。
前者の方法は第２図（ａ）〜（ｃ） Ｋ示すように、例
えば、第２図（ａ）に示すようにシリコン基板４０の上
膜としてＰＳＧ膜ｌＯを形成する０次いで、第２ 〜図
（ｂ） Ｋ示すようにこのＰＳＧｐＩ／４１Ｏの上ＫＭ
光性樹脂膜５０をコーティングする。そして第２図（ｃ
）に示すように、リアクティブイオンエツチングを用い
て、ＰＳＧ膜と感光性樹脂膜をｌｂ」−の工、チング速
度でヱ、チングが行なわれる条件でエツチングする。し
かるときは平坦化し九ＰＳＧの形状が鞠られる。
えば、第２図（ａ）に示すようにシリコン基板４０の上
膜としてＰＳＧ膜ｌＯを形成する０次いで、第２ 〜図
（ｂ） Ｋ示すようにこのＰＳＧｐＩ／４１Ｏの上ＫＭ
光性樹脂膜５０をコーティングする。そして第２図（ｃ
）に示すように、リアクティブイオンエツチングを用い
て、ＰＳＧ膜と感光性樹脂膜をｌｂ」−の工、チング速
度でヱ、チングが行なわれる条件でエツチングする。し
かるときは平坦化し九ＰＳＧの形状が鞠られる。
一刀、後者の万＃は、プラズマ窒化膜の段差部構造に訃
ける％異な工、テング特性を利用した方法である。
ける％異な工、テング特性を利用した方法である。
この万云は、特定条件のりアクティブイオンエッチを用
いると、プラズマ窒化膜の段差の溝部でのエツチング速
度が平坦部に比べ遅くなり、したがって窒化膜が平坦化
することを用いている。第３図（ａ）〜（Ｃ）にその実
施例を示す。第３図（ａ）は金属配＃８０上に層間絶縁
膜７０を付着形成し、さらに７〜ラズマ窒化１１［６０
を付着形成した状態である。
いると、プラズマ窒化膜の段差の溝部でのエツチング速
度が平坦部に比べ遅くなり、したがって窒化膜が平坦化
することを用いている。第３図（ａ）〜（Ｃ）にその実
施例を示す。第３図（ａ）は金属配＃８０上に層間絶縁
膜７０を付着形成し、さらに７〜ラズマ窒化１１［６０
を付着形成した状態である。
次に、Ｍ３図Ｃ呻に示すように、荷定粂件下で、リアク
ティブイオンエッチすると、プラズマ窒化膜（ｃ）に示
すように、プラズマ窒化膜６１と層間絶縁膜７０の工、
チング速度が同一になる条件でエツチングすれば層間絶
縁膜は平坦化される。
ティブイオンエッチすると、プラズマ窒化膜（ｃ）に示
すように、プラズマ窒化膜６１と層間絶縁膜７０の工、
チング速度が同一になる条件でエツチングすれば層間絶
縁膜は平坦化される。
上述した前者の半導体ａｍの製造方法では、あらゆるリ
ン濃度のＰＩＧ膜及び他種の層間絶縁膜について、感光
性樹脂と四−のエツチング速度が得られるような、工、
テング条汗を見い出すことが困難な所にある０さらにエ
ッチング力法として。
ン濃度のＰＩＧ膜及び他種の層間絶縁膜について、感光
性樹脂と四−のエツチング速度が得られるような、工、
テング条汗を見い出すことが困難な所にある０さらにエ
ッチング力法として。
イオンによるスバ、タリング効果をオリ用したりアクテ
ィブイオンエッチを使用せねばならないため、エツチン
グ中半導体素子にイオン衝撃による損傷を与え、半導体
素子の電気特性に悪いｉｅ／４１１をもたらす０ また、後者の方法は、前者同様イオンによるスバ、タリ
ング効果を利用したりアクティブイオンエッチを使用し
てお凱＃−尋体素子にイオン衝撃による損傷を与え、半
導体素子の電気特性に患い影曽をもたらすという欠点が
ある。
ィブイオンエッチを使用せねばならないため、エツチン
グ中半導体素子にイオン衝撃による損傷を与え、半導体
素子の電気特性に悪いｉｅ／４１１をもたらす０ また、後者の方法は、前者同様イオンによるスバ、タリ
ング効果を利用したりアクティブイオンエッチを使用し
てお凱＃−尋体素子にイオン衝撃による損傷を与え、半
導体素子の電気特性に患い影曽をもたらすという欠点が
ある。
これら従来の方法に対し１本発明は、従来方法の欠点を
除去し、力学的損傷のない化学反応を主とした等方性エ
ツチングを用いることによって階間ｅ縁膜を平坦化する
ことができる牛帰体装置の製造方法を提供することを目
的とする。
除去し、力学的損傷のない化学反応を主とした等方性エ
ツチングを用いることによって階間ｅ縁膜を平坦化する
ことができる牛帰体装置の製造方法を提供することを目
的とする。
本発明の半導体装置の製造方法は、半擲体素子上に形成
された多層金属配線間を絶縁するためのＮｉ１間絶縁膜
を平坦化するに際し、金輌配線とは正反対（バターニン
グされた感光性樹脂膜をマスクとして、化学反応を主と
した鰹刀性工、テングを行ない、半導体素子の層間絶縁
膜を平坦化する工程を具備することにより構成される。
された多層金属配線間を絶縁するためのＮｉ１間絶縁膜
を平坦化するに際し、金輌配線とは正反対（バターニン
グされた感光性樹脂膜をマスクとして、化学反応を主と
した鰹刀性工、テングを行ない、半導体素子の層間絶縁
膜を平坦化する工程を具備することにより構成される。
以下、本発明の実施例について、図面を参照して説明す
る。第１図（ａ）〜（ｅ）ｉｊ本発明の一実施例を説明
するために工！Ｍｍに示した断面図である。
る。第１図（ａ）〜（ｅ）ｉｊ本発明の一実施例を説明
するために工！Ｍｍに示した断面図である。
まず、第１図（４に示すように、シリコン基板１４０の
上の酸化膜１３Ｇの上に金縞配Ｍ１２０を形成する。こ
の金属配線１２０の形成された基板表面に層間絶縁１１
１１０を付着形成する。
上の酸化膜１３Ｇの上に金縞配Ｍ１２０を形成する。こ
の金属配線１２０の形成された基板表面に層間絶縁１１
１１０を付着形成する。
次に、第１図（ｂ）に示すように％層間絶縁膜１１０上
に金属配線と正反対のパターンを感光性樹脂膜１５０に
より形成する０これにより感光性樹脂膜Ｆｉ層間絶ｋｆ
ｌ［の溝部にのみコーティングされることＫなる０ 次に、第１図（Ｃ）に示すように、この感光性樹脂Ｊｌ
！１５０をマスクとして化学的な等方性エツチングを行
い、感光性樹脂膜に様われていない部分の層間絶縁膜が
エツチングされて図示されている形状が得られる０ 次に１第１図（ｄ） Ｋ示すように、マスクとして使用
した感光性樹脂膜１５０を剥離すると、金属配線の間に
なだらかなテーパ状の層間？＃５縁膜が残る。
に金属配線と正反対のパターンを感光性樹脂膜１５０に
より形成する０これにより感光性樹脂膜Ｆｉ層間絶ｋｆ
ｌ［の溝部にのみコーティングされることＫなる０ 次に、第１図（Ｃ）に示すように、この感光性樹脂Ｊｌ
！１５０をマスクとして化学的な等方性エツチングを行
い、感光性樹脂膜に様われていない部分の層間絶縁膜が
エツチングされて図示されている形状が得られる０ 次に１第１図（ｄ） Ｋ示すように、マスクとして使用
した感光性樹脂膜１５０を剥離すると、金属配線の間に
なだらかなテーパ状の層間？＃５縁膜が残る。
最後に、第１図１６） Ｋ示すように、前工程までに形
成された表面上Ｋｆｒたに層ｒ４ｔＪ絶縁膜１６０を付
着形成すると、平坦化された層間絶縁膜となる０〔発明
の効果〕 以上説明したとおり、本発明は金属配線と正反対にパタ
ーニングされた感光性樹脂膜をマスクとして使用し、層
間絶縁膜を化学的Ｑ’？男性エツチングすることによシ
、半導体素子に力学的損傷を与える拳なく、化学的にエ
ツチング可能なあらゆる層間絶縁膜に対し、この方法を
適用し平坦化することができる０
成された表面上Ｋｆｒたに層ｒ４ｔＪ絶縁膜１６０を付
着形成すると、平坦化された層間絶縁膜となる０〔発明
の効果〕 以上説明したとおり、本発明は金属配線と正反対にパタ
ーニングされた感光性樹脂膜をマスクとして使用し、層
間絶縁膜を化学的Ｑ’？男性エツチングすることによシ
、半導体素子に力学的損傷を与える拳なく、化学的にエ
ツチング可能なあらゆる層間絶縁膜に対し、この方法を
適用し平坦化することができる０
第１図＋８）〜（ｅ） ｔｉ本発明の一実施例を説明す
るために工程順に示し九断圓図、第２図ｉａ）〜（Ｃ）
、第３図（ａ）〜（Ｃ）は従来の層間絶縁膜の平坦化方
法を説明するために工程順に示し九断面図である。 １０．１１・・・・・・ＰＳＧ膜、２０・・・・・・金
属配に％３０・・・・・・酸化膜、４０・・・・・・ク
リコンｊｈ＆、５０・・・・・・感光性樹脂膜、６０．
６１・・・・・グラズマ窒化膜、７０．７１ ・・・・
・層間杷ＩＲ膜、８０・・・・・金属配線、９０・・・
・・酸化膜、１００・・・・・シリコン基板、１１０゜
１１１・・・・・・層間絶縁膜、１２０・・・・・・金
属配線、１３０ ・・・・酸化［，１４０・・・・・
・シリコン基数、１５０・・・・・感光性樹脂膜、１６
０・・・・・層間絶縁膜。 代理人 弁理士 内 原 晋１／″、（、ハ寡
１ 図 第 １ 図 第 ２ 図 巣 ３ 面
るために工程順に示し九断圓図、第２図ｉａ）〜（Ｃ）
、第３図（ａ）〜（Ｃ）は従来の層間絶縁膜の平坦化方
法を説明するために工程順に示し九断面図である。 １０．１１・・・・・・ＰＳＧ膜、２０・・・・・・金
属配に％３０・・・・・・酸化膜、４０・・・・・・ク
リコンｊｈ＆、５０・・・・・・感光性樹脂膜、６０．
６１・・・・・グラズマ窒化膜、７０．７１ ・・・・
・層間杷ＩＲ膜、８０・・・・・金属配線、９０・・・
・・酸化膜、１００・・・・・シリコン基板、１１０゜
１１１・・・・・・層間絶縁膜、１２０・・・・・・金
属配線、１３０ ・・・・酸化［，１４０・・・・・
・シリコン基数、１５０・・・・・感光性樹脂膜、１６
０・・・・・層間絶縁膜。 代理人 弁理士 内 原 晋１／″、（、ハ寡
１ 図 第 １ 図 第 ２ 図 巣 ３ 面
Claims (1)
- 半導体素子上に形成された多層金属配線間を絶縁する
ための層間絶縁膜を平坦化するに際し金属配線とは正反
対にパターニングされた感光性樹脂膜をマスクとして、
化学反応を主とした等号性エッチングを行い、半導体素
子の層間絶縁膜を平坦化する工程を具備することを特徴
とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25871184A JPS61136245A (ja) | 1984-12-07 | 1984-12-07 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25871184A JPS61136245A (ja) | 1984-12-07 | 1984-12-07 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61136245A true JPS61136245A (ja) | 1986-06-24 |
Family
ID=17324031
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25871184A Pending JPS61136245A (ja) | 1984-12-07 | 1984-12-07 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61136245A (ja) |
-
1984
- 1984-12-07 JP JP25871184A patent/JPS61136245A/ja active Pending
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