JPS6113451A - 温度制御装置 - Google Patents
温度制御装置Info
- Publication number
- JPS6113451A JPS6113451A JP59134157A JP13415784A JPS6113451A JP S6113451 A JPS6113451 A JP S6113451A JP 59134157 A JP59134157 A JP 59134157A JP 13415784 A JP13415784 A JP 13415784A JP S6113451 A JPS6113451 A JP S6113451A
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- JP
- Japan
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- laser diode
- opening
- temperature
- diode unit
- closing mechanism
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B33/00—Constructional parts, details or accessories not provided for in the other groups of this subclass
- G11B33/14—Reducing influence of physical parameters, e.g. temperature change, moisture, dust
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/125—Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Head (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は温度制御装置に関し、より詳細には走査用の光
源としてレーザダイオードユニットを用いている記録装
置に適用しうる温度制御装置に関するものである。
源としてレーザダイオードユニットを用いている記録装
置に適用しうる温度制御装置に関するものである。
（従来技術）
走査用の光としてレーザ光を用いる記録装置が知られて
いる。光源としては従来、ガスレーザ等が用いられてき
たが、技術開発により半導体レーザの使用が可能になり
、レーザダイオードユニットが用いられるに至っている
。
いる。光源としては従来、ガスレーザ等が用いられてき
たが、技術開発により半導体レーザの使用が可能になり
、レーザダイオードユニットが用いられるに至っている
。
第８図は本発明を適用することもできる記録装置の一例
を示したもので、装置本体はケージジグＣ８で覆われて
おり、その内側には、装置本体の正面Ａに向かって右奥
にファン１、左奥に熱定着器２が配置されている。この
記録装置は、レーザダイオードユニットＬＤυからのレ
ーザ光をホロスキャナを用いて偏向するという書込方式
を用いるものであり、感光体上に書込まれた潜像は、周
知の転写式電子写真法に準じた方式によりトナー現像さ
れて、カセット４から送りだされる普通紙からなる記録
紙に転写され、熱定着されてトレイ３上に送出される。
を示したもので、装置本体はケージジグＣ８で覆われて
おり、その内側には、装置本体の正面Ａに向かって右奥
にファン１、左奥に熱定着器２が配置されている。この
記録装置は、レーザダイオードユニットＬＤυからのレ
ーザ光をホロスキャナを用いて偏向するという書込方式
を用いるものであり、感光体上に書込まれた潜像は、周
知の転写式電子写真法に準じた方式によりトナー現像さ
れて、カセット４から送りだされる普通紙からなる記録
紙に転写され、熱定着されてトレイ３上に送出される。
レーザダイオードユニットＬＤＵに関しては、レーザダ
イオードの発振波長の変動を抑えるという制御のために
、レーザダイオード自体をを温度制御手段としてのペル
チェ効果素子、温度検知手段としてのサーミスタ等を用
いて温度制御するという手段を採っている。構成の一例
を説明した第９図において、光学系鋳物５上にレーザダ
イオードＬＤ、サーミスタ６及びシリコンゴムシート７
を介してペルチェ効果素子８が取り付けである。上記の
諸部材は放熱フィン９、断熱部材１０，１１，１２．１
３等で包囲されている。又、光路用の開口は断熱性の１
／２波長板１４で塞がれている。レーザダイオードＬＤ
からのレーザ光はコリメートレンズＬＣ及び１７２波長
板１４を経て図示を省略したホロスキャナーへ向かう。
イオードの発振波長の変動を抑えるという制御のために
、レーザダイオード自体をを温度制御手段としてのペル
チェ効果素子、温度検知手段としてのサーミスタ等を用
いて温度制御するという手段を採っている。構成の一例
を説明した第９図において、光学系鋳物５上にレーザダ
イオードＬＤ、サーミスタ６及びシリコンゴムシート７
を介してペルチェ効果素子８が取り付けである。上記の
諸部材は放熱フィン９、断熱部材１０，１１，１２．１
３等で包囲されている。又、光路用の開口は断熱性の１
／２波長板１４で塞がれている。レーザダイオードＬＤ
からのレーザ光はコリメートレンズＬＣ及び１７２波長
板１４を経て図示を省略したホロスキャナーへ向かう。
当該記録装置では、主電源をオンにすることにより熱定
着器のヒータがオンになり、且つ、レーザダイオードが
発光し、その温度制御機能も働く様になりペルチェ効果
素子駆動用のトランジスタも発熱状態となるが、記録プ
ロセス上、熱定着器よりも先順位にて用いられるレーザ
ダイオードが所定の設定温度に調整されるまでの所要時
間に比べて、熱定着器が所定の設定温度まで加熱される
に要する時間は通常の使用条件の下では長く設定される
。それにも拘わらず、レーザダイオードの温度調節時間
が記録装置の立上がり時間に直接影響を与える場合があ
る。例えば、主電源がオンにされてレーザダイオードユ
ニットＬＤＵやファン１がオンとなり記録装置が運転状
態におかれて、所要の記録機能を果した後、主電源がオ
フにされると、直ちにファン１も停止するので、発熱体
としての熱定着器２及び上記ペルチェ効果素子駆動用ト
ランジスタの余熱がレーザダイオードに作用し、又、主
電源のオフと共に、既にレーザダイオードに対する温度
制御機能が効かなくなっているのでレーザダイオードの
温度が高められることとなる。
着器のヒータがオンになり、且つ、レーザダイオードが
発光し、その温度制御機能も働く様になりペルチェ効果
素子駆動用のトランジスタも発熱状態となるが、記録プ
ロセス上、熱定着器よりも先順位にて用いられるレーザ
ダイオードが所定の設定温度に調整されるまでの所要時
間に比べて、熱定着器が所定の設定温度まで加熱される
に要する時間は通常の使用条件の下では長く設定される
。それにも拘わらず、レーザダイオードの温度調節時間
が記録装置の立上がり時間に直接影響を与える場合があ
る。例えば、主電源がオンにされてレーザダイオードユ
ニットＬＤＵやファン１がオンとなり記録装置が運転状
態におかれて、所要の記録機能を果した後、主電源がオ
フにされると、直ちにファン１も停止するので、発熱体
としての熱定着器２及び上記ペルチェ効果素子駆動用ト
ランジスタの余熱がレーザダイオードに作用し、又、主
電源のオフと共に、既にレーザダイオードに対する温度
制御機能が効かなくなっているのでレーザダイオードの
温度が高められることとなる。
従って、特にレーザダイオードの使用時における設定温
度がその環境温度に対してかなり低い場合には、上記余
熱による温度上昇の影響が残っている状態で再び主電源
をオンにすると、ペルチェ効果素子８の冷却能力によっ
ては、レーザダイオードを所定の設定温度にするまでか
なりの時間を資すことになるのである。
度がその環境温度に対してかなり低い場合には、上記余
熱による温度上昇の影響が残っている状態で再び主電源
をオンにすると、ペルチェ効果素子８の冷却能力によっ
ては、レーザダイオードを所定の設定温度にするまでか
なりの時間を資すことになるのである。
さらに、記録装置の使用上の都合により、主電源のオン
、オフが頻繁に繰り返されるような場合や長時間の使用
の後、短時間後に再び主電源をオンにする等により記録
装置全体の温度分布がレーザダイオードの温度調節時間
に影響する場合には、記録装置の立上がり時間を遅らせ
るという問題を生ずる。
、オフが頻繁に繰り返されるような場合や長時間の使用
の後、短時間後に再び主電源をオンにする等により記録
装置全体の温度分布がレーザダイオードの温度調節時間
に影響する場合には、記録装置の立上がり時間を遅らせ
るという問題を生ずる。
（目的）
従って本発明の目的はレーザダイオードを所定の設定温
度に短時間にて調節するための温度制御装置を提供する
ことにある。
度に短時間にて調節するための温度制御装置を提供する
ことにある。
（構成）
本発明は上記の目的を達成させるため、記録装置のケー
シング上であってレーザダイオードユニットの近傍に温
度調節用の開閉機構を設け、レーザダイオードユニット
の設定温度より環境温度が高い場合に、主電源をオフに
した後、開閉機構の蓋を開いて放熱することを特徴とす
る。
シング上であってレーザダイオードユニットの近傍に温
度調節用の開閉機構を設け、レーザダイオードユニット
の設定温度より環境温度が高い場合に、主電源をオフに
した後、開閉機構の蓋を開いて放熱することを特徴とす
る。
以下、本発明の一実施例に基づいて具体的に説明する。
第８図において、開閉機構はレーザダイオードユニット
ＬＤＵの直上部に相当するケーシング部若しくはレーザ
ダイオードユニットＬＤＵの測部に相当するケーシング
部などレーザダイオードユニットＬＤＵの近傍、特に冷
却したい部位に設けられる。
ＬＤＵの直上部に相当するケーシング部若しくはレーザ
ダイオードユニットＬＤＵの測部に相当するケーシング
部などレーザダイオードユニットＬＤＵの近傍、特に冷
却したい部位に設けられる。
前者の位置を図中符号２０で示し後者の位置を符号２１
で示す。
で示す。
開閉機構の一例は第４図（ａ）、（ｂ）に示す通りであ
り、ケーシングＣ８に形成した開口２５に開閉自在の蓋
２２が取付けられている。蓋２２は軸２３を支点として
回動自在であり、レバー２４の矢印方向への往復運動に
応じて開口２５の開閉が行なわれる。該レバー２４の上
記往復運動は例えば電磁ソレノイドのプランジャの動き
と連動して行なうことができる。
り、ケーシングＣ８に形成した開口２５に開閉自在の蓋
２２が取付けられている。蓋２２は軸２３を支点として
回動自在であり、レバー２４の矢印方向への往復運動に
応じて開口２５の開閉が行なわれる。該レバー２４の上
記往復運動は例えば電磁ソレノイドのプランジャの動き
と連動して行なうことができる。
第４図（ａ）は蓋２２が閉じた状態、第４図（ｂ）は蓋
２２が開いた状態を各々示す。
２２が開いた状態を各々示す。
次に、開閉機構の他の例を第５図（ａ）、（ｂ）に示す
。この例では蓋２２′を３個並設し、レバー２４′の往
復運動と連動させてこれら３個の蓋２２′を同時に開閉
するようにしている。第６図（ａ）は蓋２２′が閉じた
状態、第６図（ｂ）は蓋２２″が開いた状態を各々示す
。レバー２４′の駆動手段は上記例に準する。
。この例では蓋２２′を３個並設し、レバー２４′の往
復運動と連動させてこれら３個の蓋２２′を同時に開閉
するようにしている。第６図（ａ）は蓋２２′が閉じた
状態、第６図（ｂ）は蓋２２″が開いた状態を各々示す
。レバー２４′の駆動手段は上記例に準する。
この構成によれば、異物落下等による機内侵入が防止さ
れ、且つ開口のほぼ全面にわたる通気性の確保ができる
。
れ、且つ開口のほぼ全面にわたる通気性の確保ができる
。
その他、第６図、第７図に示す如きスリット状の開口３
０．３１がペルチェ効果素子８の近傍のケーシングに形
成される。
０．３１がペルチェ効果素子８の近傍のケーシングに形
成される。
上記第４図の例の如く蓋２２が外側に開く型式のもので
は外からの異物がケーシング内に入り難いという利点が
ある。
は外からの異物がケーシング内に入り難いという利点が
ある。
レーザダイオードユニットＬＤＵの設定温度が、該レー
ザダイオード周辺の環境温度よりも低い場合には、上記
各側の如き開閉機構を作動させて開口２５を開けば、ケ
ーシング内の熱は外部へ対流により放出されるので、レ
ーザダイオードユニットＬＤＵ周辺の温度を下げること
ができ、ペルチェ効果素子による温度調節時間を短縮す
ることができる。
ザダイオード周辺の環境温度よりも低い場合には、上記
各側の如き開閉機構を作動させて開口２５を開けば、ケ
ーシング内の熱は外部へ対流により放出されるので、レ
ーザダイオードユニットＬＤＵ周辺の温度を下げること
ができ、ペルチェ効果素子による温度調節時間を短縮す
ることができる。
次に、開閉機構の制御の仕方について説明する。
制御例１（第１図参照）
図において主電源が時点ｔ工にてオンされると、これに
連動してそれまで開いていた開閉機構の蓋が閉じる。そ
して、主電源がオンにされている間はペルチェ効果素子
の働きによりレーザダイオードユニットの温度が設定温
度に維持される。
連動してそれまで開いていた開閉機構の蓋が閉じる。そ
して、主電源がオンにされている間はペルチェ効果素子
の働きによりレーザダイオードユニットの温度が設定温
度に維持される。
次に、時点ｔ２にて主電源がオフにされると、これに連
動して蓋が開く様に制御される。
動して蓋が開く様に制御される。
従って、主電源をオフにした後の、発熱体の余熱は上記
により開かれた蓋による開口より放散され、レーザダイ
オードユニットの環境温度は高められない。
により開かれた蓋による開口より放散され、レーザダイ
オードユニットの環境温度は高められない。
制御例２（第２図、第３図参照）
第３図において温度検出器３２の例としては、前記第９
図におけるサーミスタ６或いはレーザダイオードユニッ
トＬＤＵの近傍に配置された温度検出素子若しくはサー
ミスタが挙げられる。
図におけるサーミスタ６或いはレーザダイオードユニッ
トＬＤＵの近傍に配置された温度検出素子若しくはサー
ミスタが挙げられる。
この温度検出器３２はレーザダイオードユニット周辺の
環境温度を測定し、比較器３３にリアルタイムで温度情
報を出力する。
環境温度を測定し、比較器３３にリアルタイムで温度情
報を出力する。
一方、記憶装置３４には遅延用比較温度が記憶されてい
る。そして、この記憶装置３４の温度情報も比較器３３
に出力される。比較器３３は上記２つの入力を比較する
６そして、比較の結果に基づき、制御器を介して開閉機
構が駆動される。
る。そして、この記憶装置３４の温度情報も比較器３３
に出力される。比較器３３は上記２つの入力を比較する
６そして、比較の結果に基づき、制御器を介して開閉機
構が駆動される。
例えば、第２図において、上記遅延用比較温度がｔ℃に
設定されていて、温度検出器３２で検出された環境温度
がｔ℃より高い場合には、時点ｔ２にて主電源をオフに
した後、これと連動して開いた蓋が環境温度がｔ’Ｃに
なる時点ｔ３まで開き状態を継続し、時点ｔ３にて閉じ
る。
設定されていて、温度検出器３２で検出された環境温度
がｔ℃より高い場合には、時点ｔ２にて主電源をオフに
した後、これと連動して開いた蓋が環境温度がｔ’Ｃに
なる時点ｔ３まで開き状態を継続し、時点ｔ３にて閉じ
る。
つまり、主電源がオフにされると同時に開いた蓋が、遅
延時間（ｔｆｆ−ｔｌ）を以って閉じる訳である。
延時間（ｔｆｆ−ｔｌ）を以って閉じる訳である。
なお、本例の変形例として、時点ｔ２にて主電源のオフ
と連動して開いた蓋を閉じさせる時点ｔ２の設定を、予
め定められる時間とすることもできる。
と連動して開いた蓋を閉じさせる時点ｔ２の設定を、予
め定められる時間とすることもできる。
或いは、オペレータによる外部入力により定められる時
間とすることもできる。
間とすることもできる。
又、本発明において遅延動作が行なわれるのは、熱定着
装置などの発熱体への電力供給をオフにしたとき、設定
温度より環境温度が高い場合であり、低い場合には蓋を
開く必要はない。
装置などの発熱体への電力供給をオフにしたとき、設定
温度より環境温度が高い場合であり、低い場合には蓋を
開く必要はない。
（効果）
本発明の装置は、記録装置の主電源をオフにした後、開
口を開いて通気を良好にし放熱を促進するので、次に主
電源をオンにしてからレーザダイードユニットが設定温
度に調節されるまでの待ち時間を短縮することができる
。
口を開いて通気を良好にし放熱を促進するので、次に主
電源をオンにしてからレーザダイードユニットが設定温
度に調節されるまでの待ち時間を短縮することができる
。
第１図、第２図は各々本発明による制御例を説明したタ
イミングチャート、第３図は開閉機構の制御システムを
説明したブロック図、第４図、第５図は各々開閉機構の
構成例を説明した断面図、第６図、第７図は各々スリッ
トの正面図、第８図は本発明の実施に好適な記録装置の
外観斜視図、第９図は一例としてのレーザダイオードユ
ニットの断面図である。 ２・・・熱定着装置、２２．２２′・・・蓋、 ＬＤＵ
・・・レーザダイオードユニット、Ｃ８・・・ケーシン
グ。 俤１図 ％ ２ 図 男 、５ 図 男Δ図 （０＞ （ｂ） 令色 ら 図 （θ）（ｔ）） ％７図 爛 δ 図
イミングチャート、第３図は開閉機構の制御システムを
説明したブロック図、第４図、第５図は各々開閉機構の
構成例を説明した断面図、第６図、第７図は各々スリッ
トの正面図、第８図は本発明の実施に好適な記録装置の
外観斜視図、第９図は一例としてのレーザダイオードユ
ニットの断面図である。 ２・・・熱定着装置、２２．２２′・・・蓋、 ＬＤＵ
・・・レーザダイオードユニット、Ｃ８・・・ケーシン
グ。 俤１図 ％ ２ 図 男 、５ 図 男Δ図 （０＞ （ｂ） 令色 ら 図 （θ）（ｔ）） ％７図 爛 δ 図
Claims (1)
- 走査用光源としてのレーザダイオードユニットと、こ
のレーザダイオードユニットに設けた温度検知手段と、
この温度検知手段からの温度情報に基づきレーザダイオ
ードの温度制御をする温度制御手段と、主電源のオンと
連動して発熱状態になる発熱体をケーシング内に有して
いる記録装置において、レーザダイオードユニットの設
定温度よりも環境温度が高いときに、当該レーザダイオ
ードユニット近傍のケーシングに形成された開口を開閉
する開閉機構の蓋が、発熱体への電力供給の停止後、開
く様に制御されることを特徴とする温度制御装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59126253A JPS615445A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 温度制御装置 |
| JP59134157A JPS6113451A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-29 | 温度制御装置 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59126253A JPS615445A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 温度制御装置 |
| JP59134157A JPS6113451A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-29 | 温度制御装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6113451A true JPS6113451A (ja) | 1986-01-21 |
Family
ID=26462476
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59126253A Pending JPS615445A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 温度制御装置 |
| JP59134157A Pending JPS6113451A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-29 | 温度制御装置 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59126253A Pending JPS615445A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 温度制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (2) | JPS615445A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4804788A (en) * | 1986-11-07 | 1989-02-14 | Kureha Kagaku Kogyo K.K. | Preparation process of 4,4-dihydroxybiphenyl |
| US4976527A (en) * | 1988-08-26 | 1990-12-11 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Beam-combining laser beam source device |
| US5216544A (en) * | 1988-08-26 | 1993-06-01 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Beam-combining laser beam source device |
| EP1408490A1 (en) * | 2002-10-08 | 2004-04-14 | Pioneer Corporation | Optical pickup device |
-
1984
- 1984-06-19 JP JP59126253A patent/JPS615445A/ja active Pending
- 1984-06-29 JP JP59134157A patent/JPS6113451A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4804788A (en) * | 1986-11-07 | 1989-02-14 | Kureha Kagaku Kogyo K.K. | Preparation process of 4,4-dihydroxybiphenyl |
| USRE33779E (en) * | 1986-11-07 | 1991-12-24 | Kureha Kagaku Kogyo K.K. | Preparation process of 4,4-dihydroxybiphenyl |
| US4976527A (en) * | 1988-08-26 | 1990-12-11 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Beam-combining laser beam source device |
| US5216544A (en) * | 1988-08-26 | 1993-06-01 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Beam-combining laser beam source device |
| EP1408490A1 (en) * | 2002-10-08 | 2004-04-14 | Pioneer Corporation | Optical pickup device |
| US7124420B2 (en) | 2002-10-08 | 2006-10-17 | Pioneer Corporation | Pickup device having a heat-radiation path |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS615445A (ja) | 1986-01-11 |
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