JPS61128523A - レジスト密着向上剤塗布装置 - Google Patents
レジスト密着向上剤塗布装置Info
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- JPS61128523A JPS61128523A JP24977884A JP24977884A JPS61128523A JP S61128523 A JPS61128523 A JP S61128523A JP 24977884 A JP24977884 A JP 24977884A JP 24977884 A JP24977884 A JP 24977884A JP S61128523 A JPS61128523 A JP S61128523A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
し発明の分野］
本発明は、レジスト密着向上剤を塗布する装置に関し、
特にウェハ上にレジスト密着向上剤を塗布する際の均一
性および定（６）性の向上を図ったレジスト密着向上剤
塗布Ｖ装置に関する。
特にウェハ上にレジスト密着向上剤を塗布する際の均一
性および定（６）性の向上を図ったレジスト密着向上剤
塗布Ｖ装置に関する。
［発明の背景］
一般に、ウェハ上にフォトレジストを塗布する前工程と
してフォトレジストの密着性を向上させるための薬液を
塗布する。
してフォトレジストの密着性を向上させるための薬液を
塗布する。
従来、この種の密着向上剤を塗布する装置においては、
薬液を直接ウェハ上にストリーム状に塗布するタイプの
ものと、薬液を窒素等でバブリングして過飽和蒸気圧と
なった窒素等の気体を吹ｆ＝Ｊけるタイプのものが知ら
れている。
薬液を直接ウェハ上にストリーム状に塗布するタイプの
ものと、薬液を窒素等でバブリングして過飽和蒸気圧と
なった窒素等の気体を吹ｆ＝Ｊけるタイプのものが知ら
れている。
しかし、前者のタイプでは、薬液消費９が非常に多く経
済的に不利であるという欠点があり、また後者のタイプ
では蒸気圧を利用しているためウェハ上の密着向上剤の
塗布量が一定かつ均一でないという欠点があった。
済的に不利であるという欠点があり、また後者のタイプ
では蒸気圧を利用しているためウェハ上の密着向上剤の
塗布量が一定かつ均一でないという欠点があった。
［発明の目的および構成１
本発明は、上）ホの従来技術の欠点を除去するためにな
されたもので、レジスト密着向上剤を例えば超音波振動
により微粒子化し、この微１５１子を層流化してウェハ
に塗布するというａ想に塁つき、極微用かつ一定量のレ
ジスト密着向上剤をウェハＬに均一に塗布することを可
能とするレジスト密着向上剤塗布装置を提供することを
目的とする。
されたもので、レジスト密着向上剤を例えば超音波振動
により微粒子化し、この微１５１子を層流化してウェハ
に塗布するというａ想に塁つき、極微用かつ一定量のレ
ジスト密着向上剤をウェハＬに均一に塗布することを可
能とするレジスト密着向上剤塗布装置を提供することを
目的とする。
［実施例の説明１
以下、図面に基づいて本発明の詳細な説明する。
第１図は、本発明の一実施例に係るレジスト富者向上剤
塗布装置の概略構成を示す同図において、１はレジスト
密着向上剤を含有する薬液をミスト（微粒子）状にする
超音波発掘子、２は超音波発振子用電源で例えばＤＣ電
源、３は電源２に接続された負荷である超音波発振子１
への電源供給を制御するスイッチ、４は発振子１の振動
部へ薬液を供給するためのノズル、５は薬液を自助的に
供給するタンクである。６は装置内に層流を形成して微
粒子化された薬液を層流化するための層流形成部、７は
レジスト密着向上剤が塗布されるウェハ、８はウェハを
乗せて回転するチャック、９はウェハ上に塗布された薬
液中の溶剤を蒸発乾燥させるホットプレート、１０はホ
ットプレート１０からの上昇気流を防ぐシャッター、１
１はウェハチャックを回転させる駆動部、１２はチャッ
クを上下させる駆動部、１３は気体供給口、１４．１５
は排気口である。
塗布装置の概略構成を示す同図において、１はレジスト
密着向上剤を含有する薬液をミスト（微粒子）状にする
超音波発掘子、２は超音波発振子用電源で例えばＤＣ電
源、３は電源２に接続された負荷である超音波発振子１
への電源供給を制御するスイッチ、４は発振子１の振動
部へ薬液を供給するためのノズル、５は薬液を自助的に
供給するタンクである。６は装置内に層流を形成して微
粒子化された薬液を層流化するための層流形成部、７は
レジスト密着向上剤が塗布されるウェハ、８はウェハを
乗せて回転するチャック、９はウェハ上に塗布された薬
液中の溶剤を蒸発乾燥させるホットプレート、１０はホ
ットプレート１０からの上昇気流を防ぐシャッター、１
１はウェハチャックを回転させる駆動部、１２はチャッ
クを上下させる駆動部、１３は気体供給口、１４．１５
は排気口である。
次に、第１図のレジスト密着向上剤塗布装置の動作を説
明する。
明する。
薬液タンク５からは薬液すなわちレジスト密着向上剤が
、毛細管現象によりノズル４を通って発振子１の振動部
に供給されている。従って、この状態で発振子用電源２
がスイッチ３により投入されると、発振子１は超音波振
動し、そのｉ動部に供給される薬液を微粒子化して飛散
させる。ここで、超音波発振子１としては、家庭で使用
されている超音波加湿器や吸入器等に用いられている公
知のものを使用することができる。
、毛細管現象によりノズル４を通って発振子１の振動部
に供給されている。従って、この状態で発振子用電源２
がスイッチ３により投入されると、発振子１は超音波振
動し、そのｉ動部に供給される薬液を微粒子化して飛散
させる。ここで、超音波発振子１としては、家庭で使用
されている超音波加湿器や吸入器等に用いられている公
知のものを使用することができる。
一方、気体供給口１３からは窒素ガス等の気体が供給さ
れているが、この気体は層流形成部６の作用により装置
内部を側壁に沿って上昇し、装置の上面の傾斜で進路を
曲げられて下降した後、装置内には、図中矢印Ａで示す
ように上部から下降する層流が形成される。発振子１は
層流形成部６より上部に設けられており、微粒子化され
た薬液はこの流れにのって層流化される。
れているが、この気体は層流形成部６の作用により装置
内部を側壁に沿って上昇し、装置の上面の傾斜で進路を
曲げられて下降した後、装置内には、図中矢印Ａで示す
ように上部から下降する層流が形成される。発振子１は
層流形成部６より上部に設けられており、微粒子化され
た薬液はこの流れにのって層流化される。
装置内にウェハが供給されると、チャック８は、このウ
ェハ７を図示しない頁空吸着機構により吸着する。そし
てウェハ７を層流状態が形成されている所に位置させる
ために、上下駆動部１２が作動して図中の点線部まで持
ち上げられる。これにより微粒子化され層流化された薬
液がウェハ７上に吹き付けられ、一定量でかつ微量の薬
液がウェハ７の全面に均一に塗布される。また、この時
微粒子化した薬液をさらに均一に塗布するために回転駆
動部１１によりチャック８を回転させる。ここで、チャ
ック８が層流内まで押し上げられている時はシャッター
１０を点線に示すように閉じて、予熱されたホットプレ
ート９からの上界気流を防ぎ、上記層流を乱さないよう
にしている。なお、薬液の塗ｎｉ弔は、超音波振動子１
の撮幅、タンク５からの猜液の供給湯、気体供給口１３
からの気体供給量により定量性よく調節することができ
る。
ェハ７を図示しない頁空吸着機構により吸着する。そし
てウェハ７を層流状態が形成されている所に位置させる
ために、上下駆動部１２が作動して図中の点線部まで持
ち上げられる。これにより微粒子化され層流化された薬
液がウェハ７上に吹き付けられ、一定量でかつ微量の薬
液がウェハ７の全面に均一に塗布される。また、この時
微粒子化した薬液をさらに均一に塗布するために回転駆
動部１１によりチャック８を回転させる。ここで、チャ
ック８が層流内まで押し上げられている時はシャッター
１０を点線に示すように閉じて、予熱されたホットプレ
ート９からの上界気流を防ぎ、上記層流を乱さないよう
にしている。なお、薬液の塗ｎｉ弔は、超音波振動子１
の撮幅、タンク５からの猜液の供給湯、気体供給口１３
からの気体供給量により定量性よく調節することができ
る。
薬液がウェハ７上に塗布された俊はシャッター１０を開
き、チャック８を上下駆動部１２により下降させてホッ
トプレート９上にウェハ７を載せる。
き、チャック８を上下駆動部１２により下降させてホッ
トプレート９上にウェハ７を載せる。
ホットプレート９は予熱されており薬液中の溶剤成分を
完全に蒸発乾燥させレジスト密着向上剤の塗布を完了す
る。
完全に蒸発乾燥させレジスト密着向上剤の塗布を完了す
る。
［発明の変形例］
上述の実施例においては、薬液を微粒子化する手段とし
て超音波発振子を用いているが、本発明においては、市
販されているアトマイザ−のように一定量の液を微粒子
化する装置を用いて機械的に微量吹付けする方法を採用
してもよいし、二流体ノズルを用いて微粒子化する方法
を採用することもできる。
て超音波発振子を用いているが、本発明においては、市
販されているアトマイザ−のように一定量の液を微粒子
化する装置を用いて機械的に微量吹付けする方法を採用
してもよいし、二流体ノズルを用いて微粒子化する方法
を採用することもできる。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明によれば、レジスト密着向
上剤を塗布する際に、超音波発掘子等を使用して薬液を
微粒子化し、これを層流化してウェハ上に塗布するよう
にしているため、微（至）かつ所望量のレジスト密着向
上剤をウェハ上に均一に塗布することができる。
上剤を塗布する際に、超音波発掘子等を使用して薬液を
微粒子化し、これを層流化してウェハ上に塗布するよう
にしているため、微（至）かつ所望量のレジスト密着向
上剤をウェハ上に均一に塗布することができる。
第１図は、本発明の一実施例に係る密着向上剤塗布装置
の概略を示す構造図である。 １・・・超音波発振子、２・・・超音波発振子用電源、
３・・・負荷、４・・・ノズル、５・・・薬液供給タン
ク、６・・・層流形成部、７・・・ウェハ、８・・・チ
ャック、９・・・ホットプレート、１０・・・シャッタ
ー、１１・・・回転駆動部、１２・・・上下駆動部、１
３・・・気体供給口、１４．１５・・・排気口。
の概略を示す構造図である。 １・・・超音波発振子、２・・・超音波発振子用電源、
３・・・負荷、４・・・ノズル、５・・・薬液供給タン
ク、６・・・層流形成部、７・・・ウェハ、８・・・チ
ャック、９・・・ホットプレート、１０・・・シャッタ
ー、１１・・・回転駆動部、１２・・・上下駆動部、１
３・・・気体供給口、１４．１５・・・排気口。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体ウェハ上にレジストを塗布するに先立ち該レ
ジストの密着性を向上させるためのレジスト密着向上剤
を塗布する装置であつて、 該密着向上剤を微粒子化する手段と、微粒子化した密着
向上剤を層流化する手段とを備え、この層流内に該ウェ
ハを位置させることによって、該ウェハ上に該密着向上
剤を塗布することを特徴とするレジスト密着向上剤塗布
装置。 ２、前記密着向上剤を超音波振動により微粒子化する前
記特許請求の範囲第１項記載のレジスト密着向上剤塗布
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24977884A JPS61128523A (ja) | 1984-11-28 | 1984-11-28 | レジスト密着向上剤塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24977884A JPS61128523A (ja) | 1984-11-28 | 1984-11-28 | レジスト密着向上剤塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61128523A true JPS61128523A (ja) | 1986-06-16 |
Family
ID=17198084
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24977884A Pending JPS61128523A (ja) | 1984-11-28 | 1984-11-28 | レジスト密着向上剤塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61128523A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04186819A (ja) * | 1990-11-21 | 1992-07-03 | Nec Yamaguchi Ltd | フォトレジスト塗布前処理装置 |
| JPH04114474U (ja) * | 1991-03-25 | 1992-10-08 | 三菱電機株式会社 | 塗布装置 |
| JPH0563967U (ja) * | 1992-02-06 | 1993-08-24 | 高島屋日発工業株式会社 | 幼児用シート |
| JP2012061403A (ja) * | 2010-09-15 | 2012-03-29 | Toshiba Corp | 成膜装置、成膜方法及び電子デバイス |
| JP2017055083A (ja) * | 2015-09-11 | 2017-03-16 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 柱状層流生成装置ならびに柱状層流生成方法 |
-
1984
- 1984-11-28 JP JP24977884A patent/JPS61128523A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04186819A (ja) * | 1990-11-21 | 1992-07-03 | Nec Yamaguchi Ltd | フォトレジスト塗布前処理装置 |
| JPH04114474U (ja) * | 1991-03-25 | 1992-10-08 | 三菱電機株式会社 | 塗布装置 |
| JPH0563967U (ja) * | 1992-02-06 | 1993-08-24 | 高島屋日発工業株式会社 | 幼児用シート |
| JP2012061403A (ja) * | 2010-09-15 | 2012-03-29 | Toshiba Corp | 成膜装置、成膜方法及び電子デバイス |
| US8677933B2 (en) | 2010-09-15 | 2014-03-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Film forming apparatus forming a coating film using spiral coating while adjusting sound wave projected onto the coating film |
| JP2017055083A (ja) * | 2015-09-11 | 2017-03-16 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 柱状層流生成装置ならびに柱状層流生成方法 |
| US10286426B2 (en) * | 2015-09-11 | 2019-05-14 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Columnar laminar flow generation device and method for generating columnar laminar flows |
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