JPS61126039A - １，４−ジアルキルベンゼンの製法 - Google Patents
１，４−ジアルキルベンゼンの製法Info
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- JPS61126039A JPS61126039A JP59149316A JP14931684A JPS61126039A JP S61126039 A JPS61126039 A JP S61126039A JP 59149316 A JP59149316 A JP 59149316A JP 14931684 A JP14931684 A JP 14931684A JP S61126039 A JPS61126039 A JP S61126039A
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- Japan
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- dialkylbenzene
- reaction
- monoalkylbenzene
- crystalline
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、各種機能性ポリマーの出発原料として有用な
１，４−ジアルキルベンゼンを選択的に製造する方法に
関するものである。
１，４−ジアルキルベンゼンを選択的に製造する方法に
関するものである。
（従来の技術）
結晶性クロモシリケートを用いる１、４−ジアルキルベ
ンゼンの選択的製造法に関しては、近年、結晶性アルミ
ノシリケートＺ ＳＭ−５Ｑ似のクロモンリケードを用
いるトルエンとメタノールからのパラキシレンの製造法
（特開昭５７−１５９７２６号明細書参照）や、本発明
者らが先に特許出願した結晶性クロモシリケートＡＺ−
３を用いるアルキル化法（特願昭５９−８１８４９号）
などが知られている。
ンゼンの選択的製造法に関しては、近年、結晶性アルミ
ノシリケートＺ ＳＭ−５Ｑ似のクロモンリケードを用
いるトルエンとメタノールからのパラキシレンの製造法
（特開昭５７−１５９７２６号明細書参照）や、本発明
者らが先に特許出願した結晶性クロモシリケートＡＺ−
３を用いるアルキル化法（特願昭５９−８１８４９号）
などが知られている。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、ＺＳＭ−５類似の結晶性クロモシリフー
トを用いる方法や、結晶性クロモシリケートＡＺ−３を
用いる方法は、確かに１．４一体の選択率は、平衡組成
の３０％に比べてかなり高く、９０％に達するものもあ
るが、９５％以上という極めて高い選択率の実現は困難
であった。
トを用いる方法や、結晶性クロモシリケートＡＺ−３を
用いる方法は、確かに１．４一体の選択率は、平衡組成
の３０％に比べてかなり高く、９０％に達するものもあ
るが、９５％以上という極めて高い選択率の実現は困難
であった。
（問題を解決するための手段）
本発明者らは、９５チ以上という極めて高い選択率を有
する触媒を開発すべ〈鋭意検討を重ねた結果、結晶性ク
ロモシリケートをケイ酸エステルで処理した触媒を用い
ると、モノアルキルベンゼンから９５％以上という非常
に高い選択率で１．４−ジアルキルベンゼンが得られる
ことを見い出し、本発明を完成するに至った。
する触媒を開発すべ〈鋭意検討を重ねた結果、結晶性ク
ロモシリケートをケイ酸エステルで処理した触媒を用い
ると、モノアルキルベンゼンから９５％以上という非常
に高い選択率で１．４−ジアルキルベンゼンが得られる
ことを見い出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は、モノアルキルベンゼンを気相にお
いて１．４−ジアルキルベンゼンに転化する際に、結晶
性クロモシリケートをケイ酸エステル含有ガスで処理し
た後、酸素含有ガス中で焼成することによって少なくと
も０．１重量％の７リカを担持した触媒を用いることを
特徴とする１、４−ジアルキルベンゼンの製造法を提供
するものである。
いて１．４−ジアルキルベンゼンに転化する際に、結晶
性クロモシリケートをケイ酸エステル含有ガスで処理し
た後、酸素含有ガス中で焼成することによって少なくと
も０．１重量％の７リカを担持した触媒を用いることを
特徴とする１、４−ジアルキルベンゼンの製造法を提供
するものである。
本発明に用いられる結晶性クロモシリケートとは、例え
ば特開昭５７−７８１７号や特開昭５７−１６９４３４
号に示されるＺ Ｓ Ｍ −５類似の結晶性クロモシリ
ケートや、本発明者らが先に見い出したＸ線回折図にお
いて下表の回折パターンを有する結晶性クロモシリケー
）ＡＺ−５（特願昭５９−８１８４９号）などが挙げら
れるが、中でも特に好ましいのは結晶性クロモシリケー
トＡＺ−３である。
ば特開昭５７−７８１７号や特開昭５７−１６９４３４
号に示されるＺ Ｓ Ｍ −５類似の結晶性クロモシリ
ケートや、本発明者らが先に見い出したＸ線回折図にお
いて下表の回折パターンを有する結晶性クロモシリケー
）ＡＺ−５（特願昭５９−８１８４９号）などが挙げら
れるが、中でも特に好ましいのは結晶性クロモシリケー
トＡＺ−３である。
Ｘ線回折分析はＣｕＫ１） 線を用いて測定する。ただ
し、８．８±０．２と８．９±０．２の回折線のどちら
かを相対強度１００とする。
し、８．８±０．２と８．９±０．２の回折線のどちら
かを相対強度１００とする。
本発明に用いられるケイ酸エステルとは、ケイ酸メチル
、ケイ酸エチル、ケイ酸ｎ−プロピル、ケイ酸１ｓｏ−
プロピル、ケイ酸ｎ−ブチル、ケイ酸ｔｅｒｔ−ブチル
などが挙げられるが、特に好ましいのはケイ酸メチル、
ケイ酸エチルである。これらのケイ酸エステルはそのま
ま、または適当な希釈剤を用いてガス状で用いられるが
、その際のケイ酸エステルの０度は１〜１００容量チ、
好ましくは５〜１００容量チである。また、希釈剤とし
ては、窒素、ヘリウム、アルゴン、空気、水蒸気等を用
いることができるが、好ましいのは９素である。
、ケイ酸エチル、ケイ酸ｎ−プロピル、ケイ酸１ｓｏ−
プロピル、ケイ酸ｎ−ブチル、ケイ酸ｔｅｒｔ−ブチル
などが挙げられるが、特に好ましいのはケイ酸メチル、
ケイ酸エチルである。これらのケイ酸エステルはそのま
ま、または適当な希釈剤を用いてガス状で用いられるが
、その際のケイ酸エステルの０度は１〜１００容量チ、
好ましくは５〜１００容量チである。また、希釈剤とし
ては、窒素、ヘリウム、アルゴン、空気、水蒸気等を用
いることができるが、好ましいのは９素である。
これらのケイ酸エステル含有ガスで結晶性クロモシリケ
ートを処理する温度は、ケイ酸エステルを気相に保持で
きる温度であれば特に制限はないが、通常１００〜ｓ
ｏ ＯＣ，好ましくは２００〜４００Ｃの範囲で行なわ
れる。さらに、これらのケイ酸エステル含有ガスで処理
する際の圧力も、ケイ酸エステルを気相に保持できる圧
力であれば特に制限はなく、減圧、常圧、加圧いずれで
もよい。
ートを処理する温度は、ケイ酸エステルを気相に保持で
きる温度であれば特に制限はないが、通常１００〜ｓ
ｏ ＯＣ，好ましくは２００〜４００Ｃの範囲で行なわ
れる。さらに、これらのケイ酸エステル含有ガスで処理
する際の圧力も、ケイ酸エステルを気相に保持できる圧
力であれば特に制限はなく、減圧、常圧、加圧いずれで
もよい。
さらに、ケイ酸エステル含有ガスで処理した結晶性クロ
モシリケートは、酸素含有ガス中で焼成する必要がある
が、その際のガス中の酸素ａ！度は５〜１００容−３＋
−チ、好ましくは１０〜５０容量チであり、通常は空気
が用いられる。また、この焼成時の温度は５００〜７０
０ Ｃ，好ましくは５５０〜６００Ｃの範囲である。
モシリケートは、酸素含有ガス中で焼成する必要がある
が、その際のガス中の酸素ａ！度は５〜１００容−３＋
−チ、好ましくは１０〜５０容量チであり、通常は空気
が用いられる。また、この焼成時の温度は５００〜７０
０ Ｃ，好ましくは５５０〜６００Ｃの範囲である。
このようにして結晶性クロモシリケートをケイ酸エステ
ルで処理することにより、担持されるシリカの量は、も
との結晶性クロモシリケートに対して少なくとも０．１
重量％であ勺、好ましくは０．５〜１０重′Ｊｊｋ％で
ある。担持量が非常に少ない場合には、１．４一体の選
択率を向上させる効果が小さく、逆に多過ぎると１．４
一体の選択率は極めて高くなるが、活性が著しく低下す
る。
ルで処理することにより、担持されるシリカの量は、も
との結晶性クロモシリケートに対して少なくとも０．１
重量％であ勺、好ましくは０．５〜１０重′Ｊｊｋ％で
ある。担持量が非常に少ない場合には、１．４一体の選
択率を向上させる効果が小さく、逆に多過ぎると１．４
一体の選択率は極めて高くなるが、活性が著しく低下す
る。
本発明に用いられるモノアルキルベンゼンとは、炭素数
が１〜３のアルキル基を有するモノアルキルベンゼンで
あり、具体的にはトルエン、エチルベンゼン、イソプロ
ピルベンゼン等か挙げられる。
が１〜３のアルキル基を有するモノアルキルベンゼンで
あり、具体的にはトルエン、エチルベンゼン、イソプロ
ピルベンゼン等か挙げられる。
本発明における１、４−ジアルキルベンゼントハ、パラ
キシレン、バラエチルトルエン、バッジエチルヘンセン
、パラジイングロビルベンゼン、バラシメン等が挙げら
れる。
キシレン、バラエチルトルエン、バッジエチルヘンセン
、パラジイングロビルベンゼン、バラシメン等が挙げら
れる。
このモノアルキルベンゼンからの１．４−ジアルキルベ
ンゼンの製造には、アルコールやオレフイ／ヲ用いるア
ルキル化反応と、モノアルキルベンゼン単独からの不均
化反応がある。アルキル化反応の場合に用いられるアル
コールとし−ては、メタノール、エタノール、ｎ−また
は１ｓｏ−グロパノールが、オレフィンとしては、エチ
レン、プロピレンなどが挙げられる。
ンゼンの製造には、アルコールやオレフイ／ヲ用いるア
ルキル化反応と、モノアルキルベンゼン単独からの不均
化反応がある。アルキル化反応の場合に用いられるアル
コールとし−ては、メタノール、エタノール、ｎ−また
は１ｓｏ−グロパノールが、オレフィンとしては、エチ
レン、プロピレンなどが挙げられる。
本発明を実施するに当り、反応温度は反応原料と反応の
穐類によって異なるが、反応系を気相に保つために１少
なくとも２００Ｃの温度が必要であり、また、７００Ｃ
以上の温度では選択性が極めて低くなるので、好ましい
温度として通常３００〜６００Ｃの範囲が用いられる。
穐類によって異なるが、反応系を気相に保つために１少
なくとも２００Ｃの温度が必要であり、また、７００Ｃ
以上の温度では選択性が極めて低くなるので、好ましい
温度として通常３００〜６００Ｃの範囲が用いられる。
さらに、反応圧力は減圧、常圧、加圧のいずれでもよく
、反応方式としては、固定床や流動床などの流通方式が
好ましい。
、反応方式としては、固定床や流動床などの流通方式が
好ましい。
（発明の効果）
本発明の方法によれば、従来の結晶性クロモシリケート
をそのまま触媒として用いる方法に比べて、１．４一体
の選択率が極めて高くなる。このことは、工業的に実施
する際に極めて有利になる。′（実施例） 実施例１ １．８−ジアミノ−４−アミノメチルオクタン２ ｏ
ｏ ｔ、硝酸クロム（Ｃｒ（ＮＯり！ −９Ｈ，Ｏ）
５ ｔ。
をそのまま触媒として用いる方法に比べて、１．４一体
の選択率が極めて高くなる。このことは、工業的に実施
する際に極めて有利になる。′（実施例） 実施例１ １．８−ジアミノ−４−アミノメチルオクタン２ ｏ
ｏ ｔ、硝酸クロム（Ｃｒ（ＮＯり！ −９Ｈ，Ｏ）
５ ｔ。
水酸化ナトリウム１０ｆを水３４０ｔにとかし、さらに
、シリカゾル（３０重量％３ｉ０り ４００ｆを加えて
均質な溶液を得た。この溶液に、かきまぜながら２０チ
硫酸６０？を滴下して、均質なゲルを得た。さらに、こ
のゲルをホモジナイザー中で１０００ Ｏｒｐｍで高速
攪拌した後、テフロン内張シ耐圧容器中で１８０Ｃ，６
０時間靜装して結晶化を行った。
、シリカゾル（３０重量％３ｉ０り ４００ｆを加えて
均質な溶液を得た。この溶液に、かきまぜながら２０チ
硫酸６０？を滴下して、均質なゲルを得た。さらに、こ
のゲルをホモジナイザー中で１０００ Ｏｒｐｍで高速
攪拌した後、テフロン内張シ耐圧容器中で１８０Ｃ，６
０時間靜装して結晶化を行った。
得られた生成物を濾過、洗浄した後、１２０Ｃで１０時
間乾燥して、さらに５ａａＣで６時間空気中で焼成した
後のＸ線回折パターンを第１図に示す。このＸ線回折パ
ターンより、この生成物は、結晶性クロモシリケートＡ
Ｚ−３と同定された。
間乾燥して、さらに５ａａＣで６時間空気中で焼成した
後のＸ線回折パターンを第１図に示す。このＸ線回折パ
ターンより、この生成物は、結晶性クロモシリケートＡ
Ｚ−３と同定された。
また、焼成後の生成物を０．５Ｎ塩酸中で２４時間イオ
ン交換して濾過、洗浄した後、１２０Ｃで４時間乾燥、
５００Ｃで４時間空気中で焼成した後、ケイ元Ｘ線分析
でＳ Ｉ ｏｚ／Ｃｒ２０３モル比を測定した結果、８
１０！／Ｃｒ２０１モル比は２０であった。
ン交換して濾過、洗浄した後、１２０Ｃで４時間乾燥、
５００Ｃで４時間空気中で焼成した後、ケイ元Ｘ線分析
でＳ Ｉ ｏｚ／Ｃｒ２０３モル比を測定した結果、８
１０！／Ｃｒ２０１モル比は２０であった。
この結晶性クロモシリケート１０２を１ａ〜２０メツシ
ユ（成型したものを、ガラス製反応管に充填して、２０
容を俤のケイ酸エチルを含む窒素ｎスｆ５００ｃ、 ５
Ｖ＝１０００ｂｒｌで２０分間流した。その楼、温度を
５００Ｃｌ／（上げ、空気ｔ−流しながら２時間焼成を
行った。
ユ（成型したものを、ガラス製反応管に充填して、２０
容を俤のケイ酸エチルを含む窒素ｎスｆ５００ｃ、 ５
Ｖ＝１０００ｂｒｌで２０分間流した。その楼、温度を
５００Ｃｌ／（上げ、空気ｔ−流しながら２時間焼成を
行った。
この結果、得られた触媒の重量分析から得られたシリカ
担持量は１．０重量％であった。
担持量は１．０重量％であった。
この触媒を用いて、エチルベンゼンとエチレンからのジ
エチルベンゼンの合成反応を行った。実験条件は、エチ
ルベンゼン／エチレンモル比２．９５Ｓ触媒Ｎ ２ ｆ
ＸＷＨＳ Ｖ ４．ＯｈｒＱ 、反応温度３５０Ｃ１
常圧で行った。
エチルベンゼンの合成反応を行った。実験条件は、エチ
ルベンゼン／エチレンモル比２．９５Ｓ触媒Ｎ ２ ｆ
ＸＷＨＳ Ｖ ４．ＯｈｒＱ 、反応温度３５０Ｃ１
常圧で行った。
反応開始後２〜３時間の成績は、゛エチルベンゼン転化
率２０％、ジエチルベンゼン＆？１９５％、ジエチルベ
ンゼン中のパラ体の割合９９．５％であった。
率２０％、ジエチルベンゼン＆？１９５％、ジエチルベ
ンゼン中のパラ体の割合９９．５％であった。
実施例２
実施例１で得られた触媒を用いて、トルエンとエチレン
からのエチルトルエンの合成反応を行つた。実験条件は
、トルエン／エチレン／馬モル比６ ／ １ ／ ６、
Ｗ ＨＳ Ｖ ４．Ｏｈｒ−’、圧力３ 、０ ｋＰ／
ｃｆｌ。
からのエチルトルエンの合成反応を行つた。実験条件は
、トルエン／エチレン／馬モル比６ ／ １ ／ ６、
Ｗ ＨＳ Ｖ ４．Ｏｈｒ−’、圧力３ 、０ ｋＰ／
ｃｆｌ。
反応温度４００Ｃで行った。
反応開始後、２〜３時間、２０〜２１時間の成績を表１
に示す。
に示す。
表 １
実施例３
実施例１で得られた触媒を用いて、トルエンの不均化反
応を行った。実験条件は、Ｈ，／）ルエンモル比２．５
、Ｗ ＨＳ Ｖ ２．（］ ｈｒ−’、反応源ｆ５００
Ｃ。
応を行った。実験条件は、Ｈ，／）ルエンモル比２．５
、Ｗ ＨＳ Ｖ ２．（］ ｈｒ−’、反応源ｆ５００
Ｃ。
圧力ｊ ＯＩｃｙ）／ｃＩＩｔで行った。
反応開始後、２〜３時間と２０〜２１時間の成績を表２
に示す。
に示す。
表 ２
実施例４
実施例１で得られ九触媒を用いて、トルエンとメタノー
ルからのキシレン合成反応を行った。実験条件ハ、トル
エン／メタノールモル比−２、ｗＨ８Ｖ４．０１）ｒ−
１、反応温度４５０ Ｃ，常圧で行った。
ルからのキシレン合成反応を行った。実験条件ハ、トル
エン／メタノールモル比−２、ｗＨ８Ｖ４．０１）ｒ−
１、反応温度４５０ Ｃ，常圧で行った。
反応開始後、２〜３時間の成績は、トルエン転化率コ３
５％、キシレン選択率＝９５％、キシレン中の異性体組
成は、ｐ一体９７％、ｍ一体２％、〇一体１％であった
。
５％、キシレン選択率＝９５％、キシレン中の異性体組
成は、ｐ一体９７％、ｍ一体２％、〇一体１％であった
。
実施例５
実施例１で得られたイオン交換後の結晶性クロモシリケ
ートＡＺ−５１０ｆＱ１０〜２０メツシュに成型したも
のを、ガラス製反応管に充填して、２５容景チのケイ酸
メチルを含む窒素ガスを５２０ ’Ｃ，Ｓ Ｖ １５０
０ ｈｒ−’で２０分間流した。
ートＡＺ−５１０ｆＱ１０〜２０メツシュに成型したも
のを、ガラス製反応管に充填して、２５容景チのケイ酸
メチルを含む窒素ガスを５２０ ’Ｃ，Ｓ Ｖ １５０
０ ｈｒ−’で２０分間流した。
その後、温度を５００Ｃに上げ、空気を流しながら２時
間焼成を行った。
間焼成を行った。
この結果、得られた触媒の重量分析から得られたシリカ
担持量は１．０重量％であった。
担持量は１．０重量％であった。
この触媒を用いて、エチルベンゼンとエチレンからのジ
エチルベンゼンの合成反応を行った。実験条件は、エチ
ルベンゼン／エチレン／Ｈ１モル比−５／１／４、Ｗ
ＨＳ Ｖ ４．Ｏｈｒ−１、反応温度３５０ Ｃ，圧力
３に１）／ＣＩＩ！で行った。
エチルベンゼンの合成反応を行った。実験条件は、エチ
ルベンゼン／エチレン／Ｈ１モル比−５／１／４、Ｗ
ＨＳ Ｖ ４．Ｏｈｒ−１、反応温度３５０ Ｃ，圧力
３に１）／ＣＩＩ！で行った。
反応開始後、２〜３時間、２０〜２１時間の成績を表３
に示す。
に示す。
表 ３
実施例６
実施例５で得られた触媒を用いて、トルエンの不均化反
応を行った。実験条件は、Ｈ，／）ルエンモル比” ％
Ｗ ＨＳ ｖ３．Ｏｈｒ−１反応温度４８０Ｃ１圧力
８．０ｋｐ／部！で行った。
応を行った。実験条件は、Ｈ，／）ルエンモル比” ％
Ｗ ＨＳ ｖ３．Ｏｈｒ−１反応温度４８０Ｃ１圧力
８．０ｋｐ／部！で行った。
反応開始後、２〜３時間、２０〜２１時間の成績を表４
に示す。
に示す。
表 ４
実施例７
実施例５で得られた触媒を用いて、トルエンとプロピレ
ンからのシメンの合成反応を行った。
ンからのシメンの合成反応を行った。
実ｓ条件ａ、トルエン／プロピレン／Ｈ２モル比＝５／
１／４、Ｗ ＨＳ Ｖ ８．Ｏｈｒ−１、反応温度５２
０ Ｃｓ圧力２．Ｏｋｇ／閤２で行った。
１／４、Ｗ ＨＳ Ｖ ８．Ｏｈｒ−１、反応温度５２
０ Ｃｓ圧力２．Ｏｋｇ／閤２で行った。
反応冊始後、２〜６時間、１０〜１）時間の成績を表５
に示す。
に示す。
表 ５
実施例８
１．８−ジアミノ−４−アミノメチルオクタン２５０？
、硝酸りｏ ム（Ｃｒ（ＮＯｓ）ｓ・９ ＨｌＯ） １
０ ｔ、水酸化ナトリウム１０２を水４００ ＰＫとか
し、さらにシリカゾル（３０重量％ｓｉｏ、 ） ｓ
ｏ ｏ ｔを加えて均質な溶液を得た。この溶液に、か
きまぜながら２ａチ硫酸５０７を滴下して、均質なゲル
を得た。さらに、このゲルをホモジナイザー中で８００
Ｏｒｐｍで高速攪拌した後、テフロン内張υ耐圧容器
中で１６０Ｃ，７０時間靜装して結晶化を行った。
、硝酸りｏ ム（Ｃｒ（ＮＯｓ）ｓ・９ ＨｌＯ） １
０ ｔ、水酸化ナトリウム１０２を水４００ ＰＫとか
し、さらにシリカゾル（３０重量％ｓｉｏ、 ） ｓ
ｏ ｏ ｔを加えて均質な溶液を得た。この溶液に、か
きまぜながら２ａチ硫酸５０７を滴下して、均質なゲル
を得た。さらに、このゲルをホモジナイザー中で８００
Ｏｒｐｍで高速攪拌した後、テフロン内張υ耐圧容器
中で１６０Ｃ，７０時間靜装して結晶化を行った。
得られた生成物を濾過洗浄した後、１２０Ｃで８時間焼
成した後のＸ線回折パターンより、この生成物は、結晶
性クロモシリケー）ＡＺ−３と同定された。
成した後のＸ線回折パターンより、この生成物は、結晶
性クロモシリケー）ＡＺ−３と同定された。
また、焼成後の生成物を０．５Ｎ塩酸中で２４時間イオ
ン交換して濾過洗浄した後、１２０Ｃで４時間乾燥、５
００Ｃで４時間空気中で焼成した後のケイ元Ｘ線分析よ
り求めたＳ Ｉ Ｏ！／Ｃｒｔ ０３モル比は４０であ
った。
ン交換して濾過洗浄した後、１２０Ｃで４時間乾燥、５
００Ｃで４時間空気中で焼成した後のケイ元Ｘ線分析よ
り求めたＳ Ｉ Ｏ！／Ｃｒｔ ０３モル比は４０であ
った。
この結晶性クロモシリケート２０１を１０〜２０メツシ
ユに成型したものを、ガラス製反応管に充填して、１０
容量チのケイ酸エチルを含む窒素ガスを２５０ｃ、 ｓ
ｖ −１ｏ ｏ ｏ ｈｒ−１テ１ ｓ分間流した。そ
の後、温度を５５０Ｃに上げ、空気を流しながら４時間
焼成を行った。
ユに成型したものを、ガラス製反応管に充填して、１０
容量チのケイ酸エチルを含む窒素ガスを２５０ｃ、 ｓ
ｖ −１ｏ ｏ ｏ ｈｒ−１テ１ ｓ分間流した。そ
の後、温度を５５０Ｃに上げ、空気を流しながら４時間
焼成を行った。
この結果、得られた触媒の重量分析から得られ九シリカ
担持ｉは１．５重量％であった。
担持ｉは１．５重量％であった。
この触媒を用いて、エチルベンゼンの不均化反応を行っ
た。実験条件は、Ｈ１／エチルベンゼンモ Ａ／ 比
＝ ４ 、Ｑ、Ｗ ＨＳ Ｖ ５．Ｏｈｒ−’、反応温
度５ＳａＣ１圧力５．０ｋｙ／ｄで行った。
た。実験条件は、Ｈ１／エチルベンゼンモ Ａ／ 比
＝ ４ 、Ｑ、Ｗ ＨＳ Ｖ ５．Ｏｈｒ−’、反応温
度５ＳａＣ１圧力５．０ｋｙ／ｄで行った。
反応開始後、２〜３時間、２０〜２１時間の成績を表６
に示す。
に示す。
表 ６
実施例９
実施例８で得られた触媒を用いて、トルエンとｘ −ｒ
−ｖンカラのエチルトルエン合成反応を行った。
−ｖンカラのエチルトルエン合成反応を行った。
実験条件は、トルエン／エチレン／■２モル比５／１）
５、Ｗ ＨＳ Ｖ ５．Ｏｈｒ−１，圧力４．０ ｋｇ
／７、反応温度４２０Ｃで行った。
５、Ｗ ＨＳ Ｖ ５．Ｏｈｒ−１，圧力４．０ ｋｇ
／７、反応温度４２０Ｃで行った。
反応開始後、２〜３時間、１２〜１３時間の成績を表７
に示す。
に示す。
表 ７
実施例１０
硝酸りａ ムＣＣｒ（Ｎｏｎ）！−９Ｉ（、Ｏ）２．Ｏ
ｙ、モルホリン２．０？、９７％硫酸１．７６Ｓ’を水
２５１に加えた溶液を、塩化ナトリウム７．９１を水１
２．２ ？に溶かした溶液に徐々に滴下して、さらに水
ガラス（ＢｉＯ，５７，６重量％、Ｎａ、Ｑ １７．５
重量％、水４４．９重量％）２０ｙを水３０？に溶かし
た溶液を滴下して、均質な混合物を得た。
ｙ、モルホリン２．０？、９７％硫酸１．７６Ｓ’を水
２５１に加えた溶液を、塩化ナトリウム７．９１を水１
２．２ ？に溶かした溶液に徐々に滴下して、さらに水
ガラス（ＢｉＯ，５７，６重量％、Ｎａ、Ｑ １７．５
重量％、水４４．９重量％）２０ｙを水３０？に溶かし
た溶液を滴下して、均質な混合物を得た。
この混合物をテフロン内張りオートクレ〒プ中で、１７
０ｔｌ？で２４時間攪拌しながら結晶化させた。
０ｔｌ？で２４時間攪拌しながら結晶化させた。
得られた生成物を濾過洗浄、１２０Ｃで６時間乾燥後、
５ｏａＣで６時間空気中で焼成した後のＸＳ回折パター
ンを第２図に示す。この回折パターンは、結晶性アルミ
ノ７リケートＺＳＭ−５とほとんど一致した。
５ｏａＣで６時間空気中で焼成した後のＸＳ回折パター
ンを第２図に示す。この回折パターンは、結晶性アルミ
ノ７リケートＺＳＭ−５とほとんど一致した。
この結晶性ブロモシリケート１０ｔを１０〜２０メツシ
ユに成型したものを、ガラス製反応管に充填して、ケイ
酸エチルの蒸気と５０１）ＩＨｇの圧力下、２５０Ｃで
５０分接触させた後、５００Ｃで３時間空気を流しなが
ら焼成を行った。
ユに成型したものを、ガラス製反応管に充填して、ケイ
酸エチルの蒸気と５０１）ＩＨｇの圧力下、２５０Ｃで
５０分接触させた後、５００Ｃで３時間空気を流しなが
ら焼成を行った。
得られた触媒の重量分析より求めたシリカ担持量は３．
０重量％であった。
０重量％であった。
この触媒を用いて、エチルベンゼンとエチレンからのジ
エチルベンゼンの合成反応を行った。実験条件は、エチ
ルベンゼン／エチレン／Ｈ７モル比＝ ５ ／ １ ／
４、ＷＨＳ Ｖ ４．Ｏｈｒ−’、反応温度５ｓａＣ
，圧力５ ｋｆ／（７１）で行った。
エチルベンゼンの合成反応を行った。実験条件は、エチ
ルベンゼン／エチレン／Ｈ７モル比＝ ５ ／ １ ／
４、ＷＨＳ Ｖ ４．Ｏｈｒ−’、反応温度５ｓａＣ
，圧力５ ｋｆ／（７１）で行った。
反応開始後、２〜５時間、２０〜２１時間の成績を表８
に示す。
に示す。
表 ８
実施例１で得られた結晶性クロモンリケードのＸ線回折
パターン、第２図は実施例１０で得られた結晶性クロモ
７リケートのＸ線回折パターンである。 手続補正書（方式） 昭和６０年１２月２５日
パターン、第２図は実施例１０で得られた結晶性クロモ
７リケートのＸ線回折パターンである。 手続補正書（方式） 昭和６０年１２月２５日
Claims (4)
- （１）モノアルキルベンゼンを気相において１，４−ジ
アルキルベンゼンに転化する際に、結晶性クロモシリケ
ートをケイ酸エステル含有ガスで処理した後、酸素含有
ガス中で焼成することによつて少なくとも０．１重量％
のシリカを担持した触媒を用いることを特徴とする１，
４−ジアルキルベンゼンの製造法。 - （２）結晶性クロモシリケートがＸ線回折図において、
下表の回折パターンを有するものである特許請求の範囲
第１項記載の製造法。 Ｘ線回折分析はＣｕＫα線を用いて測定する。ただし、
８．８±０．２と８．９±０．２の回折線のどちらかを
相対強度１００とする。 - （３）モノアルキルベンゼンが炭素数１〜３のアルキル
基を有するモノアルキルベンゼンである特許請求の範囲
第１項または第２項記載の製造法。 - （４）１，４−ジアルキルベンゼンがパラキシレン、パ
ラエチルトルエンまたはパラジエチルベンゼンである特
許請求の範囲第１項または第２項記載の製造法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59149316A JPS61126039A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | １，４−ジアルキルベンゼンの製法 |
| US06/741,629 US4613717A (en) | 1984-06-25 | 1985-06-04 | Process for producing a 1,4-dialkylbenzene |
| GB08515692A GB2163176B (en) | 1984-06-25 | 1985-06-20 | A process for producing a 1,4-dialkylbenzene |
| KR1019850004480A KR870001873B1 (ko) | 1984-06-25 | 1985-06-24 | 1,4-디알킬벤젠의 제조방법 |
| FR8509578A FR2566389B1 (fr) | 1984-06-25 | 1985-06-24 | Procede de production d'un 1,4-dialkylbenzene |
| DE19853522727 DE3522727A1 (de) | 1984-06-25 | 1985-06-25 | Verfahren zur herstellung eines 1,4-dialkylbenzols |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59149316A JPS61126039A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | １，４−ジアルキルベンゼンの製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61126039A true JPS61126039A (ja) | 1986-06-13 |
| JPH0374652B2 JPH0374652B2 (ja) | 1991-11-27 |
Family
ID=15472453
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59149316A Granted JPS61126039A (ja) | 1984-06-25 | 1984-07-20 | １，４−ジアルキルベンゼンの製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61126039A (ja) |
-
1984
- 1984-07-20 JP JP59149316A patent/JPS61126039A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0374652B2 (ja) | 1991-11-27 |
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