JPS61123312A - 電圧制御発振回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本発明は電圧制御発振回路に係り、特に磁気記録再生装
置（以下ＶＴＲ）Ｋ用いられるＲＦコンバータのＦＭ変
調器に最適な同発振回路に関する。

（ロ）　従来の技術 一般ＩＣＶＴＲにおいては、出力を通常のテレビ受像機
のアンテナ端子に加え、受像回路に入力するため、高周
波信号に変換しなければならず、ＲＦコンバータ（又は
ＲＦモジュレータ）と呼ばれる変換器が使用される。

基本的にはオーディオ信号で変調した中心周波数が４．
５Ｍ■２のＦＭ波とビデオ信号とを加え合せて、この信
号で所定のＲＦ傷信号ＶＨＦ又はＵＨＦ信号）を振幅変
調し、帯域フィルタを通して出力している。

そこで−例として特公昭５９−１００８１号が上げられ
、第３図の例で差動対置及び差動対□□□の負荷として
並列共振回路顛が接続されている。この従来例では、電
流１１　は電圧■１　　と差動対（至）の相互フンダク
タンスの積、電流工２は電圧ｖ２　と差動対（至）の相
互コ／ダクタンスとの積として表わされる。このとき差
動対の相互コンダクタンスは共通エミッタ電極に接続さ
れた電流源の電流に比例する。

前記構成をブロック化して第４図に示すと、（１）は共
振回路、（２）は移相回路、（３１（４１は増幅段を示
し、前記増幅段（３）の利得なｋＩ、増幅段包）の利得
なに１゜移相回路（２）を構成する抵抗及びコンデンサ
に現われる電圧ベクトルを各々Ｖ１、ｖａ、位相角をθ
とする。

これにより、第４図の構成では簡略のために１＝に、と
してベクトル図を第５図に示してあり、θ＝４５１に設
定し【ある。

（ハ）　発明が解決しようとする問題点前述の構成では
、先ず移相回路（２）をＩＣ化して設けた場合、温度変
化による抵抗値の変化即ち温度上昇により抵抗値の増大
が生じ、これに伴って移相量（のの増大から発振周波数
の温度変化によるドリフト、又前記移相回路（２）の抵
抗、コンデンサの値のバラツキ化より移相量が所定の値
とならないことから発振周波数が所定の値からずれたり
してしまう欠点があった。

この場合、電圧対発振周波数特性において、前記移相量
のズレが生じたとき１．その特性は直線状とならず折線
状になることがある。

に）問題点を解決するための手段 本発明は、共振回路にて発生した共振出力な移相回路に
より＋９０″又は−９０°移相せしめ、それを第１及び
第２の２対の差動対の所定のベースに同相、逆相及び、
＋９０°又は−９０”の３つの位相成分を発生させて、
前記２対の共通エミッタに各々接続した第３０差動対の
一方のトランジスタのベースに制御信号を加え、発振部
分と移相部分を独立して構成し、温度及び構成素子のバ
ラツキによる発振周波数の安定化を図るものである。

（ホ）作用 前述の構成で発振部分と移相部分とを独立した構成によ
り、前記移相部ｗｒＶＣおける＋９０″又は−９０°の
移相動作が安定し、これに伴って発振周波数の安定化が
行える。

（へ）実施例 本発明を図面に従って説明すると、第１図は本発明の電
圧制御発振回路の基本構成図、第２図は同回路の一実施
例を示す回路図、第３図は本発明の詳細な説明するため
のベクトル図を示す。

第１図において、第４図と同一素子には同一図番を付し
てあり、（５）はθ°移相部、（６）、＋９００又は−
９０°移相部、（７）、−１８０”移相部（８）を有す
る移相回路、第２図において（９）は基準電圧用トラン
ジスタ、＋１［１（１１）は各々トランジスタａ７Ｊａ
３及びα何９を有するベクトル合成段としての第１及び
第２の差動対、１１６）はトランジスタαη顛を有する
第３０差動対、α値は制御端子、（イ）＊ａ＠＠（財）
（至）■、罰、（至）及び（至）（至）６１１０２０３
３４）（ト）（至）６Ｄは各々移相回路（５）を構成す
るトランジスタ、コンデンサ、抵抗及び定電流源、ｗｅ
ｓ（４０は前記基準電圧用トランジスタ（９）及び第３
の差動対αｅのトランジスタ（１７）（１１０に接続し
た定電流源を示す。

先ず第１図について第３図を用いて説明すると、共振回
路（１１にて発生した共振出力は移相回路（５）のＯ°
移相部（６）、＋９０°又は−９０°移相部（７）及び
−１８０°移相部（８）Ｋ加わり、この移相回路（５）
の出力として＾２色及び−人が現われ、これらは増幅段
＋３）（４）にて合成され、各々の利得なに１　及びｋ
。

とすると、共振回路＋１）　Ｋ加わる成分は（ｋ＋＋ｋ
ｚ）びに、を変化させると位相角θが変化することにな
る。

そこで第２図について説明すると、共振回路（１）の共
振出力はダイオードＱυ（４Ｂ及びエミクタ７オロ段と
してのトランジスタＧ！ｌ）Ｋよりレベルシフトされ、
該トランジスタ（至）の出力ベクトルをλとする。

斯るＡはトランジスタｒ２υのエミッタ側に接続された
９ゲ移相用のコンデンサ＠にて移相され、コレクタ１ｌ
ｌＫ−９０”移相出力が現われ、そのベクトルを−Ｂと
する。

次に−Ｂはトランジスタ（ハ）を介して第１及び第２の
差動対αＩ（１１１のトランジスタ（１３１（１４１の
ベースに加わり、前記人は差動接続された一方のトラン
ジスタ＠のベースに加わり、差動接続された他方のトラ
ンジスタ＠のコレクタからトランジスタ＠を介して第１
の差動対ααのトランジスタα２に加わり、またＡはト
ランジスタ（２Ｉ）にて反転され一又としてトランジス
タ翰を介して第２の差動対αυのトランジスタ霞のベー
スに加わり、負荷抵抗（４３には、（ｋ＋＋ｋｔ）人士
（ｋｌ−ｋｔ）Ｂが共振回路（１）に加えられる。

ここで第３図における位相角θは θ＝ｔａｎ−’（Ｒ＋ｅωＣＲｔｙ／Ｒ＋＋＋）　　・
−・・・・・−・（ｔ）で定まる。上式でＲｚｙ　＋　
Ｒ４６＋　Ｒ４ａは抵抗（ハ）（ハ）顛の抵抗値、ωは
角周波数、Ｃはコンデンサ■の容量値を示す。

前述の構成で端子α９に制御信号（Ｖ＋）を加えトラン
ジスタαη舖の相互コンダクタンスを変化させて第１及
び第２の差動対（１０（１１）の各共通エミッタに流れ
る電流を変化させると、これに伴って前記共振回路（１
）に加わる金成分の位相角θ及びベクトルの大きさも変
化することになる。

ここで各構成素子のバラツキ又は温度変化に伴って該構
成素子の特性が変動したとしても、上記位相角θ及び−
〇と対称的に第１０差動対（ＩＩ及び第２の差動対αυ
にてベクトル合成が行われ、又移相回路（５）とベクト
ル合成部としての前記第１及び第２差動対α〔α９を独
立に設計し得る。前記第１及び第２の差動対αωαＤは
温度に対して特性が安定しており、特にベクトル合成で
の温度変化に伴う特性変動が回避できる。

（ト）　発明の効果 本発明の電圧制御発振回路は、共振回路にて生じた共振
成分が移相回路とベクトル合成部としての第１及び第２
０差動対、増幅部としての第１０差動対に加えられ、移
相回路に同相、逆相及び＋９０＠又は−９０”の３段に
分割にてベクトル合成するので、位相角θ及び−〇と対
称的な成分が得られ、従来に比し、構成素子のバラツキ
、又は温度特性による発振周波数のドリフトは極減され
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の電圧制御発振回路の基本構成図、第２
図は同回路の一実施例を示す回路図、第３図は同回路を
説明するためのベクトル図、第４図は従来の同回路の構
成図、第５図は第４図を説明するためのベクトル図であ
る。 主な図番の説明 （１１・・・共振回路、　１３）（４）・・・増幅段、
　（５）・・・移相回路、　（１Ｇ・・・第１０差動対
、　αυ・・・第２０差動対、（１６）・・・第３の差
動対、　α９・・・制御端子、　（至）・・・移相用の
コンデンサ。 出願人　三洋電機株式会社　外１名 代理人　弁理士　　佐　野　靜　夫 第１図 第３図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）所定の共振周波数を有する共振回路と、各々エミ
   ッタが共通接続された一対のトランジスタより成る第１
   及び第２の差動対と、該第１及び第２の差動対の各共通
   エミッタが各々コレクタに接続された一対のトランジス
   タより成る第３の差動対と、前記第１及び第２の差動対
   の各入力端に前記共振回路の出力端を移相回路を介して
   接続し、前記第３の差動対の一方のトランジスタのベー
   スは所定電位に設定し、他方のトランジスタのベースに
   制御信号を加えることを特徴とした電圧制御発振回路。