JPS61121577A - 撮像装置 - Google Patents
撮像装置Info
- Publication number
- JPS61121577A JPS61121577A JP59241751A JP24175184A JPS61121577A JP S61121577 A JPS61121577 A JP S61121577A JP 59241751 A JP59241751 A JP 59241751A JP 24175184 A JP24175184 A JP 24175184A JP S61121577 A JPS61121577 A JP S61121577A
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- JP
- Japan
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- image pickup
- horizontal
- solid
- vertical
- image
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Instruments For Viewing The Inside Of Hollow Bodies (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は固体撮像素子を用いた撮像装置に関する。
近年、高精細度テレビジョンが国内外で注目を集めるよ
うになってきた。これは高度化する情報社会の中で画像
による情報伝達の役割が一層重要になってきたためであ
り、かかる高精細度テレビジョンを用いれば、たとえば
、精細な書画を光７アイバーなどを使って遠方へ伝送し
たシ、あるいは、印刷や映画製作など高精細、高品位な
画質が要求される分野Ｋｔでプレビジ冒ンシステムを応
用することができる。
うになってきた。これは高度化する情報社会の中で画像
による情報伝達の役割が一層重要になってきたためであ
り、かかる高精細度テレビジョンを用いれば、たとえば
、精細な書画を光７アイバーなどを使って遠方へ伝送し
たシ、あるいは、印刷や映画製作など高精細、高品位な
画質が要求される分野Ｋｔでプレビジ冒ンシステムを応
用することができる。
一方テレビジ１ンシステムの眼とも言りベきテレビカメ
ラの開発も近年急激に進歩し、特に、集積回路微細加工
技術の進歩を背景に、固体撮像素子を使ったテレビカメ
ラの台頭が著しい、たとえば、本出願人によって開発さ
れた固体撮像素子は水平方向７６８画素、垂直方向４９
０画素もの画素数を有し、総合特性でも従来の撮儂管を
凌駕する特性が得られている。（アイ・イー・イー・イ
・インターナシ璽ナル・ソリッドステート・サーキット
・コン７ァレンスＣＩＥＥＥ ｌ５ＳＣＣ）、ＦＡＭ
１８、７ （１９８３） ２６４〜２６５ページ）。
ラの開発も近年急激に進歩し、特に、集積回路微細加工
技術の進歩を背景に、固体撮像素子を使ったテレビカメ
ラの台頭が著しい、たとえば、本出願人によって開発さ
れた固体撮像素子は水平方向７６８画素、垂直方向４９
０画素もの画素数を有し、総合特性でも従来の撮儂管を
凌駕する特性が得られている。（アイ・イー・イー・イ
・インターナシ璽ナル・ソリッドステート・サーキット
・コン７ァレンスＣＩＥＥＥ ｌ５ＳＣＣ）、ＦＡＭ
１８、７ （１９８３） ２６４〜２６５ページ）。
ところで上述した高精細度テレビジＮ／用カメラを固体
撮像素子にて実現する場合には、横方向及び縦方向とも
に従来の標準方式の約２倍の画素数が必要である。たと
えばＮＨＫから提案されている走査線数１１２５本、ア
スペクト比（画面寸法の横と縦の比）５：３、輝度信号
帯域２０ ＭＨｚの高品位テレビジョン方式（テレビジ
！１）学会誌３に１９８２）８６３〜８７２ページ）に
適合したテレビカメラを固体撮像素子にて実現する場合
には、少なくとも水平方向に１２８０画素、垂直方向に
１０４５画素の有効画素数が必要である。この固体撮像
素子を１インチ光学フォーマット（直径１６■）内に製
造する場合を想定すると、第５図の平面配置図のごとく
なる。
撮像素子にて実現する場合には、横方向及び縦方向とも
に従来の標準方式の約２倍の画素数が必要である。たと
えばＮＨＫから提案されている走査線数１１２５本、ア
スペクト比（画面寸法の横と縦の比）５：３、輝度信号
帯域２０ ＭＨｚの高品位テレビジョン方式（テレビジ
！１）学会誌３に１９８２）８６３〜８７２ページ）に
適合したテレビカメラを固体撮像素子にて実現する場合
には、少なくとも水平方向に１２８０画素、垂直方向に
１０４５画素の有効画素数が必要である。この固体撮像
素子を１インチ光学フォーマット（直径１６■）内に製
造する場合を想定すると、第５図の平面配置図のごとく
なる。
すなわち、同図の撮像素子はインターライン転送方式電
荷結合型撮像素子と呼ばれるもので、入射光量に応じた
信号電荷を蓄積するために光入射面にマトリックス状に
配列された光電変換部５ｏと、この光電変換部５０に蓄
積された信号電荷を一画直走査周期（フィールドまたは
フレーム）ごとに読み出すための転送ゲート（図示せず
）と、読み出した信号電荷を一水平走査周期（ＩＨ）ご
とに垂直方向に転送するための垂直レジスタ５１と、各
垂直レジスタ５１の一端に電気的に結合して、信号電荷
を水平方向に転送するための水平レジスタ５２と、この
水平レジスタ５２からの信号電荷を順次電圧信号に変換
するための出力画１ＩＩ５３とから構成されている。ま
た、光電変換部５ｏと転送ゲート及び垂直レジスタ５１
とを含む撮像領域５４の大急さは横１３．７糟、縦８．
２１（アスペクト比５：３）であるため、単位画素の大
きさは、第６図に示すごとく横１０．７ｐｍ縦７．８−
と横長になる。ここで第６図の単位画素はフォトダイオ
ード等で作製された光電変換部６ｏと、隣接する画素と
の間を電気的に分離するためのチャネルストップ領域６
１と、信号電荷の読み出しを行う転送ゲート領域６２と
、読み出した信号電荷を垂直方向に転送するために埋込
みチャネル屋等の電荷結合素子にて作製された垂直レジ
スタ６３と。
荷結合型撮像素子と呼ばれるもので、入射光量に応じた
信号電荷を蓄積するために光入射面にマトリックス状に
配列された光電変換部５ｏと、この光電変換部５０に蓄
積された信号電荷を一画直走査周期（フィールドまたは
フレーム）ごとに読み出すための転送ゲート（図示せず
）と、読み出した信号電荷を一水平走査周期（ＩＨ）ご
とに垂直方向に転送するための垂直レジスタ５１と、各
垂直レジスタ５１の一端に電気的に結合して、信号電荷
を水平方向に転送するための水平レジスタ５２と、この
水平レジスタ５２からの信号電荷を順次電圧信号に変換
するための出力画１ＩＩ５３とから構成されている。ま
た、光電変換部５ｏと転送ゲート及び垂直レジスタ５１
とを含む撮像領域５４の大急さは横１３．７糟、縦８．
２１（アスペクト比５：３）であるため、単位画素の大
きさは、第６図に示すごとく横１０．７ｐｍ縦７．８−
と横長になる。ここで第６図の単位画素はフォトダイオ
ード等で作製された光電変換部６ｏと、隣接する画素と
の間を電気的に分離するためのチャネルストップ領域６
１と、信号電荷の読み出しを行う転送ゲート領域６２と
、読み出した信号電荷を垂直方向に転送するために埋込
みチャネル屋等の電荷結合素子にて作製された垂直レジ
スタ６３と。
前記転送ゲート領域６２及び垂直レジスタ６３を動作さ
せるために多結晶シリコン層等で作製され７を第−及び
第二の電荷転送電極６截６５とから構成されている。
せるために多結晶シリコン層等で作製され７を第−及び
第二の電荷転送電極６截６５とから構成されている。
同図からも明らかなように、この固体撮像素子を製造す
るためＫは、標準方式のものに比べて、更に高度な集積
回路微細加工技術が必要とされる。
るためＫは、標準方式のものに比べて、更に高度な集積
回路微細加工技術が必要とされる。
例えば第６図において、電荷転送電極６４及び６５の配
線は行方向（水平方向）になされているが、充電変換部
６０上の配線は光感度向上と分光感度改善のために除去
しなければならない。この丸め光電変換部６０の垂直方
向の開口率を６０〜７０−と控え目に選んでも、電荷転
送電極６４及び６５の渡し部分６６の縁由は３〜２霞に
も狭くなシ、ここでの微細加工技術の優劣が製品の歩留
まりを左右する。すなわち、改し部分６６をオーバーエ
ッチし過ぎた場合には行方向（水平方向）配線抵抗の増
大を引き起こし、最終的には断線という致命的な欠陥を
もたらす。同様に、垂直レジスタ６３上に位置する電荷
転送電極６４及び６５のギャップ６７及び６８を加工す
るにも微細加工技術が必要である。ナ々わら、電荷転送
電極６４と６５を重ね合わせマージンを十分取った上で
縦方向７．８ｐｒａのピッチで配線するためには、それ
ぞれのギャップ６７及び６８を１〜２紳の間隔で加工し
なければならない、もしこれらギャップ６７．６８が十
分加工されない場合には配線の短絡という致命的な欠陥
をもたらす。
線は行方向（水平方向）になされているが、充電変換部
６０上の配線は光感度向上と分光感度改善のために除去
しなければならない。この丸め光電変換部６０の垂直方
向の開口率を６０〜７０−と控え目に選んでも、電荷転
送電極６４及び６５の渡し部分６６の縁由は３〜２霞に
も狭くなシ、ここでの微細加工技術の優劣が製品の歩留
まりを左右する。すなわち、改し部分６６をオーバーエ
ッチし過ぎた場合には行方向（水平方向）配線抵抗の増
大を引き起こし、最終的には断線という致命的な欠陥を
もたらす。同様に、垂直レジスタ６３上に位置する電荷
転送電極６４及び６５のギャップ６７及び６８を加工す
るにも微細加工技術が必要である。ナ々わら、電荷転送
電極６４と６５を重ね合わせマージンを十分取った上で
縦方向７．８ｐｒａのピッチで配線するためには、それ
ぞれのギャップ６７及び６８を１〜２紳の間隔で加工し
なければならない、もしこれらギャップ６７．６８が十
分加工されない場合には配線の短絡という致命的な欠陥
をもたらす。
以上の説明からも明らかなように１第５図及び第６図に
示す固体撮像素子のマスクルールは横方向よシも縦方向
の方が厳しく、これが歩留まプ低下の要因となっている
。
示す固体撮像素子のマスクルールは横方向よシも縦方向
の方が厳しく、これが歩留まプ低下の要因となっている
。
本発明は上述した従来の欠点を除去したもので、その目
的とするところは、集積回路微細加工を行っても歩留ま
シが低下しくくい構造の固体撮像素子と、該素子を使っ
た撮像装置を提供することにある。
的とするところは、集積回路微細加工を行っても歩留ま
シが低下しくくい構造の固体撮像素子と、該素子を使っ
た撮像装置を提供することにある。
〔問題点全解決するための手段〕
本発明は、撮像部の横もしくは縦方向の寸法の少なくと
も一方が所定の光学系フォーマットよシも長い固体撮像
素子に接近あるいは密着させて、横および縦方向の倍率
が前記撮像部のそれぞれ対応する方向の伸長の比率に一
致する如く選定された光学倍率変換手段を設置したこと
を特徴とする撮像装置である。前記光学倍率変換手段に
はアナモフィック光学系あるいはファイバーグレートな
どを用いることができる。
も一方が所定の光学系フォーマットよシも長い固体撮像
素子に接近あるいは密着させて、横および縦方向の倍率
が前記撮像部のそれぞれ対応する方向の伸長の比率に一
致する如く選定された光学倍率変換手段を設置したこと
を特徴とする撮像装置である。前記光学倍率変換手段に
はアナモフィック光学系あるいはファイバーグレートな
どを用いることができる。
次に本発明の実施例について図面を用いて説明する。こ
こでの説明はＮＨＫから提案されている走査線数１１２
５本、アスペクト比５：３、輝度信号帯２０ ＭＨｚの
高品位テレビシコン方式に適合した撮像装置について行
なう。
こでの説明はＮＨＫから提案されている走査線数１１２
５本、アスペクト比５：３、輝度信号帯２０ ＭＨｚの
高品位テレビシコン方式に適合した撮像装置について行
なう。
第１図は本発明による撮像装置の一例でおる。
同図においてアスペクト比５：３の入射光学像１は、像
面上で縦方向と横方向との倍率が異なる映像を生ずる光
学倍率変換手段を介して、固体撮像素子２の撮像領域３
の全面に結像される。ここで撮像領域３の大きさは第２
図の２０に示すごとく横１３．７閣、縦１３．７ ｍｓ
（アスペクト比１：１）と正方形になっている。同図
においても２１は光電変換部、２２は垂直レジスタ、２
３は水平レジスタ、２４は出力回路であシ、それぞれの
動作は第５図の５Ｑ ５１．５２．５３に示す垂直レジ
スタ、水平レジスタ、出力回路と全く同様である。また
、第１図に示す固体撮像素子２を高品位テレビジョン方
式に適合させるためには、第２図に示す撮像領域回内に
、水平方向く１２８０画素、垂直方向Ｋ １０４５画素
の有効画素を配置する必要がある。このため単位画素の
大きさは、第３図に示すごとく、横１０．７ｐｍ、縦１
３．１ｐａ＋のようにほぼ正方形になる。ここで第３図
の単位画素の構成要素は第６図の従来例と全く同じであ
るが、縦方向の寸法が大きくなった分だけ、縦方向のマ
スクルールが緩和されている。すなわち同図の単位画素
はフォトダイオード等で作製された光電変換部３０と、
隣接する画素との間を電気的に分離するためのチャネル
ストップ領域３１と、信号電荷の読み出しを行う転送ゲ
ート領域３２と、読み出した信号電荷を垂直方向く転送
するために埋込みチャネル製等の電荷結合素子で作製さ
れた垂直レジスタ３３と、前記転送ゲート領域３２及び
垂直レジスタ３３を動作させるために多結晶シリコン層
等で作製された第一と第二の電荷転送電極３４及び３５
とから構成されている。
面上で縦方向と横方向との倍率が異なる映像を生ずる光
学倍率変換手段を介して、固体撮像素子２の撮像領域３
の全面に結像される。ここで撮像領域３の大きさは第２
図の２０に示すごとく横１３．７閣、縦１３．７ ｍｓ
（アスペクト比１：１）と正方形になっている。同図
においても２１は光電変換部、２２は垂直レジスタ、２
３は水平レジスタ、２４は出力回路であシ、それぞれの
動作は第５図の５Ｑ ５１．５２．５３に示す垂直レジ
スタ、水平レジスタ、出力回路と全く同様である。また
、第１図に示す固体撮像素子２を高品位テレビジョン方
式に適合させるためには、第２図に示す撮像領域回内に
、水平方向く１２８０画素、垂直方向Ｋ １０４５画素
の有効画素を配置する必要がある。このため単位画素の
大きさは、第３図に示すごとく、横１０．７ｐｍ、縦１
３．１ｐａ＋のようにほぼ正方形になる。ここで第３図
の単位画素の構成要素は第６図の従来例と全く同じであ
るが、縦方向の寸法が大きくなった分だけ、縦方向のマ
スクルールが緩和されている。すなわち同図の単位画素
はフォトダイオード等で作製された光電変換部３０と、
隣接する画素との間を電気的に分離するためのチャネル
ストップ領域３１と、信号電荷の読み出しを行う転送ゲ
ート領域３２と、読み出した信号電荷を垂直方向く転送
するために埋込みチャネル製等の電荷結合素子で作製さ
れた垂直レジスタ３３と、前記転送ゲート領域３２及び
垂直レジスタ３３を動作させるために多結晶シリコン層
等で作製された第一と第二の電荷転送電極３４及び３５
とから構成されている。
よって、電荷転送電極３４及び３５の渡し部分３６の線
巾も４〜５川にも太くでき、行方向（水平方向）配線の
断線を極めて少なくすることができる。ま九垂直レジス
タ３３上（位置する電荷転送電極３４及び３５のギャッ
プ３７及び３８も２〜３ｐｍの間隔に広げることができ
るので、行方向配線の短絡を極めて少なくすることがで
きる。このように第３図に示す単位画素は第６図に示す
従来のものに比べて、縦方向のマスクルールが大幅に緩
和されているため、多くの画素数を有する固体撮像素子
を歩留ま＃）曳く生産することができる。
巾も４〜５川にも太くでき、行方向（水平方向）配線の
断線を極めて少なくすることができる。ま九垂直レジス
タ３３上（位置する電荷転送電極３４及び３５のギャッ
プ３７及び３８も２〜３ｐｍの間隔に広げることができ
るので、行方向配線の短絡を極めて少なくすることがで
きる。このように第３図に示す単位画素は第６図に示す
従来のものに比べて、縦方向のマスクルールが大幅に緩
和されているため、多くの画素数を有する固体撮像素子
を歩留ま＃）曳く生産することができる。
ところで第１図に示す撮像装置では、アスペクト比５：
３の入射光学像１を、縦方向倍率が横方向倍率の約１．
６７倍となる光学倍率変換手段を介して、アスペクト比
１：１の撮像領域３の全面に結像させている。ここで用
いることのできる光学倍率変換手段の一つに、同図に示
すアナモフィック光学系４がある。このアナモフィック
光学系４はシネマサイズのフィルムをテレビサイズに変
換する場合などに用いられている。
３の入射光学像１を、縦方向倍率が横方向倍率の約１．
６７倍となる光学倍率変換手段を介して、アスペクト比
１：１の撮像領域３の全面に結像させている。ここで用
いることのできる光学倍率変換手段の一つに、同図に示
すアナモフィック光学系４がある。このアナモフィック
光学系４はシネマサイズのフィルムをテレビサイズに変
換する場合などに用いられている。
第４図は上記の他の方法を示すもので、第１図のアナモ
フィック光学系４に代えてファイバープレート４０を用
いた例である。このファイバープレート４００寸法は前
面４１が横１３．７鴨縦８．２ｍ （アスペクト比５：
３）であるのく対し、後面は横、縦ともに１３．７鴎（
アスペクト比１：１）と末広がシ状になっている。この
ため、後面を固体撮像素子２の撮像領域３に密着あるい
は接近させて配置すれば、前面４１よシ入射した光学像
は縦方向に約１．６７倍伸長されて、撮像領域３の全面
に結像され、その働きはアナモフィック光学系４と全く
同等である。
フィック光学系４に代えてファイバープレート４０を用
いた例である。このファイバープレート４００寸法は前
面４１が横１３．７鴨縦８．２ｍ （アスペクト比５：
３）であるのく対し、後面は横、縦ともに１３．７鴎（
アスペクト比１：１）と末広がシ状になっている。この
ため、後面を固体撮像素子２の撮像領域３に密着あるい
は接近させて配置すれば、前面４１よシ入射した光学像
は縦方向に約１．６７倍伸長されて、撮像領域３の全面
に結像され、その働きはアナモフィック光学系４と全く
同等である。
またファイバープレート４０はアナモフィック光学系４
のごとく長い光路長を必要としないため、系全体が小屋
化できる利点もある。
のごとく長い光路長を必要としないため、系全体が小屋
化できる利点もある。
以上述べた通９、本発明によれば、集積回路微細加工を
行っ七も歩留まシが低下しにくい構造の固体撮像素子を
用いて、画素数の多い高品位画像が撮像可能な撮像装置
を得ることができ、製造価格を低減することができる。
行っ七も歩留まシが低下しにくい構造の固体撮像素子を
用いて、画素数の多い高品位画像が撮像可能な撮像装置
を得ることができ、製造価格を低減することができる。
なお、本発明の実施例では、ＮＨＫから提案されている
高品位テレビジ冒ン方式に適用可能な撮像装置について
のみ説明したが、 ＮｒｓｃｐｐＡＬｏ＠３方式などす
べての方式に適用可能である。また本発明は実施例にあ
る電荷結合型撮像素子を使った撮像装置のみならず、Ｍ
Ｏ３ｆｉ撮像素子等すべての固体撮像素子を用いた撮像
装置に適用可能である。
高品位テレビジ冒ン方式に適用可能な撮像装置について
のみ説明したが、 ＮｒｓｃｐｐＡＬｏ＠３方式などす
べての方式に適用可能である。また本発明は実施例にあ
る電荷結合型撮像素子を使った撮像装置のみならず、Ｍ
Ｏ３ｆｉ撮像素子等すべての固体撮像素子を用いた撮像
装置に適用可能である。
第１図は本発明による撮像装置の第一の実施例を略示的
に示す斜視図、第２図は第１図の撮像装置に使用される
固体撮像素子の平面配置図、第３図は同単位画素の構成
図、第４図は本発明による撮像装置の第二の実施例を示
す斜視図、第５図は従来方式の撮像装置に使用される固
体撮像素子の平面配置図、第６図は同単位画素の構成図
である。 ２・・・・・・固体撮像素子、４・・曲アナモフィック
光学系２１、３０・・・・・・光電変換部、２２．３３
・・・・・・垂直レジスタ、２３・・・・・・水平レジ
スタ、 ２４・・・・・・出力回路、３１・・・・・
・チャネルストップ領域、３２・・・・・・転送ゲート
領域、３４・・・・・・第一の電荷転送電極、３５・・
・・・・第二の電荷転送電極、 ４０・・・・・・フ
ァイバープレート特許出願人 日本電気株式会社、− オＩ 図 第２図 第３図 ７４図 ファイバープレート
に示す斜視図、第２図は第１図の撮像装置に使用される
固体撮像素子の平面配置図、第３図は同単位画素の構成
図、第４図は本発明による撮像装置の第二の実施例を示
す斜視図、第５図は従来方式の撮像装置に使用される固
体撮像素子の平面配置図、第６図は同単位画素の構成図
である。 ２・・・・・・固体撮像素子、４・・曲アナモフィック
光学系２１、３０・・・・・・光電変換部、２２．３３
・・・・・・垂直レジスタ、２３・・・・・・水平レジ
スタ、 ２４・・・・・・出力回路、３１・・・・・
・チャネルストップ領域、３２・・・・・・転送ゲート
領域、３４・・・・・・第一の電荷転送電極、３５・・
・・・・第二の電荷転送電極、 ４０・・・・・・フ
ァイバープレート特許出願人 日本電気株式会社、− オＩ 図 第２図 第３図 ７４図 ファイバープレート
Claims (1)
- （１）撮像部の横もしくは縦方向の寸法の少なくとも一
方が所定の光学系フォーマットよりも長い固体撮像素子
に接近あるいは密着させて横および縦方向の倍率が前記
撮像部のそれぞれ対応する方向の伸長の比率に一致する
如く選定された光学倍率変換手段を設置したことを特徴
とする撮像装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59241751A JPS61121577A (ja) | 1984-11-16 | 1984-11-16 | 撮像装置 |
| US06/771,837 US4706122A (en) | 1984-08-30 | 1985-08-30 | Solid-state imaging device compatible with different television systems |
| US07/064,531 US4734772A (en) | 1984-08-30 | 1987-06-22 | Solid-state imaging device compatible with different television systems |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59241751A JPS61121577A (ja) | 1984-11-16 | 1984-11-16 | 撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61121577A true JPS61121577A (ja) | 1986-06-09 |
Family
ID=17078990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59241751A Pending JPS61121577A (ja) | 1984-08-30 | 1984-11-16 | 撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61121577A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63155016A (ja) * | 1986-12-18 | 1988-06-28 | Asahi Optical Co Ltd | 固体撮像素子を用いた内視鏡 |
| JPS63299581A (ja) * | 1987-05-15 | 1988-12-07 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 画像撮像及び表示システム及びそのシステムに適する画像撮像装置 |
| EP1718082A1 (en) * | 2005-04-27 | 2006-11-02 | Thomson Licensing | A 4k x 2k video camera |
| GB2479931A (en) * | 2010-04-30 | 2011-11-02 | Sony Corp | A Camera Device, Arrangement and System |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55138983A (en) * | 1979-04-17 | 1980-10-30 | Olympus Optical Co Ltd | Solid pickup device |
| JPS57203378A (en) * | 1981-06-09 | 1982-12-13 | Mitsubishi Electric Corp | Solid-state image pickup device |
-
1984
- 1984-11-16 JP JP59241751A patent/JPS61121577A/ja active Pending
Patent Citations (2)
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