JPS584512B2 - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPS584512B2 JPS584512B2 JP57032718A JP3271882A JPS584512B2 JP S584512 B2 JPS584512 B2 JP S584512B2 JP 57032718 A JP57032718 A JP 57032718A JP 3271882 A JP3271882 A JP 3271882A JP S584512 B2 JPS584512 B2 JP S584512B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/024—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電荷結合素子（以下ＣＣＤと称する）を用いた
固体撮像装置に関し、その目的は、電荷転送損失による
画像の劣化やブルーミングのない固体撮像装置の提供に
ある。
固体撮像装置に関し、その目的は、電荷転送損失による
画像の劣化やブルーミングのない固体撮像装置の提供に
ある。
第１図にＣＣＤを用いた固体化撮像装置の従来例を示
す。
す。
同図ａはインターライン・トランスファ（ Ｉｎｔｅｒ
ｌｉｎｅ Ｔｒａｎｓｆｅｒ ）方式であり、光情報に
対応して信号電荷を蓄積する受光領域１１と垂直転送用
ＣＣＤ１２及び水平転送用ＣＣＤ１３より構成され、上
記受光領域１１にはフォト・ゲート・クロツクφＨ１垂
直転送用ＣＣＤ１２にクロツク・パルスφ１ｖ，φ２Ｖ
、受光領域１１から垂直転送用ＣＣＤ１２への信号電荷
の転送を制御する制御ゲートに印加する制御クロツクφ
ＴＶ水平転送用ＣＣＤ１３にクロツク・パルスφ１Ｈ，
φ２Ｈｔφ３Ｈｌφ０を印加し、その動作のタイミング
を制御する。
ｌｉｎｅ Ｔｒａｎｓｆｅｒ ）方式であり、光情報に
対応して信号電荷を蓄積する受光領域１１と垂直転送用
ＣＣＤ１２及び水平転送用ＣＣＤ１３より構成され、上
記受光領域１１にはフォト・ゲート・クロツクφＨ１垂
直転送用ＣＣＤ１２にクロツク・パルスφ１ｖ，φ２Ｖ
、受光領域１１から垂直転送用ＣＣＤ１２への信号電荷
の転送を制御する制御ゲートに印加する制御クロツクφ
ＴＶ水平転送用ＣＣＤ１３にクロツク・パルスφ１Ｈ，
φ２Ｈｔφ３Ｈｌφ０を印加し、その動作のタイミング
を制御する。
光情報に対応したビデオ信号としての信号電荷は水平転
送用ＣＣＤ１３の出力端子１４より取り出す。
送用ＣＣＤ１３の出力端子１４より取り出す。
この方式の固体化撮像装置についてはＧ．Ｆ．Ａｍｅｌ
ｉｏ ， ” Ｔｈｅ Ｉｍｐａｃｔ ｏｆＬａｒｇｅ
Ｃ Ｃ Ｄ Ｉｍａｇｅ Ｓ ｅｎｓｉｎｇ Ａｒｅ
ａ Ａｒｒａｙｓ”，Ｅ ｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｃｏｍ
ｐｏｎｅｎｔｓ ， Ｖｏｌ ． １ ７ ， Ａ ３
，Ａ． ４ （ １ ９ ７ ５ ）又は、Ｉｎｔｅ
ｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｃｏｎｆｅ−ｒｅｎｃｅ ｏｆ
Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ａｎｄ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏ
ｎｓ ｏｆＣｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃ
ｅｓ ｔ’ Ｅｄｉｎｇｂｕｒｇｈ ，Ｐ，１３３（１
９７４）に詳細に述べられている。
ｉｏ ， ” Ｔｈｅ Ｉｍｐａｃｔ ｏｆＬａｒｇｅ
Ｃ Ｃ Ｄ Ｉｍａｇｅ Ｓ ｅｎｓｉｎｇ Ａｒｅ
ａ Ａｒｒａｙｓ”，Ｅ ｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｃｏｍ
ｐｏｎｅｎｔｓ ， Ｖｏｌ ． １ ７ ， Ａ ３
，Ａ． ４ （ １ ９ ７ ５ ）又は、Ｉｎｔｅ
ｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｃｏｎｆｅ−ｒｅｎｃｅ ｏｆ
Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ａｎｄ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏ
ｎｓ ｏｆＣｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃ
ｅｓ ｔ’ Ｅｄｉｎｇｂｕｒｇｈ ，Ｐ，１３３（１
９７４）に詳細に述べられている。
同図ｂはフレイム・トランスファ（ＦｒａｍｅＴ ｒａ
ｎｆｅｒ ）方式で受光領域１５に形成されたＣＣＤア
レイに光情報に対応した信号電荷を蓄積し、その信号電
荷を短時間のうちに蓄積領域１６に形成されたＣＣＤア
レイに転送せしめ、蓄積領域１６の信号電荷を順次水平
転送用ＣＣＤ１７によって出力端子１８へ読出す。
ｎｆｅｒ ）方式で受光領域１５に形成されたＣＣＤア
レイに光情報に対応した信号電荷を蓄積し、その信号電
荷を短時間のうちに蓄積領域１６に形成されたＣＣＤア
レイに転送せしめ、蓄積領域１６の信号電荷を順次水平
転送用ＣＣＤ１７によって出力端子１８へ読出す。
これらのＣＣＤはφＩ Ａ ｔφ２Ａｔφ１１３＋φ２
Ｂ及びφ１Ｈ，φ２Ｈｌφ３ｕｊφ０のクロツク・パル
スによって制御される。
Ｂ及びφ１Ｈ，φ２Ｈｌφ３ｕｊφ０のクロツク・パル
スによって制御される。
この方式の固体化撮像装置については、Ｐ．Ｌ．Ｒｏｄ
ｇｅｒｓ ＩＩＩ ， ” Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌ
ｅｄ Ｉｍａｇｅｒ ｆｏｒ５ ２ ５−１ ｉｎｅ
Ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ ＢＣＡ Ｅｎｇ． ， Ｖｏｌ
１２０，五１−；Ｐ．７９（１９７４）等に詳細に述べ
られている。
ｇｅｒｓ ＩＩＩ ， ” Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌ
ｅｄ Ｉｍａｇｅｒ ｆｏｒ５ ２ ５−１ ｉｎｅ
Ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ ＢＣＡ Ｅｎｇ． ， Ｖｏｌ
１２０，五１−；Ｐ．７９（１９７４）等に詳細に述べ
られている。
第１図Ｃに第１図ａに示すインターライン・トランスフ
ァ方式の固体撮像装置のクロツク・パルスのタイミング
・ダイヤフラムを示す。
ァ方式の固体撮像装置のクロツク・パルスのタイミング
・ダイヤフラムを示す。
受光領域１１には直流電圧を印加して１フィールド期間
中の光信号に応じた信号電荷を蓄積する。
中の光信号に応じた信号電荷を蓄積する。
次に制御クロツクφＴＶを印加して、その信号電荷を垂
直転送用ＣＣＤへ並列に転送する。
直転送用ＣＣＤへ並列に転送する。
この垂直転送用ＣＣＤに印加されるクロツクφ１ｖ，φ
２ｖの周期は１水平走査期間に等しく、水平転送用ＣＣ
Ｄ１３ヘクロツクφ０で順次並列に転送する。
２ｖの周期は１水平走査期間に等しく、水平転送用ＣＣ
Ｄ１３ヘクロツクφ０で順次並列に転送する。
水平転送用ＣＣＤ１ ３に転送された信号電荷はクロツ
クφｌ Ｈ、φ２Ｈ、φ３Ｈを印加することにより１水
平走査期間内にビデオ出力として取り出される。
クφｌ Ｈ、φ２Ｈ、φ３Ｈを印加することにより１水
平走査期間内にビデオ出力として取り出される。
第１図ａに示す従来の固体撮像装置では、感光領域１１
の信号電荷を一旦垂直転送用ＣＣＤ１２に読み込み、そ
の後これらの信号電荷を水平転送用ＣＣＤ１３に順次転
送するため、水平転送用ＣＣＤから最もはなれた領域か
ら水平転送用ＣＣＤへ転送する場合には、１フレーム期
間の時間がかかり、暗電流の増加や、暗電流のムラが生
じ、画像が劣化する。
の信号電荷を一旦垂直転送用ＣＣＤ１２に読み込み、そ
の後これらの信号電荷を水平転送用ＣＣＤ１３に順次転
送するため、水平転送用ＣＣＤから最もはなれた領域か
ら水平転送用ＣＣＤへ転送する場合には、１フレーム期
間の時間がかかり、暗電流の増加や、暗電流のムラが生
じ、画像が劣化する。
さらに同図ｂに示す装置においても、受光領域１５に蓄
積された信号電荷を一旦蓄積領域１６に転送し、その後
順次水平転送用ＣＣＤ１７に転送して出力するため、や
はり、水平転送用ＣＣＤから最もはなれた領域から水平
転送用ＣＣＤへ転送する場合には、１フレーム期間の時
間がかかり暗電流の増加や、暗電流のムラが生じ画像が
劣化する。
積された信号電荷を一旦蓄積領域１６に転送し、その後
順次水平転送用ＣＣＤ１７に転送して出力するため、や
はり、水平転送用ＣＣＤから最もはなれた領域から水平
転送用ＣＣＤへ転送する場合には、１フレーム期間の時
間がかかり暗電流の増加や、暗電流のムラが生じ画像が
劣化する。
さらに長時間にわたって行なう転送損失に基ずく画像の
劣化が大きい。
劣化が大きい。
特に、固体撮像装置のチップ面積を減少するために上記
各領域のＣＣＤは転送チャネル幅を短かくする必要があ
るため転送用損失が大きくなり、絵素数が大きくなって
転送回数が多くなればなるほど蓄しい画質の劣化を招く
。
各領域のＣＣＤは転送チャネル幅を短かくする必要があ
るため転送用損失が大きくなり、絵素数が大きくなって
転送回数が多くなればなるほど蓄しい画質の劣化を招く
。
本発明は上述のように受光領域から水平転送用ＣＣＤ
へ信号電荷を移すときにはばらつきが生じ、そのために
生じる画像の劣化をなくすためになされたものであり、
行列状に配置され光情報に応じた信号電荷を蓄積する複
数の受光素子よりなる受光領域と、前記受光領域の信号
電荷を１行毎に水平転送用領域に転送する垂直移送ライ
ンと、前記受光素子より前記垂直移送ラインへの信号電
荷の移送を制御するゲート回路と前記垂直移送ラインか
ら供給される信号電荷を転送する水平転送領域とを備え
、前記垂直移送ラインに移送された信号電荷を１水平走
査期間以内に前記水平転送領域へ移送することを特徴と
する。
へ信号電荷を移すときにはばらつきが生じ、そのために
生じる画像の劣化をなくすためになされたものであり、
行列状に配置され光情報に応じた信号電荷を蓄積する複
数の受光素子よりなる受光領域と、前記受光領域の信号
電荷を１行毎に水平転送用領域に転送する垂直移送ライ
ンと、前記受光素子より前記垂直移送ラインへの信号電
荷の移送を制御するゲート回路と前記垂直移送ラインか
ら供給される信号電荷を転送する水平転送領域とを備え
、前記垂直移送ラインに移送された信号電荷を１水平走
査期間以内に前記水平転送領域へ移送することを特徴と
する。
以下本発明の固体撮像装置の原理および実施例を説明す
る。
る。
本発明の固体撮像装置は、第２図に示すように、行列状
に配置された。
に配置された。
光情報に応じた信号電荷を蓄積する受光領域２１と、寸
行の信号電荷を並列に読み込む水平転送領域２４と垂直
移送ライン２３と、受光領域２１から垂直移送ライン２
３への信号電荷の移送を制御するゲート回路領域２２と
を備えている。
行の信号電荷を並列に読み込む水平転送領域２４と垂直
移送ライン２３と、受光領域２１から垂直移送ライン２
３への信号電荷の移送を制御するゲート回路領域２２と
を備えている。
第２図を用いて動作を説明すると、Ｘ’−Ｙの行状に配
置された、光情報に応じて信号電荷を一定期間、例えば
テレビジョン・システムにおけるフィールド期間蓄積す
る受光領域２１に蓄積された信号電荷を、例えばテレビ
ジョン信号における水平ブランキング期間に生ずるクロ
ツク・パルスφＸｌ、φＸ２・・・・・・φＸｎを順次
印加してゲート２２を制御し、１行毎に垂直移送ライン
２３に信号電荷を転送する。
置された、光情報に応じて信号電荷を一定期間、例えば
テレビジョン・システムにおけるフィールド期間蓄積す
る受光領域２１に蓄積された信号電荷を、例えばテレビ
ジョン信号における水平ブランキング期間に生ずるクロ
ツク・パルスφＸｌ、φＸ２・・・・・・φＸｎを順次
印加してゲート２２を制御し、１行毎に垂直移送ライン
２３に信号電荷を転送する。
垂直移送ライン２３に蓄積された？号電荷をクロツクパ
ルスφＸ１，φＸ２・・・・・・φＸｎと重なりを有す
るクロツク・パルスφＴおよびφＴと重なりを有するゲ
ートパルスφ。
ルスφＸ１，φＸ２・・・・・・φＸｎと重なりを有す
るクロツク・パルスφＴおよびφＴと重なりを有するゲ
ートパルスφ。
を制御することにより水平ブランキング期間内に水平転
送用ＣＣＤ２４に並列に入力し、水平転送用ＣＣＤ２４
のクロツク・パルスφ１Ｈ，φ２Ｈ、φ２Ｈを制御し出
力端子２５から１水平走査期間内にビデオ出力としての
信号電荷を読み出す。
送用ＣＣＤ２４に並列に入力し、水平転送用ＣＣＤ２４
のクロツク・パルスφ１Ｈ，φ２Ｈ、φ２Ｈを制御し出
力端子２５から１水平走査期間内にビデオ出力としての
信号電荷を読み出す。
本発明の具体的な実施例を第３図ａ＝ｄに示す。
同図ａ，ｂにおいて、ｐ型Ｓｉ基体３１の上面に、行列
状に配置されたＣＣＤを分離するための厚いＳｌ０２膜
３２及び、ＣＯＤのゲート絶縁膜としての薄：いＳｉＯ
膜３３を形成する。
状に配置されたＣＣＤを分離するための厚いＳｌ０２膜
３２及び、ＣＯＤのゲート絶縁膜としての薄：いＳｉＯ
膜３３を形成する。
上記ＳｉＯ膜３２，３３の上面に高比抵抗の多結晶Ｓｉ
膜３４を形・成し、選択的に不純物を導入してＣＣＤの
ゲート導電体膜３５ ，３６ ，３７ ，３８とする。
膜３４を形・成し、選択的に不純物を導入してＣＣＤの
ゲート導電体膜３５ ，３６ ，３７ ，３８とする。
更に全面に絶縁体膜３９を形成し、選択的にコンタクト
穴４０を形成した後、コンタクト穴４０を通してゲート
導電体膜３６と接するよう導電体膜４１を選択的に形成
する。
穴４０を形成した後、コンタクト穴４０を通してゲート
導電体膜３６と接するよう導電体膜４１を選択的に形成
する。
次に感光領域４２を除いた他の領域に遮光膜４３を形成
する。
する。
第３図ａは第２図に示す感光領域の拡大図であり、第３
図ｂは同図ａのｂ−ｂ断面図である。
図ｂは同図ａのｂ−ｂ断面図である。
第２図の感光領域２１が第３図ａ，ｂの感光領域４２に
相当し、クロック・パルスφｘ１，φＸ２・・・・・・
φＸｎは導電体膜４１を通してゲート導電体膜３６に印
加される。
相当し、クロック・パルスφｘ１，φＸ２・・・・・・
φＸｎは導電体膜４１を通してゲート導電体膜３６に印
加される。
垂直移送ライン２３は４５に示す領域に対応し、ここで
はｐ型Ｓｉ基体３１内に水平転送ＣＣＤ２４に到るよう
形成されたｎ 拡散領域４４を含む。
はｐ型Ｓｉ基体３１内に水平転送ＣＣＤ２４に到るよう
形成されたｎ 拡散領域４４を含む。
信号電荷の読出し時において、ゲート導電体膜３７にク
ロツク・パルスφＴを印加し、ゲート導電体膜３７の下
のｎ±拡散領域４４に信号電荷を転送する。
ロツク・パルスφＴを印加し、ゲート導電体膜３７の下
のｎ±拡散領域４４に信号電荷を転送する。
拡散領域４４に転送された電荷は、水平転送用ＣＣＤ２
４まで、この垂直移送ライン２３又は４５を通して瞬時
に転送されるようにする。
４まで、この垂直移送ライン２３又は４５を通して瞬時
に転送されるようにする。
第３図ｃ，ｄは第２図に示す水平転送ＣＣＤ２４と感光
領域との接続部を示し、同図ｄは同図Ｃのｄ−ｄ断面図
を示す。
領域との接続部を示し、同図ｄは同図Ｃのｄ−ｄ断面図
を示す。
ゲート導電体膜４Ｔには垂直移送ライン４５に蓄積され
た信号電荷を水平転送用ＣＣＤ４６へ並列に人力するの
を制御するクロツク・パルスφ。
た信号電荷を水平転送用ＣＣＤ４６へ並列に人力するの
を制御するクロツク・パルスφ。
を印加する。第３図ｃ，ｄに示すように、水平転送用Ｃ
ＣＤ４６は３相クロツク・パルスφ１Ｈ，φ２Ｈｌφ３
Ｈで動作するものとする。
ＣＤ４６は３相クロツク・パルスφ１Ｈ，φ２Ｈｌφ３
Ｈで動作するものとする。
以下、第４図ａ − ｅ １第５図を用いて第３図ａ〜
ｄに示した構造の固体撮像装置の動作原理を説明する。
ｄに示した構造の固体撮像装置の動作原理を説明する。
第４図ａｘｄは第３図ｂと同様に感光領域の断面図であ
り、第４図ｅは第３図ｄに示す水平転送用ＣＣＤと同じ
断面図である。
り、第４図ｅは第３図ｄに示す水平転送用ＣＣＤと同じ
断面図である。
第５図に示すタイミング・ダイヤグラムを有するクロッ
ク・パルスを印加した時のＴ１〜Ｔ４に対応する信号電
荷の転送の様子を夫々第４図ａ−ｅに示す。
ク・パルスを印加した時のＴ１〜Ｔ４に対応する信号電
荷の転送の様子を夫々第４図ａ−ｅに示す。
Ｔ１のタイミングでは感光領域４２のゲート導電体膜３
５．３８に直流電圧が印加されており、Ｓｉ基体３１に
空乏層が形成され、照射された光情報に応じて信号電荷
５１．５１’が蓄積される（第４図ａ）。
５．３８に直流電圧が印加されており、Ｓｉ基体３１に
空乏層が形成され、照射された光情報に応じて信号電荷
５１．５１’が蓄積される（第４図ａ）。
次にＴ２のタイミングでは導電体膜４１を介してクロツ
ク・パルスφＸｉ、が印加され Ｘ ｉ行の信号電荷５
１．５１’が感光領域４２から垂直移送ライン４５へと
転送される（同図ｂ）。
ク・パルスφＸｉ、が印加され Ｘ ｉ行の信号電荷５
１．５１’が感光領域４２から垂直移送ライン４５へと
転送される（同図ｂ）。
Ｔ３のタイミングでは信号電荷５１．５１’は垂直移送
ライン４５へと完全に転送されるとともに、感光領域４
２では次の光情報に応じた信号電荷５２，５２’の蓄積
が開始される（同図Ｃ）。
ライン４５へと完全に転送されるとともに、感光領域４
２では次の光情報に応じた信号電荷５２，５２’の蓄積
が開始される（同図Ｃ）。
Ｔ４のタイミングでは並列人力制御クロツク・パルスφ
。
。
及び水平転送用ＣＣＤ４６の３相クロツク・パルスφ１
，φ２，φ３のうちのクロツク・パルスφ１が印加され
るので、垂直移送ライン４５に蓄積された信号電荷５１
．５１’は水平転送用ＣＣＤ４６のφ１ゲート導電体膜
下に転送される。
，φ２，φ３のうちのクロツク・パルスφ１が印加され
るので、垂直移送ライン４５に蓄積された信号電荷５１
．５１’は水平転送用ＣＣＤ４６のφ１ゲート導電体膜
下に転送される。
この時、感光領域は同図ａに示す如く光情報を蓄積する
状態に復帰する（同図ｄ，ｅ）。
状態に復帰する（同図ｄ，ｅ）。
この後、クロツク・パルスφ。
をオフにしてクロツク・パルスφ１〜φ３を第５図に示
す如く印加してφ１ゲート導電体膜下に蓄積された信号
電荷５１．５１’を順次転送すれば水平転送用ＣＣＤ４
６の出力端より信号電荷が得られ、ビデオ信号出力とな
る。
す如く印加してφ１ゲート導電体膜下に蓄積された信号
電荷５１．５１’を順次転送すれば水平転送用ＣＣＤ４
６の出力端より信号電荷が得られ、ビデオ信号出力とな
る。
以上説明したように本発明の固体撮像装置は、行列状に
配置され光情報に応じた信号電荷を蓄積する複数の受光
素子よりなる受光領域と、前記受光領域の信号電荷を１
行毎に水平転送領域に転送する垂直移送ラインと、前記
受光素子より前記垂直移送ラインへの信号電荷の移送を
制御するゲート回路と前記垂直移送ラインから供給され
る信号電荷を転送する水平転送領域とを備え、前記垂直
移送ラインに移送された信号電荷を１水平走査期間以内
に前記水平転送領域へ移送するものである。
配置され光情報に応じた信号電荷を蓄積する複数の受光
素子よりなる受光領域と、前記受光領域の信号電荷を１
行毎に水平転送領域に転送する垂直移送ラインと、前記
受光素子より前記垂直移送ラインへの信号電荷の移送を
制御するゲート回路と前記垂直移送ラインから供給され
る信号電荷を転送する水平転送領域とを備え、前記垂直
移送ラインに移送された信号電荷を１水平走査期間以内
に前記水平転送領域へ移送するものである。
本発明の固体撮像装置は受光領域の信号電荷を水平転送
領域に転送する回数はＣＣＤアレイの絵素数によらず、
受光領域から垂直移送ラインと、垂直移送ラインから水
平転送領域への転送の２回のみであるため、垂直移送ラ
インに移送された信号電荷を１水平期間以内に水平転送
領域へ移送でき、暗電流による画像劣化を防止できる。
領域に転送する回数はＣＣＤアレイの絵素数によらず、
受光領域から垂直移送ラインと、垂直移送ラインから水
平転送領域への転送の２回のみであるため、垂直移送ラ
インに移送された信号電荷を１水平期間以内に水平転送
領域へ移送でき、暗電流による画像劣化を防止できる。
さらに受光領域の位置に関係なく、受光領域から水平転
送領域への転送効率および転送時間は同じであるので、
従来例に見られる如く多段にわたって転送することによ
る転送時間のばらつきに起因する画像劣化はなくなる。
送領域への転送効率および転送時間は同じであるので、
従来例に見られる如く多段にわたって転送することによ
る転送時間のばらつきに起因する画像劣化はなくなる。
第１図ａ，ｂは従来の固体撮像装置の構成図、第１図Ｃ
は第１図ａの固体撮像装置の駆動クロツクパルスのタイ
ミング図、第２図は本発明の固体撮像装置の一実施例の
構成図、第３図ａ＝ｄは第２図に示す装置の要部平面図
及び断面図、第４図ａ’＝ｅおよび第５図は上記実施例
の動作説明図及び要部波形図である。 ２１ ， ４２・・・・・・受光領域、２４，２６・・
・・・・水平転送用ＣＣＤ，２５・・・・・・出力端子
、２３ ． ４５・・・・・・垂直移送ライン、２２，
３５〜３８ ， ４７・・・・・・ゲート。
は第１図ａの固体撮像装置の駆動クロツクパルスのタイ
ミング図、第２図は本発明の固体撮像装置の一実施例の
構成図、第３図ａ＝ｄは第２図に示す装置の要部平面図
及び断面図、第４図ａ’＝ｅおよび第５図は上記実施例
の動作説明図及び要部波形図である。 ２１ ， ４２・・・・・・受光領域、２４，２６・・
・・・・水平転送用ＣＣＤ，２５・・・・・・出力端子
、２３ ． ４５・・・・・・垂直移送ライン、２２，
３５〜３８ ， ４７・・・・・・ゲート。
Claims (1)
- １ 行列状に配置され光情報に応じた信号電荷を蓄積す
る複数の受光素子よりなる受光領域と、前記受光領域の
信号電荷を１行毎に水平転送領域に転送する垂直移送ラ
インと、前記受光素子より前記垂直移送ラインへの信号
電荷の移送を制御するゲート回路と、前記垂直移送ライ
ンから供給される信号電荷を転送する水平転送領域とを
備え、前記垂直移送ラインに転送された信号電荷を１水
平走査期間以内に前記水平転送領域へ移送することを特
徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57032718A JPS584512B2 (ja) | 1982-03-01 | 1982-03-01 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57032718A JPS584512B2 (ja) | 1982-03-01 | 1982-03-01 | 固体撮像装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5463776A Division JPS52137210A (en) | 1976-05-12 | 1976-05-12 | Solid taking image device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57164667A JPS57164667A (en) | 1982-10-09 |
| JPS584512B2 true JPS584512B2 (ja) | 1983-01-26 |
Family
ID=12366615
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57032718A Expired JPS584512B2 (ja) | 1982-03-01 | 1982-03-01 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS584512B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02101878A (ja) * | 1988-10-11 | 1990-04-13 | Nec Corp | 固体撮像装置 |
-
1982
- 1982-03-01 JP JP57032718A patent/JPS584512B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57164667A (en) | 1982-10-09 |
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