JPS61120827A - 充填剤を含有する光硬化性エポキシ樹脂組成物及びその用途 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は充填剤を含有する光硬化性エポキシ樹脂組成物
及び特にレリーフ構造、画像又は結合の製造のだめのそ
の用途に関するものである。

（従来の技術） ヨーロッパ特許出願箱０９４，９１５．Ａ、２号及び第
１０９．８５１．Ａ２号は、カチオン重合性有機物質及
びメタロセン錯体のような有機金属重合開始剤を含有す
る硬化性の（重合可能な）組成物を開示している。これ
らの特許出願では充填剤を更に可能な添加剤として包括
的に記載してはいるが、充填剤を含有するエポキシ樹脂
系は具体的に開示していない。

さらにアメリカ合衆国特許明細書箱３，９６８，０５６
号及び第３，９８９，６４４号は、充填剤として例えば
銀のような導電性金属で被覆しだガラス球を含有してお
りそして有機樹脂結合剤としてエポキシ樹脂を含有して
いる伝導性被覆作成のための放射線硬化性、特にＵ■硬
化性組成物を開示している。これらの組成物はたとえば
ケトン、ベンゾイン及びぺ／ジイン誘導体又は周期表■
ａ族元素の芳香族オニウム塩のようなＵＶ光増感剤をも
含有している。

（問題点を解決するだめの手段） 本発明は、 （ａ）　　オレフィン性不飽和二重結合Ｃ＝　Ｃを含有
しないエポキシ樹脂もしくはエポキシ樹脂混合物の５な
いし９０重量％、 （ｂ）　　次式Ｉ： 〔式中、ａは１または２の数を表わし、ｎ及びｑの各々
はお互いに独立して１ないし６の整数を表わし、 Ｍｉｊ−周ＪｔＪＪ表＋Ｖｂ　ナイＬ■ｂ１Ｖｌｌｌ′
ｆ！、いしＩｂ族の１価又は３価の金属陽イオンを表わ
し、ｍはＬ＋ｑの原子価に対応する整数を表わし、Ｑは
ハロゲン原子を表わし、 Ｌは２価又は７価の金属又は非金属を表わし、 Ｒ１はπ−アレーンを表わｌｊ（，２はπ−アレーン又
はπ−アレーンの陰イオンを表わす〕で表わされる少々
くとも一種の光重合開始剤０．１ないし１５重量％、及
び （ｃ）　　カーボンブラック、グラファイト、金属を含
有する充填剤及び半導体性を有する充填剤からなる群か
ら選ばれた少なくとも一種の微粉細充填剤１０ないし９
０重量％からなり、各成分の合計が１００００重 量％る充填剤を含有する新規な光硬化性エポキシ樹脂に
関するものである。

驚くべきことに、本発明の組成物は微粉細充填剤を高濃
度含有する時でさえも、可視光並びにＵｖ光で硬化され
得る。さらに、たとえば金属粉、カーボンブラック又は
グラファイトのような電気伝導性充填剤を含有する被檀
組成物は金属粉の表面上の光がカーボンブラック又はグ
ラファイトにより強く反射されるか又は強く吸収される
ので、ＵＶ光下では通常は不十分にしか硬化されないの
に、本発明組成物は層の厚さが相当なものであっても十
分に硬化され得る被稜を製造することを可能にする。

適するエポキシ樹脂（ａ）は、好捷しくけ次式： 〔式中、Ｑ及びＱ２は各々は水素原子を表わし、そして
ＣＪ＋は水素原子又はメチル基を表わし、又は Ｑ及びＱ２は一緒になって−ＣＨ，、（、’ｌ−１２−
又は−ＣＨ２ＣＭ□ＣＨ２−を表わし、そして（１０）
け水素原子を表わす〕で表わされる基を平炉として１個
以上含肩し、該基が硫黄原子のようなペテロ原子、好ま
しくは酸素原子又は窒素原子に結合している樹脂である
。

そのような樹脂の典型的な例は脂肪族、環状脂肪族又は
芳香族ポリカルボン酸から誘導されるポリグリシジルエ
ステル及びポリ（β−メチルグリシジル）エステルであ
る。適するポリカルボン酸の例は次の通りである：琥珀
酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スペリン酸
、アゼライン酸、セバシン酸、三量化又は三量化１．７
’ｃリルン酸、テトラヒドロフタール酸、４−メチルテ
トラヒドロフタール酸、ヘキサヒドロフタール酸、４−
メチルへキサヒドロフタール酸、フタール醒、イソフタ
ール酸及びテレフタール酸。

なお一層の例は、１分子当たり少なくとも２個のアルコ
ール性及び／又はツーノール性ヒドロキシル基を含有す
る化合物をエビクロロヒドリンと反応させるか又は塩化
アリルと反応させその後反応生成物を過酸素酸でエポキ
シ化することによって得られるポリグリシジルエーテル
またはポリ（β−メチルグリシジル）エーテルである。

適するポリオールの例は次の通りである：エチレングリ
コール、ジエチレングリコール、ポリ（オキシエチレン
）グリコール、プロパン−１，２−ジオール、ポリ（オ
キシプロピレン）グリコール、プロパン−１，３−ジオ
ール、ブタ７−１．４−ジオール、ポリ（オキシテトラ
メチレン）グリコール、ペンタン−１，５−ジオール、
ヘキサン−２，４，６−ドリオール、グリセロール、１
，１，１−トリメチロールプロパン、ペンタエリトリト
ールそしてソルビトール；１，６−及び１，４−７クロ
ヘキサンジオール、ビス（４−ヒドロキシシクロヘキシ
ル）メタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシシクロヘキ
シル）プロパン及び１，１−ビス（ヒドロキシメチル）
シクロヘクセー６−エン；Ｎ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキ
シエチル）アニリン及び４．４′−ビス（２−ヒドロキ
シエチルアミノ）−ジフェニルメタン；レゾルシノール
、ヒドロキノン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）−メ
タン（ビスフェノールＦ）、２，２−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）プロパン（ビスフェノールＡ）、２．２
−ビス（４−ヒドロ”キシ−６゜５−ジブロモフェニル
）プロパン（テトラブロモビスフェノールＡ）、１，１
，２．２−テトラキス（４−ヒドロキシフェニル）エタ
ン、４゜４−ジヒドロキシビフェニル、ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）スルフォーン並ヒニホルムヵルデヒド
又はアセトアルデヒドとフェノール、クロロフェノール
またはアルキノ１部分中に９までの炭素原子を含有する
アルキルフェノールのノボラック、好ましくはクレゾー
ル及びフェノールのノボラック。

適するポリ（Ｎ−グリシジル）化合物はエビクロロヒド
リンとアミン窒素原子に結合した少なくとも２個の活性
々水素原子を含有するアミンとの反応生成物の脱塩素化
水素により得られる生成物である。適するアミンの例は
次の通りであるニアニリン、ｎ−ブチル−アミン、ビス
（４−アミノフェニル）メタン、１，３及び１゜４−キ
シリレンジアミン、１，３−及び１，４−ビス（アミノ
メチル）シクロヘキサン及びビス（４−メチルアミノフ
ェニル）メタン。サラに適する化合物は次の通りである
ニトリグリシジルイソシアヌレート、エチレン尿素及び
１゜３−プロピレン尿素のような環状アルキレン尿素、
または５，５−ジメチルヒダントインのようなヒダント
インのＮ、Ｎ−ジグリシジル誘導体。

ポリ（８−グリシジル）化合物の例はエタン−１，２−
ジチオール及びビス（４−メルカプトメチルフェニル）
エーテルのようなジオールのジー８−グリシジル誘導体
である。

式■において、Ｑ及びＱ２が一緒になって−ＣＨｚＣ１
１□−又ｔｄ−ＣＨ２ＣＨ２’−：Ｒ２−ヲＨｂ　ｔ　
ａ　ヲｉ個捷たはそれ以上含有するエポキシ樹脂の例は
、ビス（２，３−エポキシシクロペンチル）エーテル、
２，６−エポキシシクロペンチル　グリシジル　エーテ
ル、１．２−ビス（２，６−エポキシシクロペンチルオ
キン）エタン、５，４−エポキシ−６−メチルシクロヘ
キシルメチル−３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘ
キサン　カルボキシレート及び２−（５，４−エポキシ
）シクロヘキシル−５，５−スピロ（３゜４−エポキシ
）シクロヘキサン　ジオキサンである。

エポキシ基が異種のへテロ原子に結合しているか、又は
エポキシ基の一部又は全部が中心にあるエポキシ樹脂、
たとえば４−アミンフェノールのＮ　、　Ｎ　、　０−
１−　リグリシジル誘導体、Ｎ−グリシジルーＮ−（２
−グリシジルオキシプロピル）−５，５−ジメチルヒダ
ントイン、二酸化ビニルシクロヘキセン、二酸化リモネ
ン及び二酸化ジシクロペンタジェンもまた望ましい。

エポキシ樹脂（ａ）は固体又は液体である。好ましいエ
ポキシ樹脂はエポキシの含蓄が１．０ないし５．５を有
する樹脂である。

成分（ａ）としては、２価のフェノール又は炭素原子数
２ないし４の２価の脂肪族のアルコール、特に２，２−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビ
ス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロ
パン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（
４−ヒドロキシ−シクロヘキシル）メタンｌ：２１２−
ビス（４−ヒドロキシ−シクロヘキシル）プロパンのジ
グリシジルエーテルまたは前駆されたジグリシジルエー
テル；ノボラックのポリグリシジルエーテル、又はテト
ラグリシジル化４゜４−ジアミノジフェニル−メタンを
使用することが好ましい。最も好ましいのはビスフェノ
ールＡ１テトラプ四モビスフエノール八又はビスフェノ
ールＦのジグリシジルエーテルまたは前駆されたジグリ
シジルエーテル、そして特にフェノール／ホルムアルデ
ヒド又はクレゾール／ホルムアルデヒドノボラックのポ
リグリシジルエーテル又はそれらの混合物である。

可能なπ−アレーンＲ１及びＲ２は特に未置換または、
ハロゲン原子、好ましくは塩素原子又は臭素原子又は炭
素原子数１ないし８のアルキル基、炭素原子数１ないし
８のアルコキシ基、シアン、炭素原子数１ないし８のア
ルキルチオ、炭素原子数２ないし乙のモノカルボ／酸ア
ルキル、エステル、フェニル、炭素原子数２ないし５の
アルカノイル又はベンゾイル基のような１個又はそれ以
上の同−又は異種の１価ラジカルにより置換された炭素
原子数６ないし２４の芳香族基又は炭素原子数６ないし
６０の複素環芳香族基である。これらのπ−アレーン基
は、単核、縮合多核または非縮合多核系であってよく、
非縮合多核系では核は直接結合により、または−８−又
は−〇−のような架橋員を通して結合していて良い。

π−アレーンの陰イオンとしてのＲ２は上記の種類のπ
−アレーンの陰イオンであり、例えばインデニル陰イオ
ン、特にシクロペンタジェニルアニオンであり、該アニ
オンは未置換または炭素原子数１ないし８のアルキル基
、炭素原子数２ないし６のモノカルボン酸アルキルエス
テル、シアノ、炭素原子数２ないし５のアルカノニルま
たはベンゾイル基のような１個またはそれ以上の同−又
は異種の１価ラジカルによって置換される。

アルキル、アルコキシ、アルキルチオ、モノカルボン酸
アルキルエステル及びアルカノイル置換基は直鎖かまた
は分岐鎖でおってよい。典型的なアルキル、アルコキシ
、アルキルチオ、モノカルボン酸アルキルエステル又は
アルカノイル置換基は次の通りであるエステル、エチル
、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチ
ル、第三級ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、ｎ−
オクチル、メトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、イン
プロポキシ、ｎ−ブトキシ、ｎ−へキシロキシ、ｎ−オ
クチロキシ、メチルチオ、エチルチオ、ｎ−プロピルチ
オ、イソプロピルチオ、ｎ−ブチルチオ、ｎ−ペンチル
チオ及びｎ−へキシルチオ、カルボンはメチルエステル
、エチルエステル、ｎ−プロピルエステル、イソプロピ
ルエステル、ｎ−ブチルエステル及びｎ−ペンチルエス
テル、アセチル、プロピオニル、ブチリル及びバレロイ
ル。アルキル、アルコキシ、アルキルチオ、アルキ）Ｐ
部分に炭素原子１ないし４そして特に１ないし２を含有
するモノカルボン酸アルキルエステル基と炭素原子数２
ないし６を含有するアルカノイル基が好ましい□。

好ましい置換化π−アレーン又は置換化π−アレーンの
陰イオンは１個又は２個の上記の置換基、特に塩素原子
又は臭素原子、メチル基、エチル基、メトキシ基、エト
キシ基、シアノ基、カルボン酸メチル又はエチルエステ
ル基及びアセチル基を含有するアレーンである。

Ｒ’及び１モ２は同一であるか異種のπ−アレーンであ
る。適当な複素環芳香族π−アレーンはＳ−、Ｎ−及び
／又は〇一原子を含有する系である。Ｓ−及び／又は〇
一原子を含有する複素環芳香族π−アレーンが好ましい
。適するアレーンの例は次の通りである：ベンゼン、ト
ルエン、キシレン、エチルベンゼソ、クメン（イソプロ
ピルベンゼン）、メトキシベンゼン、エトキシベンゼン
、ジメトキシベンゼン、ｐ−クロロトルエン、クロロベ
ンゼン、ブロモベンゼン、ジクロロベンゼン、アセチル
ベンゼン、トリメチルベンゼン、トリメトキシベンゼン
、ナフタレン、１．２−ジヒドロナフタレン、１　、２
　、３゜４−テトラ−ヒドロナフタレン、メチルナフタ
レン、メトキシナフタレン、エトキシナフタレン、クロ
ロナフタレン、ブロモナフタレン、ビフェニル、インデ
ン、フルオレン、フェナントレン、アントラセン、９，
１０−ジヒドロアントラセン、トリノェニレン、ピレン
、ナフタセン、コロネン、チオフェン、クロメンキサン
チン、チオキザンテン、ベンゾチオフェン、ナフトチオ
フェン、チアントレン、酸化ジフェニレン、硫化ジフェ
ニレン、アクリジン及びカルバゾール。

ａが２の数を表わすならば、その時各々のＲ２は好まし
くはπ−アレーンの陰イオンを表わし、各々のＭは同一
の金属原子を表わす。置換されたπ−アレーンのアニオ
ンの例は次の通りであるエステル−、エテル−１ｎ−プ
ロピル−及びｎ−ブチルシクロペンタジェンの陰イオン
、ジメチルシクロペンタジェン、シクロペンタジェンカ
ルボン酸メチル及びエチルエステル、アセチルシクロペ
ンタジェン、クロピオニルシクロペンタジェン、シアノ
シクロペンタジェン及ヒペンソイルシクロベンタジエン
の陰イオン。好ましい陰イオンは置換されていないイン
デンの陰イオンそして特に置換されていないシクロペン
タジェンの陰イオンである。

ａの好寸しい値は１であり、１尤１はベンゼン、トルエ
ン、キシレン、クメン、メトキシベンゼン、クロロベン
ゼン、ｐ−クロロベンゼン、ナフタレン、メチルナフタ
レン、クロロナフタレン、メトキシナフタレン、ビフェ
ニル、インデン、ピレン又はジフェニレンスルフィドで
ありそして１（＋２はシクロペンタジェン、アセチルシ
クロペンタジェン又はインデン、又はベンゼン、トルエ
ン、キシレン、トリメチルベンゼン、ナフタレン、又は
メチルナフタレンの陰イオンで”　　　　２＋　　　３
４　　　　＋　　　　２＋ある。ＭはたとえばＴｌｓ　
”１　ｓ　Ｔ１　１Ｚｒ　１Ｚｒ１Ｚｒ、Ｈｆ　１１４
ｆ　　、Ｈｆ　％Ｎｂ１Ｎｂ　　、　Ｎｂ　　、Ｃｒ。

Ｍｏ”、ＭＯ”、Ｗ＋、Ｗ”、Ｍｌ”、Ｍｌ”、Ｒｅ”
、Ｆｅ２＋、Ｃｏ、Ｎｉ　　　又はＣｕ　　　である。

好ましくは、Ｍｉクロム、コバルト、マンガン、タング
ステン又はモリブデンの陽イオン、特には鉄の陽イオン
、最も好ましくはＦｅ　　である。

′　６ 式ｌにおいて、ａは１の数を表わし、Ｒはη−クメン又
はη−２−メチルナフタレンを表わし、Ｒはη−ンクロ
ペンタジエンの陰イオンを表わし、ｎは好１しくは１な
いし２の数を表わし、好ましくは１の数、そしてｑは好
ましくは１の数を表わす式■の錯体が特に好ましい。

適する金Ｆ１４ｔたは非金Ｍ　Ｌの例は８ｂ、Ｆｅ、Ｓ
ｎ、　Ｅｊ％ＡＩ％（ｉａ、　ｉｎ、　ｉ’ｌ　％Ｚｒ
、　Ｓｃ％ｖ、　Ｃｒ。

Ｍｎ及びＣｕ；Ｃｅ１Ｐｒ及びＮｄのようなランタニド
、ｌｌｈ、　Ｐａ、　ＩＪ　４たはＮｐのようなアクチ
ニドである。適する非金栖は特には１３、Ｐ及びＡ、８
である。好ましくはＬはＰ、Ａ−ｓｌｌｌ又はＳｂで、
Ｐが最も好ましい。

ＡＳＩ！’６−１Ｓｂｌ１１６−１ｉ！’ｅＣ１４−１
ＳｎＣ１６，５ｂＣ１，−１１３ｉＣ１６−である。最
も好ましい錯陰イオンはＳｂＦ６−１Ｂｐ’４−１Ａｓ
Ｆ６−で、特にＰＦ６−　である。

式■の化合物の例は次の通りである： （η６−トルエン）（η６−インデニル）−鉄（Ｉｔ）
へキサフルオロフォスフェート、（η６−ピレン）（η
６−シクロペンタジェニル）−鉄（ｎ）ヘキサフ／ｌ／
　、ｔ　ｅ１７７　チモネート、（η６−トルエ７）（
η５−シクロペンタジェニル）−鉄（Ｉｔ）へキサフル
オロフォスフェート、（η６−ナフタレン）（η５−シ
クロペンタジェニル）鉄（ＩＩ）−へキサフルオロ砒酸
塩、　　（η６−２−メチルナフタレン）（η５−シク
ローペンタジェニル）鉄（ＩＩ）−へキサフルオロフォ
スフェート、（η６−クメン）（η６−シクロペンサジ
エニル）鉄（ｎ）へキサフルオロフォスフェート及ヒ（
η６−ベンゼン）（η５−シクロペンタジェニル）コバ
ル）　ａｌｌ）ビス（テトラフルオロ硼酸塩）０このよ
うなメタロセン塩及びその製法はたとえばヨーロッパ特
許出願第０９４，９１５．Ａ２号に記載されている０式
Ｉの好ましい化合物は。

（η６−２−メチルナフタレン）（η５−シクロペンタ
ジェニル）ｉ（ＩＩ）へキサフルオロフォスフェート及
び（η６−クメン）（ηＳＳ−シクロペンタジ−ｍニル
鉄（ＩＩ）へキサフルオロフォスフェ−１−テある。

充填剤を適当に選択することにより、たとえば電気伝導
性又は熱伝導性又は絶縁性、強誘電性又は強磁性、圧電
性、エレクトロクロミック又は発光的性質のようなエポ
キシ樹脂系の電気的、熱的及び／又は光学的性質に影響
を与えることが可能である。それによって硬化及び現像
後、例えば、抵抗体、コンデンサー、変圧器。

銹導子、磁石、メモリー及び表示祠料における活性成分
として、電気的及び熱的絶縁体、冷却器系又は電気磁気
的じゃへいの受動成分として、または印刷導体又はチッ
プ接点並びにそれらの組立枠の基板上の取付はチップの
ような相互接続として、高周波工学％電子工学、ミクロ
電子工学、及び光電子工学の分野で特に有用であるレリ
ーフ構造又は画像を与える光硬化性樹脂組成物が得られ
る・ 適する金属を含有する充填剤及び半導体性質を有する充
填剤は、特に周期表１１ａ、Ｉ［ｌａ、■ａ、Ｉｂ、ｙ
ｂ、Ｉｂ及び／又は■騒族の１個である金属、金属化合
物及び合金である。所望の性質及び本発明のエポキシ樹
脂組成物の使用分野に依存して。

次のような充填剤が例えば使用できる：１、　例えば、
カーボンブラック及びグラファイト又は周期表ｙｂ、■
ｂ、■そしてＩｂ族の金属、合金そして・・ロゲン化物
、酸化物そして硫化物のようなそれらの塩の有機的又は
無機的性質の電気伝導性充填剤。

適する金属及び金属化合物の例は次の通りである：バナ
ジウム、ニオブ、タンタル、モリブデン、タングステン
、銅、　Ｐｔ、　Ｐｄ、　Ａｇ及びＡｕのような貴金属
、　ＡｇＰｄ合金、酸化銀、ヨウ化銀、硫化銅（■）、
ヨウ化鋼（Ｉ）、酸化銅（ｎ）、臭化合（１１、ヨウ化
合及び酸化金、硫化モリブデン（Ｍ、塩化ニオブ（ｌｖ
）そして酸化ニオブ（ＩＶ）。

ヨウ化パラジウム、酸化パラジウム、臭化白金（ＩＶ）
ｔｌ、−ｒ塩化白金（ＩＶ）、塩化バナジウム（ＩＩＩ
）、酸化バナジウム（ＩＶ）、塩化タングステン（Ｖ［
及び酸化タングステンＭ）ｏ好ましい金属は銀、銅。

銀／パラジウム合金、パラジウム、白金、金、タングス
テンそしてモリブデンである。特に好ましい金属はＡｕ
、　Ｐｔ、　ＡｇＰｄで、Ａ、ｇ粉及びＣａ粉が最も好
ましい。

２、　酸化アルミニウム、酸化ベリリウム、酸化アルミ
ニウムリチウムそして炭化珪素のような熱伝導性充填剤
又は誘電物質。

五　エポキシ樹脂組成物の強誘電的１強磁性的、圧電的
、エレクトロクロミック及び／又は光学的性質に影響を
与える充填剤。例としては次の通りであるニ ーとりわけ、半導体、コンデンサーそして表示そして光
電子工学でのデータ記憶装置に使用されるチタン酸バリ
ウム、チタン酸鉛、ジルコン酸鉛、ＮａＮｂＯ３、ＫＮ
ｂＯ３、ＡｇＮｂＯ３及びＷＯ３のような強誘電物質０
チタン酸バリウム、チタン酸鉛及びジルコン酸鉛はたと
えば高周波工学において、圧電的性質を付与するために
も用いられる０しかしながら、タングステンもまたエレ
クトロクロミックな性質であり、それ故にたとえば数字
表示及びエレクトログラフィーで用いられる◎好ましい
強誘電的物質又はエレクトロクロミンクな充填剤は、チ
タン酸バリウム、チタン酸鉛、ジルコン酸鉛及びＷＯ３
である〇−一般組成、Ｍ■Ｆｅ２■（入またはＭＩ［０
・Ｆｅ２Ｏ３において　ＭＩ［がＺｎ、　Ｃｄ、　Ｃｏ
、　Ｎｉ、　Ｍｎ、　Ｆｅ、　Ｃｕ。

Ｂａ、Ｓｒ又はＭｇのような２価の金属を表わす強磁性
物質及びフェライト。好ましい強磁性物質及びフェライ
トの代表的例は Ｆｅ２Ｏ４、ＮｉＰｅ２０４　、　ＣｏＦｅ２Ｏ４そし
テフエロクスキューベ（Ｆｅｒｒｏｘｃｕｂｅ　）　４
ＣＡ、３１）３．３Ｂ９゜３Ｂ７及び３Ｃ８のようなＰ
　ｅｒ　ｒｏｘｃｕｂｅ■の登録商標で公知のマンガン
／亜鉛フェライトである０強磁性物質及びフェライトは
、たとえば永久磁石（ＭＩＦはたとえばＢａ又はＳｒで
ある）として変圧器、誘導子、絶縁体。

録音器、フェライトアンテナ、磁気増幅器または電子デ
ータ処理系の導体記憶装置のよう々導体フェライトに使
用される。

−例えばＣｄＳ、　ＣｄＺｎＳ、　ＳｒＳ、　ＭｇＳ、
　ＣａＳ　　及び特にＺｎＳのような発光的性質を有す
る燐光性充填剤及び蛍光体。そのような物質は特に電気
光学的表示に用いられる。

所望の好ましくは等方的、物理的効果を達成するために
、充填剤は微細粒子からなる形で使われなくてはならな
い。充填剤は好ましくは非常に微細粒子からなる形であ
って、特に球状、又は樹枝状か薄板状のような棒状であ
る０球状粒子の平均粒径は［１１ないし２０μｍ（マイ
クロメーター）、好ましくは約０．２ないし５μｍが好
都合である。棒状粒子、特に樹枝状及び薄板状粒子は、
好ましくは長さがα６ないし２０μｍでそして層厚が０
．１ないし１μｍである。

セラミック物質に施用する意図のある本発明の組成物は
更に１組成物の全重量に基づいて５ないし５０重蓄係の
量、好１しくけ、１０ないし４０重量％の量であるの融
剤（ｄ）を含有している０適する融剤はたとえば石英粉
末そして特にはガラス粉末、例えば鉛／硼珪酸塩、硼珪
酸塩粉末そしてビスマス／鉛珪酸塩粉末である０好寸し
いガラス粉末は１．８以下の屈折率で２人いし５０μｍ
の範囲にある粒径を持った粉末である。

成分（ａ）は好ましくは５ないし４０重量係の量で用い
られ、光重合開始剤（１））は好ましくは０３ないし４
重に％の量で用いられる。充填剤（Ｃ１は６０ないし８
５重量ｆｌＯ量で用いられるのが好都合であるが、充填
剤（Ｃ）及び融剤（ｄ）の甘は組成物の全重量に基づい
て通常は９５重量ｅ１２を越えるべきでない。

特に好ましい組成物は下記の成分を含有するものである
： １）フェノール／ホルムアルデヒド又はクレゾール／ホ
ルムアルデヒドノボラックのポリグリシジルエーテル、
銀粉、ガラス粉末及び光重合開始剤として（η６−２−
メチルナフタレンｙ（η５−シクロペンタジェニル）鉄
（Ｉｔ）ヘキサフルオロフォスフェート５１ｊ：（η６
−クメン）（η５−シクロペンタジェニル）鉄（ＩＩ）
へキサフルオロフォスフェート； １１）フェノール／ホルムアルデヒド又はクレゾール／
ホルムアルデヒドノボラックのポリグリシジルエーテル
、銅粉、ガラス粉末そして（η６−２−メチルナフタレ
ン）（η５−シクロペンタジェニル）鉄（Ｉｆ）へキサ
フルオロフォスフェート；または １ｌｌ）　　ｉ状ビスフェノールＡエポキシ樹脂、銀粉
そして光重合開始剤として（η６−２−メチルナフタレ
ン）（η５−シクロペンタジェニル）鉄（ＩＩ）へキサ
フルオロフォスフェート’５ｕ−ｓ、＜η６−クメン）
（η５−シクロペンタジェニル）鉄（Ｉｌｌヘキサフル
オロフォスフェート。

本発明の組成物は光硬化性物質の分野で慣習的に使用さ
れている他の公知の添加剤（ｅ）をも含有してよい。そ
のような添加剤の例は次の通りである：顔料、染料、ガ
ラス繊維の如き補強剤、他の繊維物質、難燃剤、たとえ
ばフェニル又はクレシルグリシジルエーテル、ブタンジ
オールジグリシジルエーテル及びヘキサヒドロフタル酸
グリシジルエーテルのようなエポキシ樹脂用反応希釈剤
、帯電防ＩＦ剤、均染剤、離型剤、粘着促進剤、酸化防
止剤、光安定化剤及びたとえばチオキサントン、フタル
イミド、クマリン及びアントラセンのような成分（ｂ）
の増感剤。

組成物が融剤（ｄ）又はさらに通常の添加剤（ｅ）を含
有する々らば、その時ｆａ）、　（ｂ）、ｆｃ）、（ｄ
）及び／又は（ｅ）の成分の和は１００重量％である。

本発明の組成物はそれ自体公知の方法で個々の成分を攪
拌することにより製造し得る。該組成物は通常は有機溶
媒中で溶液の形で、ポリエステル７−トのようなプラス
チックシート、金属、金属合金、半金属、半導体、ガラ
ス板、セラミック、銅で被覆したエポキシラミネートの
如きラミネート、８ｉ０２又は８ｉ３Ｎｉ４のような適
当な支持体に塗布する。適する有機溶媒の例は。

単独又は混合して使用しうる極性溶媒、好ましくは極性
非プロトン性有機溶媒であるＯそのようか適する溶媒の
例としては次の通りである：メタノール、エタノール及
びジプセトンアルコールｃＭｔｌアルコール；Ｎ、Ｎ−
ジメチルホルムアミド及びＮ、Ｎ−ジメチルアセトアミ
ドの如き脂肪族−ｒ＝ノカルボン酸のアミド；ジエチル
エーテル、ジ−ｎ−ブチルエーテル、テトラヒドロフラ
ン、ジオキサン、２−メトキシエタノール。

１．２−ジメトキシエタン、ジエチレングリコールジメ
チルエーテル、ジエチレンクリコールジエチルエーテル
、ジエチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル１１
’！Ｊエチレングリコールジメチルエーテルの如きエー
テル；塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、１，
２−ジクロロエタン、１，１．２−トリクロロエタン、
１，１゜２．２−テトラ−クロロエタン、の如キハロゲ
ン化炭化水素；炭酸プロピレン、酢酸エチル、プロピオ
ン酸メチル、安息香酸エチル、１−アセ）−？シー２−
エトキシエタン、１−アセトキシ−２−メトキシエタン
、γニフ゛チロラクトン及びγ−ヴアレロラクトンの如
きカルボン酸エステル及びラクトン：ジメチルスルフオ
キシド及びトリメチルスルフオキシドの如きスルフオキ
シド；ジメチルスルフォン、ジエチルスルフォン、トリ
メチレンスルフォン及びテトラメチレンスルフォンの如
キスルフォン；ジメチルケトン、メチルエチルケトン、
メチルイソブチルケトン及びシクロヘキサノンの如きケ
トン；クロロベンゼン及びニトロベンゼンの如き置換ベ
ンゼン。好ましい溶媒はカルボン酸エステル及ヒ２−ア
セトキシ−２−エトキシエタン及びシクロヘキサノンの
如きケトンである。

溶液は、たとえば浸漬、被接、噴霧、引染、遠心又はロ
ーラー塗を用いて通常の方法で支持体に塗布する。

本発明の組成物は乾燥状態で、たとえば粉末被接によっ
て塗布してもよい。用途に依存して、乾燥層厚は一般的
に約０．５ないし２００μｍ、好ましくは５ないし１０
０μｍの範囲にある。被覆後、残留溶媒をたとえば加熱
、所望によシさらに真空下で加熱することにより通常の
方法で除去するＯ 本発明の組成物で得られた塗膜を、さらに−屑処理する
前に他の支持体に塗布することも可能である。このよう
に、たとえばプラスチックシート上に得られた塗膜を、
乾燥後巻締積層器を用いてガラス又はセラミック板、た
とえば銀で被覆又は金で被覆したトムバック（’］、”
ｏｍｂａｋ　）及びモネル（ＭｏｎｅｌＪ支持体のよう
なモネル（Ｍｏｎｅｌｌｇｌ）支持体にノケル／銅合金
）及びトムバック（Ｔｏｍｂａｋ）支持体（銅／亜鉛合
金）の如き他の支持体に塗布することもできる。

組成物及びそれから得られた被膜の硬化は。

好ましくは８０°ないし１３０℃の範囲にある高温で光
硬化により１段階で遂行され得る。しかしながら、硬化
は通常は、光硬化とそれに続く熱的後硬化の２段階で遂
行される。光硬化は可視光並びに波長が２００ないし６
００．、＃ＯＵＶ光を用いて強度１５０ないし８０００
ワツト、好ましくは１０００ないし５０００ワツトで遂
行され得る。適する光源は、たとえばキセノンランプ、
アルゴンランプ、タングステンランフ、炭素アーク、低
圧、中圧及び高圧の水銀ランプの如き金属ハロゲン化物
及び金属アークランプ、アルゴンイオンレーザ−１二重
周波数Ｎｃｌ−ＹＡＧレーザー（イツトリウム／アルミ
ニウムガーネット）及びＵＶレーザーである。可視光（
ＶＩＳ）父はＶ’ＩＳレーザーを用いて照射することが
好ましい。

照射時間は、たとえば組成物の厚さ、光源の性質及び照
射される層からの距離のような多くの因子に依存する。

照射時間は通常は１ないし６００秒である。

熱的後処理（後硬化）は、５０℃ないし１５０℃、好ま
しくは６０°ないし１３０℃の温度範囲で行なうのが好
都合である。

露光及び任意の付加的熱硬化後、露光していない画像部
分は溶媒又は溶媒の混合物で現像される。適する溶媒は
、たとえば上記の種類の溶媒である。現像のための好ま
しい溶媒はシクロヘキサノン及び炭酸プロピレン、ジエ
チレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル及びγ−ブ
チロラクトンの混合物である。

電気伝導性充填剤又は誘電的充填剤及び融剤を含有する
組成物で得られる被膜は特にセラミック支持体上の厚膜
層回路又は集積回路（チップ）用のセラミック支持体上
の接点のようなセラミックに適用するのに適している。

硬化後、被膜は高温で好ましくは２５０°ないし１００
０℃の範囲で、最も好ましくは４００°ないし９００℃
の範囲で焼成するのが好都合であり、　　゛その結果伝
導性又は誘電性のレリーフ構造もしくは画像を与える。

焼成は空気中、０２．　Ｎ２及び／又はＨ２の雰囲気中
で行なうのが好都合である。

充填剤として銀粉または銀を含有する充填剤を用いる時
は、焼成は０２雰囲気中で行なうのが好ましい。銅粉又
は銅の化合物が充填剤として用いられるならば、焼成は
最初は０２中で、その後Ｎ１又はＮ２中又は両者の気体
の混合物中で遂行するのが好都合である。既に記載した
ように、本発明の組成物は、科学技術の多様な分野で、
特に電子工学、ミクロ電子工学及び光電子工学の分野で
使うのに適している。従って本発明は、光硬化及び任意
の付加的後硬化によるレリーフ構造、画像又は結合の製
造のための組成物の用途にも関する。好ましい用途は次
の通りである：電気伝導性充填剤を使う時ニ ーセラミック上の印刷導体、エナメル製鋼鉄板、高分子
印刷回路板又は屈曲性プラスチックシートニ 一液晶表示用などのアルミニウム又はガラス上の電極図
形の製造； 一キーボード用の屈曲性プラスチックシート上の接触接
点１ 一チップと支持体間の接点結合； 一セラミック、エナメル製鋼鉄又はプラスチックで出き
た印刷回路板に対しての能動及び受動ミクロ電子工学成
分の結合； −電子工学系の損傷したトラック及び接点、構成成分及
びモジー−ルの改良。

誘電的充填剤を用いる時ニ ーセラミック、エナメル製鋼鉄及びプラスチック支持体
上の隣接又は集合トラックの絶縁； −ｉｔ子工学的及びミクロ電子工学的回路成分、接点及
びトラックのだめの被覆としての保護層。

熱伝導性充填剤を用いる時ニ ー高性能及び高周波電子工学での冷却系。

強誘電性充填剤を用いる時ニ ー圧電効果を基礎とする感圧性及び感音センサーの製造
； 一光電子工学的表示素子の作成Ｏ エレクトロクロミンクな充填剤を使う時−一エレクトロ
クロミンクな表示素子の作成Ｏ燐光充填剤または蛍光体
を用いる時ニ ー微細構造の陰極線管表示の作成メ ー写真又はリトグラフ用マスク及び情報のためのしゃへ
い及び表面、９ｉ：全目的又は装飾目的のような多棟の
物品への発光記号の施用０融剤を用いての本発明の組成
物の特に好ましい用途は膜厚層面路の製造であるＯ （実施例） 下記の実施例で、部及び／＜−セントは特に記載されて
いなければ重量基準である。

実施例１゜ シクロヘキサノン中のエポキシ／クレゾール／ノボラッ
ク樹脂（分子量−約１２７０．エポキシ当量＝２５８ｔ
／当量、エポキシ含量＝　４．２当量／ｋｇ）４５チ溶
液９部に、銀粉（沈降性、平均粒径１０μｍ、フル力（
Ｆｌｕｋａ）製）１０部、ＴｉＯ２ガラス粉末（均一白
色粉末混合物２０−６０００、ドラッケンフェルト（Ｄ
ｒａｋｅｎｆｅｌｄ　）製）５部屋ヒ（η６−２−メチ
ルナフタレン）（η５−シクロペンタジェニル１（ｎ）
へキサフルオロフォスフニー）０．１８部を添加する。

混合物を超音波浴で１０分間分散させてそして５０μｍ
のドクター、ナイフを用いて３闘パイレツクスのガラス
板に塗布する。印刷回路の典型的図形を複製する感光性
マスクによって、なおわずかな伝導度（〈１０　’　ｏ
ｈｍ−”−ｃｒｔ？　）を有する印刷回路の伝導図形を
５分間１０００ワツトハロゲンランプ放射で露光し、８
０℃で２０分間硬化し続いて超音波浴中でシクロヘキサ
ノンで現像することによって得うれる。４．９　Ｘ　１
０’ｏｈｍ　”、α−１の比伝導度を持ったトラックが
、そのようにして得られた印刷回路を空気中で６５０℃
で５分間熱処理することにより得られる。

実施例２゜ １−アセトキシ−２−エトキシエタン中く゛実施例１に
記載されているエポキシ／ノボラック樹脂６０チ溶液＆
７５部に、銀粉（平均粒径２２−１５ｐ、ペントロン（
Ｖｅｎｔｒｏｎ　）製）１０部及び、ガラえ粉末（低膨
張ガラスＰｒ１ｔ　Ｅ　１９８　［Ｆ、ドクタケンフエ
ルト（１）ｒａｋｅｎｆｅｌｄ　）製）５部を添加する
。混合物を１−アセトキシ−２−エトキシエタン１．２
５部で希釈してそして４ｍｍのガラスピーズ球を使って
ボールミル中で１５時間粉砕する。その後Ｎ、Ｎ−ジメ
チルホルムアミド０５部中に溶解させた（η６−２−メ
チルナフタレン）（η５−シクロペンタジェニル）鉄（
１１）ヘキサフルオロフォスフェートｏ、１ｓｓの溶液
及び１−アセトキシ−２−工トキシエタンｏ、　５　部
に添加する。そのようにして得られた組成物の薄膜を５
０μｍドクターナイフでボリエテレンテレフタレートシ
ートに塗布しそして８０℃で１０分間乾燥する。この覆
膜をその後１３０℃で巻締積層器を用いてＡｔ２０３／
セラミツク板（厚膜被覆用ルバリス（Ｒｕｂａｌｉｔｈ
■）支持体、ローゼンタールテクニーク社（Ｒｏｓｅｎ
ｔｈａｌ’Ｔｅｃｈｎｉｋ　Ａ’Ｇ）製）に移す。

印刷回路の典型的図形を複製する感光性マスク、１２段
階のストウファーくさびと解像度決定のためのＩＴ’Ｅ
Ｋバー図形マスクを通して被膜ｉ５分間１０００ワット
ハロゲンランプ放射で露光し、１１０℃で５分間硬化し
そして炭酸プロピレン５０部、　ジエチレングリコール
モノ−ｎ−ブチルエーテル３０部及びγ−ブチロラクト
ン２１０部からなる現像洛中で現像すると、印刷回路の
伝導図形並びに５０μｍの幅の明りような解像線のバー
パターンが得られる。伝導画像をレトル）Ｆ中で８００
℃で８０分間焼成する。

その後のトラックは表面抵抗２０ｍｏｈｍを持つ（層厚
−６Ｓ溝）０焼成後１２段階ストーファーくさび上での
最終的で完全な複製段階は段階８（感光性の標準規格と
して公知）である。

比較的良好な性質を持つ伝導図形が、実施例１及び２の
（η６−２−メチルナフタレン）（η５−シクロペンタ
ジェニル）ｉ（ＩＩ）ヘキサフルオロフォスフェートの
代わりに（η６−クメン）（η５−シクロペンタジェニ
ル）−？（ｎ）ヘキサフルオロフォスフェートを対応縦
用いることにより得られる。

実施例３ 銅で被覆したエボキシラミネ−１・（ガラス補強エポキ
シ印刷回路板）を５０μｍのドクターナイフを用いて実
施例１に記載されている組成物で被覆しそして被膜を８
０℃で１５分間乾燥させる。５１４ｎｍのアルゴンイオ
ンレーザ−（Ｉｎｎｏｖａ？０■、コーヘラント（Ｃｏ
ｈｅｒｅｎ　ｔ　Ｊ製）放射に露光させる時は、１１０
℃５分硬化後２７０ｍＪ／ｃｄのエネル・ギーで十分に
伝導図形を現像されられる。

実施例４ 実施例１に記載されているエポキシ／ノボラック樹脂の
シクロヘキサノン中４５ｑ＆溶液３部及び銅粉（球状、
３２５　ｍｅｓｈ　、ペントロン（Ｖｅｎｔｒｏｎ）製
）１２部、Ｔｉｅ２／ガラス粉末（均一な白色粉末混合
物２０−６０００、ドラソケンフェルト（Ｄｒａｋｅｎ
ｆｅｌｄ　）製）２２及び（７１”−２−）ｆルナフタ
レン）（η５−シクロペンタジェニル）鉄（ｎ）ヘキサ
フルオロフォスフェート０．０６部を、実施例１に記載
されている如く処理する。実施例１に記載されているの
と同様に、パイレックス板をこの混合物で被覆して、被
膜を照射及び現像する０伝導図形を続いてレトルトｐ中
で５００℃で１０分間空気で処理し、窒素下で５分間７
５０℃まで加熱しそして１０１ｄ／−＊の水素流量にて
７５０℃１０分間暴露する◇トラックは６ｍｏＩＴｎの
表面抵抗を持つ（層厚＝８μｍ）。

実施例５ 銅粉（−、平均粒径１０μｍ、ベントｏ　ｙ　（Ｖｅｎ
ｔｒｏｎ）！！！ｙ、−ｉｎ分間２　ＮＨＮＯｘ溶液中
で洗浄、沖過及び１時間８０℃７１３５３２Ｐａで乾燥
）２５部と（４ｍ−２−）ｆルナフタレン）（η５−シ
クロペンタジェニル）鉄（ＩＩ）へキサフルオロフォス
フニー）ａｉｓ部を実施例１に記載されているエポキシ
／ノボラック樹脂のシクロヘキサノン中４５係溶液６０
部に添加する。混合物を超音波浴で１０分間分散させそ
して１５０μｍドクターナイフを用いてポリエステルシ
ート（ＭＥＬＩＮＥＸ■。

ＩＣＩ製）に塗布する０薄膜は７５℃で２０分間乾燥さ
せると、６０μｍの乾燥薄膜を与える。伝導度測定値５
Ｘ０．５ｍの４点測定図形を表示する感光性マスクを通
１−て、この層膜を２０℃で１０００ワツトハロゲンラ
ンプ放射に３分間露光する０該瑣゛膜をその後８０℃で
２０分間硬化させて続いてシクロヘキサノンを用いて３
０秒間超音波浴中で現像すると、比伝導度４３　ｏＦＷ
ｎ−ｃｍ−’の伝導度４点測定用の図形を与える。

実施例６ 実施例５の操作を、銅粉の代わりに硫化亜鉛蛍光体（ル
ミネックス（ＬＵＭＩＮＥＸＧ■ハ　リープループバー
　ｚ　ン（Ｒｉｅｄｅｌ−Ｄｅｈａｅｎ　）装発光混合
物）４０ｆを用いて繰り返す。１０分後暗がりで発光す
る画像が得られる。

実施例７ 銀粉（平均粒径２−五５μｍ、ペントロン（Ｖｅｎｔｒ
ｏｎ　）製）　ｔ　５部と（η’−２−メチルナフタレ
ン）（η５−シクロペンタジェニル）鉄（Ｉｔ）へキサ
フルオロフォスフェート（１１）６部ｆ実施例１に記載
されたエポキシ／ノボラック樹脂のシクロヘキサノン中
４５俤爵液６部に添加する。

混合物を１０分間超音波浴中で分散させそしてこの混合
物の糟・膜を１００μｍｎのドクターナイフでポリエチ
レンテレフタレートシートに塗布した後に８０℃で１０
分間乾燥させる。測定するとα２Ｘ１５．のこの藷゛膜
の一片を１３０℃でドクアル・イン・ライン（ＤＩＬ）
組立枠の銀めっきした基板に移送し６０秒間５０００ワ
ツトのハロゲンランプ放射に路光させた後に１組立枠／
銀含有エポキシ樹脂被膜／シリコーン結晶からなる２枚
の板間のクリップで積層を固定させ１２０℃で２分間以
上α２ＸＱ、５のシリコーン結晶に接着させる◎シリコ
ーン結晶はその後銀被覆した組立枠−ヒで１ＯＮ／−の
接着強度を持つ〔接着強度試験はＥ、＋）クーグー（Ｌ
ｉｉｄｅｒ）　：バウヒブリダーミクＯ’／　７　ルト
ンゲｙ　（Ｂａｗ　ｈｙｂｒｉｄｅｒｍｉｋｒｏｓｃｈ
ａｌ　ｔｕｎｇｅｎ　）　、　４２頁、スピリンガー　
ファークーグ（Ｓｐｒｉｎｇｅｒ　Ｖｅｒｌａｇ　）　
、ベルリン（Ｂｅｒｌｉｎ）、１９７７年で測定した０
〕。

実施例８ 銀粉（平均粒子径３×１０μｍの銀フレーク、ベントン
（Ｖｅｎｔｒｏｎ　Ｊ製）１部と（η６−２−メチルナ
フタレン）（η６−シクロペンタジェニル）鉄ｉｎ）へ
キサフルオロフォスフェートｏ、ｏ６部−１液状ビスフ
エノールＡエポキシ樹脂〔２重量係のクレシルグリシジ
ルエーテルを混合したビスフェノールＡジグリシジルエ
ーテル：エボキシ含量−５Ｊ１当ｉ／に＝ｔ〕２部に添
加して、そして混合物を１０分間超音波浴中で分散させ
る。その後この混合物（１２部をＩ）ＩＬ組立枠の銀被
覆した基板に塗布する。混合物を３００秒間５０００ワ
ツトのハロゲンランプ放射に露光させて、組立枠を５分
間１６０℃に加熱して０．２　Ｘ　０．３のシリコーン
結晶に接着させる。実施例７に記載されている接着強度
試験によると、シリコーン結晶は１ＯＮ／−の接着強度
を持つ。体積抵抗率を測定するため、α２×［Ｌ３ｃＩ
ｎ測定の（１１）６、銅板を用いて類似の配合物を調製
する。簡単な２点測定では体積抵抗率は７０ｍｏｈｍと
なる（接着層の厚さ＝約１０μｍ）０比較的に良好な結
果は、（η６−２−メチルナフタレン）（η６−シクロ
ペンジェニル）鉄（ｎ）へキサフルオロフォスフェート
の代わりに本実施例の（η６−クメン）（η５−シクロ
ペンタジェニル）鉄（ＩＩ）へキサフルオロフォスフェ
ートの対応量ヲ用いることで得られる。

Claims (19)

【特許請求の範囲】
1. （１）（ａ）オレフィン性不飽和二重結合Ｃ＝Ｃを含有
   しないエポキシ樹脂もしくはエポキシ樹脂混合物５ない
   し９０重量％、 （ｂ）次式 I ： 〔（Ｒ＾１）（Ｒ＾２Ｍ）＿ａ〕＾＋＾ａ＾ｎ（ａｎ）
   ／ｑ〔ＬＱ＿ｍ〕＾−＾ｑ（ I ）〔式中、ａは１また
   は２の数を表わし、 ｎ及びｑの各々はお互いに独立して１ないし３の整数を
   表わし、 Ｍは周期表IVｂないしVIIｂ、VIIIないし I ｂ 族の１価ないし３価の金属陽イオンを表わし、ｍはＬ＋
   ｑの原子価に対応する整数を表わし、そして、 Ｑはハロゲン原子を表わし、 Ｌは２価ないし７個の金属もしくは非金属 を表わし、 Ｒ＾１はπ−アレーンを表わし及びＲ＾２はπ−アレー
   ンないしπ−アレーンの陰イオンを表わす〕で表わされ
   る少なくとも１種の光重合開始剤０．１ないし１５重量
   ％、及び （ｃ）カーボンブラック、グラファイト、金属を含有す
   る充填剤及び半導体性を有する充填剤からなる群から選
   ばれた少なくとも１種の微粉細充填剤１０ないし９０重
   量％からなり、各成分の合計が１００重量％ である充填剤を含有する光硬化性エポキシ 樹脂組成物。
2. （２）エポキシ樹脂（ａ）が、 次式II： ▲数式、化学式、表等があります▼（II） 〔式中、Ｑ及びＱ＿２の各々は水素原子を表わし、 及びＱ＿１は水素原子もしくはメチル基を表わすか、も
   しくはＱ′及びＱ＿２が一緒に−ＣＨ＿２ＣＨ＿２−も
   しくは−ＣＨ＿２ＣＨ＿２ＣＨ＿２−を表わしそして、
   Ｑ＿１は水素原子を表わす〕で表わされる基を平均とし
   て１個以上含有し、該基が−Ｏ−、−Ｓ−または−Ｎ−
   原子に結合しているエポキシ樹脂である特許請求の範囲
   第１項記載の組成物。
3. （３）エポキシ樹脂（ａ）が、２価フェノール又は炭素
   原子数２ないし４の脂肪族アルコールのジグリシジルエ
   ーテル又は前駆されたジグリシジルエーテル、ノボラッ
   クのポリグリシジルエーテルもしくはテトラグリシジル
   化４，４′−ジアミノ−ジフェニルメタンである特許請
   求の範囲第１項記載の組成物。
4. （４）エポキシ樹脂（ａ）が、ビスフェノールＡ、テト
   ラブロモ−ビスフェノールＡ又はビスフェノールＦのジ
   グリシジルエーテル又は前駆されたジグリシジルエーテ
   ル、及び、好ましくはフェノール／ホルムアルデヒドも
   しくはクレゾール／ホルムアルデヒドノボラックのポリ
   グリシジルエーテルもしくはそのような樹脂の混合物で
   ある特許請求の範囲第１項記載の組成物。
5. （５）式 I において、ａは１の数を表わし、Ｒ＾１は
   ベンゼン、トルエン、キシレン、クメン、メトキシベン
   ゼン、クロロベンゼン、ｐ−クロロトルエン、ナフタレ
   ン、メチルナフタレン、クロロナフタレン、メトキシナ
   フタレン、ビフェニル、インデン、ピレンもしくはジフ
   ェニレンスルフィドを表わし、そしてＲ＾２はシクロペ
   ンタジエン、アセチルシクロペンタジエンもしくはイン
   デンの陰イオンを表わすかもしくはベンゼン、トルエン
   、キシレン、トリメチルベンゼン、ナフタレンもしくは
   メチルナフタレンを表わす光重合開始剤を含有する特許
   請求の範囲第１項記載の組成物。
6. （６）式 I において、ａは１の数を表わし、Ｒ＾１は
   η＾６−クメンもしくはη＾６−２−メチルナフタレン
   を表わし、Ｒ＾２はη＾５−シクロペンタジエンの陰イ
   オンを表わし、そしてｎが１又は２の数を表わし及びｑ
   は１の数を表わす光重合開始剤を含有する特許請求の範
   囲第１項記載の組成物。
7. （７）式 I において、Ｍはクロム、コバルト、マンガ
   ン、タングステン、モリブデンもしくは鉄の陽イオンを
   表わし、そして〔ＬＱ＿ｍ〕＾−＾ｑはＳｂＦ＿６＾−
   、ＢＦ＿４＾−、ＡｓＦ＿６＾−もしくはＰＦ＿６＾−
   を表ゎす特許請求の範囲第１項記載の組成物。
8. （８）金属を含有する充填剤もしくは半導体の性質を有
   する充填剤は、周期表IIａ、IIIａ、IVａ、 I ｂ、Ｖｂ
   、VIｂ及び／又はVIII族金属である金属、金属化合物も
   しくは金属合金である特許請求の範囲第１項記載の組成
   物。
9. （９）金属を含有する充填剤が銀、銅、銀／パラジウム
   合金、パラジウム、白金、金、タングステンもしくはモ
   リブデンである特許請求の範囲第１項記載の組成物。
10. （１０）金属を含有する充填剤が、Ａｕ、Ｐｔ、ＡｇＰ
    ｄそして、特に銀粉もしくは銅粉である特許請求の範囲
    第１項記載の組成物。
11. （１１）充填剤が酸化アルミニウム、酸化ベリウム、酸
    化アルミニウムリチウム、炭化珪素、チタン酸バリウム
    、チタン酸鉛、ジルコン酸鉛、ＷＯ＿３、Ｆｅ＿３Ｏ＿
    ４、ＮｉＦｅ＿２Ｏ＿４、ＣｏＦｅ＿２Ｏ＿４、マンガ
    ン／亜鉛フェライトもしくはＺｎＳである特許請求の範
    囲第１項記載の組成物。
12. （１２）充填剤が球状もしくは棒状粒子の形であり、好
    ましくは樹枝状もしくは薄板状の粒子の形である特許請
    求の範囲第１項記載の組成物。
13. （１３）充填剤が０．１ないしは２０マイクロメーター
    、好ましくは０．２ないし５マイクロメーターの粒径で
    ある特許請求の範囲第１項記載の組成物。
14. （１４）更に、５ないし５０重量％の融剤（ｄ）、を含
    有して、（ａ）ないし（ｄ）の成分の合計が１００重量
    ％である特許請求の範囲第１項記載の組成物。
15. （１５）５ないし４０重量％の成分（ａ）、０．３ない
    し４重量％の光重合開始剤（ｂ）及び３０ないし８５重
    量％の充填剤（ｃ）を含有する特許請求の範囲第１項記
    載の組成物。
16. （１６）該組成物の全重量にもとづいて、充填剤（ｃ）
    及び融剤（ｄ）を合わせて９５％重量％以上含有しない
    特許請求の範囲第１４項記載の組成物。
17. （１７）融剤がガラス粉末である特許請求の範囲第１４
    項記載の組成物。
18. （１８）（ａ）オレフィン性不飽和二重結合Ｃ＝Ｃを含
    有しないエポキシ樹脂もしくはエポキシ樹脂混合物５な
    いし９０重量％、 （ｂ）次式 I ： 〔（Ｒ＾１）（Ｒ＾２Ｍ）＿ａ〕＾＋＾ａ＾ｎ（ａｎ）
    ／ｑ〔ＬＱ＿ｍ〕＾−＾ｑ（ I ）〔式中、ａは１もし
    くは２の数を表わし、 ｎ及びｑの各々はお互いに独立して１ない し３の整数を表わし、 Ｍは周期表IVｂないしVIIｂ、VIIIないし I ｂ族の１価
    もしくは３価の金属の陽イオンを表わし、 ｍはＬ＋ｑの原子価に対応する整数を表わ し、 Ｑはハロゲン原子を表わし、 Ｌは２価ないし７価の金属もしくは非金属 を表わし、 Ｒ＾１はπ−アレーンを表わし及びＲ＾２はπ−アレー
    ンもしくはπ−アレーンの陰イオンを表わす〕で表わさ
    れる少なくとも１種の光重合開始剤０．１ないし１５重
    量％、及び （ｃ）カーボンブラック、グラファイト、金属含有充填
    剤及び半導体性を有する充填剤から選ばれる少くとも１
    種の微粉砕充填剤１０ないし９０重量％からなり、全成
    分の合計が １００重量％である充填剤含有エポキシ樹脂組成物を光
    硬化し、所望により熱後硬化することによってレリーフ
    構造、画像または結合を製造するために使用する方法。
19. （１９）光硬化を可視光またはＶＩＳレーザーによって
    行なう特許請求の範囲第１８項記載の使用法。