JPS61119061A - 半導体集積回路装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （技術分野の説明） 本発明は半導体集積回路に関し、特に雑音に強い構造を
もった半導体集積回路に関する。

（従来技術の説明） 従来、この種の半導体集積回路は、第１図に示すように
、第１の導電型を有する半導体基板１と、この基板１内
に形成された逆導電型の不純物領域２と、この領域２と
絶縁膜３を介して接続した導電性配線層４と接地電位に
ある導電性配線層５と、それらの上を被覆した絶縁膜６
とを含む構造を持っており、この構造から明らかなよう
に、接地電位にある導電性配線層５は全体の回路の一部
のみに存在していた。

そのため、２つの欠点があった。

第１の欠点は、回路のある部分で大きな電流が接地電位
にある導電性配線層５に流れると、この配線層５の面積
が小さくなり、その抵抗値が大きくなればなる程、電位
降下のために回路の他の部分に現れる雑音電圧が大きく
なり、より大きな影響を及ぼすことであった。

第２の欠点は、回路の信号用配線層４が外部９間に対し
ては、絶縁膜６があるだけなので、外来雑音の容量性結
合による影響があり、その時の結合容量の値が大きくな
る程より大きな影響を受けることであった。

（発明の目的） 本発明の目的は、半導体集積回路の導電性信号用配線層
上の全面に絶縁層を介して、接地電位にある導電！ｉ、
膜を有する構造を取ることにより上記欠点を解決し、内
部あるいは外部で発生した雑音に対して影４の少ない半
導体集積回路を提供することにある。

（発明の構成） 本発明の半導体装置は、半導体集積回路の接地電位にあ
る導電性配線層において、該導電性配線層上に絶縁膜を
接続するための１つあるいは複数の結合孔を有し、この
孔を通して導電性膜配線層に接続する導電性膜よって前
記半導体集積回路上の実質から全面を被覆していること
を特歎とする。

（発明の実施例） 欠に本発明の実施側番ζついて図面を参照して説明する
。

第２包を参照すると、本発明の実施例は、第１の４を型
を有する半導体基板１に形成された第２の導を型の不純
物領域２と、この領域２と絶縁層３を介しＣ接続された
導電性配線層４と、この配線層４と接地電位にある導電
性配線層５と、この配線層５と絶縁層６を介して１つあ
るいはａａの結合孔によって接続された半導体集積回路
全面を被覆した導′電性膜７と、この導電性膜全面を被
覆した絶縁層８とを含む。

次に、本実施例を示す効果について説明する。

半導体集積回路内のある部分で発生した雑音電流が接地
電位にある配線層５を流れると、本実施例のよりに全面
が接地電位にある導１注膜７を有する構造は、導電性膜
７の面積が大きく抵抗値が非常に小さいため、回路の他
の部分に現れる雑音電圧も非常に小さいことになる。従
って、導電性膜７が半導体集積回路上の全面を被覆して
いることにより、内部で発生した雑音に回路上の他の部
分がほとんど影響されないという効果がある。

また、外部からの容量結合性雑音に対して、本構造は、
半導体集積回路内の信号用の導電性配線層４と外部雑音
源との間に抵抗値の非常に小さな接地電位にある導電性
膜７が存在するため、信号用導電性配線層４と外来雑音
源との間の浮遊容量による結合度は非店に小さくなり、
いわゆる遮蔽効果が大きい。

（発明の効果） 本実“男は以上説明したように、半導体集積回路におい
て導電性配線層上に絶縁膜を介して接地電位にある４′
Ｉ！Ｌ性膜で全面を被覆することにより、内外部で発生
した雑音の影響を受は難くする効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１−は、従来技術を説明する半導体集積回路の一部を
示す断面図、第２図は本発明の一実施例を部分的に示し
た断面−である。 １・・・・・・４１の導電型を有する半導体基板、２・
・・・・・第２の４を梨を有する不純物領域、３・・・
・・・絶縁層、４・・−・・・２＃、電性配線層、５・
・・・・・接地電位にある導電性配線層、６・・・・・
・絶縁層、７・・・・・・接地電位にある４電註膜、８
・・・・−・絶縁層。 第１図　　　　　１ 榮２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　半導体集積回路の接地電位となる導電性配線層上に絶
   縁膜を介して前記半導体集積回路の実質的全面を被覆せ
   る導電性膜を設け、前記絶縁膜に設けられた１つあるい
   は複数個の開孔によって前記導電性配線層と前記導電性
   膜とが接続されることを特徴とする半導体集積回路装置
   。