JPS61118670A - 有極性半導体素子の測定方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、ダイオードなどの有極性半導体素子の所定の
極性（順方向もしくは逆方向）での容量測定などを連続
的に行う方法に関する。

（従来の技術） このような測定は、一般に完成素子の品質管理の１つと
して行なわれるものであって、例えばダイオードにおい
ては逆方向の一定バイアス電圧をかけたときの容量値が
規格内にあるか否かをみて不良品の排除処理を行う。こ
の測定を連続的に行う場合、パーツフィーダ等から向き
不順に繰り出されて適当移送手段によって順送りされて
くる素子を測定対象とするので、目的とする測定の以前
に極性判別が必要となっている。

この極性判別を行う手段としては、本測定部位の移送上
手に極性判別用の測定部を別途配備する方式と、本測定
部位で極性判別を行う方式とが知られている。

前者は、本測定部位に至る前に順送りされてきた素子の
一対の端子に、極性判別回路に接続した一対の測定端子
を接触させ、素子端子間に適当な電圧を印加してその整
流作用から極性を判別している。また、後者は、第４図
に示すように本測定部位において対象素子ｌの端子２．
２に接触させた測定端子１３．１３をリレー１４によっ
て極性判別回路１５と本測定用の回路１６とに接続切り
換え可能にし、先ず極性判別回路Ｉ５に接続して極性判
別を行った後、測定回路１６に切り換えるとともに、所
定の極性に対する所定のバイアス電圧や電流を印加して
本測定を行っている。

（考案が解決しようとする問題点） しかしながら、このような従来例方法の場合において、
先ず前者の方式では、極性判別部と本測定部とを別個に
設ける為に、設備が大型化するとともに、作動制御が複
雑になる。特に、測定端子は順送りされてくる素子に対
して前後進させで接触離間さぜる必要があるので、この
ような手段を２組も装備することは設備コスト的にも不
利であった。

また、後者の方式は測定部を共用するので、前者の方式
に見られた問題はないが、測定精度の点で多少の難点が
あった。つまり、測定端子を極性判別回路１５と本測定
回路１６とに接続切り換えするのにリレー１４を用いて
いるので、接点の繰り返１．開閉に伴うリレー１４それ
自体の浮遊容量変化や残留インピーダンス変化が容量測
定に影響を及ぼし、測定値の不安定要素になる欠点があ
った。

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであっ
て、半導体素子自体の特性を合理的に利用することで、
１′箇所の測定でもって簡単に極性判別と正確な本測定
とを行うことができるようにすることを目的とする。

（問題点を解決するための手段） 本発明９、このような目的を達成するために、搬送手段
によって自動的に順送りされてくる有極性半導体素子の
一対の端子に、容量測定回路に接続された一対の測定端
子を接触させ、一方の測定端子に所定のバイアス電圧を
印加し、このときの測定容量値の大きさから素子端子の
極性を判別し、同時的にもしくは順次的に所定の極性に
対する特性測定を行うものとした。

（作用） 有極性半導体素子は、本来順方向と逆方向でのバイアス
電圧を印加した場合の容量値が大きく異なる特性を備え
ている。したがって、測定端子の一方に所定のバイアス
電圧を印加して得られた測定容量の値を標準値と比較す
ればその大小関係からバイアス電圧を印加した素子端子
の極性が容易に判別でき、次に所望の極性の素子端子に
、所定のバイアス電圧を印加して本測定を行う。

この場合、極性判別時に印加するバイアス値を予め本測
定用のバイアスと同じ値にしておけば、バイアスを印加
した素子端子が目的とする極性であれば、極性判別と同
時に本測定を行ったことになる。また、逆の極性の端子
であれば極性判別後に逆バイアスを印加して本測定を行
えばよく、１個の素子に対する測定回数が確率的には半
分となり、処理スピードの向上となる。

（実施例） 以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて詳細に説明
する。第１図は、本発明の実施例に係る測定方法に用い
る装置の概略構成を示す側面が、第２図にその平面が、
また第３図にその外観が示される。これらの図において
、符号ｌはダイオードなどの有極性半導体素子であり、
両端？“こり−ド４一 端子２，２を備えている。この素子１は、図外」一方の
パーツフィーダおよび供給シュート３を介して横向き整
列姿勢で装填部Ａに自重供給される。

供給シュート３の下端下方には、絶縁材からなる一対の
円盤４．４を所定間隔をもって対向連結した移送ロール
５が、回転軸６を介して一定方向に間欠自在に配備され
ている。両回盤４，４の外周縁にはロール間欠回転ピッ
チに相当するピッチで多数の凹部７・・が位相を揃えて
一対ずつ形成されていて、供給シコート３の下端に至っ
た素子１の両リード端子２，２がこの一対の凹部７，７
に案内係入され、これにより素子Ｉが１個ずつロール回
転方向に取り出され移送されていく。この場合、素子ｌ
は向き不順にパーツフィーダから繰り出されるため、移
送ロール５に支持された素子ｌの極性向きは不順である
。尚、図中の８は素子１の外周面の一端側に付されたカ
ソードマークである。

前記素子ｌの装填部位Ａの回転下手側の素子停止部位が
測定部位Ｂとして設定され、これの外側部に、前後動自
在な測定ヘッド９が配備されてぃる。この測定ヘッド９
には、素子１の両端子２゜２に外側から接触する一対の
測定端子１０．１０が備えられていて、これが容量測定
回路１１に接続され、更にこの回路１１が測定値の表示
および記録等を行う装置１２に接続されている。

測定装置の基本構成は、以」二のようであり、一定ピツ
チずつ順送りされて素子Ｉが測定部位Ｂに停止されると
、これに同期して測定端子ｌ０１１０が素子端子２．２
に接触するまで前進移動される。次に、一方の測定端子
１０に予め設定された大きさのバイアス電圧が印加され
、このときの所定周波数での容量が測定される。測定回
路では、標檗特性の素子に特定の極性で同じバイアスを
かけたときの標準的な容量値のデータが入力してあり、
この標準値と前記測定値とが比較され、その大小関係か
らバイアスをかけている素子端子２゜２の極性が判別さ
れる。

次に、目的とする極性め素子端子２．２に所定のバイア
スをかけての容量測定を行い、この測定値を表示および
記録する。また、必要に応じて高周波抵抗の測定も行う
。

測定が終了すると、測定ヘッド９が後退するとともに、
移送ロール５力川ピツチ回転して新しい素子ｌを測定部
位Ｂに持ち込み、前記作動を行う。

また、測定が終了した素子ビは回収部位Ｃにおいて放出
され回収される。また、図示しないが回収された素子ｌ
は、測定結果によって特性不良品と判別されたものと良
品とを区分けする手段によって選別される。なお、極性
判別時に印加するノくイアスミ圧を本測定用のバイアス
値と同じ値にしておくと、所望の極性姿勢で持ち込まれ
た素子ｌに対しては極性判別と本測定とを同時に行うこ
とができる。また、素子１を順送りする手段は前記実施
例の構造に限定されるものではなく、ベルトコンベアな
どを適宜選択ずイ電ばよい。

（効果） 以上のように、本発明によれば、測定部位り月箇所であ
るから、測定端子およびその作動機構も１組でよく、装
置の小型化および作動制御の簡素化を図ることができる
。判別用の専用回路が不要であり、回路構成も簡単とな
る。測定端子と測定回路との間にリレー等の測定値の不
安定要素をもたらす手段が介在されていないので測定が
安定し、正確な測定が行える等の効果が発揮される。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例のｆｉｌｌ定方法に用いる装置
の概略構成を示す側面図、第２図はその一部切欠平面図
、第３図はその外観、斜視図、第４図は従来手段の一例
を示す概略構成図である。 図中、符号１は有極性半導体素子、２．２は端子、Ｉ　
Ｏ，１０は測定端子、ｌ’ｌは容量測定回路。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）搬送手段によって自動的に順送りされてくる有極
   性半導体素子１の一対の端子２、２に、容量測定回路１
   １に接続された一対の測定端子１０、１０を接触させ、
   一方の測定端子１０に所定のバイアス電圧を印加し、こ
   のときの測定容量値の大きさから素子端子２、２の極性
   を判別し、同時的にもしくは順次的に所定の極性に対す
   る特性測定を行うことを特徴とする有極性半導体素子の
   測定方法。