JPS61115252A - 情報記録媒体 - Google Patents
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- JPS61115252A JPS61115252A JP59234953A JP23495384A JPS61115252A JP S61115252 A JPS61115252 A JP S61115252A JP 59234953 A JP59234953 A JP 59234953A JP 23495384 A JP23495384 A JP 23495384A JP S61115252 A JPS61115252 A JP S61115252A
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- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は光学式の反射型ビデオディスク、デジタルディ
スク、コンビ、−タメモy用グイスク等に係シ、特に、
任意の情報をディスクに書き込むのに好適な情報記録媒
体に関する。
スク、コンビ、−タメモy用グイスク等に係シ、特に、
任意の情報をディスクに書き込むのに好適な情報記録媒
体に関する。
レーザ光の照射により情報の誉き込み、および読み出し
が可能な情報記録媒体として、情報記録を光学的特性、
例えば反射率、透過率、屈折率等の変化として記録する
方法が提案されている。その中でも特開昭57−159
692号、特開昭57−186245号に記載のように
、レーザ光に対して光吸収性が曳く光を熱KR換する効
果を有する光吸収層(光反射層としても働く]と加熱に
より光学特性が変化する相転移層の2層膜−、よル記録
膜を構成した情報記録媒体は感度が高く高密度記録が可
能である。しかし、記録膜を2層膜構造とする場合、記
録膜の反射率は2層膜を構成する2つの膜の光干渉によ
って決まシ、特に反射層となる光吸収層(比べ相転移層
の厚さのわずかな変動が記録膜全体の反射率を大幅に変
化させ、光デイスク製造時の記録膜形成歩留りが低くな
るという点については配意されていなかった。
が可能な情報記録媒体として、情報記録を光学的特性、
例えば反射率、透過率、屈折率等の変化として記録する
方法が提案されている。その中でも特開昭57−159
692号、特開昭57−186245号に記載のように
、レーザ光に対して光吸収性が曳く光を熱KR換する効
果を有する光吸収層(光反射層としても働く]と加熱に
より光学特性が変化する相転移層の2層膜−、よル記録
膜を構成した情報記録媒体は感度が高く高密度記録が可
能である。しかし、記録膜を2層膜構造とする場合、記
録膜の反射率は2層膜を構成する2つの膜の光干渉によ
って決まシ、特に反射層となる光吸収層(比べ相転移層
の厚さのわずかな変動が記録膜全体の反射率を大幅に変
化させ、光デイスク製造時の記録膜形成歩留りが低くな
るという点については配意されていなかった。
本発明の目的は、高記録感度、高密度記録が可能で、か
つ記録膜の作製歩留)が高い情報記録媒体を提供するこ
とにある。
つ記録膜の作製歩留)が高い情報記録媒体を提供するこ
とにある。
本発明は、基板上に第1の高透過率の情報記碌層と第2
の高光反射率層の2層膜からなる記録膜を育し、上記2
層膜の光干渉効果を用いて書き込み前の反射率を所望の
値に下げることKよシ書き込み前後の反射率変化比を大
ヨくシた情報記録媒体釦おいて、上記光干渉効果により
得られる第1の情報記碌層の膜厚に対する反射率極小値
が所望の反射率とほぼ一致するように、上記高光透過率
の情報記碌層の光学特性を調整することKよ)、記録膜
形成時の膜厚変動による記f&膜の反射率変化を最小く
したことを特徴とする。高光透過率の情報記鎌層の光学
特性なN*する方法としては、特に記録光に対して光吸
収性のある金属元素、例えばBL 、 T4. I%
、 G4 。
の高光反射率層の2層膜からなる記録膜を育し、上記2
層膜の光干渉効果を用いて書き込み前の反射率を所望の
値に下げることKよシ書き込み前後の反射率変化比を大
ヨくシた情報記録媒体釦おいて、上記光干渉効果により
得られる第1の情報記碌層の膜厚に対する反射率極小値
が所望の反射率とほぼ一致するように、上記高光透過率
の情報記碌層の光学特性を調整することKよ)、記録膜
形成時の膜厚変動による記f&膜の反射率変化を最小く
したことを特徴とする。高光透過率の情報記鎌層の光学
特性なN*する方法としては、特に記録光に対して光吸
収性のある金属元素、例えばBL 、 T4. I%
、 G4 。
S=、 ’r=、 z4.H24,S?L、 C2A5
t−、Ay、 Z7L、 P4. Ta 等ヲ上記情報
記録層に少量含有させる方法を用いるものが有効でるる
。
t−、Ay、 Z7L、 P4. Ta 等ヲ上記情報
記録層に少量含有させる方法を用いるものが有効でるる
。
以下、本発明を実施例を用いて詳細に説明する。
実施例を
本発F!Aにおける情報記録媒体の補数を第1図に示す
。まず、本発明との比較のため忙、次の構成の情報記録
媒体を考えてみる。すなわち、第1図に示すように、光
透過性のガクス基板あるいはアクリル樹脂等の樹脂基板
1上に、書き込み光、例えば波長830鵬鵬の半導体レ
ーザ光K ′対してその光吸収率が小さく(高光透
過性の)、主として熱によってその反射率、透過率等の
光学特性が変化するミセレノ化アンチモン5b2Ses
蒸着膜よ構成る第1の層(相転移層)2を被着し、この
上く書き込み光に対して光吸収率が高いテレルT4蒸着
膜よ〕成るオニの層(光吸収かつ反射層)を被着するこ
とによ〕情報記録媒体を得る。この時のT、層の厚さは
4OO!であり、基板1を通して見た時の記録膜の反射
率は、5b28θ層の膜厚に対して第2図のようになる
。第2図において、曲線4は記録前、曲線5は記録後の
反射率を示す。記録膜厚1000A以上では記録感度が
悪いため、記録前後の反射率変化比が大きく取れる5b
zSes膜厚の範囲、400〜600人が実用可能域で
ある。しかし、情報記録媒体として実用に供する為には
、記録前の反射率が8%以上でなければ、記録面に対し
て良好釦記録光を集光することができず、一方、記録特
性からは、反射率変化比を大きくとる必要があるため記
録前の反射率はでよるだけ小さい方が良い。この為、一
般には、記録前の反射率を8〜16チの範囲で設定し、
その設定値に対する変動幅を±20チとじている。従っ
て、記録前の反射率許容値を10±2%とすると、第2
図に示すように、Sb256mの膜厚許容値は550−
th−15Xとな9、通常の膜厚コントロールでは十分
な歩留9を得ることができない。
。まず、本発明との比較のため忙、次の構成の情報記録
媒体を考えてみる。すなわち、第1図に示すように、光
透過性のガクス基板あるいはアクリル樹脂等の樹脂基板
1上に、書き込み光、例えば波長830鵬鵬の半導体レ
ーザ光K ′対してその光吸収率が小さく(高光透
過性の)、主として熱によってその反射率、透過率等の
光学特性が変化するミセレノ化アンチモン5b2Ses
蒸着膜よ構成る第1の層(相転移層)2を被着し、この
上く書き込み光に対して光吸収率が高いテレルT4蒸着
膜よ〕成るオニの層(光吸収かつ反射層)を被着するこ
とによ〕情報記録媒体を得る。この時のT、層の厚さは
4OO!であり、基板1を通して見た時の記録膜の反射
率は、5b28θ層の膜厚に対して第2図のようになる
。第2図において、曲線4は記録前、曲線5は記録後の
反射率を示す。記録膜厚1000A以上では記録感度が
悪いため、記録前後の反射率変化比が大きく取れる5b
zSes膜厚の範囲、400〜600人が実用可能域で
ある。しかし、情報記録媒体として実用に供する為には
、記録前の反射率が8%以上でなければ、記録面に対し
て良好釦記録光を集光することができず、一方、記録特
性からは、反射率変化比を大きくとる必要があるため記
録前の反射率はでよるだけ小さい方が良い。この為、一
般には、記録前の反射率を8〜16チの範囲で設定し、
その設定値に対する変動幅を±20チとじている。従っ
て、記録前の反射率許容値を10±2%とすると、第2
図に示すように、Sb256mの膜厚許容値は550−
th−15Xとな9、通常の膜厚コントロールでは十分
な歩留9を得ることができない。
これに対し、本発明では、第1図に示す第1の層5bx
Ses膜を形成する際<、半導体レーデ光の吸収性が高
いビスマス(BjI)を8b2Sesと同時に蒸着し、
813t8esとBLの原子比率が5%となるよ5に5
bxSes BjX中KB↓を混入させた。その後、先
の例と同様に第20層Te膜を蒸着法で400人の厚さ
く形成した。この時の基板1側から見た記録膜反射率と
5bzSes(BL)膜厚との関係を第5図に示す。曲
a6及び7は、それぞれ記録前および記録後の反射率で
ある。第3図に示すごとに、8bxSes yi K
BLを5原子チ混入すると、5bzSes膜の複素屈折
率が五8−↓α1から&8−↓α6に変化し、2層膜の
干渉効果によってできる反射率の極小値が第2因の4優
から8チへと増大して所望の反射率とほぼ一致するよう
忙なシ、目標反射″410±2%に対し、E3b2Se
s膜厚の許容値はSOO±100Xとなシ、従来に比べ
大幅に許容値が拡大される。従って、本発明によフ、記
録膜形成時の歩留りを大幅に向上でよる。また、この時
の反射率変化比は第5図に示すごとに、2〜5倍とれ記
録特性も充分確保できることがわかる。
Ses膜を形成する際<、半導体レーデ光の吸収性が高
いビスマス(BjI)を8b2Sesと同時に蒸着し、
813t8esとBLの原子比率が5%となるよ5に5
bxSes BjX中KB↓を混入させた。その後、先
の例と同様に第20層Te膜を蒸着法で400人の厚さ
く形成した。この時の基板1側から見た記録膜反射率と
5bzSes(BL)膜厚との関係を第5図に示す。曲
a6及び7は、それぞれ記録前および記録後の反射率で
ある。第3図に示すごとに、8bxSes yi K
BLを5原子チ混入すると、5bzSes膜の複素屈折
率が五8−↓α1から&8−↓α6に変化し、2層膜の
干渉効果によってできる反射率の極小値が第2因の4優
から8チへと増大して所望の反射率とほぼ一致するよう
忙なシ、目標反射″410±2%に対し、E3b2Se
s膜厚の許容値はSOO±100Xとなシ、従来に比べ
大幅に許容値が拡大される。従って、本発明によフ、記
録膜形成時の歩留りを大幅に向上でよる。また、この時
の反射率変化比は第5図に示すごとに、2〜5倍とれ記
録特性も充分確保できることがわかる。
実施例2
実施例1で述べたTe Kかえて、 B=を第2の1忙
用いた場合について述べる。この場合のBb膜厚は50
0人であり、第1のF3bz8es層の光学特性を改善
する物質としては、実施例1と同様KBAを用い、員度
を5原子俤とする。この時の、反射率と5b2Sej(
BA )膜厚の関係を第4図に示す。
用いた場合について述べる。この場合のBb膜厚は50
0人であり、第1のF3bz8es層の光学特性を改善
する物質としては、実施例1と同様KBAを用い、員度
を5原子俤とする。この時の、反射率と5b2Sej(
BA )膜厚の関係を第4図に示す。
曲M 10,11は記録前、曲線12は記録後の反射率
でるり5lR1d11および12は本発明忙よるもので
あり、薦腋10は8bzSes膜中にBふが混入してい
ないものである。第4図でわかるように、5bzf3e
s膜の複素屈Fr率をBbを混入させることKよシ、五
B−LCLIから五f3−i−α6に菱化させることK
よシ、記録前の反射″4極小値は8チとなり1目標反射
率10±2チ忙対して、第1のSb2gei層の厚さ許
容値は400±8OAとなり、BLを混入しないものに
比べ大幅に許容値が拡大されることがわかる。また、本
実施例で述べた、5bz8ei(BA)の第1層とBL
の第2層を用いる場合には、記録時(7)710熱によ
り 、BbzSesとBi、g)1a互拡散が起こ〕、
第4図に示すごとに、大きな反射率変化が生じ、極めて
良好な記録再生特性を得ることができる。
でるり5lR1d11および12は本発明忙よるもので
あり、薦腋10は8bzSes膜中にBふが混入してい
ないものである。第4図でわかるように、5bzf3e
s膜の複素屈Fr率をBbを混入させることKよシ、五
B−LCLIから五f3−i−α6に菱化させることK
よシ、記録前の反射″4極小値は8チとなり1目標反射
率10±2チ忙対して、第1のSb2gei層の厚さ許
容値は400±8OAとなり、BLを混入しないものに
比べ大幅に許容値が拡大されることがわかる。また、本
実施例で述べた、5bz8ei(BA)の第1層とBL
の第2層を用いる場合には、記録時(7)710熱によ
り 、BbzSesとBi、g)1a互拡散が起こ〕、
第4図に示すごとに、大きな反射率変化が生じ、極めて
良好な記録再生特性を得ることができる。
実施例&
実施例1で述べたTeにかえてMを第2層に用いた場合
について述べる。この場合1.直は記録光に対する光吸
収率がBb 、 ’reよシ小さに、熱伝導率が大きい
為、AJIg厚を20OAとし、一方、第1の8bxS
es層のBL混入量を10〜15%とし、その膜厚を5
0OAとすることKよ°9、第2図に示すと同様忙、記
録前の反射率極小値を8〜16慢の間に設定することが
できた。これKよF) 、5bxSes層の膜厚許容値
500±80Aft得ておシ、通常の蒸 1着膜厚
コントロール法によル管理可能な値となった。
について述べる。この場合1.直は記録光に対する光吸
収率がBb 、 ’reよシ小さに、熱伝導率が大きい
為、AJIg厚を20OAとし、一方、第1の8bxS
es層のBL混入量を10〜15%とし、その膜厚を5
0OAとすることKよ°9、第2図に示すと同様忙、記
録前の反射率極小値を8〜16慢の間に設定することが
できた。これKよF) 、5bxSes層の膜厚許容値
500±80Aft得ておシ、通常の蒸 1着膜厚
コントロール法によル管理可能な値となった。
以上の実施例では、第1の層としてSb25gg膜を用
いた場合について述べたが、5bxSesの組成は化学
量論的な値だけでな(,8bおよびSeの厘子比率がそ
れぞれ20〜60チ、および40〜80チの範囲で実用
となる。またs 5b2SesのffHcも、84、
TA、 I?L、 Sb等の化合物、Te1ex、 5
bzTei。
いた場合について述べたが、5bxSesの組成は化学
量論的な値だけでな(,8bおよびSeの厘子比率がそ
れぞれ20〜60チ、および40〜80チの範囲で実用
となる。またs 5b2SesのffHcも、84、
TA、 I?L、 Sb等の化合物、Te1ex、 5
bzTei。
1−84. IyuT−s、 In2E3匂等を用いる
ことができる。
ことができる。
更に、第1の層の光学特性を調整する為の物質としては
、BLの他に、T、、I−か、5=、’[’↓、Z4゜
Hf、 Sn、 C*、 AM、 AI、 zX、 P
4. Ta ’IF +7) 金JI7C素ヲ用いるこ
とがでよ、そして、第2の層としては、光吸収率の大き
いBit 、 TA、の他に、J、i、 C4,TA
。
、BLの他に、T、、I−か、5=、’[’↓、Z4゜
Hf、 Sn、 C*、 AM、 AI、 zX、 P
4. Ta ’IF +7) 金JI7C素ヲ用いるこ
とがでよ、そして、第2の層としては、光吸収率の大き
いBit 、 TA、の他に、J、i、 C4,TA
。
NA、A1&、AP、Cm、H24,Z4.Sa、Zz
等cQ金i4mヲ用いても本発明の効果を得られる。
等cQ金i4mヲ用いても本発明の効果を得られる。
また、上記5A施例では、記録再生の場合忙ついて述べ
たが、第1の層が消去可能な記録膜である場合について
も本発明が適用でよ、同様の効果を有することも明らか
であろう。
たが、第1の層が消去可能な記録膜である場合について
も本発明が適用でよ、同様の効果を有することも明らか
であろう。
以上のごとに、本発明によれば、情報記録媒体の記録属
形成釦おける製造歩留シな大幅に向上することができ、
光ディスクのコスト低減に多大の効果がある。
形成釦おける製造歩留シな大幅に向上することができ、
光ディスクのコスト低減に多大の効果がある。
第1図は、本発明による情報記録媒体の断面図、第2図
は本発明の前提となる情報記録媒体による第1の層の膜
厚と反射率の関係を示す図、第5図は本発明によるオー
の実施例における第1の層の膜厚と反射率の関係を示す
因、第4図は第2の実施例における第1の層の膜厚と反
射率の関係を示す図である。 1・・・基板、 2・−相転移層、 3・−光吸収層。 第 1 口 第 20 S b2Se3 fIg(A’ ) 第31!1 、!bzstJI’14(A) ?74圀 5Hs幻IIILシ(A)
は本発明の前提となる情報記録媒体による第1の層の膜
厚と反射率の関係を示す図、第5図は本発明によるオー
の実施例における第1の層の膜厚と反射率の関係を示す
因、第4図は第2の実施例における第1の層の膜厚と反
射率の関係を示す図である。 1・・・基板、 2・−相転移層、 3・−光吸収層。 第 1 口 第 20 S b2Se3 fIg(A’ ) 第31!1 、!bzstJI’14(A) ?74圀 5Hs幻IIILシ(A)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、基板上に、書き込み光に対して高光透過率の情報記
録層と高光反射率層の2層膜からなる記録膜を有し、上
記2層膜の光干渉効果を用いて書き込み前の反射率を所
望の値に設定することにより、書き込み前後の反射率変
化比を大きくした情報記録媒体において、上記光干渉効
果により得られる上記情報記録層の膜厚に対する反射率
極小値が、所望の反射率とほぼ一致するように、上記情
報記録層の光学特性を調整したことを特徴とする情報記
録媒体。 2、上記情報記録層がSe、Te、In、Sb等の化合
物がらなり、該化合物に上記情報記録層の光学特性を調
整する物質を含有させたことを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載の情報記録媒体。 3、上記含有物質がBiであることを特徴とする特許請
求の範囲第2項記載の情報記録媒体。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23495384A JPH0619856B2 (ja) | 1984-11-09 | 1984-11-09 | 情報記録媒体 |
US06/795,453 US4645712A (en) | 1984-11-09 | 1985-11-06 | Information recording medium |
DE19853539351 DE3539351A1 (de) | 1984-11-09 | 1985-11-06 | Informationsaufzeichnungstraeger |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23495384A JPH0619856B2 (ja) | 1984-11-09 | 1984-11-09 | 情報記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61115252A true JPS61115252A (ja) | 1986-06-02 |
JPH0619856B2 JPH0619856B2 (ja) | 1994-03-16 |
Family
ID=16978843
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23495384A Expired - Lifetime JPH0619856B2 (ja) | 1984-11-09 | 1984-11-09 | 情報記録媒体 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4645712A (ja) |
JP (1) | JPH0619856B2 (ja) |
DE (1) | DE3539351A1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH06223405A (ja) * | 1992-12-03 | 1994-08-12 | Hitachi Ltd | 情報記録媒体およびこれを用いた情報記録再生システム |
US10020423B2 (en) | 2009-06-26 | 2018-07-10 | University Of Surrey | Light emitting semiconductor device |
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US5018128A (en) * | 1988-02-05 | 1991-05-21 | Tandy Corporation | Apparatus and medium for recording erasable information |
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FR2882746B1 (fr) * | 2005-03-01 | 2007-04-27 | Commissariat Energie Atomique | Procede de preparation d'une solution sol-gel et utilisation de cette solution pour constituer un revetement pour proteger un substrat a surface metallique |
US11733468B2 (en) * | 2021-12-08 | 2023-08-22 | Viavi Solutions Inc. | Photonic structure using optical heater |
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US4461807A (en) * | 1980-07-25 | 1984-07-24 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Recording material |
US4460636A (en) * | 1981-03-27 | 1984-07-17 | Sony Corporation | Optical information record member |
JPS57205193A (en) * | 1981-06-12 | 1982-12-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | Optical information recording medium |
JPS5990248A (ja) * | 1982-11-15 | 1984-05-24 | Sony Corp | 情報記録媒体 |
-
1984
- 1984-11-09 JP JP23495384A patent/JPH0619856B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1985
- 1985-11-06 DE DE19853539351 patent/DE3539351A1/de not_active Ceased
- 1985-11-06 US US06/795,453 patent/US4645712A/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3539351A1 (de) | 1986-05-22 |
JPH0619856B2 (ja) | 1994-03-16 |
US4645712A (en) | 1987-02-24 |
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