JPS61110349A - 情報記録媒体 - Google Patents
情報記録媒体Info
- Publication number
- JPS61110349A JPS61110349A JP59230147A JP23014784A JPS61110349A JP S61110349 A JPS61110349 A JP S61110349A JP 59230147 A JP59230147 A JP 59230147A JP 23014784 A JP23014784 A JP 23014784A JP S61110349 A JPS61110349 A JP S61110349A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- recording medium
- information recording
- heat resistance
- recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は光学式の反射型あるいは透過型ビデオディスク
、デジタルディスク、コンピュータメモリ用ディスク等
に係〕、特に、任意の情報をディスクに書き込むのに好
適な情報記録媒体に関する。
、デジタルディスク、コンピュータメモリ用ディスク等
に係〕、特に、任意の情報をディスクに書き込むのに好
適な情報記録媒体に関する。
レーザ光の照射により情報の書き込み、および読み出し
が可能な情報記録媒体として、情報記録を光学的特性、
例えば反射率、透過基、屈折率等の変化として記録する
方法が提案されている。その中でも、特開昭５７−１５
９６９２号１％開昭５７−１８６２４５号に記載のよう
に、レーザ光に対して光吸収性が良く光を熱に変換する
効果を有する光吸収層と加熱により光学特性が変化する
相転移層の２層膜により記録膜を構成した情報記録媒体
は感度が高く高密度記録が可能である。
が可能な情報記録媒体として、情報記録を光学的特性、
例えば反射率、透過基、屈折率等の変化として記録する
方法が提案されている。その中でも、特開昭５７−１５
９６９２号１％開昭５７−１８６２４５号に記載のよう
に、レーザ光に対して光吸収性が良く光を熱に変換する
効果を有する光吸収層と加熱により光学特性が変化する
相転移層の２層膜により記録膜を構成した情報記録媒体
は感度が高く高密度記録が可能である。
しかし、記録膜ｆ：２層膜構造とする場合２層膜を構成
する物質が互いに影響を及ぼし合い、耐熱性が劣化し、
記録膜の安定性が悪く、なる点については配慮されてい
なかった。
する物質が互いに影響を及ぼし合い、耐熱性が劣化し、
記録膜の安定性が悪く、なる点については配慮されてい
なかった。
本発明の目的は、記録感度が高く耐熱性および安定性の
良い情報記録媒体を提供することにある。
良い情報記録媒体を提供することにある。
本発明は、相転移層と光吸収層との二層構造を有する情
報記録媒体において、二層間の相互拡散により該媒体の
耐熱性が劣化し、記録膜の安定性が悪くなることに着目
し、上記相転移層と光吸収層との間に両者の相互拡散を
阻止あるいは拡散速度を低下させる拡散防止層を設は九
ことｔ−特徴とする。
報記録媒体において、二層間の相互拡散により該媒体の
耐熱性が劣化し、記録膜の安定性が悪くなることに着目
し、上記相転移層と光吸収層との間に両者の相互拡散を
阻止あるいは拡散速度を低下させる拡散防止層を設は九
ことｔ−特徴とする。
以下、本発明の実施例について説明する。
実施例１
本発明における記録膜の構成を第１図に示す。
第１図に示すように、光透過性のガラス基板多るいはア
クリル樹脂等の樹脂基板４上に、書き込み光、例えば波
長８３０ｎｍの半導体レーザ光に対してその光吸収ｔが
小さく、主として熱にぶゆでその反射率、透過率等の光
学特性が変化する三セレン化アンチモンｓｂ、ｓり蒸着
膜より成る第１の層（相転移層）１全波着し、この上に
アンチモンｓｈ蒸着膜から成る第３の層（拡散防止層）
３を被着し、更に、書き込み光に対し光吸収層が高いＢ
＆蒸着膜より成る第２の層（光吸収層）２１を被着する
ことにより情報記録媒体全得た。ここで、第１および第
２の層の厚さはそれぞれ３００Ｊ および２５０Ｊ で
あｐ、拡散防止層である第３層の厚さＶｉ３０〜１ｏｏ
ｊ とした。この時の記録膜透過率の温度特性を測定
すると第２図中の曲線７〜９となる。第２図は基板４＠
から半導体レーザ光を照射しながら、基板４と共に記録
膜を加熱した時の記録膜の透過嘉金子すものであり、１
７０℃付近における急激な透過率の減少はＳｂ１５ｇ８
層の相転移によるものである。情報記録媒体としては、
記録膜の温度が相転移温度に達するまでは透過率が一定
であることが望ましく、また透過率が減少し始める温度
が高いほど耐熱性が高い。しかし、Ｓｂ、Ｓｇ、相転移
層と１３ｉ光吸収層の二層膜からなる記録膜では、５ｂ
ｔｓ ａ ｓとｓｂの相互拡散が起こ９、第２図中の点
線６で示すように８０℃程度から透過率が減少し始め、
５ｂｔＳｅ、＠の相転移が完了する１７０℃近傍まで大
きく透過率が減少し続ける。このため、このような情報
記録媒体ではその保存温度ｔ−４０℃以下の低い温度に
する必要があり、耐熱性が不充分で、長期間の保存にお
いては、相互拡散による透過率（あるいは反射率、屈折
率）変化が問題となる。これに対し、本発明のこと（、
Ｓｂ、Ｓｍ。
クリル樹脂等の樹脂基板４上に、書き込み光、例えば波
長８３０ｎｍの半導体レーザ光に対してその光吸収ｔが
小さく、主として熱にぶゆでその反射率、透過率等の光
学特性が変化する三セレン化アンチモンｓｂ、ｓり蒸着
膜より成る第１の層（相転移層）１全波着し、この上に
アンチモンｓｈ蒸着膜から成る第３の層（拡散防止層）
３を被着し、更に、書き込み光に対し光吸収層が高いＢ
＆蒸着膜より成る第２の層（光吸収層）２１を被着する
ことにより情報記録媒体全得た。ここで、第１および第
２の層の厚さはそれぞれ３００Ｊ および２５０Ｊ で
あｐ、拡散防止層である第３層の厚さＶｉ３０〜１ｏｏ
ｊ とした。この時の記録膜透過率の温度特性を測定
すると第２図中の曲線７〜９となる。第２図は基板４＠
から半導体レーザ光を照射しながら、基板４と共に記録
膜を加熱した時の記録膜の透過嘉金子すものであり、１
７０℃付近における急激な透過率の減少はＳｂ１５ｇ８
層の相転移によるものである。情報記録媒体としては、
記録膜の温度が相転移温度に達するまでは透過率が一定
であることが望ましく、また透過率が減少し始める温度
が高いほど耐熱性が高い。しかし、Ｓｂ、Ｓｇ、相転移
層と１３ｉ光吸収層の二層膜からなる記録膜では、５ｂ
ｔｓ ａ ｓとｓｂの相互拡散が起こ９、第２図中の点
線６で示すように８０℃程度から透過率が減少し始め、
５ｂｔＳｅ、＠の相転移が完了する１７０℃近傍まで大
きく透過率が減少し続ける。このため、このような情報
記録媒体ではその保存温度ｔ−４０℃以下の低い温度に
する必要があり、耐熱性が不充分で、長期間の保存にお
いては、相互拡散による透過率（あるいは反射率、屈折
率）変化が問題となる。これに対し、本発明のこと（、
Ｓｂ、Ｓｍ。
層とＢｉ層の間にｓｂ から々る拡散防止層を設ける
と、そのｓｂ層の厚さ２ ｓｏ７．６ｏＵおよび１０ｒ
：ＪＪＪとした時、第２図中でそれぞれ曲線７，８およ
び９に示すごとく記録膜の温度特性が変化し、透過率が
一定にとどまっている温度が１２０℃〜１５０℃となり
％５ｂ層が庫いほど記録膜の耐熱性が向上していること
がわかる。
と、そのｓｂ層の厚さ２ ｓｏ７．６ｏＵおよび１０ｒ
：ＪＪＪとした時、第２図中でそれぞれ曲線７，８およ
び９に示すごとく記録膜の温度特性が変化し、透過率が
一定にとどまっている温度が１２０℃〜１５０℃となり
％５ｂ層が庫いほど記録膜の耐熱性が向上していること
がわかる。
これら記録膜の記録前後の反射嘉変化金第３図に示す。
第３図における点Ｉ！１０は記録光の波長に対する記録
前の反射率を示したものであり、曲線１１，１２、およ
び１３は５ｂ拡散防止層の厚さがそれぞれ３ｏｕ 、
６ｏ、；および１００ｉのときの記録後の反射率を示す
。第３図よシ、ｓｂ拡散防止層の厚さが薄いほど記録前
後の反射嘉変化比藁ヲ大きくとることができ、情報記録
媒体としては良好な性能を得ることができることがわか
る。
前の反射率を示したものであり、曲線１１，１２、およ
び１３は５ｂ拡散防止層の厚さがそれぞれ３ｏｕ 、
６ｏ、；および１００ｉのときの記録後の反射率を示す
。第３図よシ、ｓｂ拡散防止層の厚さが薄いほど記録前
後の反射嘉変化比藁ヲ大きくとることができ、情報記録
媒体としては良好な性能を得ることができることがわか
る。
しかし、第２図で示したように、耐熱性を考慮するとｓ
ｂ拡散層の厚さは５０〜１００１が適当であり。
ｂ拡散層の厚さは５０〜１００１が適当であり。
この場合には、ｓｂ拡散防止層を用いなり場合に比べ、
記録感度およびＣ／Ｎ （キャリア信号対雑音比）をほ
とんど劣化させることカく情報記録媒体の耐熱性ｔ−４
０〜７０℃向上させることができた。以上のごとく、本
実施例によれば、拡散防止層を有する３層構造記録膜は
情報記録媒体の記録、再生性能全劣化させることなくそ
の耐熱性、および安定性を向上させるのに多大な効果を
有する。
記録感度およびＣ／Ｎ （キャリア信号対雑音比）をほ
とんど劣化させることカく情報記録媒体の耐熱性ｔ−４
０〜７０℃向上させることができた。以上のごとく、本
実施例によれば、拡散防止層を有する３層構造記録膜は
情報記録媒体の記録、再生性能全劣化させることなくそ
の耐熱性、および安定性を向上させるのに多大な効果を
有する。
実施例２
実施例１で述べたｓｂ拡散防止層にかえて１０〜Ａｔ、
Ａ４０． 、Ｓｉｎ、等ノ相互拡散防止Ｉｖｉヲ設ケル
コとにより情報記録媒体の耐熱性全高め、その光学特性
を安定化させることができ、本発明の効果金有すること
Ｆｉ容易Ｖこ理解できよう。
Ａ４０． 、Ｓｉｎ、等ノ相互拡散防止Ｉｖｉヲ設ケル
コとにより情報記録媒体の耐熱性全高め、その光学特性
を安定化させることができ、本発明の効果金有すること
Ｆｉ容易Ｖこ理解できよう。
以上のごとく、本発明によれば、情報記録媒体の耐熱性
全向上し、その安定性を高めることができるので、光デ
ィスクの寿命および用途の拡大に多大の効果がある。
全向上し、その安定性を高めることができるので、光デ
ィスクの寿命および用途の拡大に多大の効果がある。
第１図は、本発明による情報記録媒体の断面図、第２図
は、第１の実施例における情報記録媒体の透過基の温度
依存性を示す特性図、第５図は、不発明による記録前後
の反射名変化を示す特性図、第４図は、第２の実施例に
おける透過率の温度依存性を示す特性図でおる。 １・・・相転移１層 ２・・・光吸収層５０
Ａの厚さのアルミニウムＡｔ拡散防止層を用いた場合に
ついて述べる。この場合、記録膜の温度特性は第４図に
示すようになり、Ｓｂ、Ｓｇ、層が相転移する１７０℃
近傍までは透過率の変化が小さく極めて良好な耐熱性を
得ることができる。 しかし、 ＡｔＦｉ５４に比べ熱伝導上が高いため、Ａ
ｌ。 拡散防止層の厚さが大きくなると記録感度が急激に劣化
する。ＡＩ、Ｉｌｌ厚さ１０〜５０１の場合は、記録感
度低下が１０〜４０％であシ、実用に供することができ
る。 ここでは、拡散防止層としてはＡＬｆ用いたが。 コノ他に、Ｔｉ 、Ｈｆ 、Ｚｒ、Ｎｉ 、Ｃｒ 、Ａ
ｌ１．Ｓｒｓ 、Ｚｎ 、Ｃ塾、Ｍ２Ｓ１ 、Ｇａ 、
Ｔａ、’ｒｅある込はこれらを含む化合物”Ｔａ８ ｒ
ｓ参〇、 、Ｓｉ、！？、などを用りることができ、い
ずれの場合も膜厚は１０〜１００ｊが適当である。 また、相転移層として、Ｓｂ、Ｓｇ、の他に、５６Ｔａ
、Ｉｎ、５ｂ 等の化合物７’ ｍｓ ｇｌ 、Ｓ
ｈ、ｒ ｇ １ 、 Ｉ ３ｓ ｇ 、 ７ｓ、Ｔ １
３ＩζＳｍｓ等金用い、光吸収層として、Ｂｉの他にテ
ルルＴｅ１あるいはこれらの化合物を用い九場合にお因
ても、上述のごとく、中間層として５Ａ。 第１図 温度（°Ｃ）
は、第１の実施例における情報記録媒体の透過基の温度
依存性を示す特性図、第５図は、不発明による記録前後
の反射名変化を示す特性図、第４図は、第２の実施例に
おける透過率の温度依存性を示す特性図でおる。 １・・・相転移１層 ２・・・光吸収層５０
Ａの厚さのアルミニウムＡｔ拡散防止層を用いた場合に
ついて述べる。この場合、記録膜の温度特性は第４図に
示すようになり、Ｓｂ、Ｓｇ、層が相転移する１７０℃
近傍までは透過率の変化が小さく極めて良好な耐熱性を
得ることができる。 しかし、 ＡｔＦｉ５４に比べ熱伝導上が高いため、Ａ
ｌ。 拡散防止層の厚さが大きくなると記録感度が急激に劣化
する。ＡＩ、Ｉｌｌ厚さ１０〜５０１の場合は、記録感
度低下が１０〜４０％であシ、実用に供することができ
る。 ここでは、拡散防止層としてはＡＬｆ用いたが。 コノ他に、Ｔｉ 、Ｈｆ 、Ｚｒ、Ｎｉ 、Ｃｒ 、Ａ
ｌ１．Ｓｒｓ 、Ｚｎ 、Ｃ塾、Ｍ２Ｓ１ 、Ｇａ 、
Ｔａ、’ｒｅある込はこれらを含む化合物”Ｔａ８ ｒ
ｓ参〇、 、Ｓｉ、！？、などを用りることができ、い
ずれの場合も膜厚は１０〜１００ｊが適当である。 また、相転移層として、Ｓｂ、Ｓｇ、の他に、５６Ｔａ
、Ｉｎ、５ｂ 等の化合物７’ ｍｓ ｇｌ 、Ｓ
ｈ、ｒ ｇ １ 、 Ｉ ３ｓ ｇ 、 ７ｓ、Ｔ １
３ＩζＳｍｓ等金用い、光吸収層として、Ｂｉの他にテ
ルルＴｅ１あるいはこれらの化合物を用い九場合にお因
ても、上述のごとく、中間層として５Ａ。 第１図 温度（°Ｃ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上に、書き込み光に対して主として加熱により
光学的特性が変化する材料よりなる第１の層、および上
記書き込み光に対して光吸収性を有する材料よりなる第
２の層を設けた情報記録媒体において、前記第１の層と
第２の層を構成する物質の相互拡散を阻止あるいは低減
するための第３の層を前記第１の層と第２の層の間に設
けたことを特徴とする情報記録媒体。 ２、前記第１の層がＳｅ、Ｔｅ、Ｉｎ、Ｓｂ等の化合物
、前記第２の層が少なくともＢｉ又はＴｅを含む材料、
前記第３の層が少なくともＳｂ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｂｆ、Ｚ
ｒ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｓｉ
、Ｇｅ、Ｔａ、又はＴｅを含む材料であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59230147A JPH061559B2 (ja) | 1984-11-02 | 1984-11-02 | 情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59230147A JPH061559B2 (ja) | 1984-11-02 | 1984-11-02 | 情報記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61110349A true JPS61110349A (ja) | 1986-05-28 |
| JPH061559B2 JPH061559B2 (ja) | 1994-01-05 |
Family
ID=16903321
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59230147A Expired - Lifetime JPH061559B2 (ja) | 1984-11-02 | 1984-11-02 | 情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH061559B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0706177A1 (en) * | 1994-03-25 | 1996-04-10 | Toray Industries, Inc. | Optical recording medium |
| KR100263884B1 (ko) * | 1997-12-05 | 2000-09-01 | 윤종용 | 상변화형광디스크 |
| US6300039B1 (en) | 1994-03-25 | 2001-10-09 | Toray Industries, Inc. | Optical recording medium |
| CN116397200A (zh) * | 2023-06-08 | 2023-07-07 | 合肥工业大学 | 一种铜锑硒光吸收层的钼铜叠层衬底单源热蒸发制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5282414A (en) * | 1975-12-29 | 1977-07-09 | Inst Borupurobodonikofu Akadem | Electromagnetic radiation and particle radiation sensitive material |
| JPS57159692A (en) * | 1981-03-27 | 1982-10-01 | Sony Corp | Information recording medium |
| JPS59185049A (ja) * | 1983-03-28 | 1984-10-20 | エヌ・ベ−・フイリツプス・フル−イランペンフアブリケン | 光学記録デイスク |
-
1984
- 1984-11-02 JP JP59230147A patent/JPH061559B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5282414A (en) * | 1975-12-29 | 1977-07-09 | Inst Borupurobodonikofu Akadem | Electromagnetic radiation and particle radiation sensitive material |
| JPS57159692A (en) * | 1981-03-27 | 1982-10-01 | Sony Corp | Information recording medium |
| JPS59185049A (ja) * | 1983-03-28 | 1984-10-20 | エヌ・ベ−・フイリツプス・フル−イランペンフアブリケン | 光学記録デイスク |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0706177A1 (en) * | 1994-03-25 | 1996-04-10 | Toray Industries, Inc. | Optical recording medium |
| EP0706177A4 (en) * | 1994-03-25 | 1998-09-02 | Toray Industries | OPTICAL RECORDING MEDIUM |
| US6300039B1 (en) | 1994-03-25 | 2001-10-09 | Toray Industries, Inc. | Optical recording medium |
| KR100263884B1 (ko) * | 1997-12-05 | 2000-09-01 | 윤종용 | 상변화형광디스크 |
| CN116397200A (zh) * | 2023-06-08 | 2023-07-07 | 合肥工业大学 | 一种铜锑硒光吸收层的钼铜叠层衬底单源热蒸发制备方法 |
| CN116397200B (zh) * | 2023-06-08 | 2023-08-08 | 合肥工业大学 | 一种铜锑硒光吸收层的钼铜叠层衬底单源热蒸发制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH061559B2 (ja) | 1994-01-05 |
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