JPS61113079A - 静電記録装置 - Google Patents
静電記録装置Info
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- JPS61113079A JPS61113079A JP23580184A JP23580184A JPS61113079A JP S61113079 A JPS61113079 A JP S61113079A JP 23580184 A JP23580184 A JP 23580184A JP 23580184 A JP23580184 A JP 23580184A JP S61113079 A JPS61113079 A JP S61113079A
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- Japan
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- photoconductive layer
- resistance
- circuit
- resistor
- drum
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G15/00—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern
- G03G15/75—Details relating to xerographic drum, band or plate, e.g. replacing, testing
- G03G15/751—Details relating to xerographic drum, band or plate, e.g. replacing, testing relating to drum
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Discharging, Photosensitive Material Shape In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)航業上の利用分野
この発明は静電記録装置に関する。より特定的には、こ
の発明は、アモルファスシリコンのような光導電層が露
光されてそこに静電潜像が形成され、その静電潜像がト
ナーによって現像される静電記録装置に関する。
の発明は、アモルファスシリコンのような光導電層が露
光されてそこに静電潜像が形成され、その静電潜像がト
ナーによって現像される静電記録装置に関する。
←) 従来の技術
静電記録装置は1周知のように、感光体ドラムを含み、
この感光体ドラムは導電性基台に支持された光導電層を
含む。そして、その光導電層に帯電コロトロンによって
正極性の電荷が帯電され。
この感光体ドラムは導電性基台に支持された光導電層を
含む。そして、その光導電層に帯電コロトロンによって
正極性の電荷が帯電され。
その後この光導tNjが露光されることによってその光
導電層に静を潜像が形成される。その後負極性に帯電さ
れたトナーを用いてその静電潜像が現像される。
導電層に静を潜像が形成される。その後負極性に帯電さ
れたトナーを用いてその静電潜像が現像される。
このような前篭記録装置の光導電層としては。
従来、セレンが多用されている。光導電層がセレンの場
合、帯電コロトロンによって帯電されるその表面電位は
600ないし5oovとされ、そのような表面電位を得
るためには、帯電コロトロンから感光体ドラムすなわち
光導電層には20μA程度の電流が流れ込むだけであっ
た。
合、帯電コロトロンによって帯電されるその表面電位は
600ないし5oovとされ、そのような表面電位を得
るためには、帯電コロトロンから感光体ドラムすなわち
光導電層には20μA程度の電流が流れ込むだけであっ
た。
一方、最近では、このような感光体ドラムの先光導電層
として、耐磨耗性など機械的強度にすぐれたアモルファ
スシリコンを用いることが提案されかつ実現されている
(特開昭57−130058号を参照)。
として、耐磨耗性など機械的強度にすぐれたアモルファ
スシリコンを用いることが提案されかつ実現されている
(特開昭57−130058号を参照)。
光導電層がアモルファスシリコンの場合、従来のセレン
等の場合に比べて、その比抵抗が小さいので、光導電層
で高い電圧を保持することができず、その表面電位は、
たとえば、400V程度である。そして、このようにア
モルファスシリコンの光導電層に400V帯電させるた
めには、帯電コロトロンから感光体ドラムへは1通常、
200ないし250μA程度の電流が流れ込む。
等の場合に比べて、その比抵抗が小さいので、光導電層
で高い電圧を保持することができず、その表面電位は、
たとえば、400V程度である。そして、このようにア
モルファスシリコンの光導電層に400V帯電させるた
めには、帯電コロトロンから感光体ドラムへは1通常、
200ないし250μA程度の電流が流れ込む。
また、感光体ドラムから、トナーが転写されている複写
紙を分離するために、交流の分離コロトロンが用いられ
ている。
紙を分離するために、交流の分離コロトロンが用いられ
ている。
(ハ)発明が解決しようとする問題点
前述のように光導電層に200μ八以上の大きな電流が
流れると、光導電層には、帯電コロトロンの放電むらに
よる帯電むらが生じる。このような帯電むらは光導電層
における部分的な絶縁破壊を招来する。そして上述のよ
うな絶縁破壊は永久的なダメージとして残り、結果的に
、その部分には静電潜像は形成されず、したがって、い
わゆる「白ぬけ」を生じる。
流れると、光導電層には、帯電コロトロンの放電むらに
よる帯電むらが生じる。このような帯電むらは光導電層
における部分的な絶縁破壊を招来する。そして上述のよ
うな絶縁破壊は永久的なダメージとして残り、結果的に
、その部分には静電潜像は形成されず、したがって、い
わゆる「白ぬけ」を生じる。
このように、感光体としてアモルファスシリコンを主体
とする光導電層を用いる場合、その表面電位を一定以上
にするためには、大きな電流が必要であるが、他方、そ
のような大きな電流を流せば光導電層の電気的強度が劣
化し、感光体の寿命が短くなってしまうのである。
とする光導電層を用いる場合、その表面電位を一定以上
にするためには、大きな電流が必要であるが、他方、そ
のような大きな電流を流せば光導電層の電気的強度が劣
化し、感光体の寿命が短くなってしまうのである。
まだ1分離コロトロンとして交流放電タイプのものが利
用されると、光導il!層が゛この分離コロトロンの交
流放電の影響を受けて、光導電層の表面電位にむらが生
じる虞れがあった。
用されると、光導il!層が゛この分離コロトロンの交
流放電の影響を受けて、光導電層の表面電位にむらが生
じる虞れがあった。
それゆえに、この発明の主たる目的は、感光体の電気的
特性の劣化を抑制し、感光体の長寿命化を図ると共に1
表面電位の均一化をも図ることができる、静電記録装置
を提供することである。
特性の劣化を抑制し、感光体の長寿命化を図ると共に1
表面電位の均一化をも図ることができる、静電記録装置
を提供することである。
に)問題点を解決するための手段
本発明は、光導電層を有する感光体と、前記感光体の前
記光導電層に或る極性の電荷を帯電させるための帯電手
段と、前記感光体の前記光導電層を基準電位に接続する
ための抵抗手段と、この抵抗手段と協働して時定数回路
を形成するためのリアクタンス手段とが具備されている
静電記録装置である。
記光導電層に或る極性の電荷を帯電させるための帯電手
段と、前記感光体の前記光導電層を基準電位に接続する
ための抵抗手段と、この抵抗手段と協働して時定数回路
を形成するためのリアクタンス手段とが具備されている
静電記録装置である。
(ホ)作 用
導電性基台と基準電位との間に抵抗が接続されていると
、感光体ドラムの光導電層に電流が流れるとき、この抵
抗によってバイアス電圧が発生される。光導電層の表面
電位は光導電層の電荷とバイアス電圧とによって一定に
保持されるとともに。
、感光体ドラムの光導電層に電流が流れるとき、この抵
抗によってバイアス電圧が発生される。光導電層の表面
電位は光導電層の電荷とバイアス電圧とによって一定に
保持されるとともに。
抵抗によって光導電層に流れ込む電流量が減少される。
また、前記抵抗と協働して時定数回路を形成するための
リアクタンス手段が設けられていると、この時定数回路
によって、分離コロトロンの交流放電に伴う交流成分の
流れ込みが防止される。従って光導電層の表面電位が均
一化される。
リアクタンス手段が設けられていると、この時定数回路
によって、分離コロトロンの交流放電に伴う交流成分の
流れ込みが防止される。従って光導電層の表面電位が均
一化される。
(へ)実施例
第1図はこの発明が適用され得る静電記録装置の一例と
しての電子複写機を示す構造図である。
しての電子複写機を示す構造図である。
この発明は、このような電子複写機の他に、たとえばプ
リンタ、ファクシミリまたはその他のもののように、光
導電層が帯電された後露光されてその光導電層に静電潜
像が形成されるような、全ての静電記録装置に適用でき
るものである。ということを予め指摘しておく。
リンタ、ファクシミリまたはその他のもののように、光
導電層が帯電された後露光されてその光導電層に静電潜
像が形成されるような、全ての静電記録装置に適用でき
るものである。ということを予め指摘しておく。
まず、この発明の理解に必要な範囲でこの電子複写機に
ついて概略的に説明する。電子複写機10は機体12を
含み、この機体12の上面には。
ついて概略的に説明する。電子複写機10は機体12を
含み、この機体12の上面には。
その上に原稿(図示せず)を載せるだめの原稿台14が
、矢印方向に移動ないし摺動可能に設けられる。機体1
2の上面にはスリットが形成され、そのスリットに関連
して1機体12内には、たとえばハロゲンランプのよう
な光源16が固定的に設けられる。この光源16に関連
して、その断面が橢円形の反射鏡が設けられ、光源16
からの光は、この反射鏡によって反射されて原稿台14
上に載せられた原稿に照射される。したがって、原稿台
14が矢印方向へ移動されることに応じて。
、矢印方向に移動ないし摺動可能に設けられる。機体1
2の上面にはスリットが形成され、そのスリットに関連
して1機体12内には、たとえばハロゲンランプのよう
な光源16が固定的に設けられる。この光源16に関連
して、その断面が橢円形の反射鏡が設けられ、光源16
からの光は、この反射鏡によって反射されて原稿台14
上に載せられた原稿に照射される。したがって、原稿台
14が矢印方向へ移動されることに応じて。
原稿が上述のスリットを介して光源からの光を受けてそ
れを反射する。原稿からの反射光すなわち原稿像はその
スリットの下方に固定的に設けられた短焦点レンズアレ
イ18を通して感光体ドラム20上に投影され結像され
る。この短焦点レンズアレイ18は、多数のロッドレン
ズを密接配列した集束性光伝導体からなる。なお、この
ような短焦点レンズアレイ18は、他のブラスチッグレ
ンズアレイや通常の凸レンズに代えられてもよいことは
勿論である。
れを反射する。原稿からの反射光すなわち原稿像はその
スリットの下方に固定的に設けられた短焦点レンズアレ
イ18を通して感光体ドラム20上に投影され結像され
る。この短焦点レンズアレイ18は、多数のロッドレン
ズを密接配列した集束性光伝導体からなる。なお、この
ような短焦点レンズアレイ18は、他のブラスチッグレ
ンズアレイや通常の凸レンズに代えられてもよいことは
勿論である。
感光体ドラム20は、この電子複写装置1oの機体12
内のほぼ中央に配置され、駆動源(図示せず)によって
原稿台14の移動と同期して1時計方向に回転される。
内のほぼ中央に配置され、駆動源(図示せず)によって
原稿台14の移動と同期して1時計方向に回転される。
感光体ドラム20は、第3図に示すように、導電性基台
20aおよびその上に積層的に形成されたアモルファス
シリコンからなる光導電層201)を含む。また、感光
体ドラム20の周囲には、その回転方向の順に、帯電コ
ロトロン22、現像装置24.給紙装置26.転写コロ
トロン′501分離コロトロン!+2およびクリーニン
グ装置40が配列されている。
20aおよびその上に積層的に形成されたアモルファス
シリコンからなる光導電層201)を含む。また、感光
体ドラム20の周囲には、その回転方向の順に、帯電コ
ロトロン22、現像装置24.給紙装置26.転写コロ
トロン′501分離コロトロン!+2およびクリーニン
グ装置40が配列されている。
帯電コロトロン22は、感光体ドラム20上に原稿像が
結像されるより前に、この感光体ドラム20の光導電層
201) (第5図)上に均一に或る極性たとえば正極
性の電荷を帯電させるためのものであり、図示しない直
流高圧室隙に接続される。
結像されるより前に、この感光体ドラム20の光導電層
201) (第5図)上に均一に或る極性たとえば正極
性の電荷を帯電させるためのものであり、図示しない直
流高圧室隙に接続される。
この帯電コロトロン22によって帯電された感光体ドラ
ム20上に短焦点レンズアレイ18を通して原稿像が照
射されると、この感光体ドラム20の光導電層201)
の光導電特性に応じて、感光体ドラム20上に静電潜像
が形成される。
ム20上に短焦点レンズアレイ18を通して原稿像が照
射されると、この感光体ドラム20の光導電層201)
の光導電特性に応じて、感光体ドラム20上に静電潜像
が形成される。
現像装置24は、そのような感光体ドラム2゜上に形成
された静電潜像を或る極性たとえば負極性に帯電された
トナーによって可視像に現像するためのものであり1周
知のように、トナーボックスや磁気ブラシなどを含む。
された静電潜像を或る極性たとえば負極性に帯電された
トナーによって可視像に現像するためのものであり1周
知のように、トナーボックスや磁気ブラシなどを含む。
給紙装置26は給紙カセット(図示せず)内に積層され
た紙28を、1枚ずつ感光体ドラム2゜の表面にもたら
すためのものである。その目的で給紙装置26には、給
紙ローラ27およびレジスタローラ29が含まれる。給
紙ローラ27は1図示しない駆動装置によって時計方向
に回転され。
た紙28を、1枚ずつ感光体ドラム2゜の表面にもたら
すためのものである。その目的で給紙装置26には、給
紙ローラ27およびレジスタローラ29が含まれる。給
紙ローラ27は1図示しない駆動装置によって時計方向
に回転され。
その周面に接触した紙28をレジスタローラ29方向に
取シ込む。レジスタローラ29は給紙ローラ27によっ
て給送された紙を適当なタイミングで感光体ドラム20
の方向に送り込むだめのものである。
取シ込む。レジスタローラ29は給紙ローラ27によっ
て給送された紙を適当なタイミングで感光体ドラム20
の方向に送り込むだめのものである。
このようにして給紙装置26がら給送された紙は、感光
体ドラム20の表面に接触した状態で感光体ドラム20
の回転に応じて転写コロトロン30の位置にもたらされ
る。この転写コロトロン30は、現像装置24のトナー
とは逆極性の電荷を発生する。しだがって、感光体ドラ
ム20上にトナー像を形成していたトナーが、転写コロ
トロン30の電界に引かれて紙28上に転写される。
体ドラム20の表面に接触した状態で感光体ドラム20
の回転に応じて転写コロトロン30の位置にもたらされ
る。この転写コロトロン30は、現像装置24のトナー
とは逆極性の電荷を発生する。しだがって、感光体ドラ
ム20上にトナー像を形成していたトナーが、転写コロ
トロン30の電界に引かれて紙28上に転写される。
分離コロトロン62は、上述の転写の際に感光体ドラム
20上に密着しようとする紙を、その感光体ドラム20
から分離するためのものであり。
20上に密着しようとする紙を、その感光体ドラム20
から分離するためのものであり。
たとえば交流コロナ放電器からなる。分離コロトロン5
2によって分離された紙は、その搬送方向下流側に設け
られた搬送コンベア34によってさ仇て搬送される。
2によって分離された紙は、その搬送方向下流側に設け
られた搬送コンベア34によってさ仇て搬送される。
この搬送コンベア!14は、駆動源(図示せず)によっ
て駆動されるメツシュ状のエンドレスベルトと、そのエ
ンドレスベルトの下方に設けられたバキュームユニット
とを含む。したがって1紙はメツシュベルト上にもたら
されてバキュームユニットによって吸引され、ベルトの
移送にともなって、定着装置66方向に搬送される。
て駆動されるメツシュ状のエンドレスベルトと、そのエ
ンドレスベルトの下方に設けられたバキュームユニット
とを含む。したがって1紙はメツシュベルト上にもたら
されてバキュームユニットによって吸引され、ベルトの
移送にともなって、定着装置66方向に搬送される。
搬送コンベア34の上方には、感光体ドラム20に関連
してクリーニング装置40が設けられる。
してクリーニング装置40が設けられる。
このクリーニング装置40は、感光体ドラム20上のト
ナー像が紙に転写された後、この感光体ドラム20上に
残存するトナーを除去するためのものである。その目的
で、このクリーニング装置40は、感光体ドクム20の
表面に当接して残存トナーを掻き落とすだめのブレード
やそのようにして掻き落とされたトナーを収納するボッ
クスなどを含む。
ナー像が紙に転写された後、この感光体ドラム20上に
残存するトナーを除去するためのものである。その目的
で、このクリーニング装置40は、感光体ドクム20の
表面に当接して残存トナーを掻き落とすだめのブレード
やそのようにして掻き落とされたトナーを収納するボッ
クスなどを含む。
定着装置56は、電気ヒータを内蔵した加熱ローラと、
この加熱ローラに対して先にトナー像が転写された紙を
押しつけるだめの加圧ローラとを含む。したがって、こ
の2つのローラの間を紙が通過する際、その紙の上に転
写されたトナーが。
この加熱ローラに対して先にトナー像が転写された紙を
押しつけるだめの加圧ローラとを含む。したがって、こ
の2つのローラの間を紙が通過する際、その紙の上に転
写されたトナーが。
加熱ローラによって溶融され、加圧ローラによって紙の
組織内部に押し込まれ、トナー像が紙に定着されるので
ある。その後1紙28は、排紙ローラによって排紙トレ
イ38上に排出される。
組織内部に押し込まれ、トナー像が紙に定着されるので
ある。その後1紙28は、排紙ローラによって排紙トレ
イ38上に排出される。
機体12内には、制御ボックス42が設けられ。
この制御ボックス42内には、上述のようカシステムの
全体的な動作を制御するための電気回路を形成するプリ
ント基板(図示せず)などが収納されている。
全体的な動作を制御するための電気回路を形成するプリ
ント基板(図示せず)などが収納されている。
さらに1機体12内の下部には、電源ユニット44が収
納される。この1LT6tユニツト44には。
納される。この1LT6tユニツト44には。
図示しないそれぞれの駆動源たとえばモータに電力を供
給するための駆動用電源および帯電コロトロン22およ
び転写コロトロン60に直流訓電圧を印加するための直
流高圧電源や分離コロトロン32にダ流高圧を印加する
ための変流高圧電源などが含まれる。
給するための駆動用電源および帯電コロトロン22およ
び転写コロトロン60に直流訓電圧を印加するための直
流高圧電源や分離コロトロン32にダ流高圧を印加する
ための変流高圧電源などが含まれる。
第1図のような電子複写装置10において、原稿台14
上に原稿が載せられ、スタートボタン(図示せず)を押
すと、原稿台14が矢印方向に移動し、光源16によっ
て形成された光像が短焦点レンズアレイ18を通して感
光体ドラム20上に照射される。これに先だって、感光
体ドラム20が、第2図□□□)に示すように駆動源(
図示せず)によって回転開始されている。その感光体ド
ラム20の回転開始の後、第2図(B)に示すように、
タイミング10で、帯電コロトロン22による放電が開
放される。そのために、感光体ドラム20の該当部分が
短焦点レンズアレイ18の直下に遅するまでには、その
部分は帯電コロトロン22によって所定の電荷が帯電さ
れている。その後、上述の露光が行われ、光導電層20
1)の露光された部分に静電潜像が形成される。つぎに
、第2[J(0)に示すように、タイミングt1で現像
装置24が作動し、ついで、第2図の)に示すように、
タイミングt2で転写コロトロン60および分離コロト
ロン32が作動を開始する。
上に原稿が載せられ、スタートボタン(図示せず)を押
すと、原稿台14が矢印方向に移動し、光源16によっ
て形成された光像が短焦点レンズアレイ18を通して感
光体ドラム20上に照射される。これに先だって、感光
体ドラム20が、第2図□□□)に示すように駆動源(
図示せず)によって回転開始されている。その感光体ド
ラム20の回転開始の後、第2図(B)に示すように、
タイミング10で、帯電コロトロン22による放電が開
放される。そのために、感光体ドラム20の該当部分が
短焦点レンズアレイ18の直下に遅するまでには、その
部分は帯電コロトロン22によって所定の電荷が帯電さ
れている。その後、上述の露光が行われ、光導電層20
1)の露光された部分に静電潜像が形成される。つぎに
、第2[J(0)に示すように、タイミングt1で現像
装置24が作動し、ついで、第2図の)に示すように、
タイミングt2で転写コロトロン60および分離コロト
ロン32が作動を開始する。
#43図はこの発明の一実施例を示す回路図である。こ
の第3図に示すように、感光体ドラム20は、たとえば
アルミニウムないしは類似の金属材料からなる円筒状の
基台20&と、この基台20a上に形成された光’S’
NE論20 bとを含み、この光導電層20bは、−例
として、アモルファスシリコンによって形成される。こ
のようなアモルファスシリコンとしては、たとえば先に
引用した特開昭57−150038号公報に開示されて
いるものが利用可能である。そして、その感光体ドラム
20の周辺には、上述のように、帯電コロトロン22が
設けられ、この帯電フロトロン22は。
の第3図に示すように、感光体ドラム20は、たとえば
アルミニウムないしは類似の金属材料からなる円筒状の
基台20&と、この基台20a上に形成された光’S’
NE論20 bとを含み、この光導電層20bは、−例
として、アモルファスシリコンによって形成される。こ
のようなアモルファスシリコンとしては、たとえば先に
引用した特開昭57−150038号公報に開示されて
いるものが利用可能である。そして、その感光体ドラム
20の周辺には、上述のように、帯電コロトロン22が
設けられ、この帯電フロトロン22は。
電源ユニット44(第1図)に含まれる直流高圧電源4
41に接続される。
41に接続される。
一方、感光体ドラム20の基台20&は、抵抗回路46
を通して基準電位す力わちアース電位に接続される。抵
抗回路46は、抵抗461を含み。
を通して基準電位す力わちアース電位に接続される。抵
抗回路46は、抵抗461を含み。
更にこの抵抗461に並列的に接続されたコンデンサ4
62を含む。抵抗461とコンデンサ462とが用いら
れることにより、この抵抗回路46は充放電回路すなわ
ち時定数回路として形成される。
62を含む。抵抗461とコンデンサ462とが用いら
れることにより、この抵抗回路46は充放電回路すなわ
ち時定数回路として形成される。
この第3図実施例は、第4図に示す等価回路で表すこと
ができる。すなわち、感光体ドラム2゜の光導電層20
)は、抵抗およびコンデンサの並列回路として考えるこ
とができ、その抵抗およびコンデンサのそれぞれの値は
、前述の露光によって変化する。
ができる。すなわち、感光体ドラム2゜の光導電層20
)は、抵抗およびコンデンサの並列回路として考えるこ
とができ、その抵抗およびコンデンサのそれぞれの値は
、前述の露光によって変化する。
この発明は、このような抵抗回路46を用いて感光体ド
ラム20に流れる電流(Id)を小さくし、しかも感光
体ドラム20の光導電層の表面電位(Vs)を一定値た
とえば400vに維持せんとするものである。すなわち
、抵抗回路46に含まれる抵抗461によって、そのド
ラム電流(Id)が制限され、その抵抗461の両端に
生じる電圧がバイアス電圧(yblas) として表
面電位(VS)を持ち上げるために利用される。
ラム20に流れる電流(Id)を小さくし、しかも感光
体ドラム20の光導電層の表面電位(Vs)を一定値た
とえば400vに維持せんとするものである。すなわち
、抵抗回路46に含まれる抵抗461によって、そのド
ラム電流(Id)が制限され、その抵抗461の両端に
生じる電圧がバイアス電圧(yblas) として表
面電位(VS)を持ち上げるために利用される。
抵抗回路46によるバイアス効果は基本的には。
その抵抗回路46に電流が流れている期間においてのみ
発輝されるものであり、そして、その電流が流れるのは
、露光時にその光導電層に流れる電流は小さく殆ど無視
できるので、第2図の)およびの)において“ON−で
示す期間である。なお、感光体ドラム20の表面電位は
、第2図(0)に示すような、現像期間において、現像
バイアスに対して或る程度以上大きいことが要求される
。
発輝されるものであり、そして、その電流が流れるのは
、露光時にその光導電層に流れる電流は小さく殆ど無視
できるので、第2図の)およびの)において“ON−で
示す期間である。なお、感光体ドラム20の表面電位は
、第2図(0)に示すような、現像期間において、現像
バイアスに対して或る程度以上大きいことが要求される
。
そして1発明者は、抵抗回路46の効果を確聰するため
に、抵抗回路46における各エレメントの値を種々に変
更して、実験しだ。実験では、第5図に示すような測定
回路を用いて、感光体ドラム20へ流れ込むドラム電流
(I(1)、感光体ドラム20の表面電位(v8)およ
び抵抗回路46によるバイアス電圧(Vbias)を測
定した。
に、抵抗回路46における各エレメントの値を種々に変
更して、実験しだ。実験では、第5図に示すような測定
回路を用いて、感光体ドラム20へ流れ込むドラム電流
(I(1)、感光体ドラム20の表面電位(v8)およ
び抵抗回路46によるバイアス電圧(Vbias)を測
定した。
具体的には、感光体ドラム20の近傍に表面電位計48
が設置され、感光体ドラム20と抵抗回路46との間に
は直流電流計50が接続される。
が設置され、感光体ドラム20と抵抗回路46との間に
は直流電流計50が接続される。
そして、抵抗回路46に含まれる抵抗461の適当な箇
所からバイアス電圧(またはそれに比例した電圧)が取
り出される。表面電位計48によって測定された表面電
位(v8)および抵抗回路46によるバイアス電圧(y
bias)は、ともに。
所からバイアス電圧(またはそれに比例した電圧)が取
り出される。表面電位計48によって測定された表面電
位(v8)および抵抗回路46によるバイアス電圧(y
bias)は、ともに。
2ペンレコーダ52に与えラレル。2ペアし1− 。
ダ52では1表面型位(Vs)およびバイアス電圧(v
bias)のそれぞれの波形が別々のペンで所定の記録
用紙に記録される。
bias)のそれぞれの波形が別々のペンで所定の記録
用紙に記録される。
次に、第3図ないし第15図を参照して、実験結果につ
いて説明する。
いて説明する。
第3図は抵抗回路46(@5図)がない場合のすなわち
先行技術の表面電位(Vs)およびバイアス電圧(vb
ias)を示す波形図である。
先行技術の表面電位(Vs)およびバイアス電圧(vb
ias)を示す波形図である。
まず、その抵抗値が1MΩの抵抗461のみが含まれる
抵抗回路46 (第3図)が接続されている。この場合
、表面電位(VS−)およびバイアス電圧(ybias
)は、それぞれ、$7図に示すようになる。この第7図
かられかるように、感光体ドラム20すなわち光導電層
2011と接地電位との間に抵抗回路46が接続される
と、その光導電層201)に電流が流れるとき、抵抗4
61の両端に、第7図の下段に示すようなバイアス電圧
(Vbias)が生じる。光導電層201)の表面電位
(VS)は′W46図に示す従来例と同じように、はぼ
400vとする。この表面電位(v8)は、第4図@)
の等価回路かられかるように、感光体ドラム20の電圧
と上述のバイアス電圧(ybiaa)との和である。バ
イアス電圧は、この第7図の場合、約200vでおり、
したがって、感光体ドラム20それ自体は200v程度
の電圧を分担するだけでよいことになる。このようにし
て、感光体ドラム20によって負担されるべき電圧を従
来の400vから200vに下げることができるので。
抵抗回路46 (第3図)が接続されている。この場合
、表面電位(VS−)およびバイアス電圧(ybias
)は、それぞれ、$7図に示すようになる。この第7図
かられかるように、感光体ドラム20すなわち光導電層
2011と接地電位との間に抵抗回路46が接続される
と、その光導電層201)に電流が流れるとき、抵抗4
61の両端に、第7図の下段に示すようなバイアス電圧
(Vbias)が生じる。光導電層201)の表面電位
(VS)は′W46図に示す従来例と同じように、はぼ
400vとする。この表面電位(v8)は、第4図@)
の等価回路かられかるように、感光体ドラム20の電圧
と上述のバイアス電圧(ybiaa)との和である。バ
イアス電圧は、この第7図の場合、約200vでおり、
したがって、感光体ドラム20それ自体は200v程度
の電圧を分担するだけでよいことになる。このようにし
て、感光体ドラム20によって負担されるべき電圧を従
来の400vから200vに下げることができるので。
感光体ドラム20の負担が軽減されるばかシでなく、電
流計50(第5図)に流れるドラム電流(工a)は従来
より小さくなる。具体的には、電流(1(1)は、第3
図で示す従来の場合約265μAであったが、第7図に
示す場合約17′5μAであった。
流計50(第5図)に流れるドラム電流(工a)は従来
より小さくなる。具体的には、電流(1(1)は、第3
図で示す従来の場合約265μAであったが、第7図に
示す場合約17′5μAであった。
第7図に示す例では、抵抗回路46の抵抗461の作用
によって、バイアス電圧(V’bias)そしてそれゆ
えに表面電位(v8)に分離コロトロン32 (弔1図
)の影響を受ける。これは、感光体ドラム20の基台2
0aが1MΩの抵抗461を介してアースに接続される
ためである。このような交流高圧の影響を除去するため
には、抵抗回路46の抵抗461に並列にコンデンサ4
62を接続すればよい。
によって、バイアス電圧(V’bias)そしてそれゆ
えに表面電位(v8)に分離コロトロン32 (弔1図
)の影響を受ける。これは、感光体ドラム20の基台2
0aが1MΩの抵抗461を介してアースに接続される
ためである。このような交流高圧の影響を除去するため
には、抵抗回路46の抵抗461に並列にコンデンサ4
62を接続すればよい。
第8図は抵抗回路46として1MΩの抵抗461とそれ
に並列接続された0、047μFのコンデンサ462と
を用いた場合のバイアス電圧および表面電位の波形図で
ある。この第8図かられかるように、抵抗461に並列
にたとえば0.047μF程度のごく小さい容量のコン
デンサ462を接続するだけで、第7因のような交流高
圧の影響を除去することができる。この第8図に示す例
ではコンタクf462のリアクタンスによってドラム電
流(I(L)が影響を受けるが、コンデンサ462の容
量がごく小さいので、その電流(Id)は第7因の場合
と同じように約17!1μ八程度であった。
に並列接続された0、047μFのコンデンサ462と
を用いた場合のバイアス電圧および表面電位の波形図で
ある。この第8図かられかるように、抵抗461に並列
にたとえば0.047μF程度のごく小さい容量のコン
デンサ462を接続するだけで、第7因のような交流高
圧の影響を除去することができる。この第8図に示す例
ではコンタクf462のリアクタンスによってドラム電
流(I(L)が影響を受けるが、コンデンサ462の容
量がごく小さいので、その電流(Id)は第7因の場合
と同じように約17!1μ八程度であった。
第9図は抵抗回路46として11・(Ωの抵抗461と
05μFのコンデンサ462とを用いた場合の波形図で
ある。この場合には、抵抗461とコンデンサ462と
によって或る大きさの時定数を有する時定数回路が構成
され、その時定数に応じて、バイアス電圧(Vbias
)が、第9図のように指数関数的に増加し、約200v
に達する。表面電位(Vs )は必要な値たとえば40
0vに維持される。そのため、感光体ドラム20(光導
電lm20’EI)で保持すべき電圧は約200vでよ
い。
05μFのコンデンサ462とを用いた場合の波形図で
ある。この場合には、抵抗461とコンデンサ462と
によって或る大きさの時定数を有する時定数回路が構成
され、その時定数に応じて、バイアス電圧(Vbias
)が、第9図のように指数関数的に増加し、約200v
に達する。表面電位(Vs )は必要な値たとえば40
0vに維持される。そのため、感光体ドラム20(光導
電lm20’EI)で保持すべき電圧は約200vでよ
い。
一方、コンデンサ462のリアクタンスによってドラム
電流(Ia)は、やや増加し、約175μAとなる。
電流(Ia)は、やや増加し、約175μAとなる。
第10図は抵抗回路46として1MΩの抵抗461と1
μFのコンデンサ462とを接続した場合の波形図であ
る。この第10図の例では、抵抗461とコンデンサ4
62とによる時定数が大きくなシ抵抗回路46によるバ
イアス電圧(vbia8)は約100V程度と小さくな
り、したがってドラム電流(I(1)は、この第10図
の場合、約210μAとなる。
μFのコンデンサ462とを接続した場合の波形図であ
る。この第10図の例では、抵抗461とコンデンサ4
62とによる時定数が大きくなシ抵抗回路46によるバ
イアス電圧(vbia8)は約100V程度と小さくな
り、したがってドラム電流(I(1)は、この第10図
の場合、約210μAとなる。
さらに、第11図は、′&抗回路46として1MΩの抵
抗461および2.2μFのコンデンサ462を用いた
場合の波形図であり、第12図はそのコンデンサ462
の値を4.7μFとした場合の波形図である。いずれの
場合もコンデンサ462のリアクタンスが大きく影響し
、バイアス電圧(Vbias)が小さくなり、それに応
じてドラム電流(工d)が大きくなっている。ドラム電
流(Id)は、第11図の場合、約210μAとなシ。
抗461および2.2μFのコンデンサ462を用いた
場合の波形図であり、第12図はそのコンデンサ462
の値を4.7μFとした場合の波形図である。いずれの
場合もコンデンサ462のリアクタンスが大きく影響し
、バイアス電圧(Vbias)が小さくなり、それに応
じてドラム電流(工d)が大きくなっている。ドラム電
流(Id)は、第11図の場合、約210μAとなシ。
第12図の場合、約218μAとなる。
第13図は抵抗回路46として0.1MΩの抵抗461
だけを用いた場合のバイアス電圧と表面電位の波形を示
す。この第13図の場合、抵抗回路46における抵抗が
非常に小さいので、そのバイアス電圧も非常に小さいが
、それでもドラム電流(ra)を約230μA程度と、
第3図に示す従来例に比べて、小さくすることができる
。
だけを用いた場合のバイアス電圧と表面電位の波形を示
す。この第13図の場合、抵抗回路46における抵抗が
非常に小さいので、そのバイアス電圧も非常に小さいが
、それでもドラム電流(ra)を約230μA程度と、
第3図に示す従来例に比べて、小さくすることができる
。
第13図の例では、抵抗回路46には抵抗461しか含
まれていないので、先の第7図と同じように、交流成分
の影響を受ける。したがって、このような交流成分の影
響を除去するためには、コンデンサ462を用いればよ
い。
まれていないので、先の第7図と同じように、交流成分
の影響を受ける。したがって、このような交流成分の影
響を除去するためには、コンデンサ462を用いればよ
い。
第14図は抵抗回路46として0. I MΩの抵抗4
61と0.047μFのコンデンサ462とを用いた場
合の波形図を示す。この第14図では、交流成分は殆ど
現れていない。
61と0.047μFのコンデンサ462とを用いた場
合の波形図を示す。この第14図では、交流成分は殆ど
現れていない。
第15図は抵抗回路46として3MΩの抵抗461と2
.2μFのコンデンサ462とを用いた場合の波形図で
ある。この場合、バイアス電圧は約100v程度となり
、ドラム電流(ra)は約215μAであった。
.2μFのコンデンサ462とを用いた場合の波形図で
ある。この場合、バイアス電圧は約100v程度となり
、ドラム電流(ra)は約215μAであった。
この一連の実験の結果が次表に示されている。
以下余白
ここで、第16図を参照して、感光体ドラム20と基準
電位との間に抵抗回路46を接続する具体的な方法の一
例について説明する。
電位との間に抵抗回路46を接続する具体的な方法の一
例について説明する。
感光体ドラム20はシャフト201によって機体12に
回転自在に支持される。感光体ドラム20の一端にはた
とえば合成樹脂のような絶縁材料からなるフランジ20
2が取シ付けられていて、他端には基台20aと同じよ
うな導電材料からなるフランジ206が取り付けられる
。フランジ202は金属のような導電材料からなる歯車
204と一体化されている。この歯車204の周側面に
は駆動源(図示せず)に連結された歯車205が噛み合
わされろ。導電性フランジ203は絶縁性スリーブ20
6と一体化され、このスリーブ206がシャフト201
に固着されている。なお、シャフト201と機体12と
の間には、それぞれベアリング207および208が介
挿されている。
回転自在に支持される。感光体ドラム20の一端にはた
とえば合成樹脂のような絶縁材料からなるフランジ20
2が取シ付けられていて、他端には基台20aと同じよ
うな導電材料からなるフランジ206が取り付けられる
。フランジ202は金属のような導電材料からなる歯車
204と一体化されている。この歯車204の周側面に
は駆動源(図示せず)に連結された歯車205が噛み合
わされろ。導電性フランジ203は絶縁性スリーブ20
6と一体化され、このスリーブ206がシャフト201
に固着されている。なお、シャフト201と機体12と
の間には、それぞれベアリング207および208が介
挿されている。
駆動源(図示せず)によって歯車205が回されると、
それに噛み合う歯車204が回り、したがって感光体ド
ラム20が先に説明したようにシャフト201を中心と
してその時計方向に回転される。
それに噛み合う歯車204が回り、したがって感光体ド
ラム20が先に説明したようにシャフト201を中心と
してその時計方向に回転される。
感光体ドラム20の他方端の導電性フランジ203の端
面には、支持台210に取り付けられた導電ブラシ20
9の先端が接触される。そして、この導電ブラシ209
の一端が、抵抗回路46を通して、接地される。
面には、支持台210に取り付けられた導電ブラシ20
9の先端が接触される。そして、この導電ブラシ209
の一端が、抵抗回路46を通して、接地される。
なお、この抵抗回路46は、制御ボックス42(第1図
)に収納されるプリント基板(図示せず)上に形成され
ればよい。
)に収納されるプリント基板(図示せず)上に形成され
ればよい。
抵抗回路46を接続する他の方法は、当業者なら容易に
推考できようが、要は、導電性基台2゜(ト)発明の効
果 この発明は、感光体の光導電層を抵抗手段およびリアク
タンス手段を介して基準電位たとえばアース電位に接続
するようにした、静電記録装置である。
推考できようが、要は、導電性基台2゜(ト)発明の効
果 この発明は、感光体の光導電層を抵抗手段およびリアク
タンス手段を介して基準電位たとえばアース電位に接続
するようにした、静電記録装置である。
この発明によれば、光導電層の表面電位がその光導電層
自体およびその光導電層と基準電位との間に接続されて
いる抵抗手段とに分割され、抵抗手段がバイアスとして
の機能を果たし、光導電層の表面電位そのものは十分大
きな値に維持され得る。したがって、光導電層それ自体
で保持すべき電圧が従来のものにくらべて小さくでき、
したがって、もし、光導電層がアモルファスシリコンの
ような比抵抗の小さい材料からなるものであっても、従
来のように感光体に大きな電流を流す必要がなく、光導
電層すなわち感光体に流れ込む電流量は小さくてよい。
自体およびその光導電層と基準電位との間に接続されて
いる抵抗手段とに分割され、抵抗手段がバイアスとして
の機能を果たし、光導電層の表面電位そのものは十分大
きな値に維持され得る。したがって、光導電層それ自体
で保持すべき電圧が従来のものにくらべて小さくでき、
したがって、もし、光導電層がアモルファスシリコンの
ような比抵抗の小さい材料からなるものであっても、従
来のように感光体に大きな電流を流す必要がなく、光導
電層すなわち感光体に流れ込む電流量は小さくてよい。
また、抵抗手段とリアクタンス手段にて構成されている
時定数回路によって、分離コロトロンの交流放電に伴う
交流成分の流れ込みが防止される。
時定数回路によって、分離コロトロンの交流放電に伴う
交流成分の流れ込みが防止される。
したがって、この発明によれば、光導電層の帯電むらを
解消することができると共に、感光体の電気的強度の劣
化が少なくなり、より長寿命の静電記録装置が得られる
。
解消することができると共に、感光体の電気的強度の劣
化が少なくなり、より長寿命の静電記録装置が得られる
。
第1図はこの発明が適用され得る電子複写機を示す構造
図である。 第2図は第1図に示す電子複写機の動作を概略的に説明
するためのタイミング図である。 第3図はこの発明の一実施例を示す電気回路図第5図は
表面電位およびドラム電流などを測定するための測定装
置を示す回路図である。 第3図は従来の技術における光導電層の表面電位の波形
を示すグラフである。 第7図ないし第15図は、それぞれ、この発明に従った
それぞれ異なる実施例における光導電層の表面電位とバ
イアス電位との波形を示すグラフである。 第16図は要部を示す縦断面図である。 C!■・・・感光体ドラム、(20a)・・・導電性基
台、(20b)・・・光導電層、(イ)・・・帯電コロ
トロン、61山・・・抵抗回路(時定数回路)、(46
1)・・・抵抗、(462)・・・コンデンサ。 区 )9 −−
図である。 第2図は第1図に示す電子複写機の動作を概略的に説明
するためのタイミング図である。 第3図はこの発明の一実施例を示す電気回路図第5図は
表面電位およびドラム電流などを測定するための測定装
置を示す回路図である。 第3図は従来の技術における光導電層の表面電位の波形
を示すグラフである。 第7図ないし第15図は、それぞれ、この発明に従った
それぞれ異なる実施例における光導電層の表面電位とバ
イアス電位との波形を示すグラフである。 第16図は要部を示す縦断面図である。 C!■・・・感光体ドラム、(20a)・・・導電性基
台、(20b)・・・光導電層、(イ)・・・帯電コロ
トロン、61山・・・抵抗回路(時定数回路)、(46
1)・・・抵抗、(462)・・・コンデンサ。 区 )9 −−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、光導電層を有する感光体と、前記感光体の前記光導
電層に或る極性の電荷を帯電させるための帯電手段と、
前記感光体の前記光導電層を基準電位に接続するための
抵抗手段と、この抵抗手段と協働して時定数回路を形成
するためのリアクタンス手段とが具備されている静電記
録装置。 2、感光体はその上に前記光導電層が形成される導電性
基台を含み、前記抵抗手段は前記導電性基台と前記基準
電位との間に接続される特許請求の範囲第1項記載の静
電記録装置。 3、光導電層はアモルファスシリコンからなり、抵抗手
段の抵抗値は0.1ないし10MΩに選ばれる特許請求
の範囲第1項若しくは第2項記載の静電記録装置。 4、リアクタンス手段はキャパシタ手段を含む特許請求
の範囲第1項ないし第3項のいずれかに記載の静電記録
装置。 5、光導電層はアモルファスシリコンからなり、キャパ
シタ手段のキャパシタンス値は0.01ないし10μF
に選ばれる特許請求の範囲第4項記載の静電記録装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23580184A JPS61113079A (ja) | 1984-11-08 | 1984-11-08 | 静電記録装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23580184A JPS61113079A (ja) | 1984-11-08 | 1984-11-08 | 静電記録装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61113079A true JPS61113079A (ja) | 1986-05-30 |
Family
ID=16991454
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23580184A Pending JPS61113079A (ja) | 1984-11-08 | 1984-11-08 | 静電記録装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61113079A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5313359A (en) * | 1991-05-30 | 1994-05-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Excessive current preventing device for the contact charging of a photosensitive layer |
US7505705B2 (en) * | 2006-03-06 | 2009-03-17 | Lexmark International, Inc. | Electrical discharging of image transfer assemblies |
-
1984
- 1984-11-08 JP JP23580184A patent/JPS61113079A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5313359A (en) * | 1991-05-30 | 1994-05-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Excessive current preventing device for the contact charging of a photosensitive layer |
US7505705B2 (en) * | 2006-03-06 | 2009-03-17 | Lexmark International, Inc. | Electrical discharging of image transfer assemblies |
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