JPS61111534A - Ｘ線露光装置 - Google Patents
Ｘ線露光装置Info
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- JPS61111534A JPS61111534A JP60215084A JP21508485A JPS61111534A JP S61111534 A JPS61111534 A JP S61111534A JP 60215084 A JP60215084 A JP 60215084A JP 21508485 A JP21508485 A JP 21508485A JP S61111534 A JPS61111534 A JP S61111534A
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- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 8
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- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はエックス線露元装電などに関し、特にマスクパ
ターンをエックス線により半導体ウェハ上に露光する装
置などに関するものである。
ターンをエックス線により半導体ウェハ上に露光する装
置などに関するものである。
ｘｉ露光装置として、第１図に示すように真空系６内の
水冷アルミニウム製回転ターゲット３に電子１１ｊ４を
当ててＸ線を発生させ、このＸ線５をターゲットより約
３０ｃｍ離れたマスク２を通して半導体ウェハ１上に露
光させるものが提案されている。このような装置におい
ては、あらゆる方向ＫＸ線が発生し、指向性が良（ない
ためＫ、マスクとウェハを１０μｍ以下程度に極めて近
接した状態で露光を施す必要があり、この接近中の制御
がむずかしく上記間隔Ｈの制御はかなりの熟練を要する
作業となる。また、ウェハとマスクとの位置合わせ又は
目合わせ操作は第２図に示すごとく透明なマスク２上の
金（Ａｕ）のマスクパターン７と半導体ウェハ１上のパ
ターンとを光（可視光）の焦点深厩内で各々の反射光パ
ターンをマスク上から見ながら行うことが必要であり、
従ってマスりはＸ線に対して透明であると同時忙光学的
にも透明な材料で基体部を構成する必要がある等の制限
がある。
水冷アルミニウム製回転ターゲット３に電子１１ｊ４を
当ててＸ線を発生させ、このＸ線５をターゲットより約
３０ｃｍ離れたマスク２を通して半導体ウェハ１上に露
光させるものが提案されている。このような装置におい
ては、あらゆる方向ＫＸ線が発生し、指向性が良（ない
ためＫ、マスクとウェハを１０μｍ以下程度に極めて近
接した状態で露光を施す必要があり、この接近中の制御
がむずかしく上記間隔Ｈの制御はかなりの熟練を要する
作業となる。また、ウェハとマスクとの位置合わせ又は
目合わせ操作は第２図に示すごとく透明なマスク２上の
金（Ａｕ）のマスクパターン７と半導体ウェハ１上のパ
ターンとを光（可視光）の焦点深厩内で各々の反射光パ
ターンをマスク上から見ながら行うことが必要であり、
従ってマスりはＸ線に対して透明であると同時忙光学的
にも透明な材料で基体部を構成する必要がある等の制限
がある。
尚、Ｘ線があらゆる方向に発生するＸ線源を用いたＸ線
露光方法については、特開昭５４−４８１７４に記載さ
れている。
露光方法については、特開昭５４−４８１７４に記載さ
れている。
本発明は上述の如き従来技術の欠点を解消しうる改良さ
れたＸ線露光装置などを提供する目的でなされたもので
ある。
れたＸ線露光装置などを提供する目的でなされたもので
ある。
更に具体的には、本発明はウニ／％とマスクとの間の間
隔を太き（取ることができ、マスク材が光学的にも不透
明でよい状態での高精度合せ機能をもつＸ線露光装置を
提供することを目的とする。
隔を太き（取ることができ、マスク材が光学的にも不透
明でよい状態での高精度合せ機能をもつＸ線露光装置を
提供することを目的とする。
本発明の一実施例によれば、マスクとフェノ１（被露光
体）とを１０〜数１０關程度の間隔をおいて平行に固定
し、上記マスクとフェノ・にはそれぞれ独立の入射光す
なわち光線を与えてそれぞれの表面から光学的に位置信
号を得て両者間の位置合わせな行ない１例えばシンクロ
トロンの如き高い指向性を有てるＸ線を発生しうるＸ線
源機構を用いて露光を施こすことなどによってその目的
を達成することができる。
体）とを１０〜数１０關程度の間隔をおいて平行に固定
し、上記マスクとフェノ・にはそれぞれ独立の入射光す
なわち光線を与えてそれぞれの表面から光学的に位置信
号を得て両者間の位置合わせな行ない１例えばシンクロ
トロンの如き高い指向性を有てるＸ線を発生しうるＸ線
源機構を用いて露光を施こすことなどによってその目的
を達成することができる。
以下１本発明の一実施例を図面を参考にして説明する。
まず、第３図は本発明の一実施例において用いられるシ
ンクロトロンによる指向性の良いＸ線の発生を説明する
ためのものであり、加速された電子ｅ−の回転軌道の接
１ｆｆＡ−Ａ’方向にψ及びθなる角をもったＸ絹１５
が発生する。例えばθ値は１ミリラジアン、ψ値は１０
ミリラジアン程度である・ 今、この指向性の良いＸ線源を用いて露光する場合につ
いて説明すると、第４図に示すごとく、ＸＩＩＦ、１５
０指向性がよいためにマスク１２と半導体ウェハ１１と
の間の間隔は数ｃｒｎ離しても転写図形鞘度はさほど劣
化せず、そのためマスク１２とウェハ１１とは各々独立
の可視領域の光学系により入射光１９．１８と反射光の
出し入れが可能となり、各々のパターン図形に一致した
元図形信号（位置信号）を検出手段２０により検知して
ウェハとマスクの位置関係を制御し正確に位置合せを行
うことが可能となる。なお、同図において１７は例えば
金（Ａｕ）等のＸ線を透過しない材料で形成されたマス
クパターンを、１４はミラーを、１６はハーフミラ−を
夫々示している。また、被露光体である半導体フェノＳ
１１には予じめその内部及び表面上に半導体拡散領域や
５ｉ０２等の絶縁膜が形成されており同図では簡略化の
ため省略されている。
ンクロトロンによる指向性の良いＸ線の発生を説明する
ためのものであり、加速された電子ｅ−の回転軌道の接
１ｆｆＡ−Ａ’方向にψ及びθなる角をもったＸ絹１５
が発生する。例えばθ値は１ミリラジアン、ψ値は１０
ミリラジアン程度である・ 今、この指向性の良いＸ線源を用いて露光する場合につ
いて説明すると、第４図に示すごとく、ＸＩＩＦ、１５
０指向性がよいためにマスク１２と半導体ウェハ１１と
の間の間隔は数ｃｒｎ離しても転写図形鞘度はさほど劣
化せず、そのためマスク１２とウェハ１１とは各々独立
の可視領域の光学系により入射光１９．１８と反射光の
出し入れが可能となり、各々のパターン図形に一致した
元図形信号（位置信号）を検出手段２０により検知して
ウェハとマスクの位置関係を制御し正確に位置合せを行
うことが可能となる。なお、同図において１７は例えば
金（Ａｕ）等のＸ線を透過しない材料で形成されたマス
クパターンを、１４はミラーを、１６はハーフミラ−を
夫々示している。また、被露光体である半導体フェノＳ
１１には予じめその内部及び表面上に半導体拡散領域や
５ｉ０２等の絶縁膜が形成されており同図では簡略化の
ため省略されている。
上記の如き本発明の一実施例に係る装置によれば、マス
ク１２０基体はあえて光学的に（可視光領域で）透明で
ある必要はなく、例えば炭素（カーボン）の如く、光学
的に不透明でもＸ線に対し透過率の良い材料で構成する
ことができるので、比較的安価な露光装置をうろことが
できる。又。
ク１２０基体はあえて光学的に（可視光領域で）透明で
ある必要はなく、例えば炭素（カーボン）の如く、光学
的に不透明でもＸ線に対し透過率の良い材料で構成する
ことができるので、比較的安価な露光装置をうろことが
できる。又。
炭素以外にもべＩＪ １７ウム又はそれらの化合物を基
材とするマスクなども使用することができる。
材とするマスクなども使用することができる。
更Ｋ、本発明の一実施例に係る装置によれば、ウェハ（
被露光体）のパターン図形信号をマスク基板を透過せず
に独立に、又、Ｘ線露光系とは分離して、検出すること
ができ、従りて又、Ｘ線源をマスクのほぼ中心位置の上
方に設置することができ、より正確な位置合せ操作及び
露光などが簡単にできる。
被露光体）のパターン図形信号をマスク基板を透過せず
に独立に、又、Ｘ線露光系とは分離して、検出すること
ができ、従りて又、Ｘ線源をマスクのほぼ中心位置の上
方に設置することができ、より正確な位置合せ操作及び
露光などが簡単にできる。
次忙、第５図をもとに本発明に係る具体的な露光装置の
一例を説明する。
一例を説明する。
第５図は本発明の一実施例を示す模式図であり、シリコ
ンウェハ２１と炭素（カーボン）基板で作られたマスク
２２とは約１０朋程度の間隔をおいて平行に固定され５
両者の位置合せ又は目合わせは、光源３１からの光（可
視光）３２をノ・−フミラー３３によって二分して上記
フェノ・２１およびマスク２２上にそれぞれ独立して入
射せしめて得られろ二つの反射光３４および３５をミラ
ー２４および２６によって一つの元軸３８上に合成し、
適宜の光学系３９を介して上記ウニ／・２１およびマス
ク２２のパターンの一致を検知手段（例えば目）３０に
よって観測することによってなされる。
ンウェハ２１と炭素（カーボン）基板で作られたマスク
２２とは約１０朋程度の間隔をおいて平行に固定され５
両者の位置合せ又は目合わせは、光源３１からの光（可
視光）３２をノ・−フミラー３３によって二分して上記
フェノ・２１およびマスク２２上にそれぞれ独立して入
射せしめて得られろ二つの反射光３４および３５をミラ
ー２４および２６によって一つの元軸３８上に合成し、
適宜の光学系３９を介して上記ウニ／・２１およびマス
ク２２のパターンの一致を検知手段（例えば目）３０に
よって観測することによってなされる。
露光はシンクロトロン２３かも放射される指向性の高い
Ｘ線２５によってなされる。ここで、シンクロトロン２
３においては、加速された電子の回転軌道の接線方向に
ψおよびθの角度で拡がるＸ線２５が発生するが、上記
ψは１０ミリラジアン、θは１ミリラジアン程度であり
、その指向性は極めて高く、前記ウェハ２１とマスク２
２との間隔を１０〜数１０真冨程度に広げてもマスクパ
ターン２７のウェハ上への投影精度はほとんど劣化する
ことがない。
Ｘ線２５によってなされる。ここで、シンクロトロン２
３においては、加速された電子の回転軌道の接線方向に
ψおよびθの角度で拡がるＸ線２５が発生するが、上記
ψは１０ミリラジアン、θは１ミリラジアン程度であり
、その指向性は極めて高く、前記ウェハ２１とマスク２
２との間隔を１０〜数１０真冨程度に広げてもマスクパ
ターン２７のウェハ上への投影精度はほとんど劣化する
ことがない。
以上述べた如く本発明の一実施例によれば、マスク上か
らウェハな透視することなく高精度の目合わせが可能で
あり、したがってマスク基体材料に必ずしも透明性の材
料を用いる必要はなく、可視光に対し不透明であるが軟
ｘａｉｃ対して透過性の良い材料を用いることが可能と
なり、しかも位置合せ、露光等の精度及び操作性なども
改善される。
らウェハな透視することなく高精度の目合わせが可能で
あり、したがってマスク基体材料に必ずしも透明性の材
料を用いる必要はなく、可視光に対し不透明であるが軟
ｘａｉｃ対して透過性の良い材料を用いることが可能と
なり、しかも位置合せ、露光等の精度及び操作性なども
改善される。
第１図及び第２図はＸ線露光装置を説明するだめの模式
図、第３図は本発明の一実施例に係るＸｎ露光装置ＩＣ
使用されるシンクロトロンによるＸ線発生装置の模式図
、第４図は本発明の一実施例に係るＸａ露光装置を説明
するための模式図、第５図は本発明の一実施例によるＸ
線露光装置の構成図である。 １．１１．２１・・・半導体ウェハ、２．ｉ２゜２２・
・・マスク、９，３１・・・光源、８．１４．１６゜２
４．２６．３３．３６・・・ミラー、１０．２０゜３０
・・・パターン信号検出手段、３９・・・光学系、２３
・・・シンクロトロン。 第 １ 図 第 ２ 間第
５ 図
図、第３図は本発明の一実施例に係るＸｎ露光装置ＩＣ
使用されるシンクロトロンによるＸ線発生装置の模式図
、第４図は本発明の一実施例に係るＸａ露光装置を説明
するための模式図、第５図は本発明の一実施例によるＸ
線露光装置の構成図である。 １．１１．２１・・・半導体ウェハ、２．ｉ２゜２２・
・・マスク、９，３１・・・光源、８．１４．１６゜２
４．２６．３３．３６・・・ミラー、１０．２０゜３０
・・・パターン信号検出手段、３９・・・光学系、２３
・・・シンクロトロン。 第 １ 図 第 ２ 間第
５ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、（ａ）マスクと被露光体とを間隔をおいて設置する
機構と （ｂ）上記マスクと上記被露光体とにそれぞれ光線を入
射し、表面の形状を光学的な信号として検出する機構と （ｃ）Ｘ線源機構と からなることを特徴とするＸ線露光装置。 ２、上記信号が上記マスクと上記被露光体とにそれぞれ
描かれた図形からの位置信号であることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載のＸ線露光装置。 ３、上記光学的な信号のうちの１つは上記マスクの設置
される箇所に挾まれた空間に直接入射した光線を上記空
間より直接とり出すことによって得られる位置信号であ
り、また、上記Ｘ線源機構がシンクロトロンからなるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のＸ線露光装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60215084A JPS61111534A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | Ｘ線露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60215084A JPS61111534A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | Ｘ線露光装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1977079A Division JPS55113330A (en) | 1979-02-23 | 1979-02-23 | X-ray exposure system and device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61111534A true JPS61111534A (ja) | 1986-05-29 |
| JPS62571B2 JPS62571B2 (ja) | 1987-01-08 |
Family
ID=16666483
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60215084A Granted JPS61111534A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | Ｘ線露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61111534A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5057778A (ja) * | 1973-09-17 | 1975-05-20 | ||
| JPS5057656A (ja) * | 1973-09-17 | 1975-05-20 |
-
1985
- 1985-09-30 JP JP60215084A patent/JPS61111534A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5057778A (ja) * | 1973-09-17 | 1975-05-20 | ||
| JPS5057656A (ja) * | 1973-09-17 | 1975-05-20 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62571B2 (ja) | 1987-01-08 |
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