JP2836198B2 - 投影装置およびアライメント方法 - Google Patents
投影装置およびアライメント方法Info
- Publication number
- JP2836198B2 JP2836198B2 JP2154403A JP15440390A JP2836198B2 JP 2836198 B2 JP2836198 B2 JP 2836198B2 JP 2154403 A JP2154403 A JP 2154403A JP 15440390 A JP15440390 A JP 15440390A JP 2836198 B2 JP2836198 B2 JP 2836198B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- slit
- crystal
- gantry
- operating
- monochromator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、例えばLSIの製造プロセスにおけるＸ線リ
ソグラフィ工程で使用する投影装置およびアライメント
方法に関するものである 〔従来の技術〕 従来、この種の投影装置は第８図に示すように構成さ
れている。これを同図に基づいて概略説明すると、同図
において、符号１はストレージリング、２はモノクロメ
ータ、３はサンプルチェンバー、４はスリット、５はモ
ノクロ結晶、６は放射光である。
ソグラフィ工程で使用する投影装置およびアライメント
方法に関するものである 〔従来の技術〕 従来、この種の投影装置は第８図に示すように構成さ
れている。これを同図に基づいて概略説明すると、同図
において、符号１はストレージリング、２はモノクロメ
ータ、３はサンプルチェンバー、４はスリット、５はモ
ノクロ結晶、６は放射光である。
このように構成された投影装置においては、ストレー
ジリング１で発生する放射光６がスリット４によって整
形され後、モノクロメータ２内のモノクロ結晶によって
単色化されてサンプルチェンバー３内に導入されること
によりビームラインをアライメントすることができる。
なお、このアライメントは、モノクロメータ２およびサ
ンプルチェンバー３等の各構成部品が相互に独立して動
作可能であることから、光路が妨げられずに行われる。
ジリング１で発生する放射光６がスリット４によって整
形され後、モノクロメータ２内のモノクロ結晶によって
単色化されてサンプルチェンバー３内に導入されること
によりビームラインをアライメントすることができる。
なお、このアライメントは、モノクロメータ２およびサ
ンプルチェンバー３等の各構成部品が相互に独立して動
作可能であることから、光路が妨げられずに行われる。
ところで、この種の投影装置およびアライメント方法
においては、アライメント時にモノクロメータ２および
サンプルチェンバー３等の各構成部品を単独に動作させ
る機能しか備えておらず、このためガイドラインや回動
中心が一定せず、特にビームラインの立ち上がり時にア
ライメント誤差が大きくなり、アライメント精度が低下
するという問題があった。また、アライメント時に各構
成部品が単独に動作する機能しかもたないことは、スト
レージリング１の近い側の構成部品を動作させた場合に
は遠い側の構成部品を動作させる必要が生じ、アライメ
ントに多大の時間を費やすという問題もあった。
においては、アライメント時にモノクロメータ２および
サンプルチェンバー３等の各構成部品を単独に動作させ
る機能しか備えておらず、このためガイドラインや回動
中心が一定せず、特にビームラインの立ち上がり時にア
ライメント誤差が大きくなり、アライメント精度が低下
するという問題があった。また、アライメント時に各構
成部品が単独に動作する機能しかもたないことは、スト
レージリング１の近い側の構成部品を動作させた場合に
は遠い側の構成部品を動作させる必要が生じ、アライメ
ントに多大の時間を費やすという問題もあった。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、ア
ライメント精度を高めることができると共に、アライメ
ントに費やす時間を短縮することができる投影装置およ
びアライメント方法を提供するものである。
ライメント精度を高めることができると共に、アライメ
ントに費やす時間を短縮することができる投影装置およ
びアライメント方法を提供するものである。
〔課題を解決するための手段〕 本発明に係る投影装置は、ビーム発生源を基準点に動
作する第１架台と、この第１架台上に設けられ第１スリ
ットの開口を基準部として動作する第２架台と、この第
２架台上に設けられモノクロ結晶を内蔵する動作可能な
モノクロメータを基準部として動作する第３架台と、こ
の第３架台上に設けられかつモノクロメータのビーム下
流側に設けられた第２スリットと、この第２スリットの
ビーム下流側に設けられかつ第３架台上に動作可能に設
けられ単結晶を搭載する第１駆動手段と、この第１駆動
手段のビーム下流側に設けられかつ第３架台上に動作可
能に設けられ被投影部材を搭載する第２駆動手段とを備
えたものである。
作する第１架台と、この第１架台上に設けられ第１スリ
ットの開口を基準部として動作する第２架台と、この第
２架台上に設けられモノクロ結晶を内蔵する動作可能な
モノクロメータを基準部として動作する第３架台と、こ
の第３架台上に設けられかつモノクロメータのビーム下
流側に設けられた第２スリットと、この第２スリットの
ビーム下流側に設けられかつ第３架台上に動作可能に設
けられ単結晶を搭載する第１駆動手段と、この第１駆動
手段のビーム下流側に設けられかつ第３架台上に動作可
能に設けられ被投影部材を搭載する第２駆動手段とを備
えたものである。
また、本発明の別の発明に係るアライメント方法は、
予めビーム軌道と異なる位置にモノクロ結晶を後退さ
せ、モノクロメータ内をビームが通過してビームカウン
タに到達するように第１スリットの開口を基準部として
第２架台を動作させる工程と、ビームカウンタに到達す
るビームの強度が最大となるようにビーム発生源を基準
部として第１架台を動作させる工程と、ビーム軌道上に
モノクロ結晶を前進させた後、ビームがビームカウンタ
に到達するようにモノクロメータを動作させる工程と、
第２駆動手段上に被投影部材の代わりに第３スリットを
位置付け、この第３スリットの開口をビームが通過して
ビームカウンタに到達するようにモノクロ結晶を動作さ
せる工程と、第１駆動手段上に単結晶の代わりに第４ス
リットを位置付け、この第４スリットおよび第２スリッ
トの開口を通過するようにモノクロ結晶を基準部として
第３架台を動作させる工程と、モノクロ結晶を基準部と
して第４スリットを微動させることにより第３スリット
の開口と第４スリットの開口の位置合わせをする工程
と、この第４スリットの代わりに単結晶を第１駆動手段
上に位置付け、この単結晶を回動させることにより単結
晶軸の傾きを補正した後、第４スリットの開口を通過し
てビームカウンタに到達するように単結晶を水平方向と
垂直方向に移動させる工程と、第３スリットの代わりに
半導体ウエハを位置付けると共に、第１スリットの代わ
りに２開口を有する第５スリットを位置付け、この第５
スリットの２開口を通過したビームが第１アライメント
マークに照射するようにモノクロ結晶を動作させた後、
第４スリットの代わりに被投影部材を第１駆動手段上に
位置付け、単結晶を出射したビームが第２アライメント
マークを照射するように被投影部材を動作させる工程と
を備えたものである。
予めビーム軌道と異なる位置にモノクロ結晶を後退さ
せ、モノクロメータ内をビームが通過してビームカウン
タに到達するように第１スリットの開口を基準部として
第２架台を動作させる工程と、ビームカウンタに到達す
るビームの強度が最大となるようにビーム発生源を基準
部として第１架台を動作させる工程と、ビーム軌道上に
モノクロ結晶を前進させた後、ビームがビームカウンタ
に到達するようにモノクロメータを動作させる工程と、
第２駆動手段上に被投影部材の代わりに第３スリットを
位置付け、この第３スリットの開口をビームが通過して
ビームカウンタに到達するようにモノクロ結晶を動作さ
せる工程と、第１駆動手段上に単結晶の代わりに第４ス
リットを位置付け、この第４スリットおよび第２スリッ
トの開口を通過するようにモノクロ結晶を基準部として
第３架台を動作させる工程と、モノクロ結晶を基準部と
して第４スリットを微動させることにより第３スリット
の開口と第４スリットの開口の位置合わせをする工程
と、この第４スリットの代わりに単結晶を第１駆動手段
上に位置付け、この単結晶を回動させることにより単結
晶軸の傾きを補正した後、第４スリットの開口を通過し
てビームカウンタに到達するように単結晶を水平方向と
垂直方向に移動させる工程と、第３スリットの代わりに
半導体ウエハを位置付けると共に、第１スリットの代わ
りに２開口を有する第５スリットを位置付け、この第５
スリットの２開口を通過したビームが第１アライメント
マークに照射するようにモノクロ結晶を動作させた後、
第４スリットの代わりに被投影部材を第１駆動手段上に
位置付け、単結晶を出射したビームが第２アライメント
マークを照射するように被投影部材を動作させる工程と
を備えたものである。
本発明およびこの発明の別の発明においては、アライ
メント時に第１架台の動作によって第２架台および第３
架台を動作させることができ、第２架台の動作によって
第３架台を動作させることができると共に、モノクロメ
ータ内のモノクロ結晶および第３架台上の単結晶と被投
影部材を動作させることができる。
メント時に第１架台の動作によって第２架台および第３
架台を動作させることができ、第２架台の動作によって
第３架台を動作させることができると共に、モノクロメ
ータ内のモノクロ結晶および第３架台上の単結晶と被投
影部材を動作させることができる。
以下、本発明の構成等を図に示す実施例によって詳細
に説明する。
に説明する。
第１図は本発明に係る投影装置の概略を示す斜視図、
第２図は同じく本発明における投影装置のゴニオメータ
を示す斜視図である。同図において、符号11で示すもの
はビーム12の発生源としてのシンクロトロン13のベンデ
ィングマグネット14を基準部としてゴニオメータ15によ
って動作する第１架台、16はこの第１架台11上に設けら
れ第１スリット17のピンホール18を基準部としてゴニオ
メータ19によって動作する第２架台、20はこの第２架台
16上に設けられ第１モノクロ結晶21および第２モノクロ
結晶22を内蔵する動作可能なモノクロメータ23を基準部
としてゴニオメータ24によって回動する第３架台、25は
この第３架台20上に設けられかつ前記モノクロメータ23
のビーム下流側に設けられた第２スリット、26はこの第
２スリット25のビーム下流側に設けられかつ前記第３架
台20上に動作可能に設けられ単結晶27を搭載する第１駆
動手段としてゴニオメータ、28はこのゴニオメータ26の
ビーム下流側に設けられかつ前記第３架台20上に動作可
能に設けられた被投影部材としての半導体ウエハ29を搭
載する第２駆動手段としてのゴニオメータである。ま
た、30および31は前記第１モノクロ結晶21と第２モノク
ロ結晶22を駆動するゴニオメータである。なお、各ゴニ
オメータは、回動動作と進退動作の両機能を備えている
ものとする。また、図中矢印は各構成部品の動作方向を
示す。
第２図は同じく本発明における投影装置のゴニオメータ
を示す斜視図である。同図において、符号11で示すもの
はビーム12の発生源としてのシンクロトロン13のベンデ
ィングマグネット14を基準部としてゴニオメータ15によ
って動作する第１架台、16はこの第１架台11上に設けら
れ第１スリット17のピンホール18を基準部としてゴニオ
メータ19によって動作する第２架台、20はこの第２架台
16上に設けられ第１モノクロ結晶21および第２モノクロ
結晶22を内蔵する動作可能なモノクロメータ23を基準部
としてゴニオメータ24によって回動する第３架台、25は
この第３架台20上に設けられかつ前記モノクロメータ23
のビーム下流側に設けられた第２スリット、26はこの第
２スリット25のビーム下流側に設けられかつ前記第３架
台20上に動作可能に設けられ単結晶27を搭載する第１駆
動手段としてゴニオメータ、28はこのゴニオメータ26の
ビーム下流側に設けられかつ前記第３架台20上に動作可
能に設けられた被投影部材としての半導体ウエハ29を搭
載する第２駆動手段としてのゴニオメータである。ま
た、30および31は前記第１モノクロ結晶21と第２モノク
ロ結晶22を駆動するゴニオメータである。なお、各ゴニ
オメータは、回動動作と進退動作の両機能を備えている
ものとする。また、図中矢印は各構成部品の動作方向を
示す。
このように構成された投影装置においては、アライメ
ント時に第１架台11の動作によって第２架台16および第
３架台20を動作させることができ、第２架台16の動作に
よって第３架台20を動作させることができると共に、モ
ノクロメータ23内の第１モノクロ結晶21と第２モノクロ
結晶22および第３架台20上の単結晶27と半導体ウエハ29
を動作させることができる。
ント時に第１架台11の動作によって第２架台16および第
３架台20を動作させることができ、第２架台16の動作に
よって第３架台20を動作させることができると共に、モ
ノクロメータ23内の第１モノクロ結晶21と第２モノクロ
結晶22および第３架台20上の単結晶27と半導体ウエハ29
を動作させることができる。
したがって、本実施例においては、ガイドラインや回
動中心（基準部）を設定して各構成部品を整列させるこ
とができる。
動中心（基準部）を設定して各構成部品を整列させるこ
とができる。
また、本実施例においては、発光源としてのシンクロ
トロン13の近い側の構成部品を動作させた場合に遠い側
の構成部品をも同時に動作させることができる。
トロン13の近い側の構成部品を動作させた場合に遠い側
の構成部品をも同時に動作させることができる。
次に、本発明の別の発明におけるアライメント方法に
つき、第３図〜第７図を用いて説明する。
つき、第３図〜第７図を用いて説明する。
第３図において、シンクロトロン51のベンディング
マグネット52から出射されるビーム53を、第１スリット
54のピンホール55を通過してモノクロメータ56内に入射
させる。ここで、モノクロメータ56内のモノクロ結晶57
を予めビーム53の軌道から異なる位置に後退させ、モノ
クロメータ56内をビーム53が通過してシンチレーション
カウンタ58に到達するようにピンホール55を基準部とし
て第２架台16（第１図に図示）を同図（ａ）に矢印で示
す方向に動作させる。このとき、シンチレーションカウ
ンタ58の計数が最大となるように調整する。なお、カウ
ンタ計数値が著しく大きい場合（＞10000カウント/se
c）には、適宜アブソーバを挿入する。そして、同図
（ｂ）に破線で示すようにベンディングマグネット52を
基準部として第１架台11（第１図に図示）を動作させて
ビーム強度が最大となるように調整する。
マグネット52から出射されるビーム53を、第１スリット
54のピンホール55を通過してモノクロメータ56内に入射
させる。ここで、モノクロメータ56内のモノクロ結晶57
を予めビーム53の軌道から異なる位置に後退させ、モノ
クロメータ56内をビーム53が通過してシンチレーション
カウンタ58に到達するようにピンホール55を基準部とし
て第２架台16（第１図に図示）を同図（ａ）に矢印で示
す方向に動作させる。このとき、シンチレーションカウ
ンタ58の計数が最大となるように調整する。なお、カウ
ンタ計数値が著しく大きい場合（＞10000カウント/se
c）には、適宜アブソーバを挿入する。そして、同図
（ｂ）に破線で示すようにベンディングマグネット52を
基準部として第１架台11（第１図に図示）を動作させて
ビーム強度が最大となるように調整する。
第４図において、モノクロメータ56内のモノクロ結
晶57をビーム軌道上に前進させる。そして、ビーム53が
シンチレーションカウンタ58に到達するようにモノクロ
メータ56を同図（ａ）に示す方向に微動させ、モノクロ
結晶57の結晶面の全体にビーム53が入射するように調整
すると共に、ブラッグ条件を満足するようにビーム53の
入射角を調整する。このとき、ビーム53は、同図（ｂ）
に符号ａで示すように第１モノクロ結晶57aに入射して
第２モノクロ結晶57bから出射する。なお、シンチレー
ションカウンタ58の位置は、ビーム53の高さ変化に対応
するように設定する、同図（ｃ）において、半導体ウエ
ハ29（図示せず）の代わりに第３スリット59を位置付
け、この第３スリット59のピンホール60を通過してシン
チレーションカウンター58に到達するようにモノクロ結
晶57で矢印で示す方向に微動させる。なお、符号61は単
結晶27（第１図に図示）を駆動するゴニオメータであ
る。
晶57をビーム軌道上に前進させる。そして、ビーム53が
シンチレーションカウンタ58に到達するようにモノクロ
メータ56を同図（ａ）に示す方向に微動させ、モノクロ
結晶57の結晶面の全体にビーム53が入射するように調整
すると共に、ブラッグ条件を満足するようにビーム53の
入射角を調整する。このとき、ビーム53は、同図（ｂ）
に符号ａで示すように第１モノクロ結晶57aに入射して
第２モノクロ結晶57bから出射する。なお、シンチレー
ションカウンタ58の位置は、ビーム53の高さ変化に対応
するように設定する、同図（ｃ）において、半導体ウエ
ハ29（図示せず）の代わりに第３スリット59を位置付
け、この第３スリット59のピンホール60を通過してシン
チレーションカウンター58に到達するようにモノクロ結
晶57で矢印で示す方向に微動させる。なお、符号61は単
結晶27（第１図に図示）を駆動するゴニオメータであ
る。
第５図において、同図（ａ）に示すように単結晶27
（第１図に図示）の代わりに第４スリット62を位置付
け、この第４スリット62のピンホール63およびビーム上
流側の第２スリット64のピンホール65を通過するように
第３架台20（第１図に図示）を動作させる。このとき、
モノクロ結晶57を中心としたゴニオメータ24（第１図に
図示）の回動動作に対応させてシンチレーションカウン
タ58の計数値を最大となるように調整する。次に、同図
（ｂ）において、ゴニオメータ24の中心点Ｏ（ピンホー
ル63）を微動させることにより第４スリット62のピンホ
ール63と第３スリット59のピンホール60の位置合わせを
する。このとき、ゴニオメータ26,28（第１図に図示）
を角度α，βだけ同時に動作させてピンホール65の位置
が変化しないようにする。また、ビームの強度が最大に
なる点を検出する。
（第１図に図示）の代わりに第４スリット62を位置付
け、この第４スリット62のピンホール63およびビーム上
流側の第２スリット64のピンホール65を通過するように
第３架台20（第１図に図示）を動作させる。このとき、
モノクロ結晶57を中心としたゴニオメータ24（第１図に
図示）の回動動作に対応させてシンチレーションカウン
タ58の計数値を最大となるように調整する。次に、同図
（ｂ）において、ゴニオメータ24の中心点Ｏ（ピンホー
ル63）を微動させることにより第４スリット62のピンホ
ール63と第３スリット59のピンホール60の位置合わせを
する。このとき、ゴニオメータ26,28（第１図に図示）
を角度α，βだけ同時に動作させてピンホール65の位置
が変化しないようにする。また、ビームの強度が最大に
なる点を検出する。
第６図において、同図（ａ）に示すように第４スリ
ット62の代わりに単結晶27をゴニオメータ26（第１図に
図示）上に位置付け、この単結晶27をゴニオメータ26に
よって回動させることにより単結晶軸の傾きを補正して
垂直にする。これは、ラウエテレビ66によってモニター
される。次に、同図（ｂ）に符号67で示す水平方向に単
結晶27aを結晶面がビーム53に平行になるように微動さ
せ、ビーム径の半分が隠れるように調整する。そして、
同図（ｂ）に符号68で示す垂直方向に単結晶27bを微動
させ、第３スリット59のピンホール60を通過したビーム
53が最大となるようにωスキャン,2θ−ωスキャンを行
う。
ット62の代わりに単結晶27をゴニオメータ26（第１図に
図示）上に位置付け、この単結晶27をゴニオメータ26に
よって回動させることにより単結晶軸の傾きを補正して
垂直にする。これは、ラウエテレビ66によってモニター
される。次に、同図（ｂ）に符号67で示す水平方向に単
結晶27aを結晶面がビーム53に平行になるように微動さ
せ、ビーム径の半分が隠れるように調整する。そして、
同図（ｂ）に符号68で示す垂直方向に単結晶27bを微動
させ、第３スリット59のピンホール60を通過したビーム
53が最大となるようにωスキャン,2θ−ωスキャンを行
う。
第７図において、同図（ａ）に示すように複数個の
ピンホール69,70を有する第５スリット71を第１スリッ
ト54の代わりに位置付けると共に、第３スリット59の代
わりに半導体ウエハ29を位置付ける。このとき、２つの
ピンホール69,70を通過したビーム53は、モノクロ結晶5
7と単結晶27によって回折され半導体ウエハ29に至る。
そして、モノクロ結晶57上に描画されたマスクパターン
上のアライメントマーク72を照射する。このとき、第５
スリット71のピンホール69,70を通過するビーム53がア
ライメントマーク72の中央部を照射するように同図
（ａ）に矢印で示すようにモノクロ結晶57の位置を微調
整する。次に、同図（ｂ）に示すように半導体ウエハ29
上のアライメントマーク73を照射する。このとき、ピン
ホール69,70を通過するビーム53がアライメントマーク7
3の中央部を照射するように半導体ウエハ29を微調整す
る。
ピンホール69,70を有する第５スリット71を第１スリッ
ト54の代わりに位置付けると共に、第３スリット59の代
わりに半導体ウエハ29を位置付ける。このとき、２つの
ピンホール69,70を通過したビーム53は、モノクロ結晶5
7と単結晶27によって回折され半導体ウエハ29に至る。
そして、モノクロ結晶57上に描画されたマスクパターン
上のアライメントマーク72を照射する。このとき、第５
スリット71のピンホール69,70を通過するビーム53がア
ライメントマーク72の中央部を照射するように同図
（ａ）に矢印で示すようにモノクロ結晶57の位置を微調
整する。次に、同図（ｂ）に示すように半導体ウエハ29
上のアライメントマーク73を照射する。このとき、ピン
ホール69,70を通過するビーム53がアライメントマーク7
3の中央部を照射するように半導体ウエハ29を微調整す
る。
このようにして、グローバルアライメントが終了する
が、さらに高精度アライメントが必要な場合にはヘテロ
ダイン法を適宜用いる。
が、さらに高精度アライメントが必要な場合にはヘテロ
ダイン法を適宜用いる。
なお、本実施例においては、１個のスリットである場
合を示したが、本発明は指向性を高めるために２個のス
リットとしてもよい。
合を示したが、本発明は指向性を高めるために２個のス
リットとしてもよい。
また、本実施例においては、シンクロトロンを用いた
もの適用する例を示したが、本発明はこれに限定され
ず、通常の回折計を用いたものに適用することができ
る。
もの適用する例を示したが、本発明はこれに限定され
ず、通常の回折計を用いたものに適用することができ
る。
以上説明したように、本発明によれば、ビーム発生源
を基準点にして動作する第１架台と、この第１架台上に
設けられ第１スリットの開口を基準部として動作する第
２架台と、この第２架台上に設けられモノクロ結晶を内
蔵する動作可能なモノクロメータを基準部として動作す
る第３架台と、この第３架台上に設けられかつモノクロ
メータのビーム下流側に設けられた第２スリットと、こ
の第２スリットのビーム下流側に設けられかつ第３架台
上に動作可能に設けられ単結晶を搭載する第１駆動手段
と、この第１駆動手段のビーム下流側に設けられかつ第
３架台上に動作可能に設けられ被投影部材を搭載する第
２駆動手段とを備えたので、また、本発明の別の発明に
係るアライメント方法は、予めビーム軌道と異なる位置
にモノクロ結晶を後退させ、モノクロメータ内をビーム
が通過してビームカウンタに到達するように第１スリッ
トの開口を基準部として第２架台を動作させる工程と、
ビームカウンタに到達するビームの強度が最大となるよ
うにビーム発生源を基準部として第１架台を動作させる
工程と、ビーム軌道上にモノクロ結晶を前進させた後、
ビームがビームカウンタに到達するようにモノクロメー
タを動作させる工程と、第２駆動手段上に被投影部材の
代わりに第３スリットを位置付け、この第３スリットの
開口をビームが通過してビームカウンタに到達するよう
にモノクロ結晶を動作させる工程と、第１駆動手段上に
単結晶の代わりに第４スリットを位置付け、この第４ス
リットおよび第２スリットの開口を通過するようにモノ
クロ結晶を基準部として第３架台を動作させる工程と、
モノクロ結晶を基準部として第４スリットを微動させる
ことにより第３スリットの開口と第４スリットの開口の
位置合わせをする工程と、この第４スリットの代わりに
単結晶を第１駆動手段上に位置付け、この単結晶を回動
させることにより単結晶軸の傾きを補正した後、第４ス
リットの開口を通過してビームカウンタに到達するよう
に単結晶を水平方向と垂直方向に移動させる工程と、第
３スリットの代わりに半導体ウエハを位置付けると共
に、第１スリットの代わりに２開口を有する第５スリッ
トを位置付け、この第５スリットの２開口を通過したビ
ームが第１アライメントマークに照射するようにモノク
ロ結晶を動作させた後、第４スリットの代わりに被投影
部材を第１駆動手段上に位置付け、単結晶を出射したビ
ームが第２アライメントマークを照射するように被投影
部材を動作させる工程とを備えたので、アライメント時
に第１架台の動作によって第２架台および第３架台を動
作させることができ、第２架台の動作によって第３架台
を動作させることができると共に、モロクロメータ内の
モノクロ結晶および第３架台上の単結晶と被投影部材を
動作させることができる。したがって、ガイドラインや
回動中心を設定して各構成部品を整列させることができ
るから、アライメント精度を高めることができる。ま
た、ビームの発生源に近い側の構成部品を動作させた場
合に遠い側の構成部品をも同時に動作させることができ
るから、アライメントに費やす時間を短縮することがで
きるといった利点もある。
を基準点にして動作する第１架台と、この第１架台上に
設けられ第１スリットの開口を基準部として動作する第
２架台と、この第２架台上に設けられモノクロ結晶を内
蔵する動作可能なモノクロメータを基準部として動作す
る第３架台と、この第３架台上に設けられかつモノクロ
メータのビーム下流側に設けられた第２スリットと、こ
の第２スリットのビーム下流側に設けられかつ第３架台
上に動作可能に設けられ単結晶を搭載する第１駆動手段
と、この第１駆動手段のビーム下流側に設けられかつ第
３架台上に動作可能に設けられ被投影部材を搭載する第
２駆動手段とを備えたので、また、本発明の別の発明に
係るアライメント方法は、予めビーム軌道と異なる位置
にモノクロ結晶を後退させ、モノクロメータ内をビーム
が通過してビームカウンタに到達するように第１スリッ
トの開口を基準部として第２架台を動作させる工程と、
ビームカウンタに到達するビームの強度が最大となるよ
うにビーム発生源を基準部として第１架台を動作させる
工程と、ビーム軌道上にモノクロ結晶を前進させた後、
ビームがビームカウンタに到達するようにモノクロメー
タを動作させる工程と、第２駆動手段上に被投影部材の
代わりに第３スリットを位置付け、この第３スリットの
開口をビームが通過してビームカウンタに到達するよう
にモノクロ結晶を動作させる工程と、第１駆動手段上に
単結晶の代わりに第４スリットを位置付け、この第４ス
リットおよび第２スリットの開口を通過するようにモノ
クロ結晶を基準部として第３架台を動作させる工程と、
モノクロ結晶を基準部として第４スリットを微動させる
ことにより第３スリットの開口と第４スリットの開口の
位置合わせをする工程と、この第４スリットの代わりに
単結晶を第１駆動手段上に位置付け、この単結晶を回動
させることにより単結晶軸の傾きを補正した後、第４ス
リットの開口を通過してビームカウンタに到達するよう
に単結晶を水平方向と垂直方向に移動させる工程と、第
３スリットの代わりに半導体ウエハを位置付けると共
に、第１スリットの代わりに２開口を有する第５スリッ
トを位置付け、この第５スリットの２開口を通過したビ
ームが第１アライメントマークに照射するようにモノク
ロ結晶を動作させた後、第４スリットの代わりに被投影
部材を第１駆動手段上に位置付け、単結晶を出射したビ
ームが第２アライメントマークを照射するように被投影
部材を動作させる工程とを備えたので、アライメント時
に第１架台の動作によって第２架台および第３架台を動
作させることができ、第２架台の動作によって第３架台
を動作させることができると共に、モロクロメータ内の
モノクロ結晶および第３架台上の単結晶と被投影部材を
動作させることができる。したがって、ガイドラインや
回動中心を設定して各構成部品を整列させることができ
るから、アライメント精度を高めることができる。ま
た、ビームの発生源に近い側の構成部品を動作させた場
合に遠い側の構成部品をも同時に動作させることができ
るから、アライメントに費やす時間を短縮することがで
きるといった利点もある。
第１図は本発明に係る投影装置の概略を示す斜視図、第
２図は同じく本発明における投影装置のゴニオメータを
示す斜視図、第３図（ａ）および（ｂ）は本発明におけ
るビームラインのアライメントを説明するために示す
図、第４図（ａ）〜（ｃ）はモノクロメータのアライメ
ントを説明するために示す図、第５図（ａ）および
（ｂ）はゴニオメータのアライメントを説明するために
示す図、第６図（ａ）および（ｂ）は結晶のアライメン
トを説明するために示す図、第７図（ａ）および（ｂ）
はアライメントマーク合わせを説明するために示す図、
第８図は従来の投影装置を示す正面図である。 11……第１架台、12……ビーム、13……シンクロトロ
ン、14……ベンディングマグネット、15……ゴニオメー
タ、16……第２架台、17……第１スリット、18……ピン
ホール、19……ゴニオメータ、20……第３架台、21……
第１モノクロ結晶、22……第２モノクロ結晶、23……モ
ノクロメータ、24……ゴニオメータ、25……第２スリッ
ト、26……ゴニオメータ、27……単結晶、28……ゴニオ
メータ、29……半導体ウエハ、30,31……ゴニオメー
タ。
２図は同じく本発明における投影装置のゴニオメータを
示す斜視図、第３図（ａ）および（ｂ）は本発明におけ
るビームラインのアライメントを説明するために示す
図、第４図（ａ）〜（ｃ）はモノクロメータのアライメ
ントを説明するために示す図、第５図（ａ）および
（ｂ）はゴニオメータのアライメントを説明するために
示す図、第６図（ａ）および（ｂ）は結晶のアライメン
トを説明するために示す図、第７図（ａ）および（ｂ）
はアライメントマーク合わせを説明するために示す図、
第８図は従来の投影装置を示す正面図である。 11……第１架台、12……ビーム、13……シンクロトロ
ン、14……ベンディングマグネット、15……ゴニオメー
タ、16……第２架台、17……第１スリット、18……ピン
ホール、19……ゴニオメータ、20……第３架台、21……
第１モノクロ結晶、22……第２モノクロ結晶、23……モ
ノクロメータ、24……ゴニオメータ、25……第２スリッ
ト、26……ゴニオメータ、27……単結晶、28……ゴニオ
メータ、29……半導体ウエハ、30,31……ゴニオメー
タ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−243518（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−293634（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−75835（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−263599（ＪＰ，Ａ) 特開 昭52−107774（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−79320（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−5518（ＪＰ，Ａ) 特公 平６−79080（ＪＰ，Ｂ２) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/027
Claims (2)
- 【請求項１】ビーム発生源を基準点にして動作する第１
架台と、この第１架台上に設けられ第１スリットの開口
を基準部として動作する第２架台と、この第２架台上に
設けられモノクロ結晶を内蔵する動作可能なモノクロメ
ータを基準部として動作する第３架台と、この第３架台
上に設けられかつ前記モノクロメータのビーム下流側に
設けられた第２スリットと、この第２スリットのビーム
下流側に設けられかつ前記第３架台上に動作可能に設け
られ単結晶を搭載する第１駆動手段と、この第１駆動手
段のビーム下流側に設けられかつ前記第３架台上に動作
可能に設けられ被投影部材を搭載する第２駆動手段とを
備えたことを特徴とする投影装置。 - 【請求項２】請求項１において、予めビーム軌道と異な
る位置にモノクロ結晶を後退させ、モノクロメータ内を
ビームが通過してビームカウンタに到達するように第１
スリットの開口を基準部として第２架台を動作させる工
程と、ビームカウンタに到達するビームの強度が最大と
なるようにビーム発生源を基準部として第１架台を動作
させる工程と、ビーム軌道上にモノクロ結晶を前進させ
た後、ビームがビームカウンタに到達するようにモノク
ロメータを動作させる工程と、第２駆動手段上に被投影
部材の代わりに第３スリットを位置付け、この第３スリ
ットの開口をビームが通過してビームカウンタに到達す
るようにモノクロ結晶を動作させる工程と、第１駆動手
段上に単結晶の代わりに第４スリットを位置付け、この
第４スリットおよび第２スリットの開口を通過するよう
にモノクロ結晶を基準部として第３架台を動作させる工
程と、モノクロ結晶を基準部として第４スリットを微動
させることにより第３スリットの開口と第４スリットの
開口の位置合わせをする工程と、この第４スリットの代
わりに単結晶を第１駆動手段上に位置付け、この単結晶
を回動させることにより単結晶軸の傾きを補正した後、
第４スリットの開口を通過してビームカウンタに到達す
るように単結晶を水方向と垂直方向に移動させる工程
と、第３スリットの代わりに半導体ウエハを位置付ける
と共に、第１スリットの代わりに２開口を有する第５ス
リットを位置付け、この第５スリットの２開口を通過し
たビームが第１アライメントマークに照射するようにモ
ノクロ結晶を動作させた後、第４スリットの代わりに被
投影部材を第１駆動手段上に位置付け、単結晶を出射し
たビームが第２アライメントマークを照射するように被
投影部材を動作させる工程とを備えたことを特徴とする
アライメント方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2154403A JP2836198B2 (ja) | 1990-06-13 | 1990-06-13 | 投影装置およびアライメント方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2154403A JP2836198B2 (ja) | 1990-06-13 | 1990-06-13 | 投影装置およびアライメント方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0445513A JPH0445513A (ja) | 1992-02-14 |
| JP2836198B2 true JP2836198B2 (ja) | 1998-12-14 |
Family
ID=15583387
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2154403A Expired - Fee Related JP2836198B2 (ja) | 1990-06-13 | 1990-06-13 | 投影装置およびアライメント方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2836198B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10236640B4 (de) * | 2002-08-09 | 2004-09-16 | Siemens Ag | Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung monochromatischer Röntgenstrahlung |
| DE102004058701A1 (de) * | 2004-05-11 | 2005-12-01 | Munters Euroform Gmbh | Tropfenabscheideranordnung |
-
1990
- 1990-06-13 JP JP2154403A patent/JP2836198B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0445513A (ja) | 1992-02-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5073918A (en) | Angle detector device for silicon wafers | |
| CA1192673A (en) | X-ray lithographic system | |
| US4176281A (en) | Method for adjusting a semiconductor disk relative to a radiation mask in x-ray photolithography | |
| EP0604343A1 (en) | X-Ray beam scanning method for producing low distortion or constant distortion in X-ray Proximity printing | |
| JP2836198B2 (ja) | 投影装置およびアライメント方法 | |
| JP2001267235A (ja) | 露光装置及びその露光装置におけるフォトマスクの位置合わせ方法 | |
| JP2000035409A (ja) | Ｘ線装置及びｘ線測定方法 | |
| US5548625A (en) | Method for parallel multiple field processing in X-ray lithography | |
| JP2830868B2 (ja) | 投影露光装置及び走査露光方法 | |
| JPH0713565B2 (ja) | マスク位置合わせ方法 | |
| JP2899056B2 (ja) | 試料固定型ｘ線回折装置の光軸調整方法および装置 | |
| JPH051586B2 (ja) | ||
| JP3262831B2 (ja) | Ｘ線回折装置用ゴニオメータの光軸調整装置 | |
| JP3108448B2 (ja) | 試料水平ゴニオメ−タのセッティング方法 | |
| JP2830869B2 (ja) | 回路素子製造方法 | |
| JP3080694B2 (ja) | 露光装置 | |
| JPS62572B2 (ja) | ||
| JPH04225152A (ja) | Ｘ線自動結晶方位解析装置 | |
| JPH02302653A (ja) | ゴニオメータヘッド | |
| US3731097A (en) | Method and apparatus for eliminating spot doubling in precession x-ray crystallography | |
| JP3761721B2 (ja) | モノクロメータ装置、ｘ線装置及びモノクロメータの位置調整方法 | |
| JP2840303B2 (ja) | 露光装置 | |
| JPH01274048A (ja) | 六軸エックス線回折装置用軸合せ具 | |
| JPS61111534A (ja) | Ｘ線露光装置 | |
| JPH0254517A (ja) | 露光装置及び露光方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |