JPS61110455A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS61110455A JPS61110455A JP23021984A JP23021984A JPS61110455A JP S61110455 A JPS61110455 A JP S61110455A JP 23021984 A JP23021984 A JP 23021984A JP 23021984 A JP23021984 A JP 23021984A JP S61110455 A JPS61110455 A JP S61110455A
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- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 13
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
- H01L27/0251—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
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- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、外部回路との接続部と、本体回路との間Ｋ、
基板と反対導電形の高濃度不純物層からなる保護抵抗を
有する保護回路を備えた半導体装置に関する。
基板と反対導電形の高濃度不純物層からなる保護抵抗を
有する保護回路を備えた半導体装置に関する。
一般に半導体装置は、人体に帯電した静電荷による静電
破壊や電源投入時のサージから本体回路を保護するため
に、外部回路との接続部と、本体回路との関に、基板と
反対導電形の高濃度不純物層からなる保護抵抗を備えた
保護回路が設けられる。
破壊や電源投入時のサージから本体回路を保護するため
に、外部回路との接続部と、本体回路との関に、基板と
反対導電形の高濃度不純物層からなる保護抵抗を備えた
保護回路が設けられる。
第１図に、従来用いられているこの種の保護回路部のレ
イアウトパターンの一例を示す。同図において、１は外
部回路との接続部としてのポンディングパッドでＡＡか
も構成されるが、このポンディングパッド１からのサー
ジは、ｋｔ配線２を伝わり、コンタクト部３を介してＰ
形シリコン基板４内に形成され九ｎ 拡散層５からなる
抵抗部へ導かれた後、コンタクト部６を介してｋｌ配配
線へ伝わる。その際、保護抵抗部でその波高値は減殺さ
れ、さらに１図中省略したがｋｌ配線７にＡｔ配線７と
の間隙部は、遮光用のＡｔ配線８で覆っであるが、この
Ａｔ配線８は、Ａｔ配置９を介して接地用Ａｔ配線１０
に接続され接地される。
イアウトパターンの一例を示す。同図において、１は外
部回路との接続部としてのポンディングパッドでＡＡか
も構成されるが、このポンディングパッド１からのサー
ジは、ｋｔ配線２を伝わり、コンタクト部３を介してＰ
形シリコン基板４内に形成され九ｎ 拡散層５からなる
抵抗部へ導かれた後、コンタクト部６を介してｋｌ配配
線へ伝わる。その際、保護抵抗部でその波高値は減殺さ
れ、さらに１図中省略したがｋｌ配線７にＡｔ配線７と
の間隙部は、遮光用のＡｔ配線８で覆っであるが、この
Ａｔ配線８は、Ａｔ配置９を介して接地用Ａｔ配線１０
に接続され接地される。
また、この保護抵抗部の周囲には、ｎ 拡散層５部分の
電位を一定に保つために同じくｎ 拡散層１１からなる
ガードラインを配置しである。なお、Ａｔ配＃！８は図
中上方のＡｔ配線９と下方のｋｔ配＃ｊ９とを接続して
いるが、これは、ガードライン内のｐ形シリコン基板４
の電位を一定に保つ役割もしている。
電位を一定に保つために同じくｎ 拡散層１１からなる
ガードラインを配置しである。なお、Ａｔ配＃！８は図
中上方のＡｔ配線９と下方のｋｔ配＃ｊ９とを接続して
いるが、これは、ガードライン内のｐ形シリコン基板４
の電位を一定に保つ役割もしている。
ここで、ガードラインを構成するｎ 拡散層１１は、コ
ンタクト部１２によりその上に配置された上記ｋｌ配線
９に接続され接地用ｈｔ配線１０によ１接地されるが、
図示のよ５な従来のパターンでは、抵抗を構成する拡散
層５とＡＡ配線２とのコンタクト部３が、接地電位とな
るコンタクト部１２に対し、図中矢印で示したようにき
わめて近接して配置されているために１この部分で破壊
しやすく、十分なサージ耐圧が得られなかった。
ンタクト部１２によりその上に配置された上記ｋｌ配線
９に接続され接地用ｈｔ配線１０によ１接地されるが、
図示のよ５な従来のパターンでは、抵抗を構成する拡散
層５とＡＡ配線２とのコンタクト部３が、接地電位とな
るコンタクト部１２に対し、図中矢印で示したようにき
わめて近接して配置されているために１この部分で破壊
しやすく、十分なサージ耐圧が得られなかった。
なお、このような従来の保護回路部の構造については、
例えば近代科学社刊「ＭＯ８集積回路」監訳、武石喜幸
・金山宏、昭和４９年１月１５日出販等に開示されてい
る。
例えば近代科学社刊「ＭＯ８集積回路」監訳、武石喜幸
・金山宏、昭和４９年１月１５日出販等に開示されてい
る。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、その
目的は、保護回路のサージ耐圧を向上させた半導体装置
を提供するととＫあるつ〔発明の概要〕 このような目的な達成するためくい本発明は、ガードラ
インを構成する高濃度不純物層とその上の配線層との第
１のコンタクト部を、外部回路との接続用配線層に近接
した部分には設けず、上記接続用配線層と保護抵抗との
第２のコンタクト部と、上記第１のコンタクト部がある
部分の高濃度不純物層との間の距離を大きくとったもの
である。
目的は、保護回路のサージ耐圧を向上させた半導体装置
を提供するととＫあるつ〔発明の概要〕 このような目的な達成するためくい本発明は、ガードラ
インを構成する高濃度不純物層とその上の配線層との第
１のコンタクト部を、外部回路との接続用配線層に近接
した部分には設けず、上記接続用配線層と保護抵抗との
第２のコンタクト部と、上記第１のコンタクト部がある
部分の高濃度不純物層との間の距離を大きくとったもの
である。
次に、第２図を用いて本発明の詳細な説明する。第２図
（＆）は第１図と同様の平面パターン図、第２図（ｂ）
はｂ−ｂ断面図で、第１図と同一もしくは相当部分は同
一記号を用いて表わしている。なお、１３は眉間絶縁膜
である。
（＆）は第１図と同様の平面パターン図、第２図（ｂ）
はｂ−ｂ断面図で、第１図と同一もしくは相当部分は同
一記号を用いて表わしている。なお、１３は眉間絶縁膜
である。
第２図と第１図とを比較して明らかな通シ、本実施例で
はガードラインを構成するｎ 拡散層１１上のＡｊ配線
のパターンを、第１図の９から９Ａのように変更し、外
部回路に接続するＡｔ配置１２Ａに近接し九部分のコン
タクト部１２Ａ、１２Ｂ および１２１．１２Ｆを除去
しである。この結果、コンタクト部３に最も近い接地電
位のコンタクト部１２は、１２Ｃおよび１２Ｇとなシ、
その間の距離は第１図のコンタクト部１２Ｂないし１２
ＦＫ比較して格段に大きくなるために１耐圧が向上する
。なお、この場合、れ 拡散層１１それ自体、あるいは
Ａｔ配線１０は、本実施例においても第１図と同様に構
成されコンタクト部３に近接した部分１ｍ在しているが
、コンタクト部１２がない部分では余シ問題にならない
。すなわち、耐圧に最も直接関係するのは、外部回路に
接続するＡＬ配線２人と保護抵抗を構成するｎ 拡散層
５とを接続するコンタクト部３、これと、接地用Ａｔ配
線１０に接続するＡｔ配置１９Ａとのコンタクト部１２
がある部分のれ 拡散層１１、この両者の間の距離であ
る。
はガードラインを構成するｎ 拡散層１１上のＡｊ配線
のパターンを、第１図の９から９Ａのように変更し、外
部回路に接続するＡｔ配置１２Ａに近接し九部分のコン
タクト部１２Ａ、１２Ｂ および１２１．１２Ｆを除去
しである。この結果、コンタクト部３に最も近い接地電
位のコンタクト部１２は、１２Ｃおよび１２Ｇとなシ、
その間の距離は第１図のコンタクト部１２Ｂないし１２
ＦＫ比較して格段に大きくなるために１耐圧が向上する
。なお、この場合、れ 拡散層１１それ自体、あるいは
Ａｔ配線１０は、本実施例においても第１図と同様に構
成されコンタクト部３に近接した部分１ｍ在しているが
、コンタクト部１２がない部分では余シ問題にならない
。すなわち、耐圧に最も直接関係するのは、外部回路に
接続するＡＬ配線２人と保護抵抗を構成するｎ 拡散層
５とを接続するコンタクト部３、これと、接地用Ａｔ配
線１０に接続するＡｔ配置１９Ａとのコンタクト部１２
がある部分のれ 拡散層１１、この両者の間の距離であ
る。
本実施例ではまた、外部回路との接続部であるポンディ
ングパッド１とｎ 拡散層５とを接続するＡｔ配置１２
Ａの幅Ｗ２を５０Ｊ１ｍとし、第１図における同様のＡ
ｔ配線２の幅Ｗｌ＃４０１１ｒＩＩＫ比較して広くとっ
である。これは、電流密度を小さくして電流の集中を避
けるためで、これによりさらに耐圧を上げる効果があり
、本実施例では従来第１図のパターンにおけるｍ品４４
壬夫サージ耐圧より数十ｖＫ内向上せることができた。
ングパッド１とｎ 拡散層５とを接続するＡｔ配置１２
Ａの幅Ｗ２を５０Ｊ１ｍとし、第１図における同様のＡ
ｔ配線２の幅Ｗｌ＃４０１１ｒＩＩＫ比較して広くとっ
である。これは、電流密度を小さくして電流の集中を避
けるためで、これによりさらに耐圧を上げる効果があり
、本実施例では従来第１図のパターンにおけるｍ品４４
壬夫サージ耐圧より数十ｖＫ内向上せることができた。
なお、ここでサージ耐圧とは、２００ｐＦＫチヤージし
た電荷をスイッチを切換えてデバイスに印加し、デバイ
スが破壊されたときのコンデンサにチャージした電圧と
する（負荷抵抗ＯΩ）。
た電荷をスイッチを切換えてデバイスに印加し、デバイ
スが破壊されたときのコンデンサにチャージした電圧と
する（負荷抵抗ＯΩ）。
以上説明したように、本発明によれば、外部回路との接
続用配線層に近接した部分には、ガードラインを構成す
る接地電位の高濃度不純物層とその上の配線層とのコン
タクト部を設けないようにして、上記コンタクト部があ
る部分の高濃度不純物層と、上記接続用配線層と保護抵
抗とのコンタクト部との間の距離を大きくとるようにし
たことにより、保護回路のサージ耐圧を向上させ、半導
体装置の信頼性を向上させることができる。
続用配線層に近接した部分には、ガードラインを構成す
る接地電位の高濃度不純物層とその上の配線層とのコン
タクト部を設けないようにして、上記コンタクト部があ
る部分の高濃度不純物層と、上記接続用配線層と保護抵
抗とのコンタクト部との間の距離を大きくとるようにし
たことにより、保護回路のサージ耐圧を向上させ、半導
体装置の信頼性を向上させることができる。
第１図は従来の半導体装置の保護回路部の構成例を示す
平面パターン図、第２図（ａ）は本発明の一実施例を示
す平面パターン図、同図（ｂ）はｂ−ｂ断面図である。 １・―・争外部回路に接続するポンディングパッド、
２，２Ａ、７，８，９，９Ａ、１０・ ― 拳 −Ａ／
。 配線層、３−拳・・第２のフンタクト部、４・・・・ｐ
形シリコン基板、５・・・・保護抵抗を構成するｎ 拡
散層、６・・・・コンタクト部、１１・・・・ガードラ
イン金構成するｎ 拡散層、１２ｅ・轡−第１のコンタ
クト部。 代理人 弁理士 高 橋 明 夫 第１図
平面パターン図、第２図（ａ）は本発明の一実施例を示
す平面パターン図、同図（ｂ）はｂ−ｂ断面図である。 １・―・争外部回路に接続するポンディングパッド、
２，２Ａ、７，８，９，９Ａ、１０・ ― 拳 −Ａ／
。 配線層、３−拳・・第２のフンタクト部、４・・・・ｐ
形シリコン基板、５・・・・保護抵抗を構成するｎ 拡
散層、６・・・・コンタクト部、１１・・・・ガードラ
イン金構成するｎ 拡散層、１２ｅ・轡−第１のコンタ
クト部。 代理人 弁理士 高 橋 明 夫 第１図
Claims (1)
- 外部回路との接続部と本体回路との間に、第１導電形
の半導体基板表面に形成された第２導電形の第１の高濃
度不純物層からなる保護抵抗を有し、かつ当該保護抵抗
の周囲に第２導電形の第２の高濃度不純物層からなりそ
の上に第１のコンタクト部を介して接続された配線層を
備えた接地電位のガードラインを有する保護回路をもつ
た半導体装置において、外部回路との接続用配線層に隣
接する部分から、第２の高濃度不続物層とその上の配線
層とを接続する第１のコンタクト部を除去し、上記外部
回路との接続用配線層と保護抵抗とを接続する第２のコ
ンタクト部と、上記第１のコンタクト部がある部分第２
の高濃度不純物層との間の距離を大きくしたことを特徴
とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23021984A JPH0618250B2 (ja) | 1984-11-02 | 1984-11-02 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23021984A JPH0618250B2 (ja) | 1984-11-02 | 1984-11-02 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61110455A true JPS61110455A (ja) | 1986-05-28 |
| JPH0618250B2 JPH0618250B2 (ja) | 1994-03-09 |
Family
ID=16904421
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23021984A Expired - Lifetime JPH0618250B2 (ja) | 1984-11-02 | 1984-11-02 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0618250B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05347382A (ja) * | 1992-06-15 | 1993-12-27 | Nec Corp | 半導体保護素子 |
| JPH0629154U (ja) * | 1992-09-10 | 1994-04-15 | 横河電機株式会社 | 半導体集積回路 |
-
1984
- 1984-11-02 JP JP23021984A patent/JPH0618250B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05347382A (ja) * | 1992-06-15 | 1993-12-27 | Nec Corp | 半導体保護素子 |
| JPH0629154U (ja) * | 1992-09-10 | 1994-04-15 | 横河電機株式会社 | 半導体集積回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0618250B2 (ja) | 1994-03-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |