JPS61110455A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS61110455A
JPS61110455A JP23021984A JP23021984A JPS61110455A JP S61110455 A JPS61110455 A JP S61110455A JP 23021984 A JP23021984 A JP 23021984A JP 23021984 A JP23021984 A JP 23021984A JP S61110455 A JPS61110455 A JP S61110455A
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layer
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external circuit
contact portion
concentration impurity
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JP23021984A
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JPH0618250B2 (ja
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Takao Kamei
隆夫 亀井
Toshiki Suzuki
鈴木 敏樹
Masao Uehara
上原 正男
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Hitachi ULSI Engineering Corp
Hitachi Ltd
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Hitachi ULSI Engineering Corp
Hitachi Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/0203Particular design considerations for integrated circuits
    • H01L27/0248Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
    • H01L27/0251Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、外部回路との接続部と、本体回路との間K、
基板と反対導電形の高濃度不純物層からなる保護抵抗を
有する保護回路を備えた半導体装置に関する。
〔発明の背景〕
一般に半導体装置は、人体に帯電した静電荷による静電
破壊や電源投入時のサージから本体回路を保護するため
に、外部回路との接続部と、本体回路との関に、基板と
反対導電形の高濃度不純物層からなる保護抵抗を備えた
保護回路が設けられる。
第1図に、従来用いられているこの種の保護回路部のレ
イアウトパターンの一例を示す。同図において、1は外
部回路との接続部としてのポンディングパッドでAAか
も構成されるが、このポンディングパッド1からのサー
ジは、kt配線2を伝わり、コンタクト部3を介してP
形シリコン基板4内に形成され九n 拡散層5からなる
抵抗部へ導かれた後、コンタクト部6を介してkl配配
線へ伝わる。その際、保護抵抗部でその波高値は減殺さ
れ、さらに1図中省略したがkl配線7にAt配線7と
の間隙部は、遮光用のAt配線8で覆っであるが、この
At配線8は、At配置9を介して接地用At配線10
に接続され接地される。
また、この保護抵抗部の周囲には、n 拡散層5部分の
電位を一定に保つために同じくn 拡散層11からなる
ガードラインを配置しである。なお、At配#!8は図
中上方のAt配線9と下方のkt配#j9とを接続して
いるが、これは、ガードライン内のp形シリコン基板4
の電位を一定に保つ役割もしている。
ここで、ガードラインを構成するn 拡散層11は、コ
ンタクト部12によりその上に配置された上記kl配線
9に接続され接地用ht配線10によ1接地されるが、
図示のよ5な従来のパターンでは、抵抗を構成する拡散
層5とAA配線2とのコンタクト部3が、接地電位とな
るコンタクト部12に対し、図中矢印で示したようにき
わめて近接して配置されているために1この部分で破壊
しやすく、十分なサージ耐圧が得られなかった。
なお、このような従来の保護回路部の構造については、
例えば近代科学社刊「MO8集積回路」監訳、武石喜幸
・金山宏、昭和49年1月15日出販等に開示されてい
る。
〔発明の目的〕
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、その
目的は、保護回路のサージ耐圧を向上させた半導体装置
を提供するととKあるつ〔発明の概要〕 このような目的な達成するためくい本発明は、ガードラ
インを構成する高濃度不純物層とその上の配線層との第
1のコンタクト部を、外部回路との接続用配線層に近接
した部分には設けず、上記接続用配線層と保護抵抗との
第2のコンタクト部と、上記第1のコンタクト部がある
部分の高濃度不純物層との間の距離を大きくとったもの
である。
〔発明の実施例〕
次に、第2図を用いて本発明の詳細な説明する。第2図
(&)は第1図と同様の平面パターン図、第2図(b)
はb−b断面図で、第1図と同一もしくは相当部分は同
一記号を用いて表わしている。なお、13は眉間絶縁膜
である。
第2図と第1図とを比較して明らかな通シ、本実施例で
はガードラインを構成するn 拡散層11上のAj配線
のパターンを、第1図の9から9Aのように変更し、外
部回路に接続するAt配置12Aに近接し九部分のコン
タクト部12A、12B および121.12Fを除去
しである。この結果、コンタクト部3に最も近い接地電
位のコンタクト部12は、12Cおよび12Gとなシ、
その間の距離は第1図のコンタクト部12Bないし12
FK比較して格段に大きくなるために1耐圧が向上する
。なお、この場合、れ 拡散層11それ自体、あるいは
At配線10は、本実施例においても第1図と同様に構
成されコンタクト部3に近接した部分1m在しているが
、コンタクト部12がない部分では余シ問題にならない
。すなわち、耐圧に最も直接関係するのは、外部回路に
接続するAL配線2人と保護抵抗を構成するn 拡散層
5とを接続するコンタクト部3、これと、接地用At配
線10に接続するAt配置19Aとのコンタクト部12
がある部分のれ 拡散層11、この両者の間の距離であ
る。
本実施例ではまた、外部回路との接続部であるポンディ
ングパッド1とn 拡散層5とを接続するAt配置12
Aの幅W2を50J1mとし、第1図における同様のA
t配線2の幅Wl#4011rIIK比較して広くとっ
である。これは、電流密度を小さくして電流の集中を避
けるためで、これによりさらに耐圧を上げる効果があり
、本実施例では従来第1図のパターンにおけるm品44
壬夫サージ耐圧より数十vK内向上せることができた。
なお、ここでサージ耐圧とは、200pFKチヤージし
た電荷をスイッチを切換えてデバイスに印加し、デバイ
スが破壊されたときのコンデンサにチャージした電圧と
する(負荷抵抗OΩ)。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば、外部回路との接
続用配線層に近接した部分には、ガードラインを構成す
る接地電位の高濃度不純物層とその上の配線層とのコン
タクト部を設けないようにして、上記コンタクト部があ
る部分の高濃度不純物層と、上記接続用配線層と保護抵
抗とのコンタクト部との間の距離を大きくとるようにし
たことにより、保護回路のサージ耐圧を向上させ、半導
体装置の信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の半導体装置の保護回路部の構成例を示す
平面パターン図、第2図(a)は本発明の一実施例を示
す平面パターン図、同図(b)はb−b断面図である。 1・―・争外部回路に接続するポンディングパッド、 
2,2A、7,8,9,9A、10・ ― 拳 −A/
。 配線層、3−拳・・第2のフンタクト部、4・・・・p
形シリコン基板、5・・・・保護抵抗を構成するn 拡
散層、6・・・・コンタクト部、11・・・・ガードラ
イン金構成するn 拡散層、12e・轡−第1のコンタ
クト部。 代理人 弁理士 高 橋 明 夫 第1図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  外部回路との接続部と本体回路との間に、第1導電形
    の半導体基板表面に形成された第2導電形の第1の高濃
    度不純物層からなる保護抵抗を有し、かつ当該保護抵抗
    の周囲に第2導電形の第2の高濃度不純物層からなりそ
    の上に第1のコンタクト部を介して接続された配線層を
    備えた接地電位のガードラインを有する保護回路をもつ
    た半導体装置において、外部回路との接続用配線層に隣
    接する部分から、第2の高濃度不続物層とその上の配線
    層とを接続する第1のコンタクト部を除去し、上記外部
    回路との接続用配線層と保護抵抗とを接続する第2のコ
    ンタクト部と、上記第1のコンタクト部がある部分第2
    の高濃度不純物層との間の距離を大きくしたことを特徴
    とする半導体装置。
JP23021984A 1984-11-02 1984-11-02 半導体装置 Expired - Lifetime JPH0618250B2 (ja)

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JP23021984A JPH0618250B2 (ja) 1984-11-02 1984-11-02 半導体装置

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JP23021984A JPH0618250B2 (ja) 1984-11-02 1984-11-02 半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS61110455A true JPS61110455A (ja) 1986-05-28
JPH0618250B2 JPH0618250B2 (ja) 1994-03-09

Family

ID=16904421

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP23021984A Expired - Lifetime JPH0618250B2 (ja) 1984-11-02 1984-11-02 半導体装置

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JP (1) JPH0618250B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05347382A (ja) * 1992-06-15 1993-12-27 Nec Corp 半導体保護素子
JPH0629154U (ja) * 1992-09-10 1994-04-15 横河電機株式会社 半導体集積回路

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05347382A (ja) * 1992-06-15 1993-12-27 Nec Corp 半導体保護素子
JPH0629154U (ja) * 1992-09-10 1994-04-15 横河電機株式会社 半導体集積回路

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