JPS61105716A - 磁性薄膜ヘツドの製造方法 - Google Patents
磁性薄膜ヘツドの製造方法Info
- Publication number
- JPS61105716A JPS61105716A JP22634184A JP22634184A JPS61105716A JP S61105716 A JPS61105716 A JP S61105716A JP 22634184 A JP22634184 A JP 22634184A JP 22634184 A JP22634184 A JP 22634184A JP S61105716 A JPS61105716 A JP S61105716A
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- JP
- Japan
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- film
- magnetic
- substrate
- auxiliary
- pattern
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
２、、。
本発明は、磁気記録、再生に用いる磁性薄膜ヘッドの製
造方法に関するものである。
造方法に関するものである。
従来例の構成とその問題点
従来、磁気記録の記録、再生の効率をあげるため、アモ
ルファス磁性膜を用いた磁性薄膜ヘッドが用いられてい
る。この従来の磁性薄膜ヘッドを製造するには、第１面
（Ａ）に示すように、Ａｌ２Ｏ５゜Ｔｉｅ 、 ５ｉｎ
２． Ｓｉ３Ｎ４等によって形成された非磁性基板１上
にＣｏＺｒＮｂＦｅ 、 ＣｏＺｒＮｂ 、 ＣｏＺｒ
、Ｃｏｍｂ等よりなるアモルファス磁性膜２を形成し
、このアモルファス磁性膜２上に所定のパターンに加工
された感光性の合成樹脂膜３を形成する。次にアモルフ
ァス磁性膜２の露出部を王水（ＨＧＩ ：ＨＮＯ５＝
３ ： １液）等でエツチング除去している。
ルファス磁性膜を用いた磁性薄膜ヘッドが用いられてい
る。この従来の磁性薄膜ヘッドを製造するには、第１面
（Ａ）に示すように、Ａｌ２Ｏ５゜Ｔｉｅ 、 ５ｉｎ
２． Ｓｉ３Ｎ４等によって形成された非磁性基板１上
にＣｏＺｒＮｂＦｅ 、 ＣｏＺｒＮｂ 、 ＣｏＺｒ
、Ｃｏｍｂ等よりなるアモルファス磁性膜２を形成し
、このアモルファス磁性膜２上に所定のパターンに加工
された感光性の合成樹脂膜３を形成する。次にアモルフ
ァス磁性膜２の露出部を王水（ＨＧＩ ：ＨＮＯ５＝
３ ： １液）等でエツチング除去している。
しかしながらアモルファス磁性膜２は通常のエツチング
液ではエツチングできず、上記のように王水のような劇
薬を使う必要があり、その結果、合成樹脂膜３がアモル
ファス磁性膜２の表面から剥離し、合成樹脂膜３の背面
に王水等が回り込み、第１図＠）に示すように合成樹脂
膜３の下部のアモルファスａ性膜２が大キくオーバーエ
ツチングされ、パタニンが細ってしまい、微細なパタン
を形成することが困難であった。
液ではエツチングできず、上記のように王水のような劇
薬を使う必要があり、その結果、合成樹脂膜３がアモル
ファス磁性膜２の表面から剥離し、合成樹脂膜３の背面
に王水等が回り込み、第１図＠）に示すように合成樹脂
膜３の下部のアモルファスａ性膜２が大キくオーバーエ
ツチングされ、パタニンが細ってしまい、微細なパタン
を形成することが困難であった。
発明の目的
本発明は、上記従来例の欠点を解消するもので、非磁性
基板上に微細な所定のパターンでアモルファス磁性膜を
形成することができるようにした磁性薄膜ヘッドの製造
方法を提供することを目的とするものである。
基板上に微細な所定のパターンでアモルファス磁性膜を
形成することができるようにした磁性薄膜ヘッドの製造
方法を提供することを目的とするものである。
発明の構成
本発明は、」−記目的を達成するだめ、非磁性基板上り
に所定パターンの補助膜を形成し、これら非磁性基板及
び補助膜上にアモルファス磁性膜を形成し、形成後、上
記補助膜を非磁性基板より剥離して非磁性基板上Ｌに所
定パターンのアモルファス磁性膜を形成することを特徴
とするものである。
に所定パターンの補助膜を形成し、これら非磁性基板及
び補助膜上にアモルファス磁性膜を形成し、形成後、上
記補助膜を非磁性基板より剥離して非磁性基板上Ｌに所
定パターンのアモルファス磁性膜を形成することを特徴
とするものである。
実施例の説明
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明
する。本発明の第１実施例を第２図（＆）乃至側によっ
て説明すると、先ず第２図（Ａ）に示すようにＡｌ２Ｏ
３，ＴｉＣ，５ｉｎ２． Ｓｉ３Ｎ４等によって形成さ
、ひた非磁性基板（例えば６ｍｍ×２４ｍｍ×１ｍｍｔ
）１１」−に所定のパターンで感光性の合成樹脂よりな
る補助膜１２を形成する。次に第２図（Ｂ）に示すよう
に非磁性基板１１及び補助膜１２−ＬにＲＦヌパノタリ
ング法、 Ｄｃマグネトロンスパッタリング法、蒸着法
等によってＣｏＺｒＮｂＦａ 、 ＣｏＺｒＮｂ 。
する。本発明の第１実施例を第２図（＆）乃至側によっ
て説明すると、先ず第２図（Ａ）に示すようにＡｌ２Ｏ
３，ＴｉＣ，５ｉｎ２． Ｓｉ３Ｎ４等によって形成さ
、ひた非磁性基板（例えば６ｍｍ×２４ｍｍ×１ｍｍｔ
）１１」−に所定のパターンで感光性の合成樹脂よりな
る補助膜１２を形成する。次に第２図（Ｂ）に示すよう
に非磁性基板１１及び補助膜１２−ＬにＲＦヌパノタリ
ング法、 Ｄｃマグネトロンスパッタリング法、蒸着法
等によってＣｏＺｒＮｂＦａ 、 ＣｏＺｒＮｂ 。
ＣｏＺｒ 、 ＣｏＮｂ 等のアモルファス磁性膜１
３を形成する。このとき補助膜１２をアモルファス磁性
膜１３より厚く形成し、アモルファス磁性膜１３の約２
倍に形成するのが望ましい。次に除去液、例えばトリク
レンＪ−ｍ１ｏｏ’（商品名）を用いて補助膜１２を非
磁性基板１１よシ剥離することにより第２図（Ｃ）に示
すように非磁性基板１１」二に所定パターンのアモルフ
ァス磁性膜１３ａを形成することができる。さらに線色
の部分で非磁性基板１１を切断し、支持板（図示省略）
と接着し、加工成形することにより磁性薄膜ヘッドを製
造することができる。
３を形成する。このとき補助膜１２をアモルファス磁性
膜１３より厚く形成し、アモルファス磁性膜１３の約２
倍に形成するのが望ましい。次に除去液、例えばトリク
レンＪ−ｍ１ｏｏ’（商品名）を用いて補助膜１２を非
磁性基板１１よシ剥離することにより第２図（Ｃ）に示
すように非磁性基板１１」二に所定パターンのアモルフ
ァス磁性膜１３ａを形成することができる。さらに線色
の部分で非磁性基板１１を切断し、支持板（図示省略）
と接着し、加工成形することにより磁性薄膜ヘッドを製
造することができる。
このように補助膜１２を剥ＩＩＩすることによりアロ
ページ モルファス磁性膜１３＆の微細なパターンを形成するこ
とができる。上述した従来の製造方法では所定パターン
幅２ｏμｍを得ようとしても成形後のパターン幅が６〜
１０μｍになるが、本実施例の製造方法では成形後のパ
ターン幅が１８〜２０μｍの値になり、パターンの細り
が殆んど生じない。また従来の製造方法では、ストライ
プ状のパターンを作成する場合、アモルファス磁性膜の
エツチングレートの局所的な違いにより、蛇行したパタ
ーンになりやすいが、本実施例の製造方法では全くそう
いうパターンは生じない。また歩留りを向上させること
ができ、また王水等の劇薬の面倒な管理が不必要となる
。
ページ モルファス磁性膜１３＆の微細なパターンを形成するこ
とができる。上述した従来の製造方法では所定パターン
幅２ｏμｍを得ようとしても成形後のパターン幅が６〜
１０μｍになるが、本実施例の製造方法では成形後のパ
ターン幅が１８〜２０μｍの値になり、パターンの細り
が殆んど生じない。また従来の製造方法では、ストライ
プ状のパターンを作成する場合、アモルファス磁性膜の
エツチングレートの局所的な違いにより、蛇行したパタ
ーンになりやすいが、本実施例の製造方法では全くそう
いうパターンは生じない。また歩留りを向上させること
ができ、また王水等の劇薬の面倒な管理が不必要となる
。
次に本発明の第２実施例について説明する。
先ず、第３図（Ａ）Ｋ示すように上記実施例と同様の非
磁性基板２１上にｋｌ 、 Ｏｒ 、 Ｃｕ 、 Ｔｉ
、 ＺｎＯ。
磁性基板２１上にｋｌ 、 Ｏｒ 、 Ｃｕ 、 Ｔｉ
、 ＺｎＯ。
５１３Ｎ４，５１０２等の金属膜２２を形成する。この
金属膜２２は後述するアモルファス磁性膜２４の膜厚よ
！１１ ｆ！？−＜、その２倍程度に形成するのが望ま
しい。次に金属膜２２−Ｌに所定パターンで感光性６
ペ−７ の合成樹脂膜２３を形成する。次にリン酸、塩化第二鉄
、フェロシアン化カリアルカリ溶液、沸酸等により感光
性合成樹脂膜２３をマスクとし、金属膜２２の露出部を
エツチング除去し、合成樹脂膜２３を剥離することによ
り第３図（Ｂ）に示すように非磁性基板２１上に所定パ
ターンの補助膜２２ｉＬを形成する。次に第３図（Ｃ）
に示すように非磁性基板２１及び補助膜２２ａ上に上記
と同様のアモルファス磁性膜２４を形成する。次にリン
酸、塩化第二鉄、フェロシアン化カリアルカリ溶液、沸
酸等により補助膜２２＆を非磁性基板２１より剥離する
ことによシ第３図の）に示すように非磁性基板２１上に
所定パターンのアモルファス磁性膜２４ａを形成するこ
と力、玉できる。更に線色の部分で非磁性基板２１を切
断し、加工成形することにより磁性薄膜ヘッドを製造す
ることができる。補助膜２２ａを剥離するのに用いるリ
ン酸、塩化第二鉄。
金属膜２２は後述するアモルファス磁性膜２４の膜厚よ
！１１ ｆ！？−＜、その２倍程度に形成するのが望ま
しい。次に金属膜２２−Ｌに所定パターンで感光性６
ペ−７ の合成樹脂膜２３を形成する。次にリン酸、塩化第二鉄
、フェロシアン化カリアルカリ溶液、沸酸等により感光
性合成樹脂膜２３をマスクとし、金属膜２２の露出部を
エツチング除去し、合成樹脂膜２３を剥離することによ
り第３図（Ｂ）に示すように非磁性基板２１上に所定パ
ターンの補助膜２２ｉＬを形成する。次に第３図（Ｃ）
に示すように非磁性基板２１及び補助膜２２ａ上に上記
と同様のアモルファス磁性膜２４を形成する。次にリン
酸、塩化第二鉄、フェロシアン化カリアルカリ溶液、沸
酸等により補助膜２２＆を非磁性基板２１より剥離する
ことによシ第３図の）に示すように非磁性基板２１上に
所定パターンのアモルファス磁性膜２４ａを形成するこ
と力、玉できる。更に線色の部分で非磁性基板２１を切
断し、加工成形することにより磁性薄膜ヘッドを製造す
ることができる。補助膜２２ａを剥離するのに用いるリ
ン酸、塩化第二鉄。
フェロシアン化カリアルカリ溶液、沸酸等ではアモルフ
ァス磁性膜２４はエツチングされず、例えば表面膜差計
で剥離前後の膜厚を測定した所、誤差の範囲内で一定の
厚みであった。
ァス磁性膜２４はエツチングされず、例えば表面膜差計
で剥離前後の膜厚を測定した所、誤差の範囲内で一定の
厚みであった。
このように補助膜２２？Ｌを剥離することにより、アモ
ルファス磁性膜２４？Ｌの微細なパターンを形成するこ
とができ、歩留りを向−ヒさせることができる。寸だ王
水等の劇薬の面倒な管理が不必要となる。
ルファス磁性膜２４？Ｌの微細なパターンを形成するこ
とができ、歩留りを向−ヒさせることができる。寸だ王
水等の劇薬の面倒な管理が不必要となる。
発明の効果
以−ｈの説明より明らかなように本発明によれば、非磁
性基板上Ｌに所定パターンの補助膜を形成し、これら非
磁性基板及び補助膜−Ｌにアモルファス磁性膜を形成し
、形成後、上記補助膜を非磁性基板より剥離して非磁性
基板上１二に所定パターンのアモルファス磁性膜を形成
するようにしている。このようにリフトオフ法により非
磁性基板上にアモルファス磁性膜を形成するので、歩留
り良く微細なパターンを形成できる利点がある。
性基板上Ｌに所定パターンの補助膜を形成し、これら非
磁性基板及び補助膜−Ｌにアモルファス磁性膜を形成し
、形成後、上記補助膜を非磁性基板より剥離して非磁性
基板上１二に所定パターンのアモルファス磁性膜を形成
するようにしている。このようにリフトオフ法により非
磁性基板上にアモルファス磁性膜を形成するので、歩留
り良く微細なパターンを形成できる利点がある。
第１図（Ａ）及びの）は従来の磁性薄膜ヘッドの製造方
法を示す断面図、第２図（Ａ）乃至功は本発明の磁性薄
膜ヘッドの製造方法の第１実施例を示す断面図、第３図
（Ａ）乃至（Ｄ）は本発明の第２実施例を示す断面図で
ある。 １１・・・・非磁性基板、１２・・・・・補助膜、１３
・・・・・・アモルファス磁性膜、１３ａ・・・・・所
定パターンのアモルファス磁性膜、２１・・・・・非磁
性基板、２２・・・・・金属膜、２２８Ｌ・・・・・補
助膜、２３・・・・・合成樹脂膜、２４・・・・・アモ
ルファス磁性膜、２４＆・・・所定パターンのアモルフ
ァス磁性膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 （Ａ） 第２図 （ｌｈ
法を示す断面図、第２図（Ａ）乃至功は本発明の磁性薄
膜ヘッドの製造方法の第１実施例を示す断面図、第３図
（Ａ）乃至（Ｄ）は本発明の第２実施例を示す断面図で
ある。 １１・・・・非磁性基板、１２・・・・・補助膜、１３
・・・・・・アモルファス磁性膜、１３ａ・・・・・所
定パターンのアモルファス磁性膜、２１・・・・・非磁
性基板、２２・・・・・金属膜、２２８Ｌ・・・・・補
助膜、２３・・・・・合成樹脂膜、２４・・・・・アモ
ルファス磁性膜、２４＆・・・所定パターンのアモルフ
ァス磁性膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 （Ａ） 第２図 （ｌｈ
Claims (3)
- （１）非磁性基板上に所定パターンの補助膜を形成し、
これら非磁性基板及び補助膜上にアモルファス磁性膜を
形成し、形成後、上記補助膜を非磁性基板より剥離して
非磁性基板上に所定パターンのアモルファス磁性膜を形
成することを特徴とする磁性薄膜ヘッドの製造方法。 - （２）補助膜は合成樹脂により形成している特許請求の
範囲第１項記載の磁性薄膜ヘッドの製造方法。 - （３）補助膜は金属製で、非磁性基板上に金属膜を形成
し、この金属膜上に所定パターンで合成樹脂膜を形成し
、この合成樹脂膜をマスクとして金属膜をエッチング除
去し、合成樹脂膜を剥離することにより所定のパターン
に形成している特許請求の範囲第１項記載の磁性薄膜ヘ
ッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22634184A JPS61105716A (ja) | 1984-10-26 | 1984-10-26 | 磁性薄膜ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22634184A JPS61105716A (ja) | 1984-10-26 | 1984-10-26 | 磁性薄膜ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61105716A true JPS61105716A (ja) | 1986-05-23 |
Family
ID=16843647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22634184A Pending JPS61105716A (ja) | 1984-10-26 | 1984-10-26 | 磁性薄膜ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61105716A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0344928A (ja) * | 1989-07-12 | 1991-02-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 非晶質合金磁性膜のパターン形成方法 |
-
1984
- 1984-10-26 JP JP22634184A patent/JPS61105716A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0344928A (ja) * | 1989-07-12 | 1991-02-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 非晶質合金磁性膜のパターン形成方法 |
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