JPS61104550A - 特定微小領域の薄膜化装置を備えた透過電子顕微鏡 - Google Patents
特定微小領域の薄膜化装置を備えた透過電子顕微鏡Info
- Publication number
- JPS61104550A JPS61104550A JP59223911A JP22391184A JPS61104550A JP S61104550 A JPS61104550 A JP S61104550A JP 59223911 A JP59223911 A JP 59223911A JP 22391184 A JP22391184 A JP 22391184A JP S61104550 A JPS61104550 A JP S61104550A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron microscope
- sample
- transmission electron
- thin film
- minute area
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 title claims abstract description 17
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title abstract description 13
- 238000011109 contamination Methods 0.000 claims description 5
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 4
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 claims 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 2
- 238000012916 structural analysis Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001493 electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/261—Details
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N1/00—Sampling; Preparing specimens for investigation
- G01N1/28—Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q
- G01N1/32—Polishing; Etching
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、試料における特定微小領域の薄膜化とその透
過像または回折像を観察する装置に係り、特に半遵体デ
バイスの断面構造における特定構造部分の形状や結晶欠
陥などをＩ［する場合に好適な、薄膜作製装置を備えた
透過形電子顕微鏡に関する。
過像または回折像を観察する装置に係り、特に半遵体デ
バイスの断面構造における特定構造部分の形状や結晶欠
陥などをＩ［する場合に好適な、薄膜作製装置を備えた
透過形電子顕微鏡に関する。
一般に市販されている電子顕微鏡用薄膜作製装置は、薄
膜化された試料の形状を確認する手段として光学顕微鏡
を備えている程度であるため、微小領域における形状を
観察することは不可能である。また、最近イオンエツチ
ングを行ないながら同時に二次電子、反射電子などの検
出を行ない。
膜化された試料の形状を確認する手段として光学顕微鏡
を備えている程度であるため、微小領域における形状を
観察することは不可能である。また、最近イオンエツチ
ングを行ないながら同時に二次電子、反射電子などの検
出を行ない。
表面形状の変化を観察する方法が開発されているが、（
Ｊ ａｐａｎ’ｅｓｅ ’ｊ ｏｕｒｎａｌ−ｏｆ Ａ
’ｐｐ１．ｊ、ｅｄ ＰｈｙｓｉｃｓＶｏｌ、 １３
（１９７４Ｎ’ｐ２２ｇ）試料中の特定微小領域が電子
線が十分に透過するような厚さにまでエツチングされて
いるかどうかを確認できない二戸、原子番号がわずかに
異なる多層膜構造を観察しにくいこと、結晶性の確認が
できないこと、透過像と異質な像であるため後で透過像
を観察する場合に同一視野の選択がかなり難しいことな
どの欠点がある。
Ｊ ａｐａｎ’ｅｓｅ ’ｊ ｏｕｒｎａｌ−ｏｆ Ａ
’ｐｐ１．ｊ、ｅｄ ＰｈｙｓｉｃｓＶｏｌ、 １３
（１９７４Ｎ’ｐ２２ｇ）試料中の特定微小領域が電子
線が十分に透過するような厚さにまでエツチングされて
いるかどうかを確認できない二戸、原子番号がわずかに
異なる多層膜構造を観察しにくいこと、結晶性の確認が
できないこと、透過像と異質な像であるため後で透過像
を観察する場合に同一視野の選択がかなり難しいことな
どの欠点がある。
本発明の目的は、試料中の特定微小領域を、透通電子顕
微鏡が観察できるような厚さにまでエツチングする場合
に、エツチングが目的構造部のどの程度近傍まで進行し
ているかを、同一系内で透過像をＩＨ４することに□よ
って容易に確認できるようにし、注目する微小領域を確
実に薄膜化することと、薄膜試料が破壊する恐れを最小
限に押さえられるように工夫したものである。
微鏡が観察できるような厚さにまでエツチングする場合
に、エツチングが目的構造部のどの程度近傍まで進行し
ているかを、同一系内で透過像をＩＨ４することに□よ
って容易に確認できるようにし、注目する微小領域を確
実に薄膜化することと、薄膜試料が破壊する恐れを最小
限に押さえられるように工夫したものである。
注目する微小領域の薄膜化がどの程度進行しているかを
確認するためには、実際に試料を透過した電子線による
像を観察することが必要である。
確認するためには、実際に試料を透過した電子線による
像を観察することが必要である。
更に、注目する微小領域を確実に薄膜化するためには、
エツチングと透過像観察を同一系内で同時に行なうこと
が望ましい。これによって、特定微小領域を透過像の観
察に過不足の無い状態で薄膜化することが可能となる。
エツチングと透過像観察を同一系内で同時に行なうこと
が望ましい。これによって、特定微小領域を透過像の観
察に過不足の無い状態で薄膜化することが可能となる。
本発明では、透過形電子顕微鏡に薄膜化装置を組み込む
ことによって、同一系内で特定微小領域の薄膜化と透過
像観察を同時に行なえる、薄膜化装置は、電子顕微鏡内
に設置できることおよび物質に依るエツチング速度の差
を小さく押えられることなどから、イオンビームによる
方法を用いている。薄膜化装置における試料位置は電子
顕微鏡の光軸に一致させ、試料位置を変えることなく薄
膜化と透過像観察を行えるよう工夫しである。また、薄
膜部分を凹凸の少ない形状でかつ広範囲に得るために、
イオンエツチング条件（イオンビームの照射角度、加速
電圧、イオン電流、試料の回転など）を任意に設定でき
る。
ことによって、同一系内で特定微小領域の薄膜化と透過
像観察を同時に行なえる、薄膜化装置は、電子顕微鏡内
に設置できることおよび物質に依るエツチング速度の差
を小さく押えられることなどから、イオンビームによる
方法を用いている。薄膜化装置における試料位置は電子
顕微鏡の光軸に一致させ、試料位置を変えることなく薄
膜化と透過像観察を行えるよう工夫しである。また、薄
膜部分を凹凸の少ない形状でかつ広範囲に得るために、
イオンエツチング条件（イオンビームの照射角度、加速
電圧、イオン電流、試料の回転など）を任意に設定でき
る。
以下、本発明の実施例を第１図および第２図により説明
する。本例では薄膜化装置を中間レンズの制限視野部分
に配置しである。装置は、イオンガン１．試料ホルダー
２．エアロツク３．汚染防止カバー４．フランジ５．制
限視野絞り６から構成されている。試料７は電子顕微鏡
の光軸」二にある。この設置位置では、十分な空間が得
られ、中間レンズの物面にあたるので数百倍程度の透過
像観察が容易にできる。イオンガンはホローカソード／
アノード型で、加速電圧０〜５ｋＶ、放電電流０〜１ｍ
Ａ、イオン電流０〜５０ｎＡである。
する。本例では薄膜化装置を中間レンズの制限視野部分
に配置しである。装置は、イオンガン１．試料ホルダー
２．エアロツク３．汚染防止カバー４．フランジ５．制
限視野絞り６から構成されている。試料７は電子顕微鏡
の光軸」二にある。この設置位置では、十分な空間が得
られ、中間レンズの物面にあたるので数百倍程度の透過
像観察が容易にできる。イオンガンはホローカソード／
アノード型で、加速電圧０〜５ｋＶ、放電電流０〜１ｍ
Ａ、イオン電流０〜５０ｎＡである。
これらのイ直は、コントロールユニットでモニターする
。試料は、モーター駆動により面内で回転することが可
能である。エアロツクは、第１図中の矢印の方向にスラ
イドし、試料交換の際には試料ホルダー側に密着させて
、エアロツク内だけを真空リークできる。汚染防止カバ
ーは、エツチングされた物質による試料室内の汚染を防
ぐためのものである。
。試料は、モーター駆動により面内で回転することが可
能である。エアロツクは、第１図中の矢印の方向にスラ
イドし、試料交換の際には試料ホルダー側に密着させて
、エアロツク内だけを真空リークできる。汚染防止カバ
ーは、エツチングされた物質による試料室内の汚染を防
ぐためのものである。
このカバーには、電子線が通過する穴が設けられており
、エツチング中に透過像を同時観察する際、支障となら
ない。
、エツチング中に透過像を同時観察する際、支障となら
ない。
本発明によれば、試料の薄膜化と透過、電子顕微鏡の観
察を同一系、内でかつ同時に行なうことができ、半導体
デバイス構造などにおける注目する微小領域を確実に薄
膜化し、その構造を観察することができる。これによっ
て、従来の薄膜化装置を用いた場合には極めて困難であ
った、特定微小領域の薄膜化が確実にかつ短時間で行え
、透過形電子顕微鏡による構造解析を能率的に行なうこ
とができる。
察を同一系、内でかつ同時に行なうことができ、半導体
デバイス構造などにおける注目する微小領域を確実に薄
膜化し、その構造を観察することができる。これによっ
て、従来の薄膜化装置を用いた場合には極めて困難であ
った、特定微小領域の薄膜化が確実にかつ短時間で行え
、透過形電子顕微鏡による構造解析を能率的に行なうこ
とができる。
第１図は薄膜化装置の平面図、第２図は断面図である。
■・・・イオンガン、２・・・試料ホルダー、３・・・
エアロツク、４・・・汚染防止カバー、５・・・フラン
ジ。 ６・・・制限視野絞り、７・・・試料。
エアロツク、４・・・汚染防止カバー、５・・・フラン
ジ。 ６・・・制限視野絞り、７・・・試料。
Claims (1)
- 照射系および結像系から成る透過形電子顕微鏡において
、試料室部、対物レンズ部または拡大レンズ部に、イオ
ンガン、ガス導入系、エアロック、汚染防止カバー、真
空計、排気系を設け、透過電子顕微鏡像または電子回折
像を観察しながら、鏡体内で特定微小領域の薄膜化が同
時に行なえることを特徴とする、特定微小領域の薄膜化
装置を備えた透過電子顕微鏡。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59223911A JPH0719557B2 (ja) | 1984-10-26 | 1984-10-26 | 特定微小領域の薄膜化装置を備えた透過電子顕微鏡 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59223911A JPH0719557B2 (ja) | 1984-10-26 | 1984-10-26 | 特定微小領域の薄膜化装置を備えた透過電子顕微鏡 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61104550A true JPS61104550A (ja) | 1986-05-22 |
| JPH0719557B2 JPH0719557B2 (ja) | 1995-03-06 |
Family
ID=16805639
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59223911A Expired - Lifetime JPH0719557B2 (ja) | 1984-10-26 | 1984-10-26 | 特定微小領域の薄膜化装置を備えた透過電子顕微鏡 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0719557B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0435271A2 (en) * | 1989-12-26 | 1991-07-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | An apparatus and a method for checking a semiconductor |
| EP0651243A1 (en) * | 1993-10-28 | 1995-05-03 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of making specimens for an electron microscope |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54112824U (ja) * | 1978-01-25 | 1979-08-08 |
-
1984
- 1984-10-26 JP JP59223911A patent/JPH0719557B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54112824U (ja) * | 1978-01-25 | 1979-08-08 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0435271A2 (en) * | 1989-12-26 | 1991-07-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | An apparatus and a method for checking a semiconductor |
| EP0651243A1 (en) * | 1993-10-28 | 1995-05-03 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of making specimens for an electron microscope |
| BE1007675A3 (nl) * | 1993-10-28 | 1995-09-12 | Philips Electronics Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van preparaten voor een elektronenmicroscoop. |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0719557B2 (ja) | 1995-03-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3957750B2 (ja) | 電子顕微鏡法のためのイオンビーム準備装置 | |
| US8993962B2 (en) | Method and apparatus for sample extraction and handling | |
| US9733164B2 (en) | Lamella creation method and device using fixed-angle beam and rotating sample stage | |
| JP3287858B2 (ja) | 電子顕微鏡装置及び電子顕微方法 | |
| US6300631B1 (en) | Method of thinning an electron transparent thin film membrane on a TEM grid using a focused ion beam | |
| JP7340363B2 (ja) | 顕微鏡試料を作製する装置および方法 | |
| JP2002148159A (ja) | 試料作製方法および試料作製装置 | |
| JP3715956B2 (ja) | 情報取得装置、試料評価装置および試料評価方法 | |
| JPH11258130A (ja) | 試料作製装置および試料作製方法 | |
| JPH08329876A (ja) | 観察試料作成方法及びその装置 | |
| US5788853A (en) | Substrate and method for microscopical observation of amorphous specimens | |
| JP2007188905A (ja) | 荷電粒子線装置用試料ホールダ | |
| KR20120004333A (ko) | 샘플을 준비하는 방법 및 시스템 | |
| JP2842083B2 (ja) | 試料ホルダー、これを用いた試料加工観察システム、試料観察方法、透過形電子顕微鏡及びイオンビーム装置 | |
| JPS61104550A (ja) | 特定微小領域の薄膜化装置を備えた透過電子顕微鏡 | |
| JPH1064473A (ja) | 試料評価・処理観察システム | |
| JP2004087214A (ja) | 荷電粒子線装置用試料ホールダ | |
| JP3601382B2 (ja) | 荷電粒子線を用いた検査装置および検査方法 | |
| JP2987417B2 (ja) | 透過型電子顕微鏡用の薄膜試料のその場作製および観察方法並びにその装置 | |
| Latif | Nanofabrication using focused ion beam | |
| JP2001319612A (ja) | 直接写像型電子顕微鏡 | |
| JPH05314941A (ja) | Ｆｉｂ／ｅｂ複合装置 | |
| JP2764600B2 (ja) | 反射電子線回折装置 | |
| KR100904894B1 (ko) | 대물렌즈 조리개 및 이를 이용한 패턴형성장치 | |
| JPH01197951A (ja) | 走査型電子顕微鏡 |