JPH01197951A - 走査型電子顕微鏡 - Google Patents

走査型電子顕微鏡

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JPH01197951A
JPH01197951A JP2030788A JP2030788A JPH01197951A JP H01197951 A JPH01197951 A JP H01197951A JP 2030788 A JP2030788 A JP 2030788A JP 2030788 A JP2030788 A JP 2030788A JP H01197951 A JPH01197951 A JP H01197951A
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JP
Japan
Prior art keywords
magnetic pole
pole piece
sample
electron beam
objective lens
Prior art date
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Pending
Application number
JP2030788A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenji Ota
研二 太田
Yoji Ogawa
洋司 小川
Kanji Wada
和田 寛次
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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Publication of JPH01197951A publication Critical patent/JPH01197951A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、走査型電子顕微鏡に係わり、特に対物レンズ
構成の改良をはかった走査型電子顕微鏡に関する。
(従来の技術) 近年、半導体等の非導電性試料表面を非破壊で、なおか
つチャージアップない状態で観察する手段として、加速
電圧かIKV程度の低加速の走査型電子顕微鏡(以下、
SEMと略記する)が実用化されている。しかし、低加
速では対物レンズの収差が増大するために、電子ビーム
の分解能が低下し高分解能は得られない。
また、SEMを高分解能スヒするために、第4図に示す
ように、上部磁極片41.下部磁極片42及びコイル4
3から構成された対物レンズ40のギャップ間隙に試料
50を載置する方法が提案されている。この方法では、
対物レンズ40の収差を極力小さくすることができるた
め、低加速電圧であっても高分解能化がはかれる。
しかしながら、この種のSEMにあっては次のような聞
届があった。即ち、対物レンズのギャップの内部に試料
と試料ステージを配置するために、試料の大きさは対物
レンズの大きさと、試料ステージ設計の面からの制約で
限られてしまい、現実的にはlO+nmφ〜20ffi
mφ程度の大きさまでとなる。
このため、半導体関係で、ウェハサイズの試料を非破壊
で観察したいと云う要求を満たすことは困難である。
(発明が解決しようとする問題点) このように従来、低加速電圧のS E Mの高分解能化
をはかるためには対物レンズ内に試料を配置する必要が
あるが、この場合は大面積試料の観察を行うことが困難
であった。
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、その目的
とするところは、分解能の低下を招くことなく、大面積
の試料の非破壊観察を行うことができ、半導体ウェハ等
の表面観察に適した走査型電子顕微鏡を提供することに
ある。
[発明の構成] (問題点を解決するための手段) 本発明の骨子は、対物レンズを構成する磁極片の改良に
より、大面積の試料を対物レンズ内に配置可能とするこ
とにある。
即ち本発明は、試料を載置した試料台を対物レンズ内に
配置し、試料に電子線を照射して該試料の電子線像を観
察する走査型電子顕微鏡において、前記対物レンズを、
電子線透過孔を有する上部磁極片と、電子線透過孔を有
しない下部磁極片とで(を成し、前記試料台を、前記上
部磁極片と下部磁極片との間にこれらの磁極片の対向方
向と直交する方向に移動r′iI能に設けるようにした
ものである。
また本発明は、上記走査型電子顕微鏡において、前記対
物レンズを、電子線透過孔を有する上部磁極片と、電子
−線透過孔を有しない第1磁極片及び電子線透過孔を有
する第2磁極片を選択的に交換可能な下部磁極片とで構
成し、前記下部磁極片として第1磁極片を選択した場合
は該第1磁極片と上部磁極片との間にこれらの対向方向
と直交する方向に移動j=1能な第1試料台を配置し、
前記下部磁極片として第2磁極片を選択した場合は試料
傾斜可能な第2試料台を該第2磁極片の電子線透過孔か
ら対物レンズ内に挿入するようにしたものである。
(作 用) 本発明によれば、対物レンズを構成する下部磁極片を電
子線透過孔のない構造としているので、上部磁極片と下
部磁極片との間に電子線の通る部分以外にも試料が通る
だけのギャップを設けることができる。従って、上部磁
極片と下部磁極片との間に大面積の試料を配置すること
がてき、半導体ウェハ等の試料の非破壊検査を行うこと
が可能となる。また、下部磁極片に電子線透過孔を設は
小径の試料台を鎖孔を通して対物レンズ内に挿入するこ
とにより、゛試t1を傾斜させた状態で観察することも
可能となる。
(実施例) まず、実施例を説明する前に本発明の基本原理を、第3
図を参照して説明する。対物レンズ10を上部磁極片1
1.下部磁極片12及びコイル13で(II4成し、上
部磁極片11には電子線透過孔を形成し、下部磁極片1
2には電子線透過孔がないものとする。この場合、第3
図に示すようにレンズ内部の磁力線は、主に上部&Ii
極片11の電子線透過孔から出て、下部磁極片12に垂
直に入る。この磁力線/))/Iiは、前記第4図に示
す従来の対物レンズのうち、上部磁極片41の透過孔と
下部磁極片42の透過孔の直径が同じ場合のレンズ中心
から上の磁力線分布と等価である。
従って、対物レンズの収差も等価となり、第3図の構成
であっても第4図のも■成と同様に高分解能が得られる
ことになる。これを−歩進め、上部磁極片11と下部磁
極片12との間に所定の間隙を設けることにより、対物
レンズ10内に大面積の試料を配置することが可能とな
る。
以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。
第1図は本発明の一実施例に係わるSEMの対物レンズ
t14成を示す断面図であり、(a)は大面積試料の中
心部を観察した状態、 (b)は周辺部を観察した状態
を示している。図中10は対物レンズであり、このレン
ズ10は電子線透過孔を有するん1字型形状の上部磁極
片11.*子線透過孔を有しない平板形状のド部磁極片
12及びコイル13から構成されている。上部磁極片1
1と下部磁極片12との間には、後述する試料台が通る
だけの間隙Cが設けられている。
下部磁四片]2上には、半導体ウェハ等の試料20を、
&lcqした試料台21が配置されている。また、下部
磁極片12は、試料面積に比して十分広い面積を持ち、
試料ステージ22上に固定されている。そして、試料ス
テージ22の移動により、下部磁極片12及び試料20
を載置した試料台21は、各磁極片11.12の対向方
向と直交する方向(水平方向)に移動されるものとなっ
ている。なお、上部磁極片11の電子線透過孔の径A。
上部磁極片11の下端から試料表面までの距i!iiB
及び各磁極片11.12間の距離Cは、C>A>B の関係を満足するように設定されている。
このような構成であれば、上部磁極片11と下部磁極片
12との間隙C1つまり対物レンズ10のギャップを試
料20及び試料台21の高さの和よりも大きくしておけ
ば、対物レンズ10の大きさに関係なく、対物レンズ1
0内に大面積の試料20を配置することができる。従っ
て、低加速電圧のSEMにおけるレンズ収差の小さい条
件で電子線像の観察を行うことがてき、大面積の試料2
0を非破壊で且つ高分解能で観察することが可能となる
ここで、上部磁極片11と下部磁極片12との間には、
電子線の通る部分以外にも試料20及び試料台21か通
るだけのギャップがあるが、このギャップによる漏れ磁
束は、上部磁極片11の電子線透過孔から十分離れてい
るために、電子線の軌道には殆ど影響を及ぼさない。従
って、前記第4図に示す構造と同様に高分解能を得るこ
とができる。
また、上部磁極片11の電子線透過孔径Aと上部磁極片
11の下端から試料表面までの距離Bとの関係は、SE
Mの分解能に大きく係わって(る。
本発明者等の実験によれば、A<Bだと対物レンズ10
の収差か大きくなり分解能が著しく低下した。また、A
−Hの場合100人程度の比較的良好な分解能が得られ
た。さらに、A>Bとすることにより、前記第4図の構
成と同等若しくはそれ以上の分解能が得られた。本実施
例では、A = 3 mm。
B = 2111mとすることにより、20人と従来に
ない高分解能を達成することができた。また、レンズの
収差をより小さくするには、対物レンズ1oのギャップ
Cは八よりも大きい方が望ましいものであった。
かくして本実施例によれば、対物レンズ10の下部磁極
片12を電子線透過孔を有しない平板形状としているの
で、大面積の試料20及びその試料台21を対物レンズ
10内に配置することができ、該試料20の表面観察を
行うことができる。
このため、半導体ウェハ等の大面積試料を高分解能で且
つ非破壊でSEM観察することが可能となり、その有用
性は絶大である。さらに、前述したA、B、Cの値を最
適化することにより、より一層の高分解能化をはかり得
る。また、試料ステージ22を対物レンズ磁界の外へ置
くことが可能となり、磁性体、非磁性体に拘らずその材
質を選べること、試料ステージ22の大きさが対物レン
ズ10の大きさによらないで設計できる等の利点もある
第2図は本発明の他の実施例を説明するための断面図で
ある。なお、第1図と同一部分には同一符号を付して、
その詳しい説明は省略する。
この実施例は対物レンズを構成する上部磁極片を2種の
磁極片で交換i1能としたものである。即ち、本実施例
における下部磁極片は第2図(a)に示す如く電子線透
過孔を有しない平板状の第1磁極片12aと、同図(I
))に示す如く電子線透過孔を有する第2磁極片12b
とで交換可能となっている。第16!j、h片12aは
前記第1図の下部磁極片12と同様であり、この場合第
1図の例と同様の検査を行うことができる。即ち、第1
磁極片12aを固定した試料ステージ22を移動するこ
とにより、大面積の試料20aを載置した第1試料台2
1. aを水平方向に移動し、試料表面の電子線像観察
を行うことができる。
一方、第2磁極片12bは袋ナツトの形状とt工ってお
り、上部磁極片11に締結して取付けられる。そしてこ
の場合、第2磁極片12bの電子線透過孔よりも小径の
第2試料台21bに載置された小面積の試料20bは、
試料ステージ22上に固定された試料台21bを第2磁
極片12bの電子線透過孔から挿入することにより、対
物レンズ内に配置される。このとき、試料台21bを傾
は試料20bを傾けた状態で観察することが可能となる
第2図(a)から同図(b)への変換作業としては、ま
ず(a)の試料台21aと共に下部磁極片としての第1
磁極片12aを試料ステージ22から取外す。その後、
(b)のように下部磁極片としての第2磁極片12bを
上部磁極片11に固定する。また、試料ステージ22に
は、小試料専用の試料台21bと試料20bを装着する
。なお、第2磁極片12bは大面積の試料の非破壊観察
の時に十分な分解能をjする寸法パラメータの内、上部
磁極片11に関する寸法パラメータをそのまま残し、且
つ小試料を傾斜させた時においても分解能が低下しない
寸法パラメータによって、第2磁極片12bの形状寸法
が決められている。
本実施例によれば、先の実施例と同様の効果は勿論のこ
と、簡単な操作によって、1台の装置で大面積試料の非
破壊観察、小試料の傾斜観察を同程度の高分解能で行う
ことが可能となる。
なお、本発明は上述した各実施例に限定されるものでは
ない。例えば、前記試料台に試料ステージの機能を持た
せることにより、下部磁極片は移動しない機(1ηとし
てもよい。また、本発明は半導体ウェハサイズの試料に
適応できることから、走査型電子顕微鏡にとどまらず、
電子線描画装置や電子線測長装置等に応用することも可
能である。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形し
て実施することができる。
[発明の効果] 以上詳述したように本発明によれば、対物゛レンズの一
ド部磁極片を電子線透過孔を有しない構造とし、上部磁
匪片及び下部磁極片との間に試料を載置した試料台を配
置する構成としているので、半導体ウェハ等の大面積の
試料であっても高分解能で非破壊観察を行うことが可能
となる。
【図面の簡単な説明】 第1図は本発明の一実施例に係わるSEMのχ・I物し
ンズHIi成を示す断面図、第2図は本発明の他の実施
例を説明するための1折面図、第3図は本発明の基本原
理を説明するための断面図、第4図は従来の問題点を説
明するための断面図である。 10・・・対物レンズ、11・・・上部磁極片、12・
・・下部磁極片、12a・・・第1磁極片、12b・・
・第2磁極片、13 ・・・コイル、20,20a、2
0b・・・試料、21・・・試料台、21a・・・第1
試料台、21b・・・第2試料台、22・・・試料ステ
ージ。 出願人代理人  弁理士 鈴江武彦 第1図 第2図 \ 第3図 第4図

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)試料を載置した試料台を対物レンズ内に配置し、
    試料に電子線を照射して該試料の電子線像を観察する走
    査型電子顕微鏡において、前記対物レンズは、電子線透
    過孔を有する上部磁極片と、電子線透過孔を有しない下
    部磁極片とからなり、前記試料台は、前記上部磁極片と
    下部磁極片との間にこれらの磁極片の対向方向と直交す
    る方向に移動可能に設けられたものであることを特徴と
    する走査型電子顕微鏡。
  2. (2)前記下部磁極片は、前記試料台と共に移動可能に
    設けられていることを特徴とする特許請求の範囲第1項
    記載の走査型電子顕微鏡。
  3. (3)前記上部磁極片の孔径Aと、該上部磁極片の下端
    から試料表面までの距離Bとを、A>Bなる関係に設定
    したことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の走査
    型電子顕微鏡。
  4. (4)前記各磁極片間の間隙Cを、C>Aなる関係に設
    定したことを特徴とする特許請求の範囲第3項記載の走
    査型電子顕微鏡。
  5. (5)試料を載置した試料台を対物レンズ内に配置し、
    試料に電子線を照射して該試料の電子線像を観察する走
    査型電子顕微鏡において、前記対物レンズは、電子線透
    過孔を有する上部磁極片と、電子線透過孔を有しない第
    1磁極片及び電子線透過孔を有する第2磁極片を選択的
    に交換可能な下部磁極片とからなり、前記下部磁極片と
    して第1磁極片を選択した場合は該第1磁極片と上部磁
    極片との間にこれらの対向方向と直交する方向に移動可
    能な第1試料台を配置し、前記下部磁極片として第2磁
    極片を選択した場合は試料傾斜可能な第2試料台を該第
    2磁極片の電子線透過孔から対物レンズ内に挿入するこ
    とを特徴とする走査型電子顕微鏡。
  6. (6)前記第1磁極片は、前記第1試料台と共に移動可
    能に設けられていることを特徴とする特許請求の範囲第
    5項記載の走査型電子顕微鏡。
  7. (7)前記上部磁極片の孔径Aと、該上部磁極片の下端
    から試料表面までの距離Bとを、A>Bなる関係に設定
    したことを特徴とする特許請求の範囲第5項記載の走査
    型電子顕微鏡。
  8. (8)前記上部磁極片と下部磁極片との間隙Cを、C>
    Aなる関係に設定したことを特徴とする特許請求の範囲
    第7項記載の走査型電子顕微鏡。
JP2030788A 1988-01-30 1988-01-30 走査型電子顕微鏡 Pending JPH01197951A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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