JPS6098481A - 全固体型エレクトロクロミツク表示素子 - Google Patents
全固体型エレクトロクロミツク表示素子Info
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- JPS6098481A JPS6098481A JP20627483A JP20627483A JPS6098481A JP S6098481 A JPS6098481 A JP S6098481A JP 20627483 A JP20627483 A JP 20627483A JP 20627483 A JP20627483 A JP 20627483A JP S6098481 A JPS6098481 A JP S6098481A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(発明の技術分野〕
本発明は全固体型エレクトロクロミック表示素子の改良
に関する。
に関する。
(発明の背景)
電圧を印加すると可逆的に電解酸化または還元反応が起
こり可逆的に発色する現象をエレクトロクロミックと言
う。このような現象を示すエレクトロクpミ、り(以下
、 ECと略称する)物質を用いて、電圧操作により発
消色するEC表示素子を作り、このEC表示素子により
時計の数字や電子計算機の数字を表示しようとの試みは
、15年以上前から行なわれている。例えば、ガラス基
板の上に透明電極M(陰極)、三酸化タングステン薄膜
、二酸化ケイ素のような絶縁膜、電極膜(Va極)を順
次積層してなるEC表示素子(特公昭52−46098
参照)が全固体型として知られている。
こり可逆的に発色する現象をエレクトロクロミックと言
う。このような現象を示すエレクトロクpミ、り(以下
、 ECと略称する)物質を用いて、電圧操作により発
消色するEC表示素子を作り、このEC表示素子により
時計の数字や電子計算機の数字を表示しようとの試みは
、15年以上前から行なわれている。例えば、ガラス基
板の上に透明電極M(陰極)、三酸化タングステン薄膜
、二酸化ケイ素のような絶縁膜、電極膜(Va極)を順
次積層してなるEC表示素子(特公昭52−46098
参照)が全固体型として知られている。
このEC表示素子に電圧を印加すると三酸化タングステ
ン(WO,)薄膜が青色に発色する。その後、このEC
素子に逆の電圧を印加すると、WO3薄膜の青色が消え
て無色になる。この発色・消色する機構は詳しくは解明
されていないが%WO1WO1薄膜絶縁膜(イオン導電
層)中に含まれる少量の水分が、WO8の発色・消色を
支配していることが知られている。発色の反応式は下記
のように推定されている。
ン(WO,)薄膜が青色に発色する。その後、このEC
素子に逆の電圧を印加すると、WO3薄膜の青色が消え
て無色になる。この発色・消色する機構は詳しくは解明
されていないが%WO1WO1薄膜絶縁膜(イオン導電
層)中に含まれる少量の水分が、WO8の発色・消色を
支配していることが知られている。発色の反応式は下記
のように推定されている。
HO→ H+ + 0)r
2
(WOv=陰極側) WO,+nH++ ne −+H
nWO。
nWO。
無色透明 青色
(絶縁膜=陽極側) 20H−+Hto +2 atf
土e−従って、このようなEC表示素子の欠点は、■発
色反応により、含有水分が消費されること、および■逆
の消色反応によって水が生成されないので、発色の繰り
返しには、大気中からの水の補給が必要なことである。
土e−従って、このようなEC表示素子の欠点は、■発
色反応により、含有水分が消費されること、および■逆
の消色反応によって水が生成されないので、発色の繰り
返しには、大気中からの水の補給が必要なことである。
特に後者■の理由により、このタイプのgc表示素子に
は、発色の再現性が大気の水分の影響を受ける欠点があ
る。
は、発色の再現性が大気の水分の影響を受ける欠点があ
る。
その後、発色反応により消費される水の量と同じ量の水
が消色反応により生成され、従って外界からの水分の補
給を必要とせずに発消色を繰り返すことができる全固体
型EC表示素子が提案された(特開昭56−4679号
公報参照)。ここに提案されたEC表示素子は、基本的
には透明電極、還元発色性EC層例えばwO,、透明な
イオン導電層。
が消色反応により生成され、従って外界からの水分の補
給を必要とせずに発消色を繰り返すことができる全固体
型EC表示素子が提案された(特開昭56−4679号
公報参照)。ここに提案されたEC表示素子は、基本的
には透明電極、還元発色性EC層例えばwO,、透明な
イオン導電層。
酸化発色性BC層例えばIr (OH,)x又はNs
(OH)y並びに対向透明電極の5層からなる。この場
合、酸化発色性EC層例えばIt(01()xは1次の
式%式% に従って、可逆的に電解酸化還元反応を起こすものと推
定される。
(OH)y並びに対向透明電極の5層からなる。この場
合、酸化発色性EC層例えばIt(01()xは1次の
式%式% に従って、可逆的に電解酸化還元反応を起こすものと推
定される。
このような5層構造の全固体型EC表示素子の各層は、
いずれも極めて薄いので、例えば真空蒸着、イオンブレ
ーティング、スパッタリングなどの真空デポジション技
術によって形成される。
いずれも極めて薄いので、例えば真空蒸着、イオンブレ
ーティング、スパッタリングなどの真空デポジション技
術によって形成される。
ところで下部電極と上部′rlLaiには、外部電源を
接続する引出し部か必要である。第1図はEC表示素子
の断面図であり、(GA)は基板、(A)は下部電極、
CB)は醸化(又は還元)発色性EC層、(C)は透明
なイーオン導l!層、(D)は還元(又店1世)発色性
EC層〔(注)(B)層と(D)層は常に同一であって
はならない〕(E)は上部電極である。(A)は下部1
1極(A)の引出し部であり、この末端を外部電源に接
続する。引出し部(人、)は工程を省くためと接続を良
くするために下部電極(A)と同時に形成してしまう。
接続する引出し部か必要である。第1図はEC表示素子
の断面図であり、(GA)は基板、(A)は下部電極、
CB)は醸化(又は還元)発色性EC層、(C)は透明
なイーオン導l!層、(D)は還元(又店1世)発色性
EC層〔(注)(B)層と(D)層は常に同一であって
はならない〕(E)は上部電極である。(A)は下部1
1極(A)の引出し部であり、この末端を外部電源に接
続する。引出し部(人、)は工程を省くためと接続を良
くするために下部電極(A)と同時に形成してしまう。
また上部電極(E)についても、EC表示素子の完全な
封止のために第2図に示すように封止樹VIri(R)
を用いて上にガラス板(Gu)を載せる場合には、【実
際1発色のために必要な水分の長期的封じ込めは技術的
に鮭しく、(Gt)* (Gu)のガラス板によるEC
表示素子のサンドイッチが必要不可欠に近いIEC表示
素子を薄くするために、引出し部を封止領域外へ引出す
必要がある。第2図では縦横の寸法が正しくないのでわ
かりにくいが、5層全体で例えば1〜3μmと薄いこと
が全固体型EC表示素子の1つの特徴ともなっているの
で、外部電源を接続するための引出し部が必ず必要であ
る。第3図は第2図とは別の個所の断面図であるが、上
部電極(E)に引出し部(B、)を設けた例である。素
子を上方から見て上部電極(E)と下部電極(A)との
各引出し部CB、)と(A、)は、それぞれ同5じ位置
に設けることはできないので、例えば第4図に示すよう
に(E、)と0人、)とは別々の位置に設ける。
封止のために第2図に示すように封止樹VIri(R)
を用いて上にガラス板(Gu)を載せる場合には、【実
際1発色のために必要な水分の長期的封じ込めは技術的
に鮭しく、(Gt)* (Gu)のガラス板によるEC
表示素子のサンドイッチが必要不可欠に近いIEC表示
素子を薄くするために、引出し部を封止領域外へ引出す
必要がある。第2図では縦横の寸法が正しくないのでわ
かりにくいが、5層全体で例えば1〜3μmと薄いこと
が全固体型EC表示素子の1つの特徴ともなっているの
で、外部電源を接続するための引出し部が必ず必要であ
る。第3図は第2図とは別の個所の断面図であるが、上
部電極(E)に引出し部(B、)を設けた例である。素
子を上方から見て上部電極(E)と下部電極(A)との
各引出し部CB、)と(A、)は、それぞれ同5じ位置
に設けることはできないので、例えば第4図に示すよう
に(E、)と0人、)とは別々の位置に設ける。
ところで仮に各層の外郭形状をマスク・デポジションに
より決める(実際、層形成後、外郭形状を作る方法は別
工程が増加するのでコストが高くつきマスク・デポジシ
ョンが好ましい〕場合、下部電極(A)の外郭形状がそ
の上に積層する(B)〜(E)層のそれと同じか又はそ
れより大きいと、(イ)マスクと下地層との密着不良に
よりデポジション・パターンがぼけること、1口)マス
ク交換の際、既に形成した下地層のエツジ部がマスクに
よって損傷を受けること、あるいは(ハ)スパッタリン
グやイオンブレーティングのように放電を利用するデポ
ジションのとき、電界効果により既に形成された下地層
のエツジ部が損傷することなどによって、第5図に示す
ように上部電極(B)と下部電極(A)とが接触してシ
ョート状態になる恐れがある。この恐れを解消した1つ
のEC表示素子として、一本発明者らは先に第6図に示
すように下部電極(A)の引出し部(A1)を除く外郭
形状を、その上に積層する(B)〜(B)層の外郭形状
より小さくした表示素子を発明した。このようにすると
、CB)〜(B)層がぼけて広がったり、(B)〜(D
)層の工、ジ部が損傷しても(A)〜(E)層の間には
常に(B)〜(D)層が存在するので(A)、i)層が
ショート状態になる恐れはない。
より決める(実際、層形成後、外郭形状を作る方法は別
工程が増加するのでコストが高くつきマスク・デポジシ
ョンが好ましい〕場合、下部電極(A)の外郭形状がそ
の上に積層する(B)〜(E)層のそれと同じか又はそ
れより大きいと、(イ)マスクと下地層との密着不良に
よりデポジション・パターンがぼけること、1口)マス
ク交換の際、既に形成した下地層のエツジ部がマスクに
よって損傷を受けること、あるいは(ハ)スパッタリン
グやイオンブレーティングのように放電を利用するデポ
ジションのとき、電界効果により既に形成された下地層
のエツジ部が損傷することなどによって、第5図に示す
ように上部電極(B)と下部電極(A)とが接触してシ
ョート状態になる恐れがある。この恐れを解消した1つ
のEC表示素子として、一本発明者らは先に第6図に示
すように下部電極(A)の引出し部(A1)を除く外郭
形状を、その上に積層する(B)〜(B)層の外郭形状
より小さくした表示素子を発明した。このようにすると
、CB)〜(B)層がぼけて広がったり、(B)〜(D
)層の工、ジ部が損傷しても(A)〜(E)層の間には
常に(B)〜(D)層が存在するので(A)、i)層が
ショート状態になる恐れはない。
もつとも下部1!極(人)のσ1出し部(A1)はどう
しても(B)〜(E)層の外郭線より外側に出さなばな
らないので、引出し部(人、)はショート状態の恐れが
出て来る。そこで、ショート状態になる恐れのある部分
は第7図(平面図)に示すように下部電極(A)をその
すrmし部(^、)と同に形成した後電気絶縁層(I)
例えば全く水分を含まず、そのため電子も正孔もイオン
も通さないアルミナ1人40g) s二酸化ケイ素(8
10,)等を形成しておく必要がある。尚、この場合、
下部電tai(ム)と上部電極(14)との大きさが余
りに異なると、視野内に(A)〜(E)の5層部分と(
B)〜(B)の4層部分が互いに相当な部分を占めるこ
とになり、4層と5層との違いが光透過率、屈折率等の
違いにより表示素子の消色時の美感を損う恐れがあり、
その場合には下部電極(A)の瞬りに第8図に示すよう
に出来るだけ接してダミー電極(F)を設けてもよい。
しても(B)〜(E)層の外郭線より外側に出さなばな
らないので、引出し部(人、)はショート状態の恐れが
出て来る。そこで、ショート状態になる恐れのある部分
は第7図(平面図)に示すように下部電極(A)をその
すrmし部(^、)と同に形成した後電気絶縁層(I)
例えば全く水分を含まず、そのため電子も正孔もイオン
も通さないアルミナ1人40g) s二酸化ケイ素(8
10,)等を形成しておく必要がある。尚、この場合、
下部電tai(ム)と上部電極(14)との大きさが余
りに異なると、視野内に(A)〜(E)の5層部分と(
B)〜(B)の4層部分が互いに相当な部分を占めるこ
とになり、4層と5層との違いが光透過率、屈折率等の
違いにより表示素子の消色時の美感を損う恐れがあり、
その場合には下部電極(A)の瞬りに第8図に示すよう
に出来るだけ接してダミー電極(F)を設けてもよい。
もちろん、ダミー電極(F)は下部電極(A)と同一の
材料で同一の厚さにする。また、既に知られているよう
に表示素子をθ〜9のtoeの数字を表わす表示装置と
して使用したい場合には、上部又は下部電極を例えば7
つのセグメントに分割する必要がある。従って、ここで
も下部電極(A)を薄膜形成技術で形成した後、ホトエ
ツチング法により第9図に示すように7つのセグメント
に分割してもよい。この場合、もしダミー電極も必要で
あれば、下部電極C人)とダミー電極(F)を足し合わ
せた大きなマスクを使用してマスク拳デポジションを行
なった後、ホトエツチングによりセグメントへの分割と
同時にダミー電極(F)を分割してもよい。
材料で同一の厚さにする。また、既に知られているよう
に表示素子をθ〜9のtoeの数字を表わす表示装置と
して使用したい場合には、上部又は下部電極を例えば7
つのセグメントに分割する必要がある。従って、ここで
も下部電極(A)を薄膜形成技術で形成した後、ホトエ
ツチング法により第9図に示すように7つのセグメント
に分割してもよい。この場合、もしダミー電極も必要で
あれば、下部電極C人)とダミー電極(F)を足し合わ
せた大きなマスクを使用してマスク拳デポジションを行
なった後、ホトエツチングによりセグメントへの分割と
同時にダミー電極(F)を分割してもよい。
ともかく、以上述べた通り、EC表示素子の製作には、
おおまかに言って、引出し部(A、)を有する下部電極
0人)、CB)〜(D)層及びりf出し部(E、)を有
する上部電極(g)という、3種のマスクが必要であり
、その都度マスクを交換してからデポジションを行なう
必要がある。
おおまかに言って、引出し部(A、)を有する下部電極
0人)、CB)〜(D)層及びりf出し部(E、)を有
する上部電極(g)という、3種のマスクが必要であり
、その都度マスクを交換してからデポジションを行なう
必要がある。
しかしながら、マスクを交換するには、その都度デポジ
ション装置の真空室の真空状態を開放しなければならず
、特に上部電極(E)のデポジションの際にマスク交換
を行なうと、下地の(D)層の表面性状が変わるためと
思われるが1.完成しりEC表示素子の性能が、コント
ラスト、レスポンス(応答速度)等の点で低下すること
がわかった。
ション装置の真空室の真空状態を開放しなければならず
、特に上部電極(E)のデポジションの際にマスク交換
を行なうと、下地の(D)層の表面性状が変わるためと
思われるが1.完成しりEC表示素子の性能が、コント
ラスト、レスポンス(応答速度)等の点で低下すること
がわかった。
本発明の目的は、上部電極CF)のマスタ参デポジショ
ンの際、マスク交換の必要がなく、そのためCD)層の
デポジションの後、真空状態を破らずに(B)層のデポ
ジションを行なうことができるEC表示素子を提供する
ことKある。
ンの際、マスク交換の必要がなく、そのためCD)層の
デポジションの後、真空状態を破らずに(B)層のデポ
ジションを行なうことができるEC表示素子を提供する
ことKある。
〔発明の概要、)
このため、本発明は、透明な下部電極(&)、酸化(又
は還元)発色性EC層(B)、透明なイオン導電層(C
)、還元(又は酸化)発色性Be層(D)及び透明な上
部電極(E)を順次積層して成る全固体型EC表示素子
に於いて、少なくとも前記(D)層と(B)層がほぼ同
一の形状を有しており、かつ前記(E)層の周辺部上面
から外部に向かって薄膜状の引出し電極CB、)を設け
たことを特徴とする表示素子を提供する。
は還元)発色性EC層(B)、透明なイオン導電層(C
)、還元(又は酸化)発色性Be層(D)及び透明な上
部電極(E)を順次積層して成る全固体型EC表示素子
に於いて、少なくとも前記(D)層と(B)層がほぼ同
一の形状を有しており、かつ前記(E)層の周辺部上面
から外部に向かって薄膜状の引出し電極CB、)を設け
たことを特徴とする表示素子を提供する。
本発明に於いて、引出し電極(E、)は上部電極の引出
し部として作用するものであるので、以下、上部電極(
B)の引出し部(B、)と呼ぶことにする。このU[出
し部(E、)は、透明性が要求される場合には、上部及
び下部電極に使用される酸化スズ、酸化インジウム、I
TO等で形成し、透明性が要求されない場合にはAu
、Cr 、At、人g等の金属で形成する。形成方法は
薄膜状にする必要があることから、デボジョン法が好ま
しいが、場合によっては銀ペーストのようで常温で皮膜
を形成できる導電性ペーストをスクリーン印刷する方法
、あるいは極く局部的な加熱加圧で済むワイヤーボンデ
ィング法も用いることができる。
し部として作用するものであるので、以下、上部電極(
B)の引出し部(B、)と呼ぶことにする。このU[出
し部(E、)は、透明性が要求される場合には、上部及
び下部電極に使用される酸化スズ、酸化インジウム、I
TO等で形成し、透明性が要求されない場合にはAu
、Cr 、At、人g等の金属で形成する。形成方法は
薄膜状にする必要があることから、デボジョン法が好ま
しいが、場合によっては銀ペーストのようで常温で皮膜
を形成できる導電性ペーストをスクリーン印刷する方法
、あるいは極く局部的な加熱加圧で済むワイヤーボンデ
ィング法も用いることができる。
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発
明はこれらに限定されるものではない。
明はこれらに限定されるものではない。
(実施例)
(X)透明なガラス基板(Gt)の上に、第10図(1
)に示す如き形状の透明な下部電m(A)を引出SC人
、)と共にマスク・デポジションにより形成する。
)に示す如き形状の透明な下部電m(A)を引出SC人
、)と共にマスク・デポジションにより形成する。
電極材料としては、酸化スズ、酸化インジウム、5%程
度の酸化スズを混入させた酸化インジウム(ITOと呼
ばれる)などが用いられる。下部電極0人)の厚さは引
出しm (A、)もそうであるが0.05〜0.2μm
位あればよい。
度の酸化スズを混入させた酸化インジウム(ITOと呼
ばれる)などが用いられる。下部電極0人)の厚さは引
出しm (A、)もそうであるが0.05〜0.2μm
位あればよい。
(2)下部IE極(人)の主としてり1/fib部(ム
ρの上に第10図(2)K示すように電気絶縁層(I)
をマスク・デポジションにより形成する。電気絶縁層(
1)の材料は既述のように水を含まず、そのため電子も
正孔もイオンも通さないアルミナ、二酸化ケイ素等が使
用される。このような絶縁層(I)の厚さは、0.1−
0.2μm位あれば十分である。絶縁層(I)が表示視
野内に含まれるときには無色透明なものが好ましいが、
視野外にあるときには無色透明でなくともよい。場合に
よっては、絶縁層CI)はエポキシ樹脂、不飽和ポリエ
ステル、ポリウレタン、ケイ素樹脂等の絶縁塗料の塗膜
であってもよい。
ρの上に第10図(2)K示すように電気絶縁層(I)
をマスク・デポジションにより形成する。電気絶縁層(
1)の材料は既述のように水を含まず、そのため電子も
正孔もイオンも通さないアルミナ、二酸化ケイ素等が使
用される。このような絶縁層(I)の厚さは、0.1−
0.2μm位あれば十分である。絶縁層(I)が表示視
野内に含まれるときには無色透明なものが好ましいが、
視野外にあるときには無色透明でなくともよい。場合に
よっては、絶縁層CI)はエポキシ樹脂、不飽和ポリエ
ステル、ポリウレタン、ケイ素樹脂等の絶縁塗料の塗膜
であってもよい。
(3)次いで、盆踊イリジウムまたは金属ニッケルを第
10図(3)に示すようにマスク・デポジションした後
、m又はアルカリ水rJI液中で陽極酸化することによ
り、それらの金属を水酸化物〔酪化発色性BC層(B)
〕に変える。水酸化物になるに従い、それらの金属薄膜
は透明になり、EC性を示すようになる。さもなければ
、金属薄膜のままBC表示素子を作成し、その後交流電
圧を印加することにより酸化発色性BCN(B)に変え
てもよい。
10図(3)に示すようにマスク・デポジションした後
、m又はアルカリ水rJI液中で陽極酸化することによ
り、それらの金属を水酸化物〔酪化発色性BC層(B)
〕に変える。水酸化物になるに従い、それらの金属薄膜
は透明になり、EC性を示すようになる。さもなければ
、金属薄膜のままBC表示素子を作成し、その後交流電
圧を印加することにより酸化発色性BCN(B)に変え
てもよい。
このような酸化発色性Be層(B)の厚さは、0.00
1〜数μmもあれば十分である。
1〜数μmもあれば十分である。
尚、必要ならばこの(B)層をホトエツチングにより表
示パターンと同一形状にバターニングしてもよい。
示パターンと同一形状にバターニングしてもよい。
(4)前工程の金属イリジウムまたは金属二。
ケルのデポジションのときに使用したマスクを用いて、
透明なイオン導電層(C)をデポジションにより積層す
る(第1O図(4)参照)このような導電層(C)の材
料としては、水分を含み、そのためイオンは通すが電子
及び正孔は通さない例えば酸化タンタル(Ta、0fi
)、酸化ニオブ(Nb、O,) %酸化ジルコニつA
(Zr0t )、酸化チタン(Tie、 )、酸化ハフ
ニウム(HfO,)、酸化イツトリウム(Y、O,)%
酸化ランタン(La。
透明なイオン導電層(C)をデポジションにより積層す
る(第1O図(4)参照)このような導電層(C)の材
料としては、水分を含み、そのためイオンは通すが電子
及び正孔は通さない例えば酸化タンタル(Ta、0fi
)、酸化ニオブ(Nb、O,) %酸化ジルコニつA
(Zr0t )、酸化チタン(Tie、 )、酸化ハフ
ニウム(HfO,)、酸化イツトリウム(Y、O,)%
酸化ランタン(La。
0、)、酸化珪素(8i0.)、フッ化マグネシウム、
リン酸ジルコニウムなどが使用される。(C)層の厚さ
は0.2〜l10l1位が適当である。
リン酸ジルコニウムなどが使用される。(C)層の厚さ
は0.2〜l10l1位が適当である。
(5)次に前工程及び前々工程で使用したマスクを使用
して還元発色性薄膜(D)例えば酸化タングステンまた
は酸化モリブデンをデポジションにより形成する(第1
θ図〔5)参照)。この0層の厚さは0.1−1μm位
が適当である。
して還元発色性薄膜(D)例えば酸化タングステンまた
は酸化モリブデンをデポジションにより形成する(第1
θ図〔5)参照)。この0層の厚さは0.1−1μm位
が適当である。
(6)続いて前工程の真空状態を保持したまま同じマス
クを使用して透明な上部電極(B)を常温にてデポジシ
ョンにより形成した(第10図(6)参照)。上部電極
(B)の材料及び厚さは下部電極C人)と同じ範囲から
選ばれる。
クを使用して透明な上部電極(B)を常温にてデポジシ
ョンにより形成した(第10図(6)参照)。上部電極
(B)の材料及び厚さは下部電極C人)と同じ範囲から
選ばれる。
(7)jWIKvxりを交換シテ第1o[i!ff(7
)に示すように上部tFE酒(E)の周辺部上面に一部
接するように引出し部CB、)をデポジションにより形
成する。第1θ図(7)のX−X矢視断面端面図を第1
1図に示す。
)に示すように上部tFE酒(E)の周辺部上面に一部
接するように引出し部CB、)をデポジションにより形
成する。第1θ図(7)のX−X矢視断面端面図を第1
1図に示す。
(8)前工程のままでもよいが、表示素子の駆動寿命を
延ばすためには、封止することが好ましく、それも水分
を通さないガラス板(Gu )をかぶせることが好まし
い。しかし、ガラス板(Go )だけでは側面に陳間が
できるので、ガラス板(Go)の接着剤も兼ねて硬化性
の液状封止樹脂(R)例えばエポキシ樹脂、不飽和ポリ
エステル(例えば日本ユビカC株)製のユビヵ2035
p)、ポリウレタン、シリコーン樹脂等を全体に塗布し
た後、引出し部(E、)を険いた上部電極(B)より大
きなガラス板(Ou)を載せて封止!M脂(R)を硬化
させる。この様子を第12図に示す。
延ばすためには、封止することが好ましく、それも水分
を通さないガラス板(Gu )をかぶせることが好まし
い。しかし、ガラス板(Go )だけでは側面に陳間が
できるので、ガラス板(Go)の接着剤も兼ねて硬化性
の液状封止樹脂(R)例えばエポキシ樹脂、不飽和ポリ
エステル(例えば日本ユビカC株)製のユビヵ2035
p)、ポリウレタン、シリコーン樹脂等を全体に塗布し
た後、引出し部(E、)を険いた上部電極(B)より大
きなガラス板(Ou)を載せて封止!M脂(R)を硬化
させる。この様子を第12図に示す。
封止の場合、ガラス板(Gu)と最上層Cl8)層との
間は、特にあける必要がなく、むしろ余りあけると、封
止材FF4(R)の透明性、耐候性等の悪さが悪影響と
なって現われるので、100μm以下にすることが好ま
しい。それに対して側面は余り狭いと水分の封じ込めが
十分に出来ないので、第12図(1)にtで示す側面の
封止樹脂の幅、つまり上下がガラス板ではさまれ、その
間が樹脂だけである部分の基板(G1)に対して平行な
方向の樹脂の幅(封止しろとも呼ぶことができよう)は
、0、1 #111以上特に0.3ツ以上あることが好
ましい。
間は、特にあける必要がなく、むしろ余りあけると、封
止材FF4(R)の透明性、耐候性等の悪さが悪影響と
なって現われるので、100μm以下にすることが好ま
しい。それに対して側面は余り狭いと水分の封じ込めが
十分に出来ないので、第12図(1)にtで示す側面の
封止樹脂の幅、つまり上下がガラス板ではさまれ、その
間が樹脂だけである部分の基板(G1)に対して平行な
方向の樹脂の幅(封止しろとも呼ぶことができよう)は
、0、1 #111以上特に0.3ツ以上あることが好
ましい。
こうして完成したEC表示素子に引出し部(Aρ及び(
E)を通じて例えば1〜15ボルト程度の直流電圧を印
加すると約0.05〜0.5秒で青色ないし紺色に発色
し、この発色状態は電圧印加を止めても保持される。そ
の後、正負を逆にして同程度の電圧を印加すると、発色
に要した時間より短時間1元の無色透明に戻る。
E)を通じて例えば1〜15ボルト程度の直流電圧を印
加すると約0.05〜0.5秒で青色ないし紺色に発色
し、この発色状態は電圧印加を止めても保持される。そ
の後、正負を逆にして同程度の電圧を印加すると、発色
に要した時間より短時間1元の無色透明に戻る。
(実施例2)
下記第1表記載の製造条件により(4)〜(B)の各層
及びσ「出し部(A、) 、 (E、)並びに絶縁層(
F)を形成したほかけ実施例1と同様にしてEC表示素
子を作製した。
及びσ「出し部(A、) 、 (E、)並びに絶縁層(
F)を形成したほかけ実施例1と同様にしてEC表示素
子を作製した。
(比較例)
実施例2に於いて、上部電極(E)を形成する際に、デ
ポジション装置を常圧に戻してマスクを第7図に想像線
で示す如き形状のマスクに交換した後、第1表に記載し
た(E)層と同一の条件で、引出し部(E、)と同時に
上部電極i)を形成した。それ以外は実施例2と全く同
様にしてEC表示素子を作製した。
ポジション装置を常圧に戻してマスクを第7図に想像線
で示す如き形状のマスクに交換した後、第1表に記載し
た(E)層と同一の条件で、引出し部(E、)と同時に
上部電極i)を形成した。それ以外は実施例2と全く同
様にしてEC表示素子を作製した。
等と同時に形成する必要は特にはないが、同時に形成す
る方が工程が簡略化される。
る方が工程が簡略化される。
この後、実施例1と同様に(B)〜(B)層を形成した
後、上部電極CB)の周辺部からコンタクト部(E2)
にかけて引出し部(E、)をマスク・デポジションによ
り形成する。この結果を第14図及び第15図に示す。
後、上部電極CB)の周辺部からコンタクト部(E2)
にかけて引出し部(E、)をマスク・デポジションによ
り形成する。この結果を第14図及び第15図に示す。
(発明の効果)
以上の通り、本発明によれば、少なくとも(D)、(E
)層の形状を同一とし、上部電極(E)の引出し部ない
し引出し電極(E、)を上部電極([)とは別工程で形
成したことにより、(D)層のデポジションの後、真空
状態を破らずに(B)層のデポジションを行なうことが
でき、そのためレスポンス、コントラスト等の性能が向
上したEC表示素子が得られる。
)層の形状を同一とし、上部電極(E)の引出し部ない
し引出し電極(E、)を上部電極([)とは別工程で形
成したことにより、(D)層のデポジションの後、真空
状態を破らずに(B)層のデポジションを行なうことが
でき、そのためレスポンス、コントラスト等の性能が向
上したEC表示素子が得られる。
第1図は従来のEC表示素子の断面図である。
第2図は封止のkめにガラス板(Ou)を載せた従来の
EC表示素子の断面図である。 第3図は従来のEC表示素子の断面図である。 第4図は従来のEC表示素子の平面図である。 第5図は従来のEC表示素子の断面図である。 第6図は先に発明したEC表示素子の断面図である。 第7図は先に発明した別のEC表示素子を作る途中の半
製品の平面図である。 第8図及び第9図は先に発明した更に別のEC表示素子
を作る途中の半製品の平面図である。 第10図は本発明の実施例Iに於けるEC表示素子の各
製造工程での平面図である。 第11図は第1θ図(7)のX−X矢視断面端面図であ
る。 第12図(1)は本発明の実施例1で作製した表示素子
をガラス板(Ou)で封止した様子を示す平面であり、
第12図(2)はそのX−X矢視断面端面図である。 第13図は本発明の実施例3に於いて、下部電極等を形
成したガラス基板(GA)の平面図である。 第14図は同じ〈実施例3で製作したEC表示素子の平
面図である。 第15図は第14図のX−X矢視断面端面図である。 〔主要部分の符号の説明〕 Gt・・・ガラス基板 ム・・・下部電極 A ・・・下部電極の引出し部 B・・・酸化(又は還元)発色性EC層C・・・透明な
イオン導電層 D・・・還元(又は酸化)発色性EC層E・・・上部電
極 E ・・・上部電極の引出し電極(引出し部)R・・・
封止樹脂 Gu ・・・封止ガラス板 出 顯 入 日本光学工業株式会社 代理人 渡辺 ・陵男 \ 口 図 板 七 区 区 オ?図 オq図 第10囚 矛1G図 矛11図 一7tZ図 (2)
EC表示素子の断面図である。 第3図は従来のEC表示素子の断面図である。 第4図は従来のEC表示素子の平面図である。 第5図は従来のEC表示素子の断面図である。 第6図は先に発明したEC表示素子の断面図である。 第7図は先に発明した別のEC表示素子を作る途中の半
製品の平面図である。 第8図及び第9図は先に発明した更に別のEC表示素子
を作る途中の半製品の平面図である。 第10図は本発明の実施例Iに於けるEC表示素子の各
製造工程での平面図である。 第11図は第1θ図(7)のX−X矢視断面端面図であ
る。 第12図(1)は本発明の実施例1で作製した表示素子
をガラス板(Ou)で封止した様子を示す平面であり、
第12図(2)はそのX−X矢視断面端面図である。 第13図は本発明の実施例3に於いて、下部電極等を形
成したガラス基板(GA)の平面図である。 第14図は同じ〈実施例3で製作したEC表示素子の平
面図である。 第15図は第14図のX−X矢視断面端面図である。 〔主要部分の符号の説明〕 Gt・・・ガラス基板 ム・・・下部電極 A ・・・下部電極の引出し部 B・・・酸化(又は還元)発色性EC層C・・・透明な
イオン導電層 D・・・還元(又は酸化)発色性EC層E・・・上部電
極 E ・・・上部電極の引出し電極(引出し部)R・・・
封止樹脂 Gu ・・・封止ガラス板 出 顯 入 日本光学工業株式会社 代理人 渡辺 ・陵男 \ 口 図 板 七 区 区 オ?図 オq図 第10囚 矛1G図 矛11図 一7tZ図 (2)
Claims (1)
- 透明な下部電極(ム)、酸化(又は還元)発色性エレク
トロクロミック層(B)、透明なイオン導電層(C)、
還元(又は酸化)発色性エレクトロクロミック層(D)
及び透明な上部電極(E)を順次積層して成る全固体型
エレクトロクロミック表示素子に於いて、少なくとも前
記(D)層と(E)層がほぼ同一の形状を有しており、
かつ前記(B、)層の周辺部上面から外部に向かって薄
膜状の引出し電極(E、)を設けたことを特徴とする全
固体型エレクトロクロミ、り表示素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20627483A JPS6098481A (ja) | 1983-11-02 | 1983-11-02 | 全固体型エレクトロクロミツク表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20627483A JPS6098481A (ja) | 1983-11-02 | 1983-11-02 | 全固体型エレクトロクロミツク表示素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6098481A true JPS6098481A (ja) | 1985-06-01 |
Family
ID=16520607
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20627483A Pending JPS6098481A (ja) | 1983-11-02 | 1983-11-02 | 全固体型エレクトロクロミツク表示素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6098481A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01128227U (ja) * | 1988-02-23 | 1989-09-01 | ||
JPH01128228U (ja) * | 1988-02-23 | 1989-09-01 | ||
WO2003032068A1 (fr) * | 2001-10-05 | 2003-04-17 | Murakami Corporation | Element electrochimique entierement solide |
JP2004170477A (ja) * | 2002-11-18 | 2004-06-17 | Murakami Corp | 固体型ec素子およびその製造方法 |
-
1983
- 1983-11-02 JP JP20627483A patent/JPS6098481A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01128227U (ja) * | 1988-02-23 | 1989-09-01 | ||
JPH01128228U (ja) * | 1988-02-23 | 1989-09-01 | ||
WO2003032068A1 (fr) * | 2001-10-05 | 2003-04-17 | Murakami Corporation | Element electrochimique entierement solide |
US6798555B2 (en) | 2001-10-05 | 2004-09-28 | Murakami Corporation | Fully solid electrochromic element |
JP2004170477A (ja) * | 2002-11-18 | 2004-06-17 | Murakami Corp | 固体型ec素子およびその製造方法 |
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