JPS6097324A - 液晶表示素子の製造方法 - Google Patents
液晶表示素子の製造方法Info
- Publication number
- JPS6097324A JPS6097324A JP20651383A JP20651383A JPS6097324A JP S6097324 A JPS6097324 A JP S6097324A JP 20651383 A JP20651383 A JP 20651383A JP 20651383 A JP20651383 A JP 20651383A JP S6097324 A JPS6097324 A JP S6097324A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- soln
- film
- group
- drying
- liquid crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/133711—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by organic films, e.g. polymeric films
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は基板1iこ液晶垂直配向膜を形成する為の新規
な技術的改良を施した液晶表示素子の製造方法に関する
。
な技術的改良を施した液晶表示素子の製造方法に関する
。
〈従来技術〉
従来、液晶表示素子の液晶垂直配向膜の形成方法として
(1)溶液塗布による化学吸着(DMOAP等の有機シ
ラン)、(2)溶液塗布による物理吸着(レシチン、C
TAB(ヘキサデシルトリメチルアンモニウムブロマイ
ド)、オクタデシルアミンハイドロクロマイド)、+3
1プラズマ重合(パーフルオロジメチルシクロヘキサン
、テトラフルオロエチレン、ヘキサメチルジシロキサン
)、!41スパッタリング(ポリテトラフルオロエチレ
ン) b 151 a srs溶解注入による物理吸着
Cレシチン、オクタデシルマロン酸、パーサミドi00
.cTAB)、等の種々の方法かよく知られているとこ
ろであるがこれら従来の方法で形成した配向膜では液晶
の垂直配向力、絶縁耐圧、電極見え防止、信頼性等の点
で不十分であった。
(1)溶液塗布による化学吸着(DMOAP等の有機シ
ラン)、(2)溶液塗布による物理吸着(レシチン、C
TAB(ヘキサデシルトリメチルアンモニウムブロマイ
ド)、オクタデシルアミンハイドロクロマイド)、+3
1プラズマ重合(パーフルオロジメチルシクロヘキサン
、テトラフルオロエチレン、ヘキサメチルジシロキサン
)、!41スパッタリング(ポリテトラフルオロエチレ
ン) b 151 a srs溶解注入による物理吸着
Cレシチン、オクタデシルマロン酸、パーサミドi00
.cTAB)、等の種々の方法かよく知られているとこ
ろであるがこれら従来の方法で形成した配向膜では液晶
の垂直配向力、絶縁耐圧、電極見え防止、信頼性等の点
で不十分であった。
く目 的〉
本発F3Aハ新規な液晶垂直配向膜の形成方法の改良を
施すことにより、良好な配向膜を得ることを目的とする
ものである。
施すことにより、良好な配向膜を得ることを目的とする
ものである。
〈実施例〉
以下5本発明に係る実施例について説tlJを行なう。
以下製造手順に従い説明を行なう。尚図面は木発明によ
って垂直配向膜を形成する過程の基板の説明図である。
って垂直配向膜を形成する過程の基板の説明図である。
(1)・・・透明導電膜、トランジスタ・アレイ等の電
極1をその表面に形成したガラス基板又は半導体基板等
の基板2を準備する。
極1をその表面に形成したガラス基板又は半導体基板等
の基板2を準備する。
(2)・・・基板2の表面基こポリイミド系の前駆溶液
に芳香族アミノシラン系のシランカップリング剤をブレ
ンドした溶液を塗布し、該塗布後不活性ガス中にて15
0〜300℃で焼成する。
に芳香族アミノシラン系のシランカップリング剤をブレ
ンドした溶液を塗布し、該塗布後不活性ガス中にて15
0〜300℃で焼成する。
但し感光性ポリイミドの場合は紫外線硬化乾燥を行なう
。ここでポリイミド系のものとして、ポリイミド、ポリ
アミドイミド、ポリエステルイミド、ポリイミドシロキ
サン、シリコーン変性ポリイミド、ポリイミドイソイン
ドロキナゾリンジオン、ポリイミドベンゾイミダゾピロ
ロン、感光性ポリイミド等があり芳香族アミノシラン系
のシランカップリング(X:アルコキシ基、クロル基、
アセトキシ基、アルキルアミノ基、プロペノキシ基等。
。ここでポリイミド系のものとして、ポリイミド、ポリ
アミドイミド、ポリエステルイミド、ポリイミドシロキ
サン、シリコーン変性ポリイミド、ポリイミドイソイン
ドロキナゾリンジオン、ポリイミドベンゾイミダゾピロ
ロン、感光性ポリイミド等があり芳香族アミノシラン系
のシランカップリング(X:アルコキシ基、クロル基、
アセトキシ基、アルキルアミノ基、プロペノキシ基等。
Y’: (C1(2)m m=0 、1..2、−1Z
:<E>、 +α、■>−(◇・ ルケン基等)。)がある。尚、」−記シランカップリン
グ剤は上記ポリイミドの前駆溶液のプリポリマーに対し
て0.5〜5wt%程度が適量である。この処理によっ
て基板2上にポリイミド樹脂膜3が形成され、該11匁
3の表面基こシラノール基4bが生成される。
:<E>、 +α、■>−(◇・ ルケン基等)。)がある。尚、」−記シランカップリン
グ剤は上記ポリイミドの前駆溶液のプリポリマーに対し
て0.5〜5wt%程度が適量である。この処理によっ
て基板2上にポリイミド樹脂膜3が形成され、該11匁
3の表面基こシラノール基4bが生成される。
(3)・・・」−記ポリイミド樹脂膜3上に長暎基と、
加水分解によりシラノール基を生成する基とを備えたシ
ラン化合物をフッ素系溶媒に0.5〜2wt%溶かして
なる溶液を塗布し次にこれを乾燥せしめる。上記シラン
化合物としては蟇 (m = l IJ 〜l 7 ) 、X S i (
CH2) 3(CF2)m CF3 (m=5〜15)
−、□co (CF2)m CF3 (m=5〜15)
が適用可能である。上記Xt/i上述した(2)におけ
るXと同じである。この処理によってシラン化合物が加
水分解されてできたシラノール基4aとポリイミド樹脂
膜3表面のシラノール基4bとが脱水縮合してシロキサ
ン結合が形成される。又シラン化合物の長埴基5が垂直
方向に向いて配列する。こうして極めて良好な垂直配向
膜が形成される。即ち上記手順によって得た配向膜はポ
リイミド膜の絶縁耐圧良好性、電極見え防止性、高信頼
性の利点とシラン系膜の良好な垂直配向性の利点を有す
る。
加水分解によりシラノール基を生成する基とを備えたシ
ラン化合物をフッ素系溶媒に0.5〜2wt%溶かして
なる溶液を塗布し次にこれを乾燥せしめる。上記シラン
化合物としては蟇 (m = l IJ 〜l 7 ) 、X S i (
CH2) 3(CF2)m CF3 (m=5〜15)
−、□co (CF2)m CF3 (m=5〜15)
が適用可能である。上記Xt/i上述した(2)におけ
るXと同じである。この処理によってシラン化合物が加
水分解されてできたシラノール基4aとポリイミド樹脂
膜3表面のシラノール基4bとが脱水縮合してシロキサ
ン結合が形成される。又シラン化合物の長埴基5が垂直
方向に向いて配列する。こうして極めて良好な垂直配向
膜が形成される。即ち上記手順によって得た配向膜はポ
リイミド膜の絶縁耐圧良好性、電極見え防止性、高信頼
性の利点とシラン系膜の良好な垂直配向性の利点を有す
る。
〈効 果〉
本発明によれば良好な垂直配向膜を得る。
図面は末完OJJによって垂直配向膜を形成する過程の
基板の説明図である。 図中、1:電極、 2:基板。 3:ポリイミド樹脂膜、 4a、4b:シラノールIJ(。 5:長値基。
基板の説明図である。 図中、1:電極、 2:基板。 3:ポリイミド樹脂膜、 4a、4b:シラノールIJ(。 5:長値基。
Claims (1)
- ■、基板表面に芳香族アミノシラン系のシランカップリ
ング剤をブレンドしたポリイミド系の前駆溶液を塗布し
た後で焼成等して膜形成し、該膜」二に長墳基と、加水
分解によりシラノール基を生成する基とを備えたシラン
化合物を溶かした溶液を塗布して乾燥し、垂直配向膜を
形成したことを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20651383A JPS6097324A (ja) | 1983-10-31 | 1983-10-31 | 液晶表示素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20651383A JPS6097324A (ja) | 1983-10-31 | 1983-10-31 | 液晶表示素子の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6097324A true JPS6097324A (ja) | 1985-05-31 |
Family
ID=16524604
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20651383A Pending JPS6097324A (ja) | 1983-10-31 | 1983-10-31 | 液晶表示素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6097324A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH037913A (ja) * | 1989-03-09 | 1991-01-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶配向膜とその製造方法およびそれを用いた液晶表示装置 |
EP0453966A2 (de) * | 1990-04-21 | 1991-10-30 | Hoechst Aktiengesellschaft | Ferroelektrisches Flüssigkristalldisplay mit hohem Kontrast und hoher Helligkeit |
EP0601838A1 (en) * | 1992-12-07 | 1994-06-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
JPWO2013146469A1 (ja) * | 2012-03-28 | 2015-12-10 | 日産化学工業株式会社 | 硬化膜形成組成物、配向材および位相差材 |
-
1983
- 1983-10-31 JP JP20651383A patent/JPS6097324A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH037913A (ja) * | 1989-03-09 | 1991-01-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶配向膜とその製造方法およびそれを用いた液晶表示装置 |
EP0453966A2 (de) * | 1990-04-21 | 1991-10-30 | Hoechst Aktiengesellschaft | Ferroelektrisches Flüssigkristalldisplay mit hohem Kontrast und hoher Helligkeit |
EP0601838A1 (en) * | 1992-12-07 | 1994-06-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
US5422148A (en) * | 1992-12-07 | 1995-06-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
JPWO2013146469A1 (ja) * | 2012-03-28 | 2015-12-10 | 日産化学工業株式会社 | 硬化膜形成組成物、配向材および位相差材 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3587442T2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Polysilsesquioxanen. | |
JPH01217037A (ja) | 低吸湿性かつ高接着性のシリコン含有ポリイミド及びその前駆体の製造方法 | |
KR102164314B1 (ko) | 폴리이미드 또는 폴리(이미드-아미드) 복합 필름, 및 상기 복합 필름을 포함하는 디스플레이 장치 | |
JP2004115813A (ja) | ポリイミド前駆体組成物、ポリイミド膜の形成方法、電子部品および液晶素子 | |
JPS6097324A (ja) | 液晶表示素子の製造方法 | |
KR102164312B1 (ko) | 폴리이미드 제조용 조성물, 중합체, 및 상기 중합체를 포함하는 성형품 | |
JPS63141673A (ja) | 基板との接着性が改良された超薄膜とその製法 | |
JPS5833217A (ja) | 電気光学用電極基板 | |
KR102192462B1 (ko) | 실리카 막 형성용 조성물, 실리카 막, 및 전자소자 | |
DE3852597T2 (de) | Härtbare Zusammensetzung. | |
JPS6346227A (ja) | 共重合両性ポリイミド前駆体薄膜およびそれを閉環して得られる薄膜 | |
JPH0386725A (ja) | 絶縁物の製造方法及び半導体装置の製造方法 | |
JPS633024A (ja) | イオン結合を含む高分子化合物 | |
JPH04125929A (ja) | 半導体装置の絶縁膜形成方法および半導体装置 | |
JPH0120531B2 (ja) | ||
JPS5957437A (ja) | 酸化珪素膜の形成方法 | |
JPH0455483A (ja) | 耐熱性および絶縁性ワニス組成物およびそれを用いた被膜の形成方法 | |
JPS6365980A (ja) | 製膜法 | |
JPH0334558A (ja) | 多層配線構造体の製造方法 | |
JP2968371B2 (ja) | 保護膜付きカラーフィルターの製造方法及び液晶表示素子 | |
JPH02192729A (ja) | 絶縁層の製造方法 | |
JP3933773B2 (ja) | アクティブマトリクス液晶表示素子用絶縁剤 | |
JPH03139522A (ja) | ポリイミド薄膜 | |
JPS6348523A (ja) | 液晶素子の製造方法 | |
JPH0841204A (ja) | 硬化性組成物 |