JPH0386725A - 絶縁物の製造方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

絶縁物の製造方法及び半導体装置の製造方法

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JPH0386725A
JPH0386725A JP1225237A JP22523789A JPH0386725A JP H0386725 A JPH0386725 A JP H0386725A JP 1225237 A JP1225237 A JP 1225237A JP 22523789 A JP22523789 A JP 22523789A JP H0386725 A JPH0386725 A JP H0386725A
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insulator
organosilica sol
alkyl group
carbon atoms
silicon compound
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Hideki Harada
秀樹 原田
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Fujitsu Ltd
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Kyushu Fujitsu Electronics Ltd
Fujitsu Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 誘電率が低く、しかも１．これを薄膜とした場合リーク
電流が小さい絶縁物の製造方法と、この絶縁物を眉間絶
縁膜・表面安定化膜等とする半導体装置の製造方法とに
関し、 誘電率が低く、この絶縁物をもって薄膜を形成した場合
、リーク電流が少なく、カバーレッジも良好であり、多
層配線相互間の眉間絶縁膜・表面安定化膜等として有用
な絶縁物の製造方法と、この絶縁物を眉間絶縁膜・表面
安定化膜等とする半導体装置の製造方法とを提供するこ
とを目的とし、（イ）一般式Ｓ　ｉ　　（ＯＲ”　）　
ａ（但し、Ｒ１はプロトンまたは炭素数が１〜６である
アルキル基である） をもって表されるシリコン化合物の１モルと、一般式Ｒ
’　Ｓｉ　（ＯＲ”　）ｓ （但し、Ｒ１は炭素数が１〜６であるアルキル基または
アリル基であり、Ｒｚはプロトンまたは炭素数が１〜６
であるアルキル基である） をもって表されるシリコン化合物の３モル以上とを混合
し、前記の混合物を加水分解して、重縮合を発生させて
、重量平均分子量が１０３〜１０５であるオルガノシリ
カゾルを生成し、このオルガノシリカゾルに熱処理を施
してこれを硬化させる工程を含む絶縁物の製造方法、も
しくは、（ロ）一般式５ｉ（ＯＲ１）４ （但し、Ｒ１はプロトンまたは炭素数が１〜６であ−る
アルキル基である） をもって表されるシリコン化合物の２モルと、一般弐Ｒ
’ｚＳ　ｌ　（ＯＲ’　）ｔ （但し、Ｒ′は炭素数が１〜６であるアルキル基または
アリル基であり、Ｒ１はプロトンまたは炭素数が１〜６
であるアルキル基である） をもって表されるシリコン化合物の３モル以上とを混合
し、前記の混合物を加水分解して、重縮合を発生させて
、重量平均分子量が１０３〜１０３であるオルガノシリ
カゾルを生成し、このオルガノシリカゾルに熱処理を施
してこれを硬化させる工程を含むｗＡ縁物の製造方法、
もしくは、（ハ）一般式Ｒ’　Ｓｔ　　（ＯＲ糞）。
（但し、Ｒ１は炭素数が１〜６であるアルキル基または
アリル基であり、Ｒ１はプロトンまたは炭素数が１〜６
であるアルキル基である） をもって表されるシリコン化合物を加水分解して、重縮
合を発生させて、重量平均分子量が１０１〜１０５であ
るオルガノシリカゾルを生成し、このオルガノシリカゾ
ルに熱処理を施してこれを硬化させる工程を含む絶縁物
の製造方法、もしくは、（ニ）一般式Ｓｔ（ＯＲ８）４ （但し、Ｒ２はプロトンまたは炭素数が１〜６であるア
ルキル基である） をもって表されるシリコン化合物のモル数をＡとし、 一般式Ｒ’　Ｓ　Ｌ　（ＯＲ”　）ｓ （但し、Ｒ１は炭素数が１〜６であるアルキル基または
アリル基であり、Ｒ１はプロトンまたは炭素数が１〜６
であるアルキル基である） をもって表されるシリコン化合物のモル数をＢとし、 一般式Ｒ’ｚＳｉ（○Ｒｔ）。
（但し、Ｒ−は炭素数が１〜６であるアルキル基または
アリル基であり、Ｒ２はプロトンまたは炭素数が１〜６
であるアルキル基である） をもって表されるシリコン化合物のモル数をＣとし、 前記の各シリコン化合物を 土ジ”−≧０．７５ Ａ＋Ｂ＋Ｃ の関係式を満足させて混合し、この混合された前記の各
シリコン化合物の混合物を加水分解し、重縮合させ、重
量平均分子量が１０３〜１０３であるオルガノシリカゾ
ルを生成し、このオルガノシリカゾルに熱処理を施して
これを硬化させる工程を含む絶縁物の製造方法、または
、 （ホ）上記いづれかの製造方法を実施して製造したオル
ガノシリカゾルを基板上に塗布し、熱処理を施して絶縁
膜を形成する工程を含む半導体装置の製造方法をもって
構成される。
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置用材料として使用される絶縁物の
製造方法と、この絶縁物を眉間絶縁膜・表面安定化膜等
とする半導体装置の製造方法とに関する。特に、誘電率
が低く、しかも、これを薄膜とした場合リーク電流が小
さい絶縁物の製造方法と、この絶縁物を眉間絶縁膜・表
面安定化膜等とする半導体装置の製造方法とに関する。
〔従来の技術〕
半導体装置用材料として使用される絶縁物には二つの異
なった種類がある。一つはキャパシタ用絶縁膜やゲート
絶縁膜等に使用される絶縁物であり、他は多層配線相互
間の眉間絶縁膜・表面安定化膜等に使用される絶縁物で
ある。
前者に求められる特性は誘電率が極力高く、絶縁耐力が
大きいことであり、後者に求められる特性は誘電率が極
力低く、リークｉｔ流が少なく、カバーレンジが良好で
あり、薄膜とした場合段差とならず、この絶縁物をもっ
て形成された下地に段差があっても、その上に形成され
る配線等に断線等が発生しないことである。前者にあっ
ては、小さな平面積をもって大きな静電容量を実現する
ことができる利益を実現することができ、後者にあって
は浮遊静電容量が小さくなり、信号伝播速度を向上しう
ると云う利益を実現することができるからである。
〔発明が解決しようとする課題〕
上記せる二つの用途のうち、後者すなわち多層配線相互
間の眉間絶縁膜・表面安定化膜等として使用される絶縁
物には、ＰＳＧ−ＢＳＣ；−ＰＢＳＧ等、ボロンやリン
を少量含有した二酸化シリコンよりなるガラス状の絶縁
物、または、例えばアルコキシシランを出発原料として
、これを加水分解すると覧もに重縮合して得られるシリ
コン系材料、すなわち、所謂スピンオングラス（以下Ｓ
ＯＧと云う。）等が広く使用されていた。
しかし、これらの材料はいづれも誘電率が４以上で浮遊
静電容量が大きく、しかも、多孔質である場合が多いた
め、この絶縁物をもって薄膜を形成した場合、リーク電
流も大きく、さらに、ＳＯＧは熱処理によってクラック
が発生しやすく、層間絶縁膜としてはなお改良の余地を
残すものである。さらに、ポリイミド等の高分子化合物
を使用することも検討されているが、この場合は、加工
性に乏しいと云う欠点があり、やはり、十分満足できる
ものではない、そのため、誘電率が低く、この絶縁物を
もって薄膜を形成した場合、リーク電流が少なく、カバ
ーレンジも良好であり、多層配線相互間の眉間絶縁膜等
として有用な絶縁物の開発が望まれていた。
本発明の目的は、この要請に応えることにあり、誘電率
が低く、この絶縁物をもって薄膜を形成した場合、リー
ク電流が少なく、カバーレンジも良好であり、多層配線
相互間の眉間絶縁膜・表面安定化膜等として有用な絶縁
物の製造方法とこの絶縁物を層間絶縁膜・表面安定化膜
等とする半導体装置の製造方法とを提供することにある
。
〔課題を解決するための手段〕
上記の目的のうち、前者（絶縁物の製造方法）は、下記
いづれの手段によっても遠戚される。
第１の手段は、 一般式Ｓｉ（ＯＲ２）ｎ （但し、Ｒ２はプロトンまたは炭素数が１〜６であるア
ルキル基である） をもって表されるシリコン化合物の１モルと、一般式Ｒ
’　Ｓ　ｉ　（ＯＲ”　）　ｓ（但し、Ｒ１は炭素数が
１〜６であるアルキル基またはアリル基であり、Ｒ″は
プロトンまたは炭素数が１〜６であるアルキル基である
） をもって表されるシリコン化合物の３モル以上とを混合
し、 前記混合物を加水分解して、重縮合を発生させて、重量
平均分子量が１０３〜１０３であるオルガノシリカゾル
を生成し、 該オルガノシリカゾルに熱処理を施してこれを硬化させ
る工程を含み、誘電率が４以下であるシリコン化合物よ
りなる絶縁物を製造する方法である。
ＯＲ”の代表例がＯＨであることは云うまでもない。
第２の手段は、 一般式Ｓ　ｉ　（ＯＲ”　）　ａ （但し、Ｒ１はプロトンまたは炭素数が１〜６であるア
ルキル基である） をもって表されるシリコン化合物の２モルと、一般式Ｒ
’、Ｓｉ（ＯＲ２）。
（但し、Ｒ１は炭素数が１〜６であるアルキル基または
アリル基であり１．Ｒ２はプロトンまたは炭素数が１〜
６であるアルキル基である） をもって表されるシリコン化合物の３モル以上とを混合
し、 前記混合物を加水分解して、重縮合を発生させて、重量
平均分子量がｌＯ３〜１０３であるオルガノシリカゾル
を生成し、 該オルガノシリカゾルに熱処理を施してこれを硬化させ
る工程を含み、誘電率が４以下であるシリコン化合物よ
りなる絶縁物を製造する方法である。
第３の手段は、 一般式Ｒ’　Ｓ　ｉ　（ＯＲ”　）　３（但し、Ｒ１は
炭素数が１〜６であるアルキル基またはアリル基であり
、Ｒｔはプロトンまたは炭素数が１〜６であるアルキル
基である） をもって表されるシリコン化合物を加水分解して、重縮
合を発生させて、重量平均分子量が１０″〜１０３であ
るオルガノシリカゾルを生成し、咳オルガノシリカゾル
に熱処理を施してこれを硬化させる工程を含み、誘電率
が３．５以下であるシリコン化合物よりなる絶縁物を製
造する方法である。
第４の手段は、 一般式Ｓｉ（ＯＲ２）４ （但し、Ｒ８はプロトンまたは炭素数が１〜６であるア
ルキル基である） をもって表されるシリコン化合物のモル数をＡとし、 一般式Ｒ’　Ｓ　ｉ　　（ＯＲ”　）　ｚ（但し、Ｒ１
は炭素数が１〜６であるアルキル基またはアリル基であ
り、Ｒ２はプロトンまたは炭素数が１〜６であるアルキ
ル基である） をもって表されるシリコン化合物のモル数をＢとし、 一般式Ｒ’　ｔ　Ｓ　ｉ（ＯＲ”　）　＠（但し、Ｒ１
は炭素数が１〜６であるアルキル基またはアリル基であ
り、Ｒ２はプロトンまたは炭素数が１〜６であるアルキ
ル基である） をもって表されるシリコン化合物のモル数をＣとし、 前記各シリコン化合物を 且士主旦−≧０．７５ Ａ＋Ｂ＋Ｃ の関係式を満足させて混合し、 該混合された前記各シリコン化合物の混合物を加水分解
し、重縮合させ、重量平均分子量が１０３〜１０３であ
るオルガノシリカゾルを生成し、該オルガノシリカゾル
に熱処理・を施してこれを硬化させる工程を含み、誘電
率が４．０以下であるシリコン化合物よりなる絶縁物を
製造する方法である。
上記の目的のうち、後者（半導体装置の製造方法）は、
上記いづれかのオルガノシリカゾルを基板上に塗布し、
熱処理を施して絶縁膜を形成する工程を含む半導体装置
の製造方法によって達成される。
〔作用〕
本発明に係る絶縁物の製造方法を実施して製造した絶縁
物の構造の代表的１例としては、第１図に示す構造が挙
げられる。
そして、本発明に係る絶縁物の製造方法を実施して製造
した絶縁物のそれぞれに就いての実験の結果によれば、
有機基（Ｒ”）の数が多ければ多い程、本発明に係る絶
縁物の製造方法を実施して製造した絶縁物の表面の疎水
性が向上することが認められ、その結果、空気中の水分
を吸収しにく＼なり、誘電率が向上することが認められ
る。
本発明は、此の性質を利用したものであり、本発明に係
る絶縁物の製造方法を実施して製造した絶縁物は、誘電
率が低く、この絶縁物をもって薄膜を形成した場合、リ
ーク電流が少なく、カバーレッジも良好であり、多層配
線相互間の眉間絶縁膜・表面安定化膜等として好適な絶
縁物薄膜となる。
〔実施例〕
以下、本発明のいくつかの実施例に係る絶縁物の製造方
法と、この絶縁物を眉間絶Ｉ！膜・表面安定化膜等とす
る半導体装置の製造方法とについてさらに説明する。
第１〜４の実施例は、本発明の実施例に係る絶縁物の製
造方法の例であり、第５の実施例は、本発明の実施例に
係る絶縁物の製造方法を実施して製造した絶縁物の薄膜
を形成する工程を含む半導体装置の製造方法の例である
。
第１１じｕ４閣 四つロフラスコ中においで、テトラメトキシシラン１０
０ｇとメチルトリメトキシシラン１００ｇとを混合する
やこの混合物を撹拌しながら、イオン交換水１３０ｇを
添加して、上記のメチルトリメトキシシランとテトラメ
トキシシランとのアルコキシ基の部分を加水分解し、加
水分解終了後、そのま＼約５０℃に約２時間保持してシ
ラノールの重縮合となして重量平均分子量が２〜５Ｘ１
０３であり、重量平均分子量と数平均分子量との比が２
．５程度であるポリマーを作成する。
上記のポリマーを４５０℃程度の温度において熱処理し
て、本実施例に係る絶縁物を製造する。
以上の工程を使用して製造した絶縁物の比誘電率は約５
である。
第２］蔽涯 四つ目フラスコ中において、テトラメトキシシラン３０
ｇとメチルトリメトキシンラン１００ｇとを混合する。
この混合物を撹拌しながら、イオン交換水１３０ｇを添
加して、上記のメチルトリメトキシシランとテトラメト
キシシランとのアルコキシ基の部分を加水分解し１．加
水分解終了後、そのま＼約５０°Ｃに約２時間保持して
シラノールの重縮合となして重量平均分子量が３〜６Ｘ
１０″であり、重量平均分子量と数平均分子量との比が
２．５程度であるポリマーを作成する。
上記のポリマーを４５０℃程度の温度において熱処理し
て、本実施例に係る絶縁物を製造する。
以上の工程を使用して製造した絶縁物の比誘電率は約３
．４である。
第ｍ虹涯 四つロフラスコ中において、メチルトリメトキシシラン
１００ｇを撹拌しながら、イオン交換水１３０ｇを添加
して、上記のメチルトリメトキシシランのアルコキシ基
の部分を加水分解し、加水分解終了後、そのま＼約５０
°Ｃに約２時間保持してシラノールの重縮合となして重
量平均分子量が１〜３Ｘ１０３であり、重量平均分子量
と数平均分子量との比が２程度であるポリマーを作成す
る。
上記のポリマーを４５０　’Ｃ程度の温度において熱処
理して、本実施例に係る絶縁物を製造する。
以上の工程を使用して製造した絶縁物の比誘電率は約２
．９である。
第１ｊわＵ献健 四つロフラスコ中において、テトラメトキシシランとメ
チルトリメトキシシランとジメチルジメトキシシランと
を、それぞれ、Ａモル・Ｂモル・Ｃモル秤量し、このＡ
、　−Ｂ　−Ｃの間には、１土主旦−≧０６７５ Ａ＋Ｂ＋Ｃ の関係を満足させ、これらの混合物を撹拌しながら、イ
オン交換水を添加して加水分解し、そのま覧、約５０℃
に約２時間保持してシラノール重縮合を発生させて重量
平均分子量が１０３〜１０３であるポリマーを作成する
。７ 上記のポリマーを４５０°Ｃ程度の温度において熱処理
して、本実施例に係る絶縁物を製造する。
以上の工程を使用して製造した絶縁物の比誘電率は約４
以下である。
第」ｊとむ虻旌 第２図参照 上記の各実施例に係るポリマーにプロピレングリコール
モノプロピルエーテル乳酸エチル等を添加して、樹脂溶
液を製造し、その中に半導体装置素子が形威されて第１
層配線２が形威されている半導体基板１上にスピンコー
ドし、その後１２０℃の温度において約１０分間乾燥し
て溶剤を蒸発させ、つりいて、４５０℃の温度において
約３０分熱処理して熱硬化樹脂膜３を形成する。次に、
常圧ＰＳＧｌｌ１４を５，０００人厚に形威し、配線間
スルーホール（図示せず）を形威した後、第２Ｎ配線５
を形威し、再度、熱硬化樹脂膜６とＰＳＧ＠７とを形威
し、さらに同様にして、第３層配線８と表面安定化膜９
とを形威し、１ゲート当り８．５龍の配線膜を有する８
段のリングオツシレータを製造する。なお、表面安定化
膜９は、本実施例の要旨に係る熱硬化樹脂膜としても、
従来技術の場合と同様ＰＳＣ−ＢＳＧ−ＰＢＳＣ，等、
ボロンやリンを少量含有した二酸化シリコンよりなるガ
ラス状の絶縁物やＳＯＧを使用してもよい。
以上の工程をもって製造したリングオツシレータの信号
伝播遅延は、対応する比誘電率と＼もに減少し、下記に
表記するとおりであった。
此實量りも　　　　　　＝−’ｐｓ ９．１　　　　　　　　　　　　　４５Ｂ４．６　　　
　　　　　　　　　　３７７３．０　　　　　　　　　
　　　３４８〔発明の効果〕 以上説明せるとおり、本発明に係る絶縁物の製造方法は
、 （イ）一般式５ｔ（ＯＲ寞）４ （但し、Ｒ８はプロトンまたは炭素数が１〜６であるア
ルキル基である） をもって表されるシリコン化合物の１モルと、一般式Ｒ
’　Ｓ　ｉ、（ＯＲ’　）雪 （但し、Ｒ１は炭素数が１〜６であるアルキル基または
アリル基であり、Ｒ１はプロトンまたは炭素数が１〜６
であるアルキル基である） をもって表されるシリコン化合物の３モル以上とを混合
し、前記の混合物を加水分解して、重縮合を発生させて
、重量平均分子量が１０３〜１０５であるオルガノシリ
カゾルを生成し、このオルガノシリカゾルに熱処理を施
してこれを硬化させる工程を含み、誘電率が４以下であ
るシリコン化合物よりなる絶縁物の製造方法、−または
、（ＣＩ）一般式Ｓ　ｉ　（ＯＲ’　）　ａ（但し、Ｒ
ｚはプロトンまたは炭素数が１〜６であるアルキル基で
ある） をもって表されるシリコン化合物の２モルと、一般式Ｒ
１２Ｓｉ（ＯＲ寡）！ （但し、Ｒ’は炭素数が１〜６であるアルキル基または
アリル基であり、Ｒ″はプロトンまたは炭素数が１〜６
であるアルキル基である） をもって表されるシリコン化合物の３モル以上とを混合
し、前記の混合物を加水分解して、重縮合を発生させて
、重量平均分子量がＩＯ３〜１０３であるオルガノシリ
カゾルを生成し、このオルガノシリカゾルに熱処理を施
してこれを硬化させる工程を含み、誘電率が４以下であ
るシリコン化合物よりなる絶縁物の製造方法、または、
（ハ）一般式Ｒ’　Ｓ　ｉ　（ＯＲ’　）　ｓ（但し、
Ｒ１は炭素数が１〜６であるアルキル基またはアリル基
であり、Ｒｔはプロトンまたは炭素数が１〜６であるア
ルキル基である） をもって表されるシリコン化合物を加水分解して、重縮
合を発生させて、重量平均分子量が１０３〜１０ｓであ
るオルガノシリカゾルを生成し、このオルガノシリカゾ
ルに熱処理を施してこれを硬化させる工程を含み、誘電
率が３．５以下であるシリコン化合物よりなる絶縁物の
製造方法、または、（ニ）一般式Ｓ　ｉ　（ＯＲ”　）
　ｓ（但し、Ｒｔはプロトンまたは炭素数が１〜６であ
るアルキル基である） をもって表されるシリコン化合物のモル数をＡとし、 一般式Ｒ’　Ｓ　ｉ　（ＯＲ”　）　ｘ（但し、Ｒ１は
炭素数が１〜６であるアルキル基またはアリル基であり
、Ｒ１はプロトンまたは炭素数が１〜６であるアルキル
基である） をもって表されるシリコン化合物のモル数をＢとし、 一般式Ｒ’　ｚ　Ｓ　ｉ　（Ｏ１’？’　）　ｚ（但し
、Ｒ’は炭素数が１〜６であるアルキル基またはアリル
基であり、Ｒ１はプロトンまたは炭素数が１〜６である
アルキル基である） をもって表されるシリコン化合物のモル数をＣとし、 前記の各シリコン化合物を Ｂ＋２　Ｃ Ａ＋Ｂ＋Ｃ≧０°７５ の関係式を満足させて混合し、この混合された前記の各
シリコン化合物の混合物を加水分解し、重縮合させ、重
量平均分子量が１０１〜１０３であるオルガノシリカゾ
ルを生成し、このオルガノシリカゾルに熱処理を施して
これを硬化させる工程を含み、誘電率が４．０以下であ
るシリコン化合物よりなる絶縁物の製造方法をもって構
成されており、これらの製造方法を実施して製造した絶
縁物の構造は、シリコン原子と酸素原子とが結合したシ
ロキサン結合であり、内部に含まれる有機基（Ｒ’　）
の数が大きければ大きい程絶縁物の表面疎水性が向上し
、その結果、空気中の水分を吸収しにく覧なり、その誘
電率は、有機基（Ｒ１）の数に対応して、５以下、３．
４以下、または、２．９以下となることが実験的にｉｌ
認されている。
そこで、これらの絶縁物を眉間絶縁膜・表面安定化膜等
として半導体装置を製造すると、この層間絶縁膜・表面
安定化膜等は、リーク電流が少なくなり、カバーレンジ
も良好となる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明に係る絶縁物の製造方法を実施して製
造した絶縁物の代表的１例の構造を示す模擬図である。 第２図は、本発明の第５の実施例に係る半導体装置を製
造する方法を実施して製造した半導体装置の多層配線を
示す図である。 ・・・半導体基板、 ・・・第１層配線、 ・・・本発明の要旨に係る絶縁膜、 ・・・常圧ＰＳＧ膜、 ・・・第２層配線、 ・・・本発明の要旨に係る絶縁膜、 ・・・ＰＳＧ膜、 ・・・第３層配線、 ・・・表面安定化膜（本発明の要旨に係る絶縁膜でもＰ
ＳＧ膜等でもよい）。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 ［１］一般式Ｓｉ（ＯＲ＾２）＿４ （但し、Ｒ＾２はプロトンまたは炭素数が１〜６である
    アルキル基である） をもって表されるシリコン化合物の１モルと、一般式Ｒ
    ＾１Ｓｉ（ＯＲ＾２）＿３ （但し、Ｒ＾１は炭素数が１〜６であるアルキル基また
    はアリル基であり、Ｒ＾２はプロトンまたは炭素数が１
    〜６であるアルキル基である） をもって表されるシリコン化合物の３モル以上とを混合
    し、 前記混合物を加水分解して、重縮合を発生させて、重量
    平均分子量が１０＾３〜１０＾５であるオルガノシリカ
    ゾルを生成し、 該オルガノシリカゾルに熱処理を施してこれを硬化させ
    る工程を含む ことを特徴とする絶縁物の製造方法。 ［２］請求項［１］記載の前記オルガノシリカゾルを基
    板（１）・（４）上に塗布し、熱処理を施して絶縁膜（
    ３）・（６）を形成する工程を含むことを特徴とする半
    導体装置の製造方法。 ［３］一般式Ｓｉ（ＯＲ＾２）＿４ （但し、Ｒ＾２はプロトンまたは炭素数が１〜６である
    アルキル基である） をもって表されるシリコン化合物の２モルと、一般式Ｒ
    ＾１＿２Ｓｉ（ＯＲ＾２）２ （但し、Ｒ＾１は炭素数が１〜６であるアルキル基また
    はアリル基であり、Ｒ＾２はプロトンまたは炭素数が１
    〜６であるアルキル基である） をもって表されるシリコン化合物の３モル以上とを混合
    し、 前記混合物を加水分解して、重縮合を発生させて、重量
    平均分子量が１０＾３〜１０＾５であるオルガノシリカ
    ゾルを生成し、 該オルガノシリカゾルに熱処理を施してこれを硬化させ
    る工程を含む ことを特徴とする絶縁物の製造方法。 ［４］請求項［３］記載の前記オルガノシリカゾルを基
    板（１）・（４）上に塗布し、熱処理を施して絶縁膜（
    ３）・（６）を形成する工程を含むことを特徴とする半
    導体装置の製造方法。 ［５］一般式Ｒ＾１Ｓｉ（ＯＲ＾２）＿３ （但し、Ｒ＾１は炭素数が１〜６であるアルキル基また
    はアリル基であり、Ｒ＾２はプロトンまたは炭素数が１
    〜６であるアルキル基である） をもって表されるシリコン化合物を加水分解して、重縮
    合を発生させて、重量平均分子量が１０＾３〜１０＾５
    であるオルガノシリカゾルを生成し、該オルガノシリカ
    ゾルに熱処理を施してこれを硬化させる工程を含む ことを特徴とする絶縁物の製造方法。 ［６］請求項［５］記載の前記オルガノシリカゾルを基
    板（１）・（４）上に塗布し、熱処理を施して絶縁膜（
    ３）・（６）を形成する工程を含むことを特徴とする半
    導体装置の製造方法。 ［７］一般式Ｓｉ（ＯＲ＾２）＿４ （但し、Ｒ＾２はプロトンまたは炭素数が１〜６である
    アルキル基である） をもって表されるシリコン化合物のモル数をＡとし、 一般式Ｒ＾１Ｓｉ（ＯＲ＾２）＿３ （但し、Ｒ＾１は炭素数が１〜６であるアルキル基また
    はアリル基であり、Ｒ＾２はプロトンまたは炭素数が１
    〜６であるアルキル基である） をもって表されるシリコン化合物のモル数をＢとし、 一般式Ｒ＾１＿２Ｓｉ（ＯＲ＾２）＿２ （但し、Ｒ＾１は炭素数が１〜６であるアルキル基また
    はアリル基であり、Ｒ＾２はプロトンまたは炭素数が１
    〜６であるアルキル基である） をもって表されるシリコン化合物のモル数をＣとし、 前記各シリコン化合物を Ｂ＋２Ｃ／Ａ＋Ｂ＋Ｃ≧０．７５ の関係式を満足させて混合し、 該混合された前記各シリコン化合物の混合物を加水分解
    し、重縮合させ、重量平均分子量が１０＾３〜１０＾５
    であるオルガノシリカゾルを生成し、該オルガノシリカ
    ゾルに熱処理を施してこれを硬化させる工程を含む ことを特徴とする絶縁物の製造方法。 ［８］請求項［７］記載の前記オルガノシリカゾルを基
    板（１）・（４）上に塗布し、熱処理を施して絶縁膜（
    ３）・（６）を形成する工程を含むことを特徴とする半
    導体装置の製造方法。
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