JPS633024A - イオン結合を含む高分子化合物 - Google Patents

イオン結合を含む高分子化合物

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JPS633024A
JPS633024A JP61145714A JP14571486A JPS633024A JP S633024 A JPS633024 A JP S633024A JP 61145714 A JP61145714 A JP 61145714A JP 14571486 A JP14571486 A JP 14571486A JP S633024 A JPS633024 A JP S633024A
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film
polymer compound
carbon atoms
compound
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JP61145714A
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Masakazu Kamikita
正和 上北
Hiroshi Awaji
弘 淡路
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Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発泗」１し１氷旺 本発明は、高分子化合物に関するものであり、さらに詳
しくは、ラングミュア・プロジェット法で製膜できるよ
うに修飾された高分子化合物に関するものである。
従来技玉 すでに１９３０年代、炭素数１６〜２２くらいの脂肪酸
が水面上に単分子膜をつ（す、それを基質上に累積でき
ることがラングミュアとプロジェットにより見出された
が、技術的応用についての検討が行われはしめたのは最
近のことである。
これまでの研究の概要については、固体物理１７（１２
）　４５　（１９８２）　Ｔｈ１ｎ　５ｏｌｉｄ　Ｆｉ
ｌｍｓ　６８　Ｎｏ、１　（１９８０）　。
１ｂｉｄ、　９９　Ｎｏ、　１．２．３　（１９８３）
　Ｉｎ５ｏｌｕｂｌｅ　ｍｏｎｏｌａｙｅｒｓａｔ　ｌ
ｉｑｕｉｄ−ｇａｓ　１ｎｔｅｒｆａｃｅｓ　（Ｇ、Ｌ
、　Ｇａ１ｎｓ、　Ｉｎｔｅｒ−ｓｃｉｅｎｃｅ　Ｐｕ
ｂｌｉｓｈｅｒｓ、　Ｎｅｗ　Ｙｏｒｋ、　１９６６）
などにまとめられているが、従来の直鎖飽和脂肪酸のラ
ングミュア・プロジェット膜（以下ｒＬＢ膜」という）
は耐熱性、機械的強度に欠点があり実用的応用にはその
ままでは使えないという問題点がある。
これらを改善するものとして不飽和脂肪酸、例えばω−
トリコセン酸、ω−ペプタデセン酸やα−オクタデシル
アクリル酸や脂肪酸の不飽和エステル、例えばステアリ
ン酸ビニル、オクタデシルアクリレートのほか、ジアセ
チレン誘導体などの重合膜が検討されているが、耐熱性
は充分とはいえないし、電気的にもすぐれたものとはい
えない。
ポリマーについもポリ酸、ポリアルコール、エチルアク
リレート　ポリペプチドなど親水性基をもつ高分子に成
膜性のあるものが知られているが、特にラングミュア・
プロジェット膜用の材料として、修飾された高分子はこ
れまで検討されていないし、すぐれたＬＢ膜材料と言え
るものはない。
−方、耐熱性フィルムとしてポリイミドがあるが、スピ
ンコードなどの方法によってはせいぜい１０００八以上
で通常は１μｍ以上で１０００Å以下のピンホールのな
い耐熱性薄膜を作成するのは非常に困難である。
■　（２しよ゛と　る口　占 本発明は、本来、ラングミュア・プロジェット法では製
膜が困難である高分子化合物を修飾することにより同法
による製膜を可能にすることであり、耐熱性、耐薬品性
、接着力などの機械的特性の改善された一般的には製膜
が難しい厚みの高分子薄膜を提供することである。
口　占　　゛　　るための 高分子化合物の繰返し単位中に疎水性を付与するための
置換基を導入することによってラングミュア・プロジェ
ット法で製膜できるように修飾し、この修飾された高分
子化合物をラングミュア・プロジェット法によって製膜
することによってなされる。
祥１巳１論 本発明において使用するＬＢｌｉ材料の１つは、少なく
とも２（！Ｉの炭素原子を有する少な（とも３価の第１
の有機基Ｒ１と、少なくとも２１１１ｉＪの炭素原子を
有する少なくとも２価の第２の有機基Ｒ２とが２価の結
合基によって交互に連結されている線状の繰返し単位を
有し、かつイオン結合によって同じ繰返し単位へ結合し
た、置換基を含むこともある炭素数１０〜３０の炭化水
素含有基Ｒ３を少な（とも１つ含んでいる高分子化合物
である。
勿論これに限定されるわけではないが、Ｒ＋がＲ２と価
数が等しいか、多い場合について価数が６までを例示す
ると、 肛夏ｌ数　　　互勿匝数 ■　　　　　　３２ ■　　　　　　　　４２ ■　　　　　　　　５２ ■　　　　　　　　６２ ■　　　　　　　　３３ ■　　　　　　　　４３ ■　　　　　　　　５３ ■　　　　　　　　６３ ■　　　　　　　　　４４ ＠ｌ　　　　　　　　　５　　　　　　　　４＠５５ ０　　　　　６　　　　　６　である。
ここにはＲ１，Ｒ２が５価以上の例もリストアツブされ
ているが、Ｒ１，Ｒ２は４価までが特に好ましい例であ
る。
Ｒｔ＝　３　、　ＲＺ＝　２価 Ｒ１＝４．ＲＺ＝２ Ｒ１＝３．Ｒ２＝３ Ｒ１＝４．Ｒ２＝３ ＲＩ＝４．Ｒ２＝４ について可能な具体例について列挙すると、Ｒ＋＝　３
　：　Ｒ２＝　２のとき、 Ｒ１＝４．Ｒ２＝２のときは、 Ｒ１＝３．Ｒ２＝３のときは、 Ｒ１＝４．Ｒ２＝３のときは、 Ｒ１＝４．Ｒ２＝４のときは、 である。
（１）〜（７２）式におけるＡＢ、ＢＡは、Ｏ，Ｎ。
Ｓ、Ｐ、Ｂなどのヘテロ原子を含む酸性基と塩基性基Ｂ
の反応によってできた２価の結合基である。さらに具体
的には、−ＣＯＯＲ，（Ｒはアルキル基または水素原子
、以下同じ）　−ＣＯＸ、　（ＸはαまたはＢｒ、以下
同じ）　−ＮＧＯ，−ＮＣＳ、−ＣＮ、−ＣＯＮＨＲな
どの酸性基Ａと、−ＮＨＲ，−ＯＲ，−ＳＲ，−Ｘ等の
塩基性基Ｂの反応によってできた基で、 ＯＳ　　　　　　　Ｓ 等であり、 等である。
（１）〜（７２）式には線状の繰返し単位を作るのに使
われていないＡ／Ｂが存在するが、この置換基を通して
、イオン結合によって置換基を有することもある炭素数
１０〜３０．好ましくは炭素数１６〜２２の炭化水素含
有基Ｒ３の少なくとも１つ、好ましくは２つを含有し、
ラングミュア・プロジェット法で製膜可能なように修飾
されたものである。
例えばＡに対しては、Ａが−ＣＯＯＨならのように修飾
される。Ｒ４，Ｒ５は置換基を有することもある炭素数
１〜３０の炭化水素含有基あるいは水素原子であり、好
ましくは炭素数１〜４の炭化水素含有基あるいは水素原
子である。
−方、Ｂに対してはＢが−ＮＨ２，−ＮＨＲ４のように
修飾される。Ｒ４，Ｒｓは先の定義に同じ。
−般式（１）〜（７２）におけるＲ１およびＲ２は少な
くとも２個の炭素原子を含有する、好ましくは５〜２０
個の炭素原子を含有する４価の基であり、芳香族の基で
あってもよく、環状脂肪族の基であってもよく、芳香族
の基と脂肪族の基との結合した基であってもよく、さら
にこれらの基が炭素数１〜３０の脂肪族の基、環状脂肪
族の基あるいは芳香族の基と脂肪族の基とが結合した基
、それらの基がハロゲン原子、ニド四基、アミノ基、シ
アノ基、メトキシ基、アセトキシ基などの１価の基で、
あるいは該１価の基が−０−、−Ｃｏｏ−、−ＮＨＣＯ
−。
−Ｃｏ−、−Ｓ−、−ＣＳＳ−、−ＮＨＣＳ−、−ＣＳ
−などに結合した基で置換され誘導体となった基であっ
てもよい。
しかし、Ｒ１，Ｒ２が少なくとも６個の炭素原子数を有
するベンゼノイド不飽和によって特徴づけられた基であ
る場合には、耐熱性、耐薬品性や機械的特性などの点か
ら好ましい。
本発明のベンゼノイド不飽和とは炭素環式化合物の構造
に関してキノイド構造と対比して用いられる術語で、普
通の芳香族化合物に含まれる炭素環と同じ形の構造をい
う。
Ｒ＋、　Ｒ２についてさらに詳しく述べるために好適な
ものを例示すれば以下のとおりである。
ここでＲ６は ■ Ｃｈ　　　ＣＦ３ −ｏ−、−ｃｏ−、−ｓ−。
０　　　　　　　　。
Ｒ７：アルキルまたはアリール基 Ｈ３ ■ ＣＨ３ （ＣＨ２）Ｐ−（ｐ　　＝　２〜１０）　、　　−（Ｃ
Ｈ２）４−Ｃ−（ＣＨ２）２　。
Ｃ）＋３０ ぜ −（ＣＨ２）ＩＯＣＨ−ＣＨ３、−（ＣＨ２）３　　Ｃ
（ＣＨ２）２−。
−（ＣＨ２）３−０−（ＣＨ２）２−０−（ＣＨ２）３
−。
ＣＨ３Ｃ１（３ ＣＨ３ＣＨａ Ｃｓ　Ｈｓ　　　　Ｃ６Ｈ５ しｔ１３　　　　　１．、＋１３ ＣＨ３ＣＨ３ＣＨ３ （以下余白） （Ｒ６は前出に同じ） 以上の中からＲ１，Ｒ２のさらに好ましい例をあげれば （Ｒｓは前出に同じ）である。
以上の例では環化反応を行う際に５員環や６員環を形成
しやすく望ましい。
Ｒ３は炭素数１０〜３０好ましくは１６〜２２の炭化水
素含有基であるが、脂肪族、環状脂肪族と脂肪族、芳香
族と脂肪族の結合、それらの置換体から選ばれた１価の
基は好ましい具体的な例であり、列挙すれば （ＣＨ３）　（ＣＨ２）ｎ−１，ＣＨ２＝ＣＨ（ＣＨｚ
）ｎ−ｚ　　。
ここで７＋ｆｉ＝ｎ−５、ｎ＝１０〜３０好ましくは１
６〜２２等であり、直鎖系脂肪族炭化水素基が特に好ま
しい例である。
これらに対する置換基としてはハロゲン原子。
ニトロ基、アミノ基、シアン基、メトキシ基、アセトキ
シ基等があるが必須ではない。しかしフッ素原子は水素
原子より疎水性を向上させるので場合により使われるこ
とが望ましい。
即ち、フッ素を含有させることによってアルキル鎖の長
さを短くできる。例えば　ＣｅＦ＋ｖ　（Ｃ１ｌｚ）　
！　−において差＝２で充分であり、炭素数１０で製膜
が可能なようにできる。
本発明の製膜方法に適用可能な高分子化合物の具体的な
例は（１）〜（７２）式にＲ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４Ｒ５
，Ａ、Ｂ、　ＡＢ、　ＢＡの具体例およびＲ３を置換す
る方法の具体例をそれぞれ代入することによって明らか
になる。（１）〜（７２）には共重合体は含まれていな
いが、これらから類准される共重合体も勿論本発明に含
まれる。
又さらに必須ではないが、本発明の高分子化合物が炭素
数１〜９の炭化水素含有基によって置換されていてもよ
い。
本発明の高分子化合物の分子量については特に限定はな
い。しかし分子量が低くても、本発明の製膜方法によっ
て製膜は可能であるが、良好な耐熱性１機械的強度、耐
薬品性を得ることはできない。また−方分子量が大きす
ぎると、粘度が高すぎて製膜がうまくいかない。
従って、数平均分子量が２．０００〜３００．０００程
度のものが望ましい。
（１）〜（７２）式から誘導される本発明の高分子化合
物の実用的な具体例をあげると以下のとおりである。
式中、−は異性を表す。
例えば、下式（７３）で説明すれば、 および を表す。
本発明は（７３−１）　　（７３−２）が単独である場
合（７３−１）　　（７３−２）が共存する場合を含ん
でいる。
他の伊Ｉは、例えば神戸博太部編、高分子の耐熱性（培
風館、　Ｓ４５．３．５　）　、高分子の熱分解とｉｔ
熱性（培風館、Ｓ４９．３．１５）等の底置に求めるこ
とができる。
これらイオン結合を含む高分子化合物の製造方法を説明
するために（７３）式でＲ３＝　ＣＨ３（ＣＨ２）　ｌ
ｒ　−。
Ｒａ＝Ｒ５＝　ＣＨ３の場合について述べる。トリメリ
ット酸を実質的に無水の条件下で、有機極性溶剤中でチ
オニルクロライドでアシル化し、これにｐ−フェニレイ
ジアミンを温度θ〜４０℃程度、好ましくは２０°Ｃ程
度で反応させることによって、で表される繰返し単位を
有するポリアミド酸が合成される。
採用される反応条件すなわち、反応温度、反応試薬、溶
媒の純度、精製度合や水分量、酸成分とジアミン成分の
比率や、添加順序などによっても得られるポリアミック
酸の分子量は大きく変わる。
高分子量体を得ようとするときには、低温で高純度の水
分の少ない試薬溶媒を使用して、酸成分とジアミン成分
の比率をできるだけ１にすることが望まれる。本発明の
望ましい実施態様は必ずしも高粘度のポリアミド酸塩で
はないので、上のように厳しく条件を調整することなし
に非常に容易に合成することができる。
このように得られたポリアミド酸にＮ−ｎ−オフタデシ
ルジメチルアミンの溶液を加えることによって得られる
。もちろんポリアミド酸の希釈溶液（ジメチルアセトア
ミドとベンゼン１：１のような）にＮ　　ｎ−オクタデ
シルジメチルアミンのジメチルアセトアミドとベンゼン
の混液を混合して本発明の塩の溶液として、そのままラ
ングミュア・プロジェット膜用の展開液としてもよい。
次に本発明に用いるラングミュア・プロジェット膜の製
法について説明する。
ラングミュア・フ゛ロジェットＭＱの製法としては、膜
を形成する物質を水面上に展開し、水面上に展開された
物質を一定の表面圧で圧縮して単分子膜を形成し、その
膜を基板上に移しとる方法のほか、水平付着法２回転円
筒法などの方法（新実験化学講座、第１８巻、界面とコ
ロイド、４９８−５０８）などがあげられ、通常行われ
ている方法であればとくに限定されることなく使用する
ことができる。
ラングミュア・プロジェット法は配向した、しかも厚み
を数十式単位で制御できる方法で２００八以下さらには
１０００Å以下、数百式、数十式の薄膜を形成するのに
すぐれた方法であり、本発明の基板上の薄膜もこの特徴
をもつ。しかし１０゜０００Ａまたはそれ以上の厚みの
膜もこの方法で製膜し得る。
また、これら高分子化合物と公知のラングミュア・プロ
ジェット膜化合物と混合することによって製膜性能が向
上することがわかっており、本発明の望ましい実施態様
である。
公知のラングミュア・プロジェットｕｆｆ化合物とは、
先に引用された文献などにも記載され、当業界で公知の
化合物である。特に炭素数が１６から２２位いの炭化水
素基と親水基とからなる下式の化合物が好ましい。
Ｃ）１３（ＣＨｚ）ｎ　−Ｉ　Ｚ ＣＨ２＝　Ｃ）ｌ　（ＣＨｚ）ｎ　−２２ＣＨａ（ＣＨ
ｚ）ｙｃ＝ｃ−Ｃ＝Ｃ（ＣＨｚ）　ｍ　Ｚここで、ｎ＝
１６〜２２．ｒ＋ｍ＝ｎ−５，Ｚ＝ＯＨ，ＮＨｚ、　Ｎ
ＨＲ”、　ＮＲ’Ｒ’、Ｃ０ＯＨ，ＣＯＮＨ２、Ｃ：Ｏ
ＯＲ’　　（Ｒ′は低級脂肪族炭化水素基）等である。
製膜性の改善のためにはＣＨ３（ＣＨ２）ｎ−１２０式
で表されるものがコスト面ですぐれているが、不飽和結
合を含むものは光や放射線などを照射することによって
重合させることができる特徴を有する。
これらから選ばれた少なくとも１つの化合物と高分子化
合物との混合比率については特に限定はない。
ラングミュア・プロジェット法により膜を形成する成分
を水面上に展開する際、−般には溶媒として水には熔け
ないで気相中に蒸発してしまうベンゼン、クロロホルム
などが使用されるが、本発明の高分子化合物の場合は、
溶解度をあげるために有機極性溶剤を併用することが望
ましい。好ましい有機極性溶剤は、Ｎ、Ｎ−ジメチルホ
ルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ、Ｎ−
ジエチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジエチルアセトアミド
、Ｎ、Ｎ−ジメチルメトキシアセトアミド、ジメチルス
ルホキシド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ピリジン、
ジメチルスルホン、ヘキサメチルホスホルアミド、テト
ラメチレンスルホン、ジメチルテトラメチレンスルホン
などである。
従って、本発明の高分子化合物と公知のラングミュア・
プロジェット膜化合物を展開する際にも、ベンゼン、ク
ロロホルムなどの溶媒と有機極性溶剤との混合溶剤を使
用することが望ましい。
ベンゼン、クロロホルムなどと有機極性溶剤を併用した
ときには、膜を展開時ベンゼン、クロロホルム等は気相
中に蒸発し、有機極性溶剤は大量の水に熔解すると考え
られる。
本発明に使用される基板については本発明の薄膜を何に
応用するかということによって限定されるが、その他大
きく限定されることはなく、ガラス、アルミナ、石英な
どのような一般的無機の基板のほか、金属、プラスチッ
クやＳｉ、　ＧａＡｓ、　ＺｎＳのような■族、ｍ−ｖ
、ｎ−ｖｒ族等の半導体、ＰｂＴｉＯ３，ＢａＴｉＯ３
，ＬｉＮｂＯ３，ＬｉＴａＯ３のような強誘電体や磁性
体等も基板として用いることができる。
また、通常行われるような表面処理を施したものも勿論
使うことができる。
表面処理の中でシランカップリング剤、特にあミノ基や
エポキシ基を有するシランカップリング剤（ＵＣＣのＡ
−１１００や八−１８７など）による処理やアルミキレ
ート化合物で処理し、加熱処理をして酸化アルミニウム
の層を形成させるような表面処理は、本発明の高分子薄
膜と基板との接着性を改善させるので好ましい。
本発明の特徴は、イオン結合を含む高分子化合物をラン
グミュア・プロジェット法で基板上に薄膜を形成できる
ことであるが、さらにあるものは、この薄膜を部分的に
あるいは完全に閉環させることによってさらに耐熱性の
向上した薄膜を基板上に形成できるという特徴をもつ。
（７３）〜（８６）の例のうち（７８）〜（９０）はヘ
テロ原子を含む５員環または６員環へ部分的にあるいは
完全に閉環させることができる例であり、完全閉環後の
構造は次のようになる。
（以下余白） 閉環の方法については特に限定されないが、ポリアミッ
ク酸のキュアの際用いられる化学キュア剤、例えば無水
酢酸、ピリジンなどで行うのが好ましい。勿論、これと
熱や光を併用してもよい。
このように閉環によって耐熱性のよい薄膜を得る場合に
は、混合する公知のラングミュア・プロジェット膜化合
物として、閉環反応条件下、溶剤に可溶なものを先に挙
げた例のな中から選ぶことが望ましい。
次にこれら薄膜の用途について述べる。
本発明の薄膜は、耐熱性、耐薬品性１機械的特性がすぐ
れ、非常に薄い膜であるという特徴を生かしてエレクト
ロニクス分野、エネルギー変換や物質分離など広範な分
野で使うことができる。
導電性、光導電性、光学特性、絶縁性、熱特性や化学反
応性を生かしたエレクトロニクス分野で光学記録膜、レ
ジスト膜、絶縁膜、キャパシター用薄膜、液晶配向膜、
偏光膜、センサー膜などとして、特に絶縁膜としてはＩ
ＣやＬＳＩの絶縁層として各種半導体や金属と組み合わ
せた旧Ｓ、旧ｊなどの構造をもつ電気電子素子中の絶縁
層として使うことができ、電界効果トランジスター光電
変換素子２発光素子、受光素子、光検出素子、熱電子ト
ランジスター等を構成できる。とくに本発明の薄膜はト
ンネル効果を利用したＭＩＳ、　ＭＩＭデバイスに有効
であり、ＪＪの絶縁膜としても使用できる。
そのほか、ウニイブガイド用のクラフト材あるいは光学
回路成分としても応用が考えられる。
あらゆる分野での保護用コーティング材料としても好適
であろうし、−般的にＬＢ膜の分野で使われる機能性の
ＬＢ材料と脂肪酸の混合膜、積層膜の手法を、本発明の
混合物を脂肪酸のかわりに使、うことによって種々の機
能性を発現でき、これを使った用途が考えられる。例え
ば色素、酵素を含んだ膜を作成することによって、光電
変換素子やバイオセンサーを作ることができる。
また、この薄膜を使った物質分離の分野での用途も考え
られる。
次に本発明のイオン結合を含む高分子化合物とその製法
と製膜の方法を実施例に基づき説明する。
実施例１ トリメリット酸無水物１．９２　ｇ　（０，０１モル）
を乾燥へキサメチルホスホルアミド４０ｃｃに熔かし、
乾燥窒素気流下Ｏ〜５℃に冷却して１．１９　ｇのチオ
ニルクロライドを滴下し、そのまま１時間保持し、アシ
ル化した。ここに１．０８　ｇ　（０，０１モル）のｐ
−フェニレンジアミンとジメチルアセトアミド３０ｃｃ
に熔解して約２０℃で滴下し、滴下後２時間反応させた
。
ジメチルアセトアミドとベンゼン（１：　１）で希釈し
て１ｘｌＯ−３Ｍの溶液を作成し、これにＮ−ｎ−オク
タデシルジメチルアミンが２Ｘ１０−３Ｍとなるように
作成したジメチルアセトアミドとベンゼン（１：　１）
の溶液を混合して反応させ、ＬＢ膜用展開液とした。
本実施例のイオン結合を含む高分子化合物は再蒸留水上
、２０℃で測定したところ、繰返し単位（ｕｎｉｔ）あ
たりの面積が１３０にぐらいから表面圧がたちあがり凝
縮膜を形成した。極限面積は約１２０にであった。この
水面上の膜をＬＢ法でアルミ蒸着ガラス基板上に累積す
るとＺタイプの累積膜ができた。累積膜のＦＴ−ＩＲ−
ＡＴＲ分析で３０００〜２８００ｃｍ−１のアルキル基
、１６５０〜１６００ｃｍ−１の塩の特徴的な吸収がみ
られた。
この累積膜をピリジン、無水酢酸で化学キュアすると、
アルキル基、塩の吸収が消えて１７８０゜１７２０ｃｍ
−’等のイミド結合の吸収が出現し、累積膜中でもイミ
ド化反応がおこることが明らかになった。
実施例２ ピロメリット酸二無水物２．１８ｇ（０，０１モル）を
乾燥ジメチルアセトアミド５０ｃｃにフラスコ中、乾燥
チッ素気流下、約２０℃でジメチルアセトアミド３０ｃ
ｃに熔解させた２、５−ジアミノベンズアミド１．５１
　ｇ　（０，０１モル）を約１０分で滴下し、滴下後２
時間反応させた。ジメチルアセトアミドとベンゼン（１
二１）で希釈してｌＸｌ０−３Ｍの溶液を作成し、これ
にＮ−ｎ−オクタデシルジメチルアミンが２Ｘ１０−３
Ｍとなるように作成したジメチルアセトアミドとベンゼ
ン（１：　１）の溶液を混合して反応させ、ＬＢ膜用展
開液とした。
本実施例のイオン結合を含む高分子化合物は表面圧−面
積曲線は再蒸留水上、２０℃で測定したところ、繰返し
単位（ｕｎｉｔ）あたりの面積が１５０　Ａ２ぐらいか
ら表面圧がたちあがり、凝縮膜を形成した。極限面積は
約１４０Ａ２であった。この水面上の膜をＬＢ法でアル
ミ蒸着ガラス基板上に累積するとＺタイプの累積膜がで
きた。
実施例３ ベンジジン−３，３”−ジカルボン酸２．７２ｇ（０゜
ＯＩモル）を乾燥へキサメチルホスホルアミド５Ｑ　ｃ
ｃにフラスコ生乾燥チッ素流通下溶解させ、約２０℃で
乾燥ジメチルアセトアミド３０ｃｃに熔解させたテレフ
タル酸ジクロイド２．０３　ｇ　　（０，０１モル）を
滴下し、滴下後約２時間反応させた。ジメチルアセトア
ミドとベンゼン（１：　１）で希釈して１ｘｌＯ−３Ｍ
の溶液を作成し、これにｐＪ−ｎ−オクタデシルジメチ
ルアミンが２Ｘ１０−３Ｍになるように作成したジメチ
ルアセトアミドとベンゼン（１：　１）の溶液を混合し
て反応させ、ＬＢ膜用展開液とした。
本実施例のイオン結合を含む高分子化合物の表面圧−面
積曲線は再蒸留水上２０℃で測定したところ、繰返し単
位（ｕｎｉｔ）あたりの面積が１４０人２ぐらいから表
面圧がたちあがり、凝縮膜を形成した。極限面積は約１
３０にであった。この水面上の膜をＬＢ法でアルミ蒸着
ガラス基板上に累積すると２タイプの累積膜が得られた
。
発所夏処来 本発明のイオン結合を含む高分子化合物を用いるとＬＢ
法により薄膜を形成することができ、得られたＬＢ膜の
閉環反応を行わせることにより、耐熱性と電気特性の良
好で、耐薬品性、機械的特性のよい、しかも厚さが１０
０００Å以下、要すれば１０〜１０００人の超薄膜が得
られる。
特許出願人　　　鐘淵化学工業株式会社手続ネｉ■正書 昭和６２年　７月ｌＺ日

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）少なくとも２個の炭素原子を有する少なくとも３
    価の第１の有機基Ｒ＿１と、少なくとも２個の炭素原子
    を有する少なくとも２価の第２の有機基Ｒ＿２とが２価
    の結合基によって交互に連結されている線状の繰返し単
    位を有し、かつイオン結合によって同じ繰返し単位へ結
    合した、置換基を含むこともある炭素数１０〜３０の炭
    化水素含有基Ｒ＿３を少なくとも１つ含んでいる高分子
    化合物。
  2. （２）繰返し単位当たり炭化水素含有基Ｒ＿３を２つ含
    んでいる第１項記載の高分子化合物。
  3. （３）第１および第２の有機基Ｒ＿１およびＲ＿２のい
    ずれか一方または両方が少なくとも６個の炭素を有する
    ベンゼノイド基である第１項ないし第２項の高分子化合
    物。
  4. （４）炭化水素含有基Ｒ＿３が、脂肪族基、環状脂肪族
    と脂肪族の結合した基、または芳香族と脂肪族の結合し
    た基、またはそれらの置換体を含有している第１項また
    は第２項の高分子化合物。
  5. （５）繰返し単位がヘテロ原子を含む５員環または６員
    環を生成する前駆体構造を備えている第１項ないし第４
    項のいずれかの高分子化合物。
  6. （６）累積膜を加熱してヘテロ原子を含む５員環または
    ６員環を生成させる工程を含む第５項の高分子化合物。
  7. （７）前記炭化水素含有基Ｒ＿３の炭素数が１６〜２２
    である第１項ないし第６項のいずれかの高分子化合物。
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