JPS6091692A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
- Publication number
- JPS6091692A JPS6091692A JP58200261A JP20026183A JPS6091692A JP S6091692 A JPS6091692 A JP S6091692A JP 58200261 A JP58200261 A JP 58200261A JP 20026183 A JP20026183 A JP 20026183A JP S6091692 A JPS6091692 A JP S6091692A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- temperature
- mode competition
- laser device
- reflectivity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/24—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a grooved structure, e.g. V-grooved, crescent active layer in groove, VSIS laser
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/1039—Details on the cavity length
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は温度変化にともなう不安定な縦モード遷移によ
って引き起こされるモード競合雑音を低酸した半導体レ
ーザ素子に関するものである。
って引き起こされるモード競合雑音を低酸した半導体レ
ーザ素子に関するものである。
〈従来技術〉
従来、縦単一モードで発振する半導体レーザ装置を情報
記録・再生用ディスク装置等の情報処理装置における光
信号伝送系の光源として使用した場合、半導体レーザ装
置の周囲温度の上昇にともなって第１図に示す如く不安
定な縦モード遷移によるモード競合雑音が発生する。第
１図は周囲温度に対するレーザ出力光のン比の変化を示
すもので、モード競合雑音は複数個の縦モード間を往復
することによって生じる光出力の連続的な変動によって
発生することが知られており、一般的に半導体レーザ素
子を高温で動作させた時に発生し易くなる。第１図に於
いて、モード競合雑音は周囲温度が約４５℃以上に上昇
した場合に発生している。モード競合雑音か発生すると
レーザ出力光の類比（中心周波数８ＭＨ２、測定バンド
幅１ＱＫＨｚ）は７０〜８０ｄＢまで低下するため信号
光としての信頼性が著しく損われ、情報処理の誤動作を
招来する結果となる。例えば、ビデオディスク等の画像
の再生時には画面に不規則な乱れが生じ画質の低下を招
いて実用に供することかできなくなる。従って、半導体
レーザ装置を情報処理用信号光源として高温雰囲気下で
使用する必要がある場合にけ、上記モード競合雑音の発
生を抑えることが要求される。
記録・再生用ディスク装置等の情報処理装置における光
信号伝送系の光源として使用した場合、半導体レーザ装
置の周囲温度の上昇にともなって第１図に示す如く不安
定な縦モード遷移によるモード競合雑音が発生する。第
１図は周囲温度に対するレーザ出力光のン比の変化を示
すもので、モード競合雑音は複数個の縦モード間を往復
することによって生じる光出力の連続的な変動によって
発生することが知られており、一般的に半導体レーザ素
子を高温で動作させた時に発生し易くなる。第１図に於
いて、モード競合雑音は周囲温度が約４５℃以上に上昇
した場合に発生している。モード競合雑音か発生すると
レーザ出力光の類比（中心周波数８ＭＨ２、測定バンド
幅１ＱＫＨｚ）は７０〜８０ｄＢまで低下するため信号
光としての信頼性が著しく損われ、情報処理の誤動作を
招来する結果となる。例えば、ビデオディスク等の画像
の再生時には画面に不規則な乱れが生じ画質の低下を招
いて実用に供することかできなくなる。従って、半導体
レーザ装置を情報処理用信号光源として高温雰囲気下で
使用する必要がある場合にけ、上記モード競合雑音の発
生を抑えることが要求される。
く発明の目的〉
本発明は温度変化による不安定な縦モード遷移を解消し
、高温の雰囲気までモード競合雑音の発生を抑制した動
作特性の安定な半導体レーザ装置を提供することを目的
とする。また、本発明の他の目的は、情報処理装置の信
号光源として適用した場合に、信頼性の高いレーザ光源
を確立することにある。
、高温の雰囲気までモード競合雑音の発生を抑制した動
作特性の安定な半導体レーザ装置を提供することを目的
とする。また、本発明の他の目的は、情報処理装置の信
号光源として適用した場合に、信頼性の高いレーザ光源
を確立することにある。
〈実施例の説り［〉
屈折率導波機構を有する半導体レーザ素子は通常室温で
縦単一モードで発振するが５周囲温度が高温になるに従
ってモード競合雑音が発生する。
縦単一モードで発振するが５周囲温度が高温になるに従
ってモード競合雑音が発生する。
種々の屈折率導波機構を有するレーザ素子構造の中で、
先導波路の形成と電流狭窄が同一層を加工することによ
って同時になされるＶＳＩＳレーザの如き屈折率導波型
内部ストライプ構造レーザ素子は、基板上に電流阻止層
を堆積した後Ｖ字状の溝をエツチング加工して電流通路
を開通させ、この上にレーザ発振用多層結晶を種層する
ものであり、光導波路の横モード即ちレーザ光のミラー
面上での光強度分布と注入電流による活性層内でのキャ
リア分布にずれがなく一致しているために。
先導波路の形成と電流狭窄が同一層を加工することによ
って同時になされるＶＳＩＳレーザの如き屈折率導波型
内部ストライプ構造レーザ素子は、基板上に電流阻止層
を堆積した後Ｖ字状の溝をエツチング加工して電流通路
を開通させ、この上にレーザ発振用多層結晶を種層する
ものであり、光導波路の横モード即ちレーザ光のミラー
面上での光強度分布と注入電流による活性層内でのキャ
リア分布にずれがなく一致しているために。
他の電流狭窄と光導波路を別々に形成するレーザ素子例
えば電流狭窄をプレーナー構造で行なう屈折率導波型レ
ーザ素子に比べて非常に安定な動作特性を示す。また４
０℃〜５０℃の比較的高温領域までモード競合雑音が発
生しないとし−う特徴を有する。しかしながら、実際に
光デイスクシステム等に半導体レーザ装置を使用した場
合動作時間の経過に従ってその周囲温度は一般に５０℃
〜６０℃迄上昇する。このため、一般的に用いられてい
る内部ストライプ型屈折率導波機構を有する半導体レー
ザ装置であってもモード競合雑音は発生することとなる
。本発明は、このような屈折率導波機構をもつ半導体レ
ーザ装置のモード競合雑音を解消して実用化を達成した
ものであり、以下具体的な実施例に即して詳説する。第
２図は本発明の一実施例を示す内部ストライプの電流狭
窄構造を有するＧａＡｓ−ＧａＡ）Ａｓ系の屈折率導波
型半導体レーザ素子の斜視図である。
えば電流狭窄をプレーナー構造で行なう屈折率導波型レ
ーザ素子に比べて非常に安定な動作特性を示す。また４
０℃〜５０℃の比較的高温領域までモード競合雑音が発
生しないとし−う特徴を有する。しかしながら、実際に
光デイスクシステム等に半導体レーザ装置を使用した場
合動作時間の経過に従ってその周囲温度は一般に５０℃
〜６０℃迄上昇する。このため、一般的に用いられてい
る内部ストライプ型屈折率導波機構を有する半導体レー
ザ装置であってもモード競合雑音は発生することとなる
。本発明は、このような屈折率導波機構をもつ半導体レ
ーザ装置のモード競合雑音を解消して実用化を達成した
ものであり、以下具体的な実施例に即して詳説する。第
２図は本発明の一実施例を示す内部ストライプの電流狭
窄構造を有するＧａＡｓ−ＧａＡ）Ａｓ系の屈折率導波
型半導体レーザ素子の斜視図である。
ｌ Ｘ １０１１１ 、、３のキャリア濃度を有するＺ
ｎドープｐ−ＧａＡｓ基板１１＋上に液相エピタキシャ
ル成長法により２ Ｘ １０” ｃｍ−３のキャリア濃
度を有するＴｅドープｎ −Ｇ ａ Ａ Ｓからなる電
流阻止層（２）を０，８μｍの厚さで成長させる。次に
電流阻止層（２］表面よりＧａＡｓ基板１１）に至る迄
ストライプ状の溝＋３１をエツチング加工する。溝（３
）の幅は３〜４μｍに設定し、この溝（３）によって電
流阻止層（２）が除去された領域が電流通路となる。溝
（３）は電流阻止層（２）表面に沿って平行に３００μ
ｍピッチで形成する。その後、再度液相エピタキシャル
成長法で溝（３）を形成した電流阻止層（２）上にＭｇ
ドープｐ Ｇ ａ １ ｘ Ａ ｉＡ Ｓからなる第１
クラッド層（４）を層厚０，１〜０．２μｍで、Ｍｇド
ープｐ−Ｇａ１−ｙＡノｙ Ａ ｓからなる活性層（５
）を層厚０．１μｍで、Ｔｅドープｎ−Ｇａ１ ）（Ａ
ｉｘＡｓからなる第２クラッド層（６）を層厚１μｍで
、Ｔｅドープｎ−ＧａＡｓからなるキャップ層（７）ｔ
一層厚３μｍでそれぞれ順次エピタキシャル成長させる
。次にｐ−ＧａＡｓ基板（１）にＰ側電極（８）、キャ
ップ層（７）上にｎ側電極（９）を蒸着形成する。最終
工程でストライプ状の溝（３］を中心とする３００μｍ
幅にウェハーを分断し更に臂開法でレーザ発振用共振器
端面を形成した後、多層反射膜０Ｑを両臂開端面に蒸着
形成して半導体レーザ素子とする。ｐ側電極（８）及び
ｎ側電極（９）を介してキャリアを注入することにより
活性層１５１でレーザ発振か開始される。
ｎドープｐ−ＧａＡｓ基板１１＋上に液相エピタキシャ
ル成長法により２ Ｘ １０” ｃｍ−３のキャリア濃
度を有するＴｅドープｎ −Ｇ ａ Ａ Ｓからなる電
流阻止層（２）を０，８μｍの厚さで成長させる。次に
電流阻止層（２］表面よりＧａＡｓ基板１１）に至る迄
ストライプ状の溝＋３１をエツチング加工する。溝（３
）の幅は３〜４μｍに設定し、この溝（３）によって電
流阻止層（２）が除去された領域が電流通路となる。溝
（３）は電流阻止層（２）表面に沿って平行に３００μ
ｍピッチで形成する。その後、再度液相エピタキシャル
成長法で溝（３）を形成した電流阻止層（２）上にＭｇ
ドープｐ Ｇ ａ １ ｘ Ａ ｉＡ Ｓからなる第１
クラッド層（４）を層厚０，１〜０．２μｍで、Ｍｇド
ープｐ−Ｇａ１−ｙＡノｙ Ａ ｓからなる活性層（５
）を層厚０．１μｍで、Ｔｅドープｎ−Ｇａ１ ）（Ａ
ｉｘＡｓからなる第２クラッド層（６）を層厚１μｍで
、Ｔｅドープｎ−ＧａＡｓからなるキャップ層（７）ｔ
一層厚３μｍでそれぞれ順次エピタキシャル成長させる
。次にｐ−ＧａＡｓ基板（１）にＰ側電極（８）、キャ
ップ層（７）上にｎ側電極（９）を蒸着形成する。最終
工程でストライプ状の溝（３］を中心とする３００μｍ
幅にウェハーを分断し更に臂開法でレーザ発振用共振器
端面を形成した後、多層反射膜０Ｑを両臂開端面に蒸着
形成して半導体レーザ素子とする。ｐ側電極（８）及び
ｎ側電極（９）を介してキャリアを注入することにより
活性層１５１でレーザ発振か開始される。
第３図に第１及び第２クラツド層４，６のＡノ混晶比Ｘ
と３ｍＷ光出力時のモード競合雑音発生温度との関係を
示す。用いた半導体レーザ索子は共振器長が２５０μｍ
で共振面の光反射率Ｒ１゜Ｒ２が０．３２のものである
。図より明らかな如くＡノ混晶比牟０．４５以上ではモ
ード競合雑音が発生する温度ｔ／′ｉ５０℃以上になる
。一方、クラッド層のＡノ混晶比が０．５２以上になる
と電流狭窄機構において屈折率型導波路を作製すること
が困難となり、利得型導波路が形成されて縦マルチモー
ドのレーザ発振を招来する結果となる。従って、モード
競合雑音の発生を抑制して縦単一モードのレーザ発振を
得るためにＡｉ混晶比Ｘは０，４５以上で０．５２以下
に設定する。
と３ｍＷ光出力時のモード競合雑音発生温度との関係を
示す。用いた半導体レーザ索子は共振器長が２５０μｍ
で共振面の光反射率Ｒ１゜Ｒ２が０．３２のものである
。図より明らかな如くＡノ混晶比牟０．４５以上ではモ
ード競合雑音が発生する温度ｔ／′ｉ５０℃以上になる
。一方、クラッド層のＡノ混晶比が０．５２以上になる
と電流狭窄機構において屈折率型導波路を作製すること
が困難となり、利得型導波路が形成されて縦マルチモー
ドのレーザ発振を招来する結果となる。従って、モード
競合雑音の発生を抑制して縦単一モードのレーザ発振を
得るためにＡｉ混晶比Ｘは０，４５以上で０．５２以下
に設定する。
第４図はクラッド層のＡｊ２混晶比を上述した範囲（０
，４５Ｓ ｘ ＜ ０．５２ ） ｉｃ 設定シテ作製
シタレーザ素子におけるモード競合雑音発生温度の共振
器長依存性を示す説明図である。光出力は３ｍＷに設定
し、共振面の光反射率Ｒ，，Ｒ２は０．３２のものを使
用した。図より明らかな如くレーザ素子の共振器長を通
常用いられている２５０μｍ〜３００μｍの共振器長に
比べて長く３００μｍ以上に設定することによってモー
ド競合雑音の発生温度は更に上昇して６０℃以上になる
。
，４５Ｓ ｘ ＜ ０．５２ ） ｉｃ 設定シテ作製
シタレーザ素子におけるモード競合雑音発生温度の共振
器長依存性を示す説明図である。光出力は３ｍＷに設定
し、共振面の光反射率Ｒ，，Ｒ２は０．３２のものを使
用した。図より明らかな如くレーザ素子の共振器長を通
常用いられている２５０μｍ〜３００μｍの共振器長に
比べて長く３００μｍ以上に設定することによってモー
ド競合雑音の発生温度は更に上昇して６０℃以上になる
。
第５図はクラッド層のＡノ混晶比Ｘをパラメーターとし
て、共振器端面の反射率Ｒ□、Ｒ２を変化させた際のモ
ード競合雑音発生温度をめた説明図である。ここて、Ｒ
１はレーザ光の放射側共振端面の反射率を示し、Ｒ２け
これに対向する側の端面の反射率を示す。両者はＲ，≦
Ｒ２に設定される。また光出力は３ｍＷ、共振器長は２
５０μｍとした。図より明らかな如く、端面の反射率を
制御 御しＩｎ（／ ）＜１を滴定する反射膜Ｒ，、Ｒ２ を形成することによって、通常の素子構造でもモード競
合雑音の発生温度を７５℃以上にすることができる。一
方、ｉｎ（’／ ）が０．１より小Ｒ１，Ｒ２ さくなると、レーザ素子外部への光の取り出し効率か悪
くなるため、駆動電流値が大きくなりレーザ素子の寿命
が短かくなる。従って、 ０．１＜ノｎ（１／Ｒ１，Ｒ２）くｌとなるように各共
振端面の反射率Ｒ１，Ｒ２を設定する。
て、共振器端面の反射率Ｒ□、Ｒ２を変化させた際のモ
ード競合雑音発生温度をめた説明図である。ここて、Ｒ
１はレーザ光の放射側共振端面の反射率を示し、Ｒ２け
これに対向する側の端面の反射率を示す。両者はＲ，≦
Ｒ２に設定される。また光出力は３ｍＷ、共振器長は２
５０μｍとした。図より明らかな如く、端面の反射率を
制御 御しＩｎ（／ ）＜１を滴定する反射膜Ｒ，、Ｒ２ を形成することによって、通常の素子構造でもモード競
合雑音の発生温度を７５℃以上にすることができる。一
方、ｉｎ（’／ ）が０．１より小Ｒ１，Ｒ２ さくなると、レーザ素子外部への光の取り出し効率か悪
くなるため、駆動電流値が大きくなりレーザ素子の寿命
が短かくなる。従って、 ０．１＜ノｎ（１／Ｒ１，Ｒ２）くｌとなるように各共
振端面の反射率Ｒ１，Ｒ２を設定する。
尚、上記実施例はＧａＡｓ−ＧａＡｊｇＡｓ系半導体レ
ーザ素子について説明したが、本発明はこれに限定され
るものではなく、ＧａＰ系、ＧａＡｉＰ系等他の化合物
半導体を用いたものについても適用することができる。
ーザ素子について説明したが、本発明はこれに限定され
るものではなく、ＧａＰ系、ＧａＡｉＰ系等他の化合物
半導体を用いたものについても適用することができる。
また内部ストライプ構造も同様に上記実施例以外の種々
の形態のものについて適用可能である。
の形態のものについて適用可能である。
〈発明の効果〉
以上の如く、内部ストライプ構造を有する屈折率導波型
半導体レーザ素子において、クラッド層のＡｉ混晶比、
共振器長、端面反射率を上述した範囲に設定することに
よって、モード競合雑音の発生温度を半導体レーザ装置
の使用温度以上にすることかでき、ビデオディスク装置
、記録用ディスク装置、ファイバーセンサー等の光シス
テム系における光源として実用に耐える半導体レーザ装
置を構成することができる。
半導体レーザ素子において、クラッド層のＡｉ混晶比、
共振器長、端面反射率を上述した範囲に設定することに
よって、モード競合雑音の発生温度を半導体レーザ装置
の使用温度以上にすることかでき、ビデオディスク装置
、記録用ディスク装置、ファイバーセンサー等の光シス
テム系における光源として実用に耐える半導体レーザ装
置を構成することができる。
第１図は周囲温度に対するレーザ出力光の冷比を示す説
明図である。 第２図は本発明の一実施例を説明する半導体レーザ装置
の構成斜視図である。 第３図はモード競合雑音発生温度のクラッド層混晶比依
存性を示す特性図である。 第４図はモード競合雑音発生温度の共振器長依存性を示
す特性図である。 第５図はモード競合雑音発生温度の端面反射率依存性を
示す特性図である。 ｌ・・・ＧａＡｓ基板、 ２・・・電流阻止層、３・・
・溝、 ４・・・第１クラッド層。 ５・・・活性層、 ６・・・第２クラッド層、７・・・
キャップ層、 ８・・・ｎ側電極。
明図である。 第２図は本発明の一実施例を説明する半導体レーザ装置
の構成斜視図である。 第３図はモード競合雑音発生温度のクラッド層混晶比依
存性を示す特性図である。 第４図はモード競合雑音発生温度の共振器長依存性を示
す特性図である。 第５図はモード競合雑音発生温度の端面反射率依存性を
示す特性図である。 ｌ・・・ＧａＡｓ基板、 ２・・・電流阻止層、３・・
・溝、 ４・・・第１クラッド層。 ５・・・活性層、 ６・・・第２クラッド層、７・・・
キャップ層、 ８・・・ｎ側電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 内部ストライプ構造を有する屈折率導波型半導体
レーザ素子に於いて、クラ・ンド層の混晶比と共振器長
を制御してモード競合雑音発生温度を使用温度以上に上
昇せしめたことを特徴とする半導体レーザ装置 ２、共振器端面の反射率Ｒ１，Ｒ２を０．１≦ノｎ（３
／Ｒ１Ｒ２）≦１となる値に設定した特許請求の範囲第
１項記載の半導体レーザ装置
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58200261A JPS6091692A (ja) | 1983-10-25 | 1983-10-25 | 半導体レ−ザ装置 |
| DE8484307353T DE3482297D1 (de) | 1983-10-25 | 1984-10-25 | Halbleiterlaser. |
| EP84307353A EP0145203B1 (en) | 1983-10-25 | 1984-10-25 | Semiconductor laser |
| US07/380,745 US4901328A (en) | 1983-10-25 | 1989-07-17 | Semiconductor VSIS laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58200261A JPS6091692A (ja) | 1983-10-25 | 1983-10-25 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6091692A true JPS6091692A (ja) | 1985-05-23 |
Family
ID=16421405
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58200261A Pending JPS6091692A (ja) | 1983-10-25 | 1983-10-25 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4901328A (ja) |
| EP (1) | EP0145203B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6091692A (ja) |
| DE (1) | DE3482297D1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS621295A (ja) * | 1985-06-26 | 1987-01-07 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0160490B1 (en) * | 1984-04-24 | 1992-07-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | A semiconductor laser |
| US5228047A (en) * | 1990-09-21 | 1993-07-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device and a method for producing the same |
| JPH05259016A (ja) * | 1992-03-12 | 1993-10-08 | Mitsubishi Electric Corp | ウエハ作製用基板及び半導体ウエハの製造方法 |
| US6618416B1 (en) | 1998-10-07 | 2003-09-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser |
| US6590920B1 (en) | 1998-10-08 | 2003-07-08 | Adc Telecommunications, Inc. | Semiconductor lasers having single crystal mirror layers grown directly on facet |
| EP1143582B1 (en) * | 1999-09-29 | 2003-03-19 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Gain-coupled distributed feedback semiconductor laser |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5856377A (ja) * | 1981-09-29 | 1983-04-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4317085A (en) * | 1979-09-12 | 1982-02-23 | Xerox Corporation | Channeled mesa laser |
-
1983
- 1983-10-25 JP JP58200261A patent/JPS6091692A/ja active Pending
-
1984
- 1984-10-25 EP EP84307353A patent/EP0145203B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1984-10-25 DE DE8484307353T patent/DE3482297D1/de not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-07-17 US US07/380,745 patent/US4901328A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5856377A (ja) * | 1981-09-29 | 1983-04-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS621295A (ja) * | 1985-06-26 | 1987-01-07 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4901328A (en) | 1990-02-13 |
| DE3482297D1 (de) | 1990-06-21 |
| EP0145203A3 (en) | 1986-06-04 |
| EP0145203A2 (en) | 1985-06-19 |
| EP0145203B1 (en) | 1990-05-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH05275798A (ja) | レーザダイオード | |
| US4852110A (en) | Semiconductor laser of a refractive index-guided type and a process for fabricating the same | |
| JPH0888439A (ja) | 半導体レーザおよびその製法 | |
| JPH06338659A (ja) | レ−ザ素子 | |
| JPS6091692A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| US20020136255A1 (en) | Semiconductor laser, optical element provided with the same and optical pickup provided with the optical element | |
| JPS61290787A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPS61190994A (ja) | 半導体レ−ザ素子 | |
| US5054031A (en) | Semiconductor laser device | |
| JPS59165481A (ja) | 分布帰還型半導体レ−ザ | |
| JPH0715080A (ja) | 半導体光部品 | |
| US5206185A (en) | Semiconductor laser device | |
| Mataki et al. | Mass production of laser diodes by MBE | |
| JPH01132191A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JPH0422033B2 (ja) | ||
| JPS61220389A (ja) | 集積型半導体レ−ザ | |
| JP3081363B2 (ja) | 赤色半導体レーザ | |
| JP4024319B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPS6024084A (ja) | 半導体レ−ザ素子 | |
| JPH07106695A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH04321291A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPS6143493A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPH0563295A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH02216883A (ja) | 半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
| JPH04329687A (ja) | 半導体レーザ素子 |