JPS609144A - 半導体素子用配線 - Google Patents
半導体素子用配線Info
- Publication number
- JPS609144A JPS609144A JP11584383A JP11584383A JPS609144A JP S609144 A JPS609144 A JP S609144A JP 11584383 A JP11584383 A JP 11584383A JP 11584383 A JP11584383 A JP 11584383A JP S609144 A JPS609144 A JP S609144A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- sectional area
- temperature
- conductors
- lifetime
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、半導体素子の配線に関するもので、特に、電
流密度が高いためエレクトロマイグレーションによる断
線が問題となるような配線を対象とする。
流密度が高いためエレクトロマイグレーションによる断
線が問題となるような配線を対象とする。
配線の耐エレクトロマイグレーション性を向上させるだ
めの材料については非常に多くの検討がなされている。
めの材料については非常に多くの検討がなされている。
その結果例えばアルミニウム若しくはアルミニウム・シ
リコン合金に数%の銅を添加した合金等が発明されてい
る。また熱処理条件等を制御して、よシ適切な結晶粒径
、結晶粒の配向性を有す配線を作製することも可能だが
、素子の他の部分へ与える影響が大きく、実用イ1は非
常に困難である。材料及び製造プロセスが決まれば、配
線の断面積を増して電流密度を下げることが、エレクト
ロマイグレーション起因の不良を防ぐ唯一の方法と考え
られてきた。、この方法では、例えば配線幅を1.5倍
にして、通電寿命が2倍になる程度の効果しかなく、特
に元々幅の広い配線の幅を更に広げることは、他の配線
、素子寺の配置の点で好ましくない。
リコン合金に数%の銅を添加した合金等が発明されてい
る。また熱処理条件等を制御して、よシ適切な結晶粒径
、結晶粒の配向性を有す配線を作製することも可能だが
、素子の他の部分へ与える影響が大きく、実用イ1は非
常に困難である。材料及び製造プロセスが決まれば、配
線の断面積を増して電流密度を下げることが、エレクト
ロマイグレーション起因の不良を防ぐ唯一の方法と考え
られてきた。、この方法では、例えば配線幅を1.5倍
にして、通電寿命が2倍になる程度の効果しかなく、特
に元々幅の広い配線の幅を更に広げることは、他の配線
、素子寺の配置の点で好ましくない。
そこで配線幅を大幅に増力口させずに、配線の耐エレク
トロマイグレーション性を向上させることを目的とした
。
トロマイグレーション性を向上させることを目的とした
。
上記目的を達成するための本発明の構成は、ある断面積
を必要とする配線を、よシ小FIfr面積を持つ二本以
上の導体で構成することにある。
を必要とする配線を、よシ小FIfr面積を持つ二本以
上の導体で構成することにある。
細い配線をパターンユング後、熱処理すると、結晶粒の
再配列が進行し、エレクトロマイグレーション寿命が飛
躍的に上昇することがわかった。
再配列が進行し、エレクトロマイグレーション寿命が飛
躍的に上昇することがわかった。
この現象は、配線断面積が小さいほど著しく、太い配線
で、この効果を出すためには、より高温、−より長時間
の熱処理が必要である。必要な熱処理条件は、配線幅だ
けでなく、配線材料にも依存する。
で、この効果を出すためには、より高温、−より長時間
の熱処理が必要である。必要な熱処理条件は、配線幅だ
けでなく、配線材料にも依存する。
以下、本発明を、実施例をもって説明する。
実施例 1
アルミニウム・3%鋼・1.5%シリコンで形成した配
線の通電寿命を調べだ。熱酸化膜を形成したシリコン基
板上に、上記の合金を、0.6μmの厚さに被着した後
、ドライエツチング法で3種類の断面積(Sl=0.8
.2.0.3.8μIT+2)を持つ長さ100μmの
配線を作った。この配線に所定の熱処理(250,35
0,450,530C,各温度で1時間保つ)をした後
、温度250 CX 電流密度2.5 M A/cm
2で通電し、断線までの寿命を測定した。結果全第1図
に示す。150Cの位置に示されているのは、蒸着した
だけで、熱処理を経てない配線の寿命である。
線の通電寿命を調べだ。熱酸化膜を形成したシリコン基
板上に、上記の合金を、0.6μmの厚さに被着した後
、ドライエツチング法で3種類の断面積(Sl=0.8
.2.0.3.8μIT+2)を持つ長さ100μmの
配線を作った。この配線に所定の熱処理(250,35
0,450,530C,各温度で1時間保つ)をした後
、温度250 CX 電流密度2.5 M A/cm
2で通電し、断線までの寿命を測定した。結果全第1図
に示す。150Cの位置に示されているのは、蒸着した
だけで、熱処理を経てない配線の寿命である。
熱処理温度が低い(350c以下)場合、配線寿命は、
その断面積と正の相関を持っているが、450C以上ノ
熱処if、断面積S=0.8μm2の配線の寿命が急速
に延び、断面積の大きいものの寿命を゛越えることがわ
かる。
その断面積と正の相関を持っているが、450C以上ノ
熱処if、断面積S=0.8μm2の配線の寿命が急速
に延び、断面積の大きいものの寿命を゛越えることがわ
かる。
実施例 2
実施例1と同様の材料、方法で作製した、次のような配
線を、−500Cで1時1川熱処理し、通電寿命”を・
測定した。配線は、A:幅10μmの1本の配線、B:
幅2μmの配線を1μmの間隔で5本並列にし、断面積
10μm2としたもの、c:1隔2μmの配線を1μm
の間隔で3本並列にし、断面積6μm2としたもの、の
3樺類である。各配線に、250Cで、150mAの戒
流を流し、寿命を測定した。結果を下表に示す。
線を、−500Cで1時1川熱処理し、通電寿命”を・
測定した。配線は、A:幅10μmの1本の配線、B:
幅2μmの配線を1μmの間隔で5本並列にし、断面積
10μm2としたもの、c:1隔2μmの配線を1μm
の間隔で3本並列にし、断面積6μm2としたもの、の
3樺類である。各配線に、250Cで、150mAの戒
流を流し、寿命を測定した。結果を下表に示す。
ていることがわかる。
本実験では、B、Cの細い配線の間隔ケ1μmとしたが
、この間隔は加工技術の、改良で更に狭くできるため、
配線・項域の面積を大幅に増加させずにこの効果を得る
ことが可能である。
、この間隔は加工技術の、改良で更に狭くできるため、
配線・項域の面積を大幅に増加させずにこの効果を得る
ことが可能である。
今回用いた、アルミニウム・3%鋼・1.5%シリコン
では、500Cで1時間の熱処理が必要であったが、銅
、シリコンの濃度を下げることにより、より低温で同等
の効果が得られた。
では、500Cで1時間の熱処理が必要であったが、銅
、シリコンの濃度を下げることにより、より低温で同等
の効果が得られた。
本発明により、眠気的特性の艮好な半導体用配線が得ら
れ、工業的利用分野を拡大させた点極めて効あるもので
ある。
れ、工業的利用分野を拡大させた点極めて効あるもので
ある。
第1図は、本発明を説明するための3種類の断面積を持
つ配線の通電寿命の、熱処理温度に対する依存性を示し
た特性図である。 第 1 目 +00200 300 400 500 600漬度
(C)
つ配線の通電寿命の、熱処理温度に対する依存性を示し
た特性図である。 第 1 目 +00200 300 400 500 600漬度
(C)
Claims (1)
- ある断面積を必要とする配線を、より小断面積を持つ二
本以上の導体で構成することを特徴とする半導体素子用
配線。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11584383A JPS609144A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | 半導体素子用配線 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11584383A JPS609144A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | 半導体素子用配線 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS609144A true JPS609144A (ja) | 1985-01-18 |
Family
ID=14672498
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11584383A Pending JPS609144A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | 半導体素子用配線 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS609144A (ja) |
-
1983
- 1983-06-29 JP JP11584383A patent/JPS609144A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS60244048A (ja) | 耐エレクトロマイグレーシヨン性を有するアルミニウム合金導体の形成方法 | |
JPS609144A (ja) | 半導体素子用配線 | |
KR940010240A (ko) | 표면적이 극대화된 도전층 제조 방법 | |
JPH06196526A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR960000703B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
JPH027525A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH03165515A (ja) | コンタクトの形成方法 | |
JPS60251663A (ja) | 半導体装置 | |
JPH04332131A (ja) | 半導体装置 | |
JPH03110845A (ja) | 化合物半導体装置 | |
JPH03211731A (ja) | 半導体装置 | |
JPS62114241A (ja) | 半導体装置 | |
JPS60117771A (ja) | 半導体装置 | |
JPS61164240A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JPS59147431A (ja) | 電極形成方法 | |
JPS6355961A (ja) | 多結晶WSi↓2膜の微細構造 | |
JPH01298727A (ja) | Mos半導体装置の製造方法 | |
JPS61263244A (ja) | 半導体装置 | |
JPH0467635A (ja) | 配線の形成方法 | |
JPS5914649A (ja) | 半導体装置 | |
JPH065598A (ja) | 半導体装置における配線形成方法 | |
JPS63110749A (ja) | 半導体装置 | |
JPS582046A (ja) | 配線方法 | |
JPH03211734A (ja) | 半導体装置 | |
JPH04188722A (ja) | 半導体装置の製造方法 |