JPS6091360A - 光導電部材 - Google Patents
光導電部材Info
- Publication number
- JPS6091360A JPS6091360A JP58200416A JP20041683A JPS6091360A JP S6091360 A JPS6091360 A JP S6091360A JP 58200416 A JP58200416 A JP 58200416A JP 20041683 A JP20041683 A JP 20041683A JP S6091360 A JPS6091360 A JP S6091360A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- photoconductor
- amorphous silicon
- base material
- intervening layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発ｌ：！ＩＪは、受光装置として、好適に用いること
ができる光心電部相に関する。
ができる光心電部相に関する。
第１図は本発明の背景となる、かつ先行技術を観測する
ための断面図であり、２Ｂ２図はその平面図である。フ
ァクシミリ送信機でｔ９１、光源１と原稿２との間に、
原稿２を光学的にＩＩ＋′６取るための受光装置３が設
りられる。受光装置ｉｔ ３では、ガラスなどの材料か
ら成る基月４上に、クロムなどが蒸着されて構成される
共通電極５が配置される。この共通電極５と基材４とに
亘って、シリコン原子を母材とし水素原子金倉むアモル
ファス拐料から成る光４電体６が形成される。光導電１
体６上には、透明な２ｒ！電性祠料から成る個別電極７
が形成される。個別電極７には、クロムなどが蒸着され
た取出し電極８が形成される。これらの表面は、透明な
保護層１０によって情われる。共通電極５、光導Ｔ１体
６および個別電極７には、光通過孔９が、形成される。
ための断面図であり、２Ｂ２図はその平面図である。フ
ァクシミリ送信機でｔ９１、光源１と原稿２との間に、
原稿２を光学的にＩＩ＋′６取るための受光装置３が設
りられる。受光装置ｉｔ ３では、ガラスなどの材料か
ら成る基月４上に、クロムなどが蒸着されて構成される
共通電極５が配置される。この共通電極５と基材４とに
亘って、シリコン原子を母材とし水素原子金倉むアモル
ファス拐料から成る光４電体６が形成される。光導電１
体６上には、透明な２ｒ！電性祠料から成る個別電極７
が形成される。個別電極７には、クロムなどが蒸着され
た取出し電極８が形成される。これらの表面は、透明な
保護層１０によって情われる。共通電極５、光導Ｔ１体
６および個別電極７には、光通過孔９が、形成される。
光源１からの光は、光通過孔９ ｆ ’Ｉｊｌ過して、
原稿２に照射される。原稿２の反射孔は、光通過孔９付
近で個別電極７全経て、光導電体６によって受光される
。
原稿２に照射される。原稿２の反射孔は、光通過孔９付
近で個別電極７全経て、光導電体６によって受光される
。
先行技術では、光導′ｒＴｒ体６１ｒｉ、、−１１Ｈ、
’１１ 電極５および基材４上に直接形成されている。
’１１ 電極５および基材４上に直接形成されている。
このような構成では、光導電体６は、特にハエ４との接
触部分１１において、剥１’ｉｎ生じやすく、シたがっ
て歩留りが低下した。
触部分１１において、剥１’ｉｎ生じやすく、シたがっ
て歩留りが低下した。
本発明の目的は、光導電体が基月から剥離しないようＫ
して、基材との密着強度全向上した光導型部材全提供す
ることである。
して、基材との密着強度全向上した光導型部材全提供す
ることである。
本発明は、アモルファスシリコンから成る光導電体と、
これを支持するハロとから成る光導電部材において、光
導電体とハロとの間に、アモルファスシリコンから成る
と共に窒素を含む介在層が形成され、この介在層の窒素
原子濃度ｔｄ、 ５ ａｔｏｍｉ ｃチ以上であり、そ
の介在層の層厚は１０〜２０００Ａであることを特徴と
する光導電部材である。
これを支持するハロとから成る光導電部材において、光
導電体とハロとの間に、アモルファスシリコンから成る
と共に窒素を含む介在層が形成され、この介在層の窒素
原子濃度ｔｄ、 ５ ａｔｏｍｉ ｃチ以上であり、そ
の介在層の層厚は１０〜２０００Ａであることを特徴と
する光導電部材である。
本発明によれは、光導電体とガラスや金属などの材料か
ら成る基材との密着力が向上し、剥離が生じがたくなり
、したがって歩留りが極めて向上される。また、この介
在層は、含まれる窒素原子の濃＃′全成嘆の際に調節す
ることにより、光導電体とｌｉ’ｉＪ等の暗導宵率全持
たせることが可能であるため、基月が金属電極などであ
る場合において、この介在層が電気的特性に慾影響ケ及
はすことは避けられる。
ら成る基材との密着力が向上し、剥離が生じがたくなり
、したがって歩留りが極めて向上される。また、この介
在層は、含まれる窒素原子の濃＃′全成嘆の際に調節す
ることにより、光導電体とｌｉ’ｉＪ等の暗導宵率全持
たせることが可能であるため、基月が金属電極などであ
る場合において、この介在層が電気的特性に慾影響ケ及
はすことは避けられる。
介在層のＪ＠ＩＶが１． ＯＡ未満であるときにし支、
成膜工程中のガス流液のｉｌｊ制御が非常にむつかしく
なり、広い面積に渡って均一な機度で介在層を晶相上に
形成することが困難である。介在層の層厚が２００ＯＡ
’ｒ越えると、隈気的悪影響が無視できなくなる。
成膜工程中のガス流液のｉｌｊ制御が非常にむつかしく
なり、広い面積に渡って均一な機度で介在層を晶相上に
形成することが困難である。介在層の層厚が２００ＯＡ
’ｒ越えると、隈気的悪影響が無視できなくなる。
介在層の窒素原子濃度が５ａｔｏｍｉｃ％未満であると
きには、介在層の電気抵抗は、光導′１イ層に比べて小
さくなり、暗電流が増大する。さらに、光導電体６と基
材４との間の密着力も低下する。したがって、本発明に
よれば、介在層の層厚は１０〜２０００Ａであり、窒素
原子密度は５ ａｔｏｒｎｉｃチ以上であり、これによ
って、密着性が向上されると共に電気的特性の介在層に
よる悪影響が抑制される。
きには、介在層の電気抵抗は、光導′１イ層に比べて小
さくなり、暗電流が増大する。さらに、光導電体６と基
材４との間の密着力も低下する。したがって、本発明に
よれば、介在層の層厚は１０〜２０００Ａであり、窒素
原子密度は５ ａｔｏｒｎｉｃチ以上であり、これによ
って、密着性が向上されると共に電気的特性の介在層に
よる悪影響が抑制される。
晶相上への介在層および光導７３層の成膜法としては、
グロー放電法、エレクトロンビーム法、スパッタリング
法、イオンブレーティング法、イメンインプランテーシ
ョン法などが１１ス１）；である。
グロー放電法、エレクトロンビーム法、スパッタリング
法、イオンブレーティング法、イメンインプランテーシ
ョン法などが１１ス１）；である。
介在層の形成にあたっては、ＳｉＪ ｌ ｓ Ｓｉ ２
Ｈ４、５ｉ３１４６．５ｉ４Ｈ１ｏ のようなシラン
類などの水素化珪素ガスを用いることができる。
Ｈ４、５ｉ３１４６．５ｉ４Ｈ１ｏ のようなシラン
類などの水素化珪素ガスを用いることができる。
介在層を形成するには、上述の水素化珪素ガスに加えて
、Ｎ２０ 、 Ｎｉ 、 ＮＯ□ｌＮＨ３などを用いる
ことができる。なおスパンクリング法などのように出発
原料が固体であるときには、単結晶または、多結晶のＳ
ｔウェハとＳｉ３Ｎ４ウェハなど？使用することができ
る。
、Ｎ２０ 、 Ｎｉ 、 ＮＯ□ｌＮＨ３などを用いる
ことができる。なおスパンクリング法などのように出発
原料が固体であるときには、単結晶または、多結晶のＳ
ｔウェハとＳｉ３Ｎ４ウェハなど？使用することができ
る。
基材の材料は、たとえばガラス、セラミンクス、アルミ
ニウムその他の金属などがあり、また支持板上にアルミ
ニウム、クロム、その他の金ｖｔｔ 、Ｓ ｉ Ｏ，、
Ｔａ２Ｏ，などの薄膜全形成したものであってもよい。
ニウムその他の金属などがあり、また支持板上にアルミ
ニウム、クロム、その他の金ｖｔｔ 、Ｓ ｉ Ｏ，、
Ｔａ２Ｏ，などの薄膜全形成したものであってもよい。
本発明では、これらの基材およびその他のハロと光導電
体との密着強度が向上される。
体との密着強度が向上される。
実施例
第３図に示した光カミ部材を、第４図のようなグロー放
電法によって製造する方法の概略を実施例として丙兄明
する。グロー放電室３１内には、光導電体及び介在＃に
成１障するガジス基４′、Ａ３２が、電極３３に固定さ
れる。？ＩＬ４々＜ ３４ Ｉｌ、電極３３に対抗して
配置６される。ヒーター３５け成膜中の基板全所定の流
度に加熱保持するためのものである。
電法によって製造する方法の概略を実施例として丙兄明
する。グロー放電室３１内には、光導電体及び介在＃に
成１障するガジス基４′、Ａ３２が、電極３３に固定さ
れる。？ＩＬ４々＜ ３４ Ｉｌ、電極３３に対抗して
配置６される。ヒーター３５け成膜中の基板全所定の流
度に加熱保持するためのものである。
また、このグロー放電室３１には、グロー放゛屯の几め
の高周波発振器３６及びインピーダンスマツチング装置
３７、気圧測定のための真空計３８が付随し、主弁３９
を介して真空縁に接続される。
の高周波発振器３６及びインピーダンスマツチング装置
３７、気圧測定のための真空計３８が付随し、主弁３９
を介して真空縁に接続される。
成膜に必要な各棟のノリζ科ガスは、バルブ４０を介し
て、各々所定の流量がグロー放電室３１内に導入される
。実施例でｆ４、介在１苫ヲ１００％ＳｉＨ４： Ｈ２
： Ｎ２＝ １ ：９：２・・・（１）の流量比で約１
０００Ａ成膜した。
て、各々所定の流量がグロー放電室３１内に導入される
。実施例でｆ４、介在１苫ヲ１００％ＳｉＨ４： Ｈ２
： Ｎ２＝ １ ：９：２・・・（１）の流量比で約１
０００Ａ成膜した。
介在層の成膜後は、グロー放ｆｆ１ｉ、室３１内に導入
するＮ２の流量全零にすることにより、グロー放電音と
めることなく、連続的に光導電体の成膜全開始する。
するＮ２の流量全零にすることにより、グロー放電音と
めることなく、連続的に光導電体の成膜全開始する。
このようにして製造された光導′堰部材を、第５図に示
される超音波洗浄器５５に入れる。この超音波洗浄器５
５は、容器５６のノリに超音波振動子色７が配置され、
この容器５６的には、水５８が貯留される。この水５８
内には、もうひとつの’１４器５９が浸漬される。容器
５９内にＶｌ、水６０が貯留され、この中に参照符６１
で示される第３図示の光導電部材が入れられる。本発明
に従う光導電部材６１Ｖｉ、超音波揚動全５分間持続し
たところ、ハエ３２と光導電体２３との４７１１離が全
く見られなかった。これに対して従来のように、介在層
２２が形成されていない光２．’？＝ ｉｌｉ Ｒ１〜
（，１では、５分以内に２！ＩＩ′相３２と光導ｔｌ、
休２３との＠Ｃ実な剥離が認められた。
される超音波洗浄器５５に入れる。この超音波洗浄器５
５は、容器５６のノリに超音波振動子色７が配置され、
この容器５６的には、水５８が貯留される。この水５８
内には、もうひとつの’１４器５９が浸漬される。容器
５９内にＶｌ、水６０が貯留され、この中に参照符６１
で示される第３図示の光導電部材が入れられる。本発明
に従う光導電部材６１Ｖｉ、超音波揚動全５分間持続し
たところ、ハエ３２と光導電体２３との４７１１離が全
く見られなかった。これに対して従来のように、介在層
２２が形成されていない光２．’？＝ ｉｌｉ Ｒ１〜
（，１では、５分以内に２！ＩＩ′相３２と光導ｔｌ、
休２３との＠Ｃ実な剥離が認められた。
Ｐ］ｉｌ述の氾１図および第２図に示てれた受光装置３
における光専１江体６を共通電極５および基材４上に本
発明に従って１！！！造し、その受光装置３を第５図に
示される超音波洗浄器５５を用いて超音波洗浄を行なっ
た。その洗浄時間が５分程度であるとき、光導電体６と
共通電極５とガラス基材４との剥離が生じないことが確
認された。これに対して、従来のように介在層２２を有
しない受光装置で社、第１爽に見られるような歩留り状
況であシ、この第１表に示される刺部状況ｔ１、何ら超
音波洗浄全行なっていないときの状況である。
における光専１江体６を共通電極５および基材４上に本
発明に従って１！！！造し、その受光装置３を第５図に
示される超音波洗浄器５５を用いて超音波洗浄を行なっ
た。その洗浄時間が５分程度であるとき、光導電体６と
共通電極５とガラス基材４との剥離が生じないことが確
認された。これに対して、従来のように介在層２２を有
しない受光装置で社、第１爽に見られるような歩留り状
況であシ、この第１表に示される刺部状況ｔ１、何ら超
音波洗浄全行なっていないときの状況である。
（以下余白）
第１表
第１表全参照すれば、本発明に従う介在１？４２２を有
する受光装置の歩留りが各段に向上さｔしたことがわか
る。
する受光装置の歩留りが各段に向上さｔしたことがわか
る。
第１図は本発明の一実施例のかつ先行技術全説明するた
めの受光装置３の断面図、第２し１１はその受光装置３
の平面１図、第３図は本発明に従ってケ１造された光導
亀部相の断面図、第４図は光導電部材の製造装置の系統
図、第５図は札（−Ｔｆ強ル會実験するための超音波洗
浄器の断面図である。 ４・・・基材、５・・・共通電極、６，２３・・・光導
電体、７．８・・・個別１Ｈ，極、１０・・・保穫層、
２１・・・基材、２２・・・介在層 代理人 弁理士 西教圭一部 ｂｓ Ｉ ＦＭ 錫 ２ｒｌ！Ｊ １１ＦＩ３ｆ！ｆ ｓ５ 図
めの受光装置３の断面図、第２し１１はその受光装置３
の平面１図、第３図は本発明に従ってケ１造された光導
亀部相の断面図、第４図は光導電部材の製造装置の系統
図、第５図は札（−Ｔｆ強ル會実験するための超音波洗
浄器の断面図である。 ４・・・基材、５・・・共通電極、６，２３・・・光導
電体、７．８・・・個別１Ｈ，極、１０・・・保穫層、
２１・・・基材、２２・・・介在層 代理人 弁理士 西教圭一部 ｂｓ Ｉ ＦＭ 錫 ２ｒｌ！Ｊ １１ＦＩ３ｆ！ｆ ｓ５ 図
Claims (1)
- アモルファスシリコンから成るノＹ、導電体と、これ全
支持する基材とから成る光４電部相において、上記光導
電体と基材との間に、アモルファスシリコンから成ると
共に窒素を含む介在層が形成され、この介在層の窒素原
子旋度は５ ａｔｏｍｉｃ％以上であり、その介在層の
層厚は１０〜２０００Ａであることを特徴とする光導電
部相。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58200416A JPS6091360A (ja) | 1983-10-25 | 1983-10-25 | 光導電部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58200416A JPS6091360A (ja) | 1983-10-25 | 1983-10-25 | 光導電部材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6091360A true JPS6091360A (ja) | 1985-05-22 |
Family
ID=16423950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58200416A Pending JPS6091360A (ja) | 1983-10-25 | 1983-10-25 | 光導電部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6091360A (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5584941A (en) * | 1978-12-20 | 1980-06-26 | Canon Inc | Electrophotographic photoreceptor |
| JPS5671927A (en) * | 1979-11-15 | 1981-06-15 | Canon Inc | Manufacture of amorphous hydro-silicon layer |
| JPS57105744A (en) * | 1980-12-23 | 1982-07-01 | Canon Inc | Photoconductive member |
| JPS57177156A (en) * | 1981-04-24 | 1982-10-30 | Canon Inc | Photoconductive material |
| JPS5828749A (ja) * | 1982-06-07 | 1983-02-19 | Canon Inc | 電子写真感光体 |
-
1983
- 1983-10-25 JP JP58200416A patent/JPS6091360A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5584941A (en) * | 1978-12-20 | 1980-06-26 | Canon Inc | Electrophotographic photoreceptor |
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