JPH04137525A - シリコン薄膜剥離防止方法 - Google Patents
シリコン薄膜剥離防止方法Info
- Publication number
- JPH04137525A JPH04137525A JP2400243A JP40024390A JPH04137525A JP H04137525 A JPH04137525 A JP H04137525A JP 2400243 A JP2400243 A JP 2400243A JP 40024390 A JP40024390 A JP 40024390A JP H04137525 A JPH04137525 A JP H04137525A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- hydrogen
- oxide substrate
- substrate
- plasma
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 16
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 3
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 abstract description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 abstract description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 22
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 229910004014 SiF4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 M g Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007264 Si2H6 Inorganic materials 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- XMIJDTGORVPYLW-UHFFFAOYSA-N [SiH2] Chemical compound [SiH2] XMIJDTGORVPYLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004453 electron probe microanalysis Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005365 phosphate glass Substances 0.000 description 1
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
［０００１］
本発明は四弗化ケイ素を含むガスを原料としてシリコン
薄膜半導体を製造する方法に関し、より詳しくは酸化物
基核上にシリカ薄膜を良好に被着させる方法に関するも
のである。 種々のシラン系のガスＳｌｌ ｘｍｙｏ （ｘ、Ｙ；Ｈ
もしくはハロゲン、１２ｍ。 ｎ；整数）を用いてグロー放電分解をおこない、基板上
にシリコン薄膜を形成させたものは非晶質あるいは微結
晶の形をとり、ｐｎ制御が可能なことがらシリコン薄膜
半導体として太陽電池、電子写真感光体、薄膜トランジ
スター センサーへとその用途は急速にひろまっている
。 ［０００２］ かかるシリコン薄膜にうちモノシランガス（ＳｉＨ２）
あるいは高次シランガス（Ｓｉ２Ｈ６等）をグロー放電
分解して得られるＳｉ ： Ｈ膜よりも、四弗化ケイ素
子シラン（ＳＩＦ ＋５ＩＨ４）あるいは四弗化ケイ
素＋水素（ＳｉＦ４＋Ｈ２）がら得られるＳｉ ： Ｈ
： Ｆ膜は太陽電池における光照射による特性劣化が少
ないといわれている（Ｎａｔｕｒｅ ｖｏｌ、２７６３
０ Ｎｏｖｅｍｂｅｒ １９７８０ｖｓｈｉｎｓｋい。 これはシリコン薄膜中のＳｉのダンプリングボンドをＨ
でなくＦでターミネイトしているためと考えられている
。また四弗化ケイ素＋シランの混合ガスから得なＳｉ
： Ｈ： Ｆ薄膜中のギャプ内の状態密度分布は従来の
Ｓｉ ： Ｈ薄膜よりもきれいなことが知られている（
第４３回名物学会２９−ｐ−ｗ−６１９８２松田）。こ
のようなことがら四弗化ケイ素を原料にしたシリコン薄
膜はその長所からおおいに応用が期待されるものである
が、ガラス基板をはじめとする酸化物基板上に特に四弗
化ケイ素子水素からＳｉ ： Ｈ： Ｆ薄膜を形成する
場合得られた膜が吸湿性を有する場合があり、膜が剥離
してしまう現象が多く認められている。また、四弗化ケ
イ素＋シランから膜を形成する場合においても、四弗化
ケイ素＋水素の場合はど顕著ではないが同様の現象が認
められる。 前記した剥離現象はグロー放電条件が密接
に関与するものであり、剥離現象が認められるグロー放
電条件を示すと、四弗化ケイ素＋水素ガス系ではガス圧
力１００〜１０００ｍ１００Ｏ、基板温度２００〜４０
０℃、放電出力２〜５０Ｗの範囲でおこりやすく、組成
としては四弗化ケイ素が増すほどその傾向が強い。また
剥離現象には膜厚依存性がみられ、０．２〜０．３μ以
下の薄い膜でも１μ程度になると、剥離がおこりにくく
、同一条件で得た膜でも１μ程度になると、剥離しやす
くなる。この剥離現象はグロー放電後プラズマＣＶＤ装
置から空気中にＳｉ：Ｈ：Ｆ薄膜を取り出す場合に生じ
ることが多い。従ってこれらの条件範囲外で膜形成する
ことにより剥離現象を回避することも可能であるが、条
件が極端になりまたＳｉ：Ｈ：Ｆ膜の特性が生かされな
い可能性があり、好ましいものではない。 ［０００３］ 膜剥離の原因としてはＳｉ：Ｈ：Ｆ膜中に空気中の水分
で分解してしまう５ｉ−ＯＦ基が存在すること、あるい
は膜と酸化物基板との界面での四弗化ケイ素もしくはＨ
Ｆ分子の存在が考えられる。むろん膜作成時に生ずる膜
自身の内部応力も剥離の引き金となっている。また酸化
物基板自身も四弗化ケイ素を含むガスのグロー放電によ
ってＦ原子による攻撃を受け、空気中の水分に不安定な
官能基をつくってしまうことも剥離の原因と考えられる
。ＥＰＭＡの測定によれば剥がれた膜下のガラス基板表
面にＦの存在が認められた。 ［０００４］ 本発明者らは極端なグロー放電条件をとることなく四弗
化ケイ素の長所を生かして剥離を抑止し、良好な膜形成
をおこなうべく鋭意検討した結果、水素やＡｒをはじめ
とする不活性ガスによるスパッタリング等のプラズマ処
理をおこないアノード極板上の酸化物基板表面の−Ｍ−
〇−結合（Ｍ ： Ｓｉ、 Ｓｎ等の酸化物の被酸素原
子）を切断し、未結合手を有する被酸素原子だけに基板
表面を改質してから、その後四弗化ケイ素＋水素ガスの
グロー放電分解することにより目的のＳｉ ： Ｈ：Ｆ
膜が得られることを見出し本発明に到達したものである
。すなわち本発明は酸化物基板上に四弗化ケイ素を含む
ガスを原料としてグロー放電分解により薄膜半導体を製
造する方法において、予め酸化物基板を水素または不活
性ガスによりプラズマ処理することを特徴とするシリコ
ン薄膜剥離防止方法である。 ［０００５］ 本発明の方法による処理においては水素または不活性ガ
スを用いるものであり、不活性ガスとしてＡｒ、 Ｎｅ
、 Ｈｅ、 Ｘｅ等が用いられる。 またこのプラズマ処理が弱いと基板表面に酸素原子が残
り、十分な改質がおこなわれないことからプラズマ条件
の選択が重要であり、処理ガスガス圧力、放電出力、放
電時間、処理ガス流速に余裕をもたせることが必要であ
る。特に放電出力は数ＷよりはＩＯＷ以上でおこなうこ
とが好ましい。またＨｇのプラズマ処理によるスパッタ
リングをおこなった場合にはかかる処理をおこない引き
続きＳｉ Ｆ ４を供給していき、順次所期の５ＩＦ４
＋水素ガスの比となるようにして膜形成をおこなうこと
もでき効率的である。 ［０００６］ 本発明においては膜形成と同一の装置にてこの処理をお
こなうことができるなめ操作も簡便であり、容易に剥離
防止がおこなえるものである。 本発明において酸化物基板とはガラス基板（石英ガラス
、ホウケイ酸塩ガラスソーダガラス、リン酸塩ガラス等
）あるいは金属酸化物（Ｓｎ、 Ｔｉ、 Ｆｅ、 Ｃｏ
、 Ｎｉ、 Ｓｅ。 Ｚｒ、 Ｒｕ、 Ｒｈ、 Ｐｄ、 Ｔｅ、 Ｂｅ、 Ｍ
ｇ、 Ｚｎ、 Ｃｄ、 Ｈｇ、 Ｃｕ、 Ａｇ、 Ａｕ
、 Ｐｔ、 Ｏｓ、 Ｉｒ、 Ｐｂ、 Ｗ、 ＡＩ、
Ｇａ、 Ｉｎ、 Ｔｉ、 Ｇｅ、 Ａｓ、 Ｓｂ、 Ｂ
ｉ等）を意味しておりグロー放電分解によるフッ素原子
と反応する酸素原子を有する形態のものが挙げられる。 ［０００７］
薄膜半導体を製造する方法に関し、より詳しくは酸化物
基核上にシリカ薄膜を良好に被着させる方法に関するも
のである。 種々のシラン系のガスＳｌｌ ｘｍｙｏ （ｘ、Ｙ；Ｈ
もしくはハロゲン、１２ｍ。 ｎ；整数）を用いてグロー放電分解をおこない、基板上
にシリコン薄膜を形成させたものは非晶質あるいは微結
晶の形をとり、ｐｎ制御が可能なことがらシリコン薄膜
半導体として太陽電池、電子写真感光体、薄膜トランジ
スター センサーへとその用途は急速にひろまっている
。 ［０００２］ かかるシリコン薄膜にうちモノシランガス（ＳｉＨ２）
あるいは高次シランガス（Ｓｉ２Ｈ６等）をグロー放電
分解して得られるＳｉ ： Ｈ膜よりも、四弗化ケイ素
子シラン（ＳＩＦ ＋５ＩＨ４）あるいは四弗化ケイ
素＋水素（ＳｉＦ４＋Ｈ２）がら得られるＳｉ ： Ｈ
： Ｆ膜は太陽電池における光照射による特性劣化が少
ないといわれている（Ｎａｔｕｒｅ ｖｏｌ、２７６３
０ Ｎｏｖｅｍｂｅｒ １９７８０ｖｓｈｉｎｓｋい。 これはシリコン薄膜中のＳｉのダンプリングボンドをＨ
でなくＦでターミネイトしているためと考えられている
。また四弗化ケイ素＋シランの混合ガスから得なＳｉ
： Ｈ： Ｆ薄膜中のギャプ内の状態密度分布は従来の
Ｓｉ ： Ｈ薄膜よりもきれいなことが知られている（
第４３回名物学会２９−ｐ−ｗ−６１９８２松田）。こ
のようなことがら四弗化ケイ素を原料にしたシリコン薄
膜はその長所からおおいに応用が期待されるものである
が、ガラス基板をはじめとする酸化物基板上に特に四弗
化ケイ素子水素からＳｉ ： Ｈ： Ｆ薄膜を形成する
場合得られた膜が吸湿性を有する場合があり、膜が剥離
してしまう現象が多く認められている。また、四弗化ケ
イ素＋シランから膜を形成する場合においても、四弗化
ケイ素＋水素の場合はど顕著ではないが同様の現象が認
められる。 前記した剥離現象はグロー放電条件が密接
に関与するものであり、剥離現象が認められるグロー放
電条件を示すと、四弗化ケイ素＋水素ガス系ではガス圧
力１００〜１０００ｍ１００Ｏ、基板温度２００〜４０
０℃、放電出力２〜５０Ｗの範囲でおこりやすく、組成
としては四弗化ケイ素が増すほどその傾向が強い。また
剥離現象には膜厚依存性がみられ、０．２〜０．３μ以
下の薄い膜でも１μ程度になると、剥離がおこりにくく
、同一条件で得た膜でも１μ程度になると、剥離しやす
くなる。この剥離現象はグロー放電後プラズマＣＶＤ装
置から空気中にＳｉ：Ｈ：Ｆ薄膜を取り出す場合に生じ
ることが多い。従ってこれらの条件範囲外で膜形成する
ことにより剥離現象を回避することも可能であるが、条
件が極端になりまたＳｉ：Ｈ：Ｆ膜の特性が生かされな
い可能性があり、好ましいものではない。 ［０００３］ 膜剥離の原因としてはＳｉ：Ｈ：Ｆ膜中に空気中の水分
で分解してしまう５ｉ−ＯＦ基が存在すること、あるい
は膜と酸化物基板との界面での四弗化ケイ素もしくはＨ
Ｆ分子の存在が考えられる。むろん膜作成時に生ずる膜
自身の内部応力も剥離の引き金となっている。また酸化
物基板自身も四弗化ケイ素を含むガスのグロー放電によ
ってＦ原子による攻撃を受け、空気中の水分に不安定な
官能基をつくってしまうことも剥離の原因と考えられる
。ＥＰＭＡの測定によれば剥がれた膜下のガラス基板表
面にＦの存在が認められた。 ［０００４］ 本発明者らは極端なグロー放電条件をとることなく四弗
化ケイ素の長所を生かして剥離を抑止し、良好な膜形成
をおこなうべく鋭意検討した結果、水素やＡｒをはじめ
とする不活性ガスによるスパッタリング等のプラズマ処
理をおこないアノード極板上の酸化物基板表面の−Ｍ−
〇−結合（Ｍ ： Ｓｉ、 Ｓｎ等の酸化物の被酸素原
子）を切断し、未結合手を有する被酸素原子だけに基板
表面を改質してから、その後四弗化ケイ素＋水素ガスの
グロー放電分解することにより目的のＳｉ ： Ｈ：Ｆ
膜が得られることを見出し本発明に到達したものである
。すなわち本発明は酸化物基板上に四弗化ケイ素を含む
ガスを原料としてグロー放電分解により薄膜半導体を製
造する方法において、予め酸化物基板を水素または不活
性ガスによりプラズマ処理することを特徴とするシリコ
ン薄膜剥離防止方法である。 ［０００５］ 本発明の方法による処理においては水素または不活性ガ
スを用いるものであり、不活性ガスとしてＡｒ、 Ｎｅ
、 Ｈｅ、 Ｘｅ等が用いられる。 またこのプラズマ処理が弱いと基板表面に酸素原子が残
り、十分な改質がおこなわれないことからプラズマ条件
の選択が重要であり、処理ガスガス圧力、放電出力、放
電時間、処理ガス流速に余裕をもたせることが必要であ
る。特に放電出力は数ＷよりはＩＯＷ以上でおこなうこ
とが好ましい。またＨｇのプラズマ処理によるスパッタ
リングをおこなった場合にはかかる処理をおこない引き
続きＳｉ Ｆ ４を供給していき、順次所期の５ＩＦ４
＋水素ガスの比となるようにして膜形成をおこなうこと
もでき効率的である。 ［０００６］ 本発明においては膜形成と同一の装置にてこの処理をお
こなうことができるなめ操作も簡便であり、容易に剥離
防止がおこなえるものである。 本発明において酸化物基板とはガラス基板（石英ガラス
、ホウケイ酸塩ガラスソーダガラス、リン酸塩ガラス等
）あるいは金属酸化物（Ｓｎ、 Ｔｉ、 Ｆｅ、 Ｃｏ
、 Ｎｉ、 Ｓｅ。 Ｚｒ、 Ｒｕ、 Ｒｈ、 Ｐｄ、 Ｔｅ、 Ｂｅ、 Ｍ
ｇ、 Ｚｎ、 Ｃｄ、 Ｈｇ、 Ｃｕ、 Ａｇ、 Ａｕ
、 Ｐｔ、 Ｏｓ、 Ｉｒ、 Ｐｂ、 Ｗ、 ＡＩ、
Ｇａ、 Ｉｎ、 Ｔｉ、 Ｇｅ、 Ａｓ、 Ｓｂ、 Ｂ
ｉ等）を意味しておりグロー放電分解によるフッ素原子
と反応する酸素原子を有する形態のものが挙げられる。 ［０００７］
以下実施例により本発明を説明する。
実施例１．２、比較例１
第１表で示す前処理をおこなったガラス基板を用いて１
３．５６ ＭＨｚ高周波電源を有するプラズマＣＶＤ装
置（電極間隔２０ｍｍ、カソード電極径９０ｍｍφ）に
てガス組成Ｈ：５ｉＦ４＝１：９、ガス流速１１０３Ｃ
Ｃ、ガス圧力１０００ｍ１００Ｏ、基板温度４００℃、
放電出力１０Ｗなる条件にてグロー放電をおこない膜形
成をおこなった。それぞれのものにつき膜の剥離状況を
観察するとともに得られた膜の物性を測定し第１表に示
した。 ［０００８］ なお、用いたガラス基板はコーニング ７０５９である。 ［０００９］
３．５６ ＭＨｚ高周波電源を有するプラズマＣＶＤ装
置（電極間隔２０ｍｍ、カソード電極径９０ｍｍφ）に
てガス組成Ｈ：５ｉＦ４＝１：９、ガス流速１１０３Ｃ
Ｃ、ガス圧力１０００ｍ１００Ｏ、基板温度４００℃、
放電出力１０Ｗなる条件にてグロー放電をおこない膜形
成をおこなった。それぞれのものにつき膜の剥離状況を
観察するとともに得られた膜の物性を測定し第１表に示
した。 ［０００８］ なお、用いたガラス基板はコーニング ７０５９である。 ［０００９］
【表１】
表 １
［００１０］
前処理なしの比較例１ではチャンバー内から空気中に取
り出されたＳｉ：Ｈ：Ｆ薄膜が、ガラス基板からほとん
ど瞬時に剥離したのに対して、実施例１のＡｒガスでの
スパッタリングによる前処理ではＳｉ：Ｈ：Ｆ薄膜の剥
離が皆無であり経事変化もまったく認められなかった。 また実施例２のＨ２ガスによる前処理では実施例１はと
ではないが、比較例に比べて剥離防止の効果が認められ
た。 ［００１１］ 【発明の効果１
り出されたＳｉ：Ｈ：Ｆ薄膜が、ガラス基板からほとん
ど瞬時に剥離したのに対して、実施例１のＡｒガスでの
スパッタリングによる前処理ではＳｉ：Ｈ：Ｆ薄膜の剥
離が皆無であり経事変化もまったく認められなかった。 また実施例２のＨ２ガスによる前処理では実施例１はと
ではないが、比較例に比べて剥離防止の効果が認められ
た。 ［００１１］ 【発明の効果１
Claims (1)
- 【請求項１】 酸化物基板上に四弗化ケイ素を含むガスを原料としてグ
ロー放電分解により薄膜半導体を製造する方法において
、予め酸化物基板を水素または不活性ガスによりプラズ
マ処理することを特徴とするシリコン薄膜剥離防止方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2400243A JPH04137525A (ja) | 1990-12-03 | 1990-12-03 | シリコン薄膜剥離防止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2400243A JPH04137525A (ja) | 1990-12-03 | 1990-12-03 | シリコン薄膜剥離防止方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58089230A Division JPS59215719A (ja) | 1983-05-23 | 1983-05-23 | シリコン薄膜剥離防止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04137525A true JPH04137525A (ja) | 1992-05-12 |
Family
ID=18510153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2400243A Pending JPH04137525A (ja) | 1990-12-03 | 1990-12-03 | シリコン薄膜剥離防止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04137525A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0592227A2 (en) * | 1992-10-07 | 1994-04-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Fabrication of a thin film transistor and production of a liquid crystal display apparatus |
| US5796116A (en) * | 1994-07-27 | 1998-08-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin-film semiconductor device including a semiconductor film with high field-effect mobility |
| WO2001029912A1 (fr) * | 1999-10-22 | 2001-04-26 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Electrode de pile au lithium et d'accumulateur au lithium |
| WO2001029913A1 (en) * | 1999-10-22 | 2001-04-26 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method for producing material for electrode for lithium cell |
-
1990
- 1990-12-03 JP JP2400243A patent/JPH04137525A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0592227A2 (en) * | 1992-10-07 | 1994-04-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Fabrication of a thin film transistor and production of a liquid crystal display apparatus |
| EP0592227A3 (en) * | 1992-10-07 | 1995-01-11 | Sharp Kk | Manufacture of a thin film transistor and production of a liquid crystal display device. |
| US5796116A (en) * | 1994-07-27 | 1998-08-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin-film semiconductor device including a semiconductor film with high field-effect mobility |
| US6271062B1 (en) | 1994-07-27 | 2001-08-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin film semiconductor device including a semiconductor film with high field-effect mobility |
| WO2001029912A1 (fr) * | 1999-10-22 | 2001-04-26 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Electrode de pile au lithium et d'accumulateur au lithium |
| WO2001029913A1 (en) * | 1999-10-22 | 2001-04-26 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method for producing material for electrode for lithium cell |
| US6887511B1 (en) | 1999-10-22 | 2005-05-03 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method for preparing electrode material for lithium battery |
| JP3702223B2 (ja) * | 1999-10-22 | 2005-10-05 | 三洋電機株式会社 | リチウム電池用電極材料の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0120228B2 (ja) | ||
| EP1433207B8 (en) | A process for large-scale production of cdte/cds thin film solar cells | |
| JPH08337875A (ja) | 窒化チタン膜形成方法 | |
| US5387542A (en) | Polycrystalline silicon thin film and low temperature fabrication method thereof | |
| WO2004017365A3 (en) | Deposition of amorphous silicon-containing films | |
| Hoffman et al. | Plasma‐enhanced chemical vapor deposition of silicon, germanium, and tin nitride thin films from metalorganic precursors | |
| JPH08306685A (ja) | 酸化ケイ素層の析出方法 | |
| US5246744A (en) | Method of forming thin film of amorphous silicon by plasma cvd | |
| JPH02155225A (ja) | 非晶質半導体薄膜の形成方法 | |
| JPH04137525A (ja) | シリコン薄膜剥離防止方法 | |
| JPH066789B2 (ja) | 硼燐珪酸ガラスの蒸着法 | |
| JP2002060951A (ja) | 気体反応によるｃｖｄチャンバ内の異物の除去 | |
| JPH0435021A (ja) | 多結晶シリコン薄膜の成長方法 | |
| GB2192644A (en) | Transparent conductive film and the production thereof | |
| JPS63215037A (ja) | ケイ素系薄膜の製造方法 | |
| JPS59215719A (ja) | シリコン薄膜剥離防止方法 | |
| JPS63239931A (ja) | 堆積膜形成法 | |
| KR950007671B1 (ko) | 텅스텐 박막의 증착방법 | |
| JPS5973413A (ja) | 薄膜状絶縁材とその製造方法 | |
| JP2002261312A (ja) | ハイブリッド型薄膜光電変換装置の製造方法 | |
| JP2002064067A (ja) | 化学気相成長を向上させるよう調整されたチャンバ | |
| RU2061281C1 (ru) | Способ получения тонких пленок аморфного гидрогенизированного кремния | |
| JPH01223733A (ja) | 炭化チタン系膜及び窒化チタン系膜のエッチング方法 | |
| JPH04320338A (ja) | Ｐｓｇの気相成長に関わる半導体装置の製造方法 | |
| CN117721441A (zh) | 一种高应力氮化硅薄膜的形成方法 |