JPS6089941A - 半導体基板のダイシング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は半導体装置の製造工程において、回路が形成さ
れた半導体ウェハをペレットに分割する半導体基板のダ
イシング方法に関する。

〔発明の技術的背景〕

半導体装置の製造工程において、半導体基板例えばシリ
コン基板に拡散、ホトエツチング等の工程を経て半導体
素子かつ（り込まれると、１枚のウェハ内に同一の素子
が多数個規則的に配列されたものが得られる。これら素
子はその電気的特性がゾローパで個々に測定され、不良
品にマークインクがつけられて良否が分類された後、そ
れぞれの素子をパッケージに組み込むために個々に分割
される。

従来、この半導体ウェハの分割の方法として、ブレード
ダイシング法が用いられている。これは、半導体ウェハ
を固定しておき、ダイヤモンドブレードを高速回転（１
００００〜７０００ｒｐｍ）させて切断する方法である
。

〔背景技術の問題点〕

しかしながら、従来のブレードダイシング法においては
次のような種々の欠点があった。

（１）　ダイシング幅のコントロールが非常に困難でお
り、従ってペレットサイズの縮小が難しくなる。

（２）　ダイシング深さのコントロールが非常に困難で
ある。

（３）半導体基板例えばシリコン基板のＳｉ紛が多量に
出て、回路の表面を汚してしまうので、洗浄工程が必要
になる。

（４）　ダイシング時間が長くなる。

（５）　ダイシングブレードの寿命が短い。

〔発明の目的〕

本発明は上記実情に鑑みてなされたもので、その目的は
、ダイシング幅及び深さのコントロールが容易で、回路
表面を汚すことがなく、かつダイシング工程を短縮化す
ることのできる半導体基板のダイシング方法を提供する
ことにある。

〔発明の概要〕

本発明に係る半導体基板のダイシング方法は、半導体ウ
ェハのダイシングラインに沿って、イオンビーム又は電
子ビームを照射するものである。

〔発明の実施例〕

以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。図
面は半導体ウェハのダイシング工程を示すものである。

すなわち、この工程は、各回路の形成されたシリコンウ
エノＳｌｌのダイシングライン１２に沿って、例えば？
ロンＢのイオンビーム１３を照射するものである。との
イオンビーム１３の照射により、シリコンウェハ１１に
は、ダイシングライン１２に泪って結晶欠陥が発生１〜
、その結果結晶強度が低下する。

従って、その後、とのシリコンウエノＳ１１の裏面から
弾性部材を介在させた状態で例えばローラを転がすこと
により加圧すると、シリコンウェハ１ノはダイシングラ
イン１２に沿って割れる。これにより、各半導体ペレッ
トが形成されるものである。

このイオンビーム１３の照射はその照射エネルギを調整
することにより、結晶欠陥部の深さ及び幅をコントロー
ルすることが容易であり、半導体ペレットの縮小化が可
能とηる。また、従来のようにシリコン粉が多量に発生
することがなく、洗浄工程が不要となる等ダイシング工
程に要する時間を短縮化することができる。

尚、上記実施例においては、シリコンウエノ゛・→− １１に照射スるイオンビームＩ　、’？　ヲポロンＢと
しブζ、が、これに限定するものではなく、その他のイ
オンでもよく、さらに電子ビームであってもよい。

〔発明の効果〕

以上のように本発明によれば、ダイシングラインの幅及
び深さのコントロールが容易で、Ｒレットサイズの縮小
化が可能であり、まだ回路表面を汚すことがなく、洗浄
工程がほとんど不要となり、工程を短縮化することの可
能な半導体基板のダイシング方法を提供できる。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明の一実施例に係る半導体ウエノ・のダイシ
ング工程を示す図である。 １１・・・シリコンウェハ、１２・・・ダイシングライ
ン、１３・・・イオンビーム。 出願人代理人　弁理士　鈴　江　武　彦−５＝

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 回路が形成された半導体ウェハのダイシングラインに沿
   ってイオンビーム又は電子ビームを照射する工程と、前
   記ダイシングラインに沿って前記半導体ウェハを切断す
   る工程とを備えた半導体基板のダイシング方法。