JPS62266839A - シリコンウエ−ハの加工方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ニー産業にのｆｉｌ用分野」 本発明は、シリコンウェーハの加工方法に係わり、特に
、シリコンウェーハ内に／７：在する、デバイス特性に
悪影響をおよぼす不純物あるいは欠陥を除去ｆるために
用いられる加工方法に関するらのである、 「従来の技術」 一般に、半導体等の製造に用いられるシリコンウェーハ
にあ−ては、拡散や酸化等の熱処理工作、エピタキノヤ
ル成長工程やＣＶＤ１？を層工程等において、デバイス
特性に悪影響を与えろ欠陥や不純物等が形成されあるい
は入り込むことが知られており、これらの欠陥や不純物
によって半導体の歩留りが大きく損なわれている。

そこで従来では、酸化や拡散等の熱処理工作においては
、シリコンウェーハが装填されるピノエーハボーＩ・の
形状や（オ質かろの２４　Ｔｔが施され、また、エビタ
キノヤル成長工程やＣＶ　Ｄ工程においては、シリコン
ウェーハを支持する叶セブタのざぐり杉状等からの対策
が実施されている。

「発明が解決しようとする問題点」 本発明は前述した従来の技術にｉｊける次のような問題
点を解決せんと一４゛るらのである。

すなわち、前ぷしたいずれ））技術において乙、３二［
程ｆ＋ｊにノリコンウニ―−ハのプ（陥や不純物への対
処をｉ？なうものであることか、き、その管理が繁Ｘｔ
てＩ°分な効果が得られｔ、あるいは、半導体製造力ノ
ニめの処理以外の処理を６■程に設：すな（すればζら
ないから、装造コストの高騰を招いてし、まうといった
問題点てめろ。

「問題点を解決するための手段」 本発明は、前述した従来の問題点を育効に解消し得るシ
リコンウェーハの加工方法を提供せんとする乙ので、該
加工方法は、特に、シリコンウェーハの周縁部に形成さ
れた面取り部に高エネルギ束を照射して、接面取り部を
急加熱および急冷却することにより、接面取り部に変質
層を形成することを特徴とする。

「作用　」 本発明に係わるシリコンウェーハの加工方法は、シリコ
ンウェーハの面取り部に照射した高エネルギ束により、
接面取り部に変質層を形成してゲッタ酸とし、該ゲッタ
酸によってシリコンウェーハ内の欠陥や不純物を面取り
部に引き寄せるとと乙に、これらの欠陥や不純物を、半
導体の切り出し時において面取り部とともに除去し得る
ようにし、かつ、シリコンウェーハへの加工のみで前述
した作用を行ない得るようにするしのである。

「実施例Ｊ 以下、本発明の一実施例を、該−実施例を実施するため
の装置と合わせて説明する。

第１図は、本実施例の加工方法を実施するための加工装
置の一例を示すら゛のである。

まず、この加工装置について説明する。

該加工装置ｌは、基台２と、該基台２に一体に取り付け
られた駆動モータ３と、該駆動モータ３によって回転駆
動させられる支持プレート４と、該支持プレート４の上
方に配設された高エネルギ東照射ガン５とから構成され
、前記支持プレート４上には、円板状のシリコンウェー
ハ６が着脱可能にか一ノー・体回転可能に取り付けられ
るようになっている。

また、前記高エネルギ照射ガン５は、例えば、レーザー
光線銃で、その照射方向が、前記支持プレート４上に取
り付けられた状態にあるシリコンウェーハ６の周縁部に
向けられており、前記レーザー光線以外に、電磁束や電
子ビーム等が採用される。

次いて、前述した加工装置１の作用とともに、本実施例
の加工方法について説明する。

まず、切り出されたシリコンウェーハ６の周縁部を切削
して、該周縁部の面取りを行ない、接面取りされたノリ
クンウェーハ６をその裏面（集積回路か形成されない側
の而）６ａを上方にして支持プレート・を上に載置した
のちに、駆動モータ３によって支持プレート１を回転さ
せることによって、前記シリコンウェーハ６をその面方
向の中心部を中心にして回転させる。

次いで、前述したように回転状懇にあるシリコンウェー
ハ６の周縁部へ、高エネルギ東照射ガン５からレーザー
光線を照射して、前記シリコンウェーハ６の周縁部を微
少時間内で溶融、固化さ仕ることにより、第２図に示す
ように、該シリコンウェーハ６の周縁部を変質させて、
溶融痕７を形成してゲッタ酸となす。

そして、シリコンウェーハ６の単位当たりのエネルギの
照射量は、レーザー光線の密度や支持プレート４の回転
速度等の加工条件やシリコンウェー　ノＸ　ｎＦ＋　　
胚ｊＦ　１二（ハ　１「イト　１）て　壁昏　宇　七　
ノ１　Ａこのような方法によって加工されたシリコンウ
ェーハ６は、後段の熱処理工程やエピタキンヤル成長工
程、あるいは、ＣＶＤ工程における余熱履歴を通して、
シリコンウェーハ６内の欠陥や不純物が、前記ゲッタ酸
としての溶融痕７に引き寄せられてゲッタリングが行な
われる。

そして、前記シリコンウェーハ６は、前述したエピタキ
ンヤル成長工程やＣＶＤ工、程あるいはその他の半導体
製造のための処理が完了したのちに、第３図に示すよう
に、半導体毎に切り出されるが、この切り出し操作に際
して、シリコンウェーハ６の周縁部、すなわら、面取り
部８が半導体製品部９から除去されることから、接面取
り部８に引き寄Ｕ・られている前記欠陥や不純物ら同様
に除去される。

したがって、半導体製品部９に前述した欠陥やデバイス
特性に悪影響をおよぼす不純物が残ｒＹす　　・ろ確・
キセか大幅に減少させられ、製品の歩留りの向上が図ら
れろ。しかし、欠陥や不純物を除去するｊ二めの処理か
、シリコンウェーハ６に直に憔されろらのであるから、
その処理のための作業が簡素化されろばかりでなく、半
導体の製造装置全体としての管理ら簡便な乙のとなる。

なお、首記実施例において示した形状や細部構造等は一
例であって、設計要求等に基つき種々変更可能である。

ニー発明の効果」 以上説明したように、本発明に係わるシリコンウェーハ
の加工方法は、シリコンウェーハの周縁部に彩成された
面取り部に高エネルギ束を照射して、政商取り部を急加
熱および急冷却することにより、該面取り部に変質層を
形成することを特徴とするらので、面取り部に形成する
変質層をゲッタ（亥として作用させ、該ゲッタ核によっ
てシリコン・：ノエーハ内の欠陥や不純物を面取り部に
引き寄仕るとともに、これらの欠陥や不純物を、半導体
の製品切り出し時において、前記面取り部とともに除去
し得るようにし、これによって、半導体製品の歩留りを
向上させ、かつ、これらの処理をシリコンウェーハへの
処理のみによって行なって、欠陥や不純物の除去処理作
業を簡便にするとと乙に、該処理を雀ずことによる製造
コストの高騰を極力抑えることかできる等の浸れた効果
を奏する。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明の一実施例を示すもので、第１図は一実施
例を実施するための加工装置を示す概略図、第２図はシ
リコンウェーハの要部の拡大断面図、第３図はシリコン
ウェーハの平面図である。 Ｉ・・・・加工装置、　　　　　　２・・・・・・基台
、３・・・・駆動モータ、　　　　　４・・・・・・支
持プレート、５・・・・（高エネルギ）照射ガン、 ６・・・シリコンウェーハ、６ａ・・・・・・裏面、７
　・・溶融痕、　　　　　　　８・・・・・・面取り部
、９・・・・・半導体製品部。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. シリコンウェーハの周縁部に形成された面取り部に高エ
   ネルギ束を照射して、該面取り部を急加熱および急冷却
   することにより、該面取り部に変質層を形成することを
   特徴とするシリコンウェーハの加工方法。