JPS6089918A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

Info

Publication number
JPS6089918A
JPS6089918A JP19888483A JP19888483A JPS6089918A JP S6089918 A JPS6089918 A JP S6089918A JP 19888483 A JP19888483 A JP 19888483A JP 19888483 A JP19888483 A JP 19888483A JP S6089918 A JPS6089918 A JP S6089918A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
quartz tube
gas
discharge orifice
dummy materials
semiconductor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP19888483A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroaki Ootani
大谷　博晃
Kazuhiro Shigetome
重留　一浩
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Priority to JP19888483A priority Critical patent/JPS6089918A/ja
Publication of JPS6089918A publication Critical patent/JPS6089918A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/0257—Doping during depositing
    • H01L21/02573—Conductivity type
    • H01L21/02576—N-type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 この発明は減圧ＣＶ　Ｄ　（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐ
ｏｕｒ　Ｄｅｐ。
５ｉｔｉｏｎ）によって被膜を成長させる工程を含む半
導体装置の製造方法に関する。
（ロ）従来技術 例えば、Ｎ型の多結晶シリコン膜を減圧ＣＶＤで形成す
る場合、半導体基板が配列された石英管内にモノシラン
ガス（５ｉｌｌ＋　）の他にフオスヒンガス（ｐＨ３）
等を含む処理ガスを流入させることによって多結晶シリ
コン膜を形成している。
第１図は前記従来の半導体装置の製造方法の説明図であ
る。この図をもとに減圧ＣＶＤによる半導体装置の製造
方法を説明する。
石英管１の中央部に、一定間隔で複数の半導体基板２を
立設したボートと呼ばれる保持枠組３を、その長尺方向
が石英管ｌの軸心と平行になるように設置した後、石英
管１の一端に処理ガスの導入パイプ４ａ、４ｂを挿着し
た蓋栓５を嵌合し石英管１の一端を密封する。この状態
から石英管１の他端の排出口６から図示しない真空ポン
プで管内をおよそ４０〜８０Ｐａに引くと同時に石英管
１の外周に周設された図示しないヒータによって各６５
０〜７００℃に加熱する。処理ガス導入口５ａ、５ｂよ
りモノシランガス（５ｉｌｌｎ　）に加えて不純物ドー
プのためのフォスヒンガス（ＰＩ（３）を導入すること
によりリンがドープされたＮ型の多結晶シリコン被膜が
半導体基板２の表面に形成される。
しかしながら、このとき上述の石英管ｌの加熱に際し、
膜厚を均一に形成するため処理ガス導入口５ａ、５ｂ側
から排出口６側へ向かってしだいに高くなる温度勾配を
設けである為、不純物ガス即ちフォスヒンガスのモノシ
ランガスに対する混合比を小さくすると処理ガスの導入
口５ａ、　５ｂ側に立設保持された半導体基板２゛およ
び２”に多量の不純物リンがドープされその他の半導体
基板２は排出口６のより近くに立設保持されるに従って
不純物リンのドープ量が少なくなるという弊害が生じる
。この弊害を避けるため、温度制御及び処理ガスの導入
制御の微妙なコントロールは極めて困難であるから、従
来より余剰の処理ガスを導入する手段がとられている。
しかして、石英管１の内壁８の全面には余剰の処理ガス
によるシリコンおよびリンの付着がみられる。特に、排
出口６付近にはリンの付着が顕著であり、この付着した
リンが処理を終え石英管１を自然冷却する際、石英管ｌ
の内壁８との間に熱応力を生じ石英管１に亀裂９を生じ
せしめ石英管１の交換を余儀無くされるという欠点があ
った。
（ハ）目的 この発明は、減圧ＣＶＤによって被膜を成長させる際に
使用される石英管の消耗を少なくさせる半導体装置の製
造方法を提供することを目的としている。
（ニ）構成 この発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板が
配設された石英管の一端から処理ガスを流入し、その他
端から余剰の処理ガスを排出することによって処理基板
に被膜を底置させる減圧ＣＶＤによる半導体装置の製造
工程において、前記石英管内の排出口側にダミー材を配
設したことを特徴としている。
（ホ）実施例 第２図は、この発明に係る半導体装置の製造方法の一実
施例の説明図である。同図において第１図と同一部分に
ついては同じ符号を付しである。
同図に従い本発明の一実施例を説明する。
減圧ＣＶＤによって半導体基板表面へ被膜を形成する工
程において、まず石英管１の排出口６側にダミー材１０
を設置し、処理条件が安定する中央部には処理基板たる
半導体基板２を複数枚立設した保持枠組３を設置する。
その後の手順は従来例と等しく゛、即ち排出口６より図
示しない真空ポンプで石英管内部を真空に引きつつ所定
の温度勾配を保ちながら石英管を加熱し、例えば、Ｎ型
の多結晶シリコン膜を形成する場合には、処理ガス導入
口５ａ、　５ｂよりモノシランガス及びフォスヒンガス
或いはその不活性ガスとの混合ガスを導入する。
そし才余剰の処理ガス（排気ガス）を排出口６から排出
するが、このとき排気ガスはダミー材１０を通過するの
で、このダミー材１０の表面に多くのリンが析出される
。
なお、ダミー材１０としては、短尺の保持枠組に、半導
体基板を数枚立設させてもよいし、長尺の保持枠組を作
成し石英管の中央部には処理基板たる半導体基板を立設
し、排出口６側にはダミーの半導体基板を数枚立設して
もよい。
（へ）効果 この発明によれば、過剰のリンがダミー材に析出される
結果、従来石英管の内壁８に約１．５μｍ余剰のシリコ
ンが付着した段階で特に排出口側に付着が著しいリンに
より石英管の冷却時亀裂が生じていたのに対し、約３μ
ｍシリコンが内壁８に付着した段階においても亀裂の発
生はない。したがって排出口側にダミーの半導体基板を
設置するという簡単な手段で石英管の洗浄回数を減らし
め、亀裂による高価な石英管の交換を回避でき、ダミー
の半導体基板はエツチングによる表面処理を施すことに
より繰り返し使用できることから大幅なコストダウンが
みこまれる。
なお、本実施例ではＮ型多結晶シリコン膜の形成を例に
とって説明したが、Ｐ型多結晶シリコン膜の形成におい
ては、ボロン等の付着を軽減できる他、石英管内壁との
間に冷却時、熱応力を生じる物質が付着する場合におい
ても同様の効果を呈する。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の）１４導体装置の製造方法の説明ｌツ１
第２図はこの発明に係る半導体装置の製造方法の説明図
である。 １・・・石英管、２・・・半導体基板、９・・・亀裂、
１０・・・タミー材。 特許出願人　ローム株式会社 代理人　弁理士　大　西　孝　冶 第１図 第２図 ″ＳｉＨ＋

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）処理基板が配設された石英管の一端から処理ガス
    を流入し、その他端から余剰の処理ガスを排出すること
    によって処理基板に被膜を成長させる減圧ＣｖＤによる
    半導体装置の製造方法において、前記石英管内の排出口
    側にダミー材を配設したことを特徴とする半導体装置の
    製造方法。
JP19888483A 1983-10-24 1983-10-24 半導体装置の製造方法 Pending JPS6089918A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19888483A JPS6089918A (ja) 1983-10-24 1983-10-24 半導体装置の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19888483A JPS6089918A (ja) 1983-10-24 1983-10-24 半導体装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6089918A true JPS6089918A (ja) 1985-05-20

Family

ID=16398527

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP19888483A Pending JPS6089918A (ja) 1983-10-24 1983-10-24 半導体装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6089918A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105508744A (zh) * 2016-01-07 2016-04-20 湖州奥博石英科技有限公司 一种斜形磨口石英管结构

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105508744A (zh) * 2016-01-07 2016-04-20 湖州奥博石英科技有限公司 一种斜形磨口石英管结构

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH09330884A (ja) エピタキシャル成長装置
JPH06302528A (ja) 窒化ケイ素薄膜の蒸着
JPH06318551A (ja) 薄膜の形成方法およびその装置
JP2556621B2 (ja) 炭化ケイ素膜の成膜方法
US6184154B1 (en) Method of processing the backside of a wafer within an epitaxial reactor chamber
EP0047112B1 (en) Method of forming phosphosilicate glass films
JPH0322523A (ja) 気相成長装置
JPS63316425A (ja) 半導体装置の製造装置
JPS6089918A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS62263629A (ja) 気相成長装置
JPH0766139A (ja) 化学気相成長装置
JPH11240794A (ja) エピタキシャル成長装置
JPH05251359A (ja) 気相シリコンエピタキシャル成長装置
JP2001110726A (ja) 成膜方法及び成膜装置
JPS6168393A (ja) ホツトウオ−ル形エピタキシヤル成長装置
JPS62214614A (ja) 減圧ｃｖｄ装置
JPH1050613A (ja) エピタキシャル成長装置
JPH05335250A (ja) Ｃｖｄ装置
JPH11102871A (ja) 半導体単結晶薄膜の製造方法
JPH05190468A (ja) 減圧ｃｖｄ装置
JPS6058608A (ja) 熱処理炉
JPS61154027A (ja) 半導体単結晶の気相成長方法
JPS6020510A (ja) 不純物拡散方法
JP2000091237A (ja) 半導体ウェーハの製造方法
JPS61251119A (ja) 化学気相成長方法