JPH05190468A - 減圧ｃｖｄ装置 - Google Patents
減圧ｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPH05190468A JPH05190468A JP2073392A JP2073392A JPH05190468A JP H05190468 A JPH05190468 A JP H05190468A JP 2073392 A JP2073392 A JP 2073392A JP 2073392 A JP2073392 A JP 2073392A JP H05190468 A JPH05190468 A JP H05190468A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction chamber
- heater
- inner tube
- reaction
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
［目的］ 半導体基板の反りを防止し、品質の各基板間
でのバラツキを解消することができる減圧ＣＶＤ装置を
提供すること。 ［構成］ 減圧ＣＶＤ装置１において、ヒーター４を分
割片４Ａ，４Ｂ，４Ｃに分割し、反応室Ｒ内の温度分布
が均一となるよう各分割片４Ａ，４Ｂ，４Ｃの近傍の温
度を測定して各ヒーター分割片４Ａ，４Ｂ，４Ｃのパワ
ーを制御するとともに、インナーチューブ２とアウター
チューブ３とを開口部１２を介して連通させ、反応室Ｒ
にこれの高さ方向に開口する複数のガス供給パイプ１
４，１５，１６を内装し、インナーチューブ２とアウタ
ーチューブ３の間の空間Ｓ内の複数箇所に開口する排気
口１７から反応ガスを排出するよう構成する。本発明に
よれば、反応室Ｒ内にセットされたウエーハには、均一
な温度分布が保たれると同時に、均一濃度の反応ガスが
供給されることとなり、各ウエーハには所定厚さの多結
晶Ｓｉ膜が均一に形成され、基板の反り発生も均一化さ
れ、且つ抑制、改善され、品質の各基板間でのバラツキ
も解消される。
でのバラツキを解消することができる減圧ＣＶＤ装置を
提供すること。 ［構成］ 減圧ＣＶＤ装置１において、ヒーター４を分
割片４Ａ，４Ｂ，４Ｃに分割し、反応室Ｒ内の温度分布
が均一となるよう各分割片４Ａ，４Ｂ，４Ｃの近傍の温
度を測定して各ヒーター分割片４Ａ，４Ｂ，４Ｃのパワ
ーを制御するとともに、インナーチューブ２とアウター
チューブ３とを開口部１２を介して連通させ、反応室Ｒ
にこれの高さ方向に開口する複数のガス供給パイプ１
４，１５，１６を内装し、インナーチューブ２とアウタ
ーチューブ３の間の空間Ｓ内の複数箇所に開口する排気
口１７から反応ガスを排出するよう構成する。本発明に
よれば、反応室Ｒ内にセットされたウエーハには、均一
な温度分布が保たれると同時に、均一濃度の反応ガスが
供給されることとなり、各ウエーハには所定厚さの多結
晶Ｓｉ膜が均一に形成され、基板の反り発生も均一化さ
れ、且つ抑制、改善され、品質の各基板間でのバラツキ
も解消される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｓｉ単結晶から成る半
導体ウエーハ（以下、ウエーハと称す）の表面に、多結
晶Ｓｉ膜等を形成せしめた半導体基板を製造するための
減圧ＣＶＤ装置に関する。
導体ウエーハ（以下、ウエーハと称す）の表面に、多結
晶Ｓｉ膜等を形成せしめた半導体基板を製造するための
減圧ＣＶＤ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置（以下、デバイスと称す）の
製造工程においては、ウエーハは種々の熱処理を受ける
が、各熱処理過程において、ウエーハに存在する炭素や
金属不純物、或いはデバイスの製造工程中にウエーハ表
面を汚染した金属不純物は、ウエーハ内で析出して種々
の結晶欠陥を引き起こす。これらの結晶欠陥は、ウエー
ハの表面及びその近傍にも発生し、リーク電流を増大さ
せたり、ウエーハのライフタイムを低下させ、当該ウエ
ーハによって製造されるデバイスの特性や歩留に悪影響
を及ぼす。
製造工程においては、ウエーハは種々の熱処理を受ける
が、各熱処理過程において、ウエーハに存在する炭素や
金属不純物、或いはデバイスの製造工程中にウエーハ表
面を汚染した金属不純物は、ウエーハ内で析出して種々
の結晶欠陥を引き起こす。これらの結晶欠陥は、ウエー
ハの表面及びその近傍にも発生し、リーク電流を増大さ
せたり、ウエーハのライフタイムを低下させ、当該ウエ
ーハによって製造されるデバイスの特性や歩留に悪影響
を及ぼす。
【０００３】一方、ウエーハの裏面又は内部に形成した
歪や微少結晶欠陥は、デバイス特性に悪影響を及ぼす不
純物を捕獲、固着したり、或いは欠陥発生に関与してい
る点欠陥等を除去する作用を有する。この作用はゲッタ
リングと呼ばれ、前者はエクストリンシックゲッタリン
グ（ＥＧ）、後者はイントリンシックゲッタリング（Ｉ
Ｇ）と呼ばれている。
歪や微少結晶欠陥は、デバイス特性に悪影響を及ぼす不
純物を捕獲、固着したり、或いは欠陥発生に関与してい
る点欠陥等を除去する作用を有する。この作用はゲッタ
リングと呼ばれ、前者はエクストリンシックゲッタリン
グ（ＥＧ）、後者はイントリンシックゲッタリング（Ｉ
Ｇ）と呼ばれている。
【０００４】上記ＥＧ効果を付与した半導体基板の一つ
として、ウエーハの裏面に多結晶Ｓｉ膜を形成し、この
多結晶Ｓｉ膜の粒界に発生する歪場や格子不整合による
歪場をゲッタリング源として利用するものが知られてい
る（例えば、特開昭５２−１２０７７７号、同５５−１
３３１８号、同５７−１３６３３１号公報参照）。ここ
で使用されるウエーハは、通常、Ｓｉ単結晶棒よりスラ
イスした円板を、研磨後にエッチングした段階のもので
ある。
として、ウエーハの裏面に多結晶Ｓｉ膜を形成し、この
多結晶Ｓｉ膜の粒界に発生する歪場や格子不整合による
歪場をゲッタリング源として利用するものが知られてい
る（例えば、特開昭５２−１２０７７７号、同５５−１
３３１８号、同５７−１３６３３１号公報参照）。ここ
で使用されるウエーハは、通常、Ｓｉ単結晶棒よりスラ
イスした円板を、研磨後にエッチングした段階のもので
ある。
【０００５】ところで、ウエーハ表面に多結晶Ｓｉ膜を
形成するには、減圧ＣＶＤ装置が通常使用される。この
減圧ＣＶＤ装置は、減圧された反応室内にセットされた
ウエーハを加熱しつつ、反応室内にＳｉＨ4のようなＳ
ｉ含有の反応ガスを供給し、ウエーハ表面に熱分解反応
による多結晶Ｓｉ膜を形成する装置である。
形成するには、減圧ＣＶＤ装置が通常使用される。この
減圧ＣＶＤ装置は、減圧された反応室内にセットされた
ウエーハを加熱しつつ、反応室内にＳｉＨ4のようなＳ
ｉ含有の反応ガスを供給し、ウエーハ表面に熱分解反応
による多結晶Ｓｉ膜を形成する装置である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】斯かる減圧ＣＶＤ装置
において形成される多結晶Ｓｉ膜の性質及び膜厚は、当
該装置の内部に装填されるウエーハのそれぞれにおける
加熱温度、反応ガス濃度や反応時間によって左右される
ため、少なくとも加熱温度及び反応ガス濃度を反応室内
において均一化すれば、それらの不均一のために生ずる
前記多結晶Ｓｉ膜の性質及び膜厚の不均一性が解消され
ると同時に、半導体基板の反りを大幅に抑制することが
可能となる。
において形成される多結晶Ｓｉ膜の性質及び膜厚は、当
該装置の内部に装填されるウエーハのそれぞれにおける
加熱温度、反応ガス濃度や反応時間によって左右される
ため、少なくとも加熱温度及び反応ガス濃度を反応室内
において均一化すれば、それらの不均一のために生ずる
前記多結晶Ｓｉ膜の性質及び膜厚の不均一性が解消され
ると同時に、半導体基板の反りを大幅に抑制することが
可能となる。
【０００７】しかし、従来のような単一ヒーターによる
温度制御は、小規模な反応室内でウエーハを少数単位で
処理する場合、同室内の均熱化にさほどの支障は生じな
いが、数１０枚から数１００枚単位のウエーハを同時処
理する大型の量産装置では、単一型ヒーターが一見安定
しているように見えても、必ずしもその温度分布は均一
ではないことが判明した。その理由として反応室の保温
状態のむらや、反応室内における原料ガスの流れの影
響、又ヒーターが長尺になる場合、ヒーター自体におけ
る欠陥、若しくはヒーター劣化による欠陥の発生等がそ
の原因となっているものと推定される。
温度制御は、小規模な反応室内でウエーハを少数単位で
処理する場合、同室内の均熱化にさほどの支障は生じな
いが、数１０枚から数１００枚単位のウエーハを同時処
理する大型の量産装置では、単一型ヒーターが一見安定
しているように見えても、必ずしもその温度分布は均一
ではないことが判明した。その理由として反応室の保温
状態のむらや、反応室内における原料ガスの流れの影
響、又ヒーターが長尺になる場合、ヒーター自体におけ
る欠陥、若しくはヒーター劣化による欠陥の発生等がそ
の原因となっているものと推定される。
【０００８】特に抵抗加熱型のヒーターの場合、ヒータ
ーの温度むらが即ヒーター抵抗値の変動を呼び、これが
更に温度むらを増長させることは良く知られている。
ーの温度むらが即ヒーター抵抗値の変動を呼び、これが
更に温度むらを増長させることは良く知られている。
【０００９】又、反応室内の反応ガス濃度を均一に保つ
ための有効な手段に乏しいのが実情であった。
ための有効な手段に乏しいのが実情であった。
【００１０】本発明は上記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的とする処は、多数のウエーハを同時処理す
る場合に各ウエーハに所定厚さの膜を均一に形成せしめ
ることによって、基板間での品質上のバラツキを解消す
ると同時に、同基板の反り発生も均一化して抑制、改善
することができる減圧ＣＶＤ装置を提供することにあ
る。
で、その目的とする処は、多数のウエーハを同時処理す
る場合に各ウエーハに所定厚さの膜を均一に形成せしめ
ることによって、基板間での品質上のバラツキを解消す
ると同時に、同基板の反り発生も均一化して抑制、改善
することができる減圧ＣＶＤ装置を提供することにあ
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成すべく本
発明は、内外二重構造を成すインナーチューブ及びアウ
ターチューブと、これらを囲むヒーター等を有し、イン
ナーチューブ内の減圧された反応室内にセットされたウ
エーハを前記ヒーターで加熱しつつ、反応室内に反応ガ
スを供給してウエーハ表面に膜を形成する減圧ＣＶＤ装
置において、前記ヒーターを複数に分割し、前記反応室
内の温度分布が均一となるよう各ヒーター分割片近傍の
温度を測定して各ヒーター分割片のパワーを制御すると
ともに、前記インナーチューブとアウターチューブとを
連通させ、前記反応室にこれの高さ方向複数箇所から反
応ガスを供給し、インナーチューブとアウターチューブ
の間の空間内の同一平面内に周方向等角度ピッチで開口
する複数の排気口から反応ガスを排気する構成としたこ
とを特徴とする。
発明は、内外二重構造を成すインナーチューブ及びアウ
ターチューブと、これらを囲むヒーター等を有し、イン
ナーチューブ内の減圧された反応室内にセットされたウ
エーハを前記ヒーターで加熱しつつ、反応室内に反応ガ
スを供給してウエーハ表面に膜を形成する減圧ＣＶＤ装
置において、前記ヒーターを複数に分割し、前記反応室
内の温度分布が均一となるよう各ヒーター分割片近傍の
温度を測定して各ヒーター分割片のパワーを制御すると
ともに、前記インナーチューブとアウターチューブとを
連通させ、前記反応室にこれの高さ方向複数箇所から反
応ガスを供給し、インナーチューブとアウターチューブ
の間の空間内の同一平面内に周方向等角度ピッチで開口
する複数の排気口から反応ガスを排気する構成としたこ
とを特徴とする。
【００１２】
【作用】本発明によれば、複数に分割されたヒーター分
割片近傍の温度を測定し、各分割片単位でそのパワーを
制御することによって、反応室内の温度分布が改善され
ると同時に、反応室内の高さ方向複数箇所から反応ガス
が供給され、この反応ガスは反応室からインナーチュー
ブとアウターチューブ間の空間へ流出し、該空間の複数
箇所に開口する排気口から装置外へ排出されるため、反
応室内の高さ方向における反応ガス濃度分布は略均一に
保たれ、反応室内の高さ方向に層状にセットされた多数
枚のウエーハには均一濃度の反応ガスが供給されること
となり、各ウエーハには所定厚さの膜が均一に形成され
ると同時に、半導体基板の反り発生は均一化され、且つ
減少、改善される。
割片近傍の温度を測定し、各分割片単位でそのパワーを
制御することによって、反応室内の温度分布が改善され
ると同時に、反応室内の高さ方向複数箇所から反応ガス
が供給され、この反応ガスは反応室からインナーチュー
ブとアウターチューブ間の空間へ流出し、該空間の複数
箇所に開口する排気口から装置外へ排出されるため、反
応室内の高さ方向における反応ガス濃度分布は略均一に
保たれ、反応室内の高さ方向に層状にセットされた多数
枚のウエーハには均一濃度の反応ガスが供給されること
となり、各ウエーハには所定厚さの膜が均一に形成され
ると同時に、半導体基板の反り発生は均一化され、且つ
減少、改善される。
【００１３】
【実施例】以下に本発明の一実施例を添付図面に基づい
て説明する。
て説明する。
【００１４】図１は本発明に係る減圧ＣＶＤ装置の概略
構成を示す縦断面図、図２は図１のＡ−Ａ線断面図であ
る。
構成を示す縦断面図、図２は図１のＡ−Ａ線断面図であ
る。
【００１５】図１に示す減圧ＣＶＤ装置１は、内外二重
構造を成す透明石英製のインナーチューブ２とアウター
チューブ３を有し、これらはヒーター４によって覆われ
ている。
構造を成す透明石英製のインナーチューブ２とアウター
チューブ３を有し、これらはヒーター４によって覆われ
ている。
【００１６】上記インナーチューブ２とアウターチュー
ブ３の下部はステンレス製のキャップ５によって密閉さ
れており、インナーチューブ２内に形成される反応室Ｒ
内には、前記キャップ５を貫通する垂直の支持軸６が下
方から臨んでいる。そして、この支持軸６の上端にはス
テンレス製のターンテーブル７が支持されており、該タ
ーンテーブル７上には透明石英製のサセプター８が支持
されている。このサセプター８は、適当な間隔で上下方
向に層状に配列された多数のホルダー９を有し、各ホル
ダー９には複数枚のウエーハ（図示せず）がセットされ
ている。尚、ホルダー９上にセットされたウエーハは、
Ｓｉ単結晶棒よりスライスした円板を、研磨後にエッチ
ングした段階のものである。
ブ３の下部はステンレス製のキャップ５によって密閉さ
れており、インナーチューブ２内に形成される反応室Ｒ
内には、前記キャップ５を貫通する垂直の支持軸６が下
方から臨んでいる。そして、この支持軸６の上端にはス
テンレス製のターンテーブル７が支持されており、該タ
ーンテーブル７上には透明石英製のサセプター８が支持
されている。このサセプター８は、適当な間隔で上下方
向に層状に配列された多数のホルダー９を有し、各ホル
ダー９には複数枚のウエーハ（図示せず）がセットされ
ている。尚、ホルダー９上にセットされたウエーハは、
Ｓｉ単結晶棒よりスライスした円板を、研磨後にエッチ
ングした段階のものである。
【００１７】一方、前記支持軸６の下端部にはベベルギ
ヤ１０が結着されており、該ベベルギヤ１０には駆動モ
ーターＭの出力軸に結着されたベベルギヤ１１が噛合し
ている。
ヤ１０が結着されており、該ベベルギヤ１０には駆動モ
ーターＭの出力軸に結着されたベベルギヤ１１が噛合し
ている。
【００１８】又、前記インナーチューブ２の頂部には開
口部１２が形成されており、インナーチューブ２とアウ
ターチューブ３との間に形成される空間Ｓと反応室Ｒと
は開口部１２を介して互いに連通している。そして、空
間Ｓ内には、高さ方向に長い石英製の保護管１３が垂直
に内装されており、該保護管１３内には３つの熱電対Ｔ
１，Ｔ２，Ｔ３が高さ方向に所定の間隔で挿入されてい
る。尚、前記ヒーター４は高さ方向に３つの分割片４
Ａ，４Ｂ，４Ｃに分割されており、これらの分割片４
Ａ，４Ｂ，４Ｃ近傍の温度は前記熱電対Ｔ１，Ｔ２，Ｔ
３でそれぞれ計測され、反応室Ｒ内の高さ方向の温度分
布が略均一となるようにヒーター分割片４Ａ，４Ｂ，４
Ｃへの電流供給量が制御される。
口部１２が形成されており、インナーチューブ２とアウ
ターチューブ３との間に形成される空間Ｓと反応室Ｒと
は開口部１２を介して互いに連通している。そして、空
間Ｓ内には、高さ方向に長い石英製の保護管１３が垂直
に内装されており、該保護管１３内には３つの熱電対Ｔ
１，Ｔ２，Ｔ３が高さ方向に所定の間隔で挿入されてい
る。尚、前記ヒーター４は高さ方向に３つの分割片４
Ａ，４Ｂ，４Ｃに分割されており、これらの分割片４
Ａ，４Ｂ，４Ｃ近傍の温度は前記熱電対Ｔ１，Ｔ２，Ｔ
３でそれぞれ計測され、反応室Ｒ内の高さ方向の温度分
布が略均一となるようにヒーター分割片４Ａ，４Ｂ，４
Ｃへの電流供給量が制御される。
【００１９】更に、前記反応室Ｒ内には３本のガス供給
パイプ１４，１５，１６が内装されており、これらは高
さ方向に所定間隔をあけて開口している。即ち、パイプ
１４は反応室Ｒ内の最上位に開口しており、パイプ１５
は中間位置に開口しており、パイプ１６は最下位に開口
している。尚、これらのパイプ１４，１５，１６は不図
示の反応ガス供給源に接続されている。
パイプ１４，１５，１６が内装されており、これらは高
さ方向に所定間隔をあけて開口している。即ち、パイプ
１４は反応室Ｒ内の最上位に開口しており、パイプ１５
は中間位置に開口しており、パイプ１６は最下位に開口
している。尚、これらのパイプ１４，１５，１６は不図
示の反応ガス供給源に接続されている。
【００２０】他方、前記空間Ｓの下部の同一平面内に
は、図２に示すように、２つの排気口１７が相対向して
（即ち、１８０°ピッチで）開口しており、該排気口１
７には排気パイプ１８が接続されており、これら２本の
排気パイプ１８は大径の１本の排気パイプ１９に合流し
て不図示の真空ポンプに接続されている。
は、図２に示すように、２つの排気口１７が相対向して
（即ち、１８０°ピッチで）開口しており、該排気口１
７には排気パイプ１８が接続されており、これら２本の
排気パイプ１８は大径の１本の排気パイプ１９に合流し
て不図示の真空ポンプに接続されている。
【００２１】次に、本減圧ＣＶＤ装置１の作用を説明す
る。
る。
【００２２】図１に示すように、反応室Ｒ内に複数枚の
ウエーハをサセプター８にセットした状態で収納し、前
記駆動モーターＭを駆動すれば、これの回転はベベルギ
ヤ１１，１０を介して支持軸６に伝達され、該支持軸６
及びこれに支持された前記ターンテーブル７とサセプタ
ー８が回転駆動され、この結果、サセプター８にセット
された複数枚のウエーハが反応室Ｒ内で所定の速度で回
転せしめられる。これと同時に、前記ヒーター４が駆動
され、反応室Ｒ内は所定の温度になるよう均一に保たれ
るとともに、不図示の真空ポンプが駆動されて反応室Ｒ
内が真空引きされ、反応室Ｒが１Ｔｏｒｒ未満〜０．０
１Ｔｏｒｒの減圧下に保たれる。
ウエーハをサセプター８にセットした状態で収納し、前
記駆動モーターＭを駆動すれば、これの回転はベベルギ
ヤ１１，１０を介して支持軸６に伝達され、該支持軸６
及びこれに支持された前記ターンテーブル７とサセプタ
ー８が回転駆動され、この結果、サセプター８にセット
された複数枚のウエーハが反応室Ｒ内で所定の速度で回
転せしめられる。これと同時に、前記ヒーター４が駆動
され、反応室Ｒ内は所定の温度になるよう均一に保たれ
るとともに、不図示の真空ポンプが駆動されて反応室Ｒ
内が真空引きされ、反応室Ｒが１Ｔｏｒｒ未満〜０．０
１Ｔｏｒｒの減圧下に保たれる。
【００２３】上記条件が満たされると、ＳｉＨ4と他の
不活性ガスとを適当な割合で混合した反応ガスが前記３
本のガス供給パイプ１４，１５，１６から反応室Ｒ内に
供給される。この場合、前述のように、ガス供給パイプ
１４，１５，１６は反応室Ｒ内の高さ方向に所定間隔を
あけて開口しているため、反応ガスは反応室Ｒ内の上、
中、下段より同時に供給され、反応室Ｒ内のウエーハと
の間に熱分解反応を起こしてウエーハの全表面に多結晶
Ｓｉ膜を形成する。そして、各ウエーハの生膜に供され
た反応ガスは、図１に矢印にて示すように、排気系の負
圧に引かれて反応室Ｒから開口部１２を経て空間Ｓ内に
流入し、空間Ｓの下部に開口する２つの排気口１７から
排気パイプ１８，１９を経て装置１外へ排出される。
不活性ガスとを適当な割合で混合した反応ガスが前記３
本のガス供給パイプ１４，１５，１６から反応室Ｒ内に
供給される。この場合、前述のように、ガス供給パイプ
１４，１５，１６は反応室Ｒ内の高さ方向に所定間隔を
あけて開口しているため、反応ガスは反応室Ｒ内の上、
中、下段より同時に供給され、反応室Ｒ内のウエーハと
の間に熱分解反応を起こしてウエーハの全表面に多結晶
Ｓｉ膜を形成する。そして、各ウエーハの生膜に供され
た反応ガスは、図１に矢印にて示すように、排気系の負
圧に引かれて反応室Ｒから開口部１２を経て空間Ｓ内に
流入し、空間Ｓの下部に開口する２つの排気口１７から
排気パイプ１８，１９を経て装置１外へ排出される。
【００２４】以上のように、本実施例では、反応室Ｒ内
の高さ方向複数箇所から反応ガスが供給され、この反応
ガスは反応室Ｒから空間Ｓへ流出し、該空間Ｓの複数箇
所に開口する排気口１７から装置１外へ排出されるた
め、反応室Ｒ内の高さ方向における反応ガス濃度分布は
略均一に保たれ、反応室Ｒ内の高さ方向に層状にセット
された多数枚のウエーハには均一濃度の反応ガスが供給
されることとなり、この結果、各ウエーハには所定厚さ
の膜が均一に形成されると同時に、半導体基板の反り発
生が均一化され、且つ減少、改善される。又、Ｓｉ膜厚
の基板間でのバラツキが解消される。
の高さ方向複数箇所から反応ガスが供給され、この反応
ガスは反応室Ｒから空間Ｓへ流出し、該空間Ｓの複数箇
所に開口する排気口１７から装置１外へ排出されるた
め、反応室Ｒ内の高さ方向における反応ガス濃度分布は
略均一に保たれ、反応室Ｒ内の高さ方向に層状にセット
された多数枚のウエーハには均一濃度の反応ガスが供給
されることとなり、この結果、各ウエーハには所定厚さ
の膜が均一に形成されると同時に、半導体基板の反り発
生が均一化され、且つ減少、改善される。又、Ｓｉ膜厚
の基板間でのバラツキが解消される。
【００２５】尚、以上の実施例では、反応ガスの供給パ
イプを３本とし、排気口の数を２個としたが、これらの
数は限定されたものではなく、反応ガスの供給パイプを
４本以上とし、排気口の数を３個以上としても良いこと
は勿論である。但し、反応ガスのスムーズな流れを考慮
すると、排気口は円周上等角度ピッチに配置するのが望
ましい。
イプを３本とし、排気口の数を２個としたが、これらの
数は限定されたものではなく、反応ガスの供給パイプを
４本以上とし、排気口の数を３個以上としても良いこと
は勿論である。但し、反応ガスのスムーズな流れを考慮
すると、排気口は円周上等角度ピッチに配置するのが望
ましい。
【００２６】
【発明の効果】以上の説明で明らかな如く、本発明によ
れば、内外二重構造を成すインナーチューブ及びアウタ
ーチューブと、これらを囲むヒーター等を有し、インナ
ーチューブ内の減圧された反応室内にセットされたウエ
ーハを前記ヒーターで加熱しつつ、反応室内に反応ガス
を供給してウエーハ表面に膜を形成する減圧ＣＶＤ装置
において、前記ヒーターを複数に分割し、前記反応室内
の温度分布が均一となるよう各ヒーター分割片近傍の温
度を測定して各ヒーター分割片のパワーを制御するとと
もに、前記インナーチューブとアウターチューブとを連
通させ、前記反応室にこれの高さ方向複数箇所から反応
ガスを供給し、インナーチューブとアウターチューブの
間の空間内の同一平面内に周方向等角度ピッチで開口す
る複数の排気口から反応ガスを排気する構成としたた
め、各ウエーハには所定厚さの膜が均一に形成されると
同時に、半導体基板の反り発生は均一化され、且つ減
少、改善され、更には膜厚の基板間でのバラツキも解消
されるという効果が得られる。
れば、内外二重構造を成すインナーチューブ及びアウタ
ーチューブと、これらを囲むヒーター等を有し、インナ
ーチューブ内の減圧された反応室内にセットされたウエ
ーハを前記ヒーターで加熱しつつ、反応室内に反応ガス
を供給してウエーハ表面に膜を形成する減圧ＣＶＤ装置
において、前記ヒーターを複数に分割し、前記反応室内
の温度分布が均一となるよう各ヒーター分割片近傍の温
度を測定して各ヒーター分割片のパワーを制御するとと
もに、前記インナーチューブとアウターチューブとを連
通させ、前記反応室にこれの高さ方向複数箇所から反応
ガスを供給し、インナーチューブとアウターチューブの
間の空間内の同一平面内に周方向等角度ピッチで開口す
る複数の排気口から反応ガスを排気する構成としたた
め、各ウエーハには所定厚さの膜が均一に形成されると
同時に、半導体基板の反り発生は均一化され、且つ減
少、改善され、更には膜厚の基板間でのバラツキも解消
されるという効果が得られる。
【００２７】又、本発明によれば、ヒーターは複数の分
割片に分割されるため、何れかの分割片に異常が発見さ
れた場合には、その異常が発見された分割片のみを交換
することで対処できるという効果も得られる。
割片に分割されるため、何れかの分割片に異常が発見さ
れた場合には、その異常が発見された分割片のみを交換
することで対処できるという効果も得られる。
【図１】本発明に係る減圧ＣＶＤ装置の概略構成を示す
縦断面図である。
縦断面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図である。
１ 減圧ＣＶＤ装置 ２ インナーチューブ ３ アウターチューブ ４ ヒーター １２ 開口部 １４，１５，１６ ガス供給パイプ １７ 排気口 １８，１９ 排気パイプ Ｒ 反応室 Ｓ 空間
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 片山 正健 群馬県安中市磯部２丁目13番１号信越半導 体株式会社半導体磯部研究所内 (72)発明者 高松 直之 福島県西白河郡西郷村大字小田倉字大平 150番地信越半導体株式会社半導体白河工 場内 (72)発明者 小荒井 克典 福島県西白河郡西郷村大字小田倉字大平 150番地信越半導体株式会社半導体白河工 場内
Claims (1)
- 【請求項１】 内外二重構造を成すインナーチューブ及
びアウターチューブと、これらを囲むヒーター等を有
し、インナーチューブ内の減圧された反応室内にセット
されたウエーハを前記ヒーターで加熱しつつ、反応室内
に反応ガスを供給してウエーハ表面に膜を形成する減圧
ＣＶＤ装置において、前記ヒーターを複数に分割し、前
記反応室内の温度分布が均一となるよう各ヒーター分割
片近傍の温度を測定して各ヒーター分割片のパワーを制
御するとともに、前記インナーチューブとアウターチュ
ーブとを連通させ、前記反応室にこれの高さ方向複数箇
所から反応ガスを供給し、インナーチューブとアウター
チューブの間の空間内の同一平面内に周方向等角度ピッ
チで開口する複数の排気口から反応ガスを排気する構成
としたことを特徴とする減圧ＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2073392A JP2724649B2 (ja) | 1992-01-10 | 1992-01-10 | 減圧ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2073392A JP2724649B2 (ja) | 1992-01-10 | 1992-01-10 | 減圧ｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05190468A true JPH05190468A (ja) | 1993-07-30 |
| JP2724649B2 JP2724649B2 (ja) | 1998-03-09 |
Family
ID=12035392
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2073392A Expired - Fee Related JP2724649B2 (ja) | 1992-01-10 | 1992-01-10 | 減圧ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2724649B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020017633A (ko) * | 2000-08-31 | 2002-03-07 | 윤종용 | 화학기상 증착장치 |
| JP2003166066A (ja) * | 2001-11-30 | 2003-06-13 | Tokyo Electron Ltd | 成膜制御装置、成膜装置、成膜方法、膜厚流量係数算出方法、およびプログラム |
| KR100705423B1 (ko) * | 2001-04-24 | 2007-04-09 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 막 형성 방법 |
| WO2007108401A1 (ja) * | 2006-03-20 | 2007-09-27 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
| KR20200074854A (ko) * | 2018-12-17 | 2020-06-25 | 주식회사 원익아이피에스 | 기판 처리 장치 |
-
1992
- 1992-01-10 JP JP2073392A patent/JP2724649B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020017633A (ko) * | 2000-08-31 | 2002-03-07 | 윤종용 | 화학기상 증착장치 |
| KR100705423B1 (ko) * | 2001-04-24 | 2007-04-09 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 막 형성 방법 |
| JP2003166066A (ja) * | 2001-11-30 | 2003-06-13 | Tokyo Electron Ltd | 成膜制御装置、成膜装置、成膜方法、膜厚流量係数算出方法、およびプログラム |
| WO2007108401A1 (ja) * | 2006-03-20 | 2007-09-27 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
| JP4733738B2 (ja) * | 2006-03-20 | 2011-07-27 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
| US8304328B2 (en) | 2006-03-20 | 2012-11-06 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Manufacturing method of semiconductor device and substrate processing apparatus |
| KR20200074854A (ko) * | 2018-12-17 | 2020-06-25 | 주식회사 원익아이피에스 | 기판 처리 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2724649B2 (ja) | 1998-03-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4759073B2 (ja) | 基板支持体、基板処理装置、基板処理方法および半導体装置の製造方法 | |
| JPS61191015A (ja) | 半導体の気相成長方法及びその装置 | |
| WO2012029661A1 (ja) | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 | |
| US20090269490A1 (en) | Coating apparatus and coating method | |
| JP2000150399A (ja) | エピタキシャル成長した半導体ウエ―ハを製造するためのｃｖｄ反応器及び方法 | |
| JP2013243193A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0794419A (ja) | 半導体処理装置 | |
| WO2014192870A1 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および基板処理方法 | |
| KR20130047620A (ko) | 성막 방법 및 성막 장치 | |
| JPH0760804B2 (ja) | 半導体気相成長方法及びその装置 | |
| JP2724649B2 (ja) | 減圧ｃｖｄ装置 | |
| JP2003273037A (ja) | Ｃｖｄ反応器中で半導体ウェーハの表側をエピタキシャル被覆する方法、この種の被覆された半導体ウェーハおよびｃｖｄ反応器用サセプタ | |
| JPH10321361A (ja) | 高周波誘導加熱コイル、半導体製造装置、および高周波誘導加熱コイルの製造方法 | |
| US5677235A (en) | Method for forming silicon film | |
| JP3274602B2 (ja) | 半導体素子の製造方法及び基板処理装置 | |
| JPS62263629A (ja) | 気相成長装置 | |
| JP2001110726A (ja) | 成膜方法及び成膜装置 | |
| KR20210057170A (ko) | 실리콘 웨이퍼의 열처리 방법 | |
| JP2935468B2 (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| JPH0727870B2 (ja) | 減圧気相成長方法 | |
| JPS60113921A (ja) | 気相反応方法および装置 | |
| JP2511845B2 (ja) | 気相成長などの処理装置 | |
| JP5832173B2 (ja) | 気相成長装置および気相成長方法 | |
| JP7371510B2 (ja) | 成膜方法および基板の製造方法 | |
| JP2004221227A (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071205 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 11 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081205 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081205 Year of fee payment: 11 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081205 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 12 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091205 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091205 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 13 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101205 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 13 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101205 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 14 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111205 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |