JPS6088903A - 光学素子 - Google Patents
光学素子Info
- Publication number
- JPS6088903A JPS6088903A JP59190717A JP19071784A JPS6088903A JP S6088903 A JPS6088903 A JP S6088903A JP 59190717 A JP59190717 A JP 59190717A JP 19071784 A JP19071784 A JP 19071784A JP S6088903 A JPS6088903 A JP S6088903A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- prism
- light beam
- optical
- phase
- Prior art date
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/135—Means for guiding the beam from the source to the record carrier or from the record carrier to the detector
- G11B7/1365—Separate or integrated refractive elements, e.g. wave plates
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/30—Polarising elements
- G02B5/3083—Birefringent or phase retarding elements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optical Head (AREA)
- Polarising Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は光学部品、具体的には光学データ記憶システム
に用いる位相遅延素子に関する。
に用いる位相遅延素子に関する。
［従来技術］
位相遅延板は光ビームの偏光を変化させる光学系で広く
使用されている。例えば光学データ記憶システムは偏光
ビームを発生するのにレーザを使用している。レーザ源
からのビームは回転ディスク上に案内されている。ディ
スクがら反射され、もしくはディスクを透過するビーム
の強度はディスク上に記録されたデータに従って変化す
る。位相遅延板が光学経路中に置かれ、偏光ビーム分離
器が反射（透過）ビームを検出器がわに偏向するのに使
用されている。データ・１〜ラツクの幅は１ミクロン程
度であるので、光学素子を正確に整列させるのは困難で
ある。この目的のために、光学システムの入射ビーム及
び反射ビームの経路は出来るだけ共通にされている。コ
スト及び信頼性の改善を考慮すると、システム中の素子
は少なけオしば少ない程よい。
使用されている。例えば光学データ記憶システムは偏光
ビームを発生するのにレーザを使用している。レーザ源
からのビームは回転ディスク上に案内されている。ディ
スクがら反射され、もしくはディスクを透過するビーム
の強度はディスク上に記録されたデータに従って変化す
る。位相遅延板が光学経路中に置かれ、偏光ビーム分離
器が反射（透過）ビームを検出器がわに偏向するのに使
用されている。データ・１〜ラツクの幅は１ミクロン程
度であるので、光学素子を正確に整列させるのは困難で
ある。この目的のために、光学システムの入射ビーム及
び反射ビームの経路は出来るだけ共通にされている。コ
スト及び信頼性の改善を考慮すると、システム中の素子
は少なけオしば少ない程よい。
最も普通に使用されている位相遅延素子は２つの垂直偏
光ビーム間に９０°の位相差を与える複屈折１／４波長
板である。この１／４波長板は直線偏光を円偏光に、又
この逆に変調するのに使用される。レーザ源が異なると
中心波長が異なるのでＧａＡｓレーザ源を使用した光学
データ記憶システムでは１次の１／４波長板が必要にな
る。
光ビーム間に９０°の位相差を与える複屈折１／４波長
板である。この１／４波長板は直線偏光を円偏光に、又
この逆に変調するのに使用される。レーザ源が異なると
中心波長が異なるのでＧａＡｓレーザ源を使用した光学
データ記憶システムでは１次の１／４波長板が必要にな
る。
［発明が解決しようとする問題点］
１／４波長板の動作は満足すべきものであるが、製造コ
ストが高い。コストを減少するために、高価な複屈折１
次１／４波長板を安い光学素子に置換する試みがなされ
て来た。この様な試みの−っには、薄膜構造体の反射に
より位相シフ１−を得るものがある。この様に薄膜構造
体のコストは１／４波長板よりも安いが、他の複雑さを
招来した。
ストが高い。コストを減少するために、高価な複屈折１
次１／４波長板を安い光学素子に置換する試みがなされ
て来た。この様な試みの−っには、薄膜構造体の反射に
より位相シフ１−を得るものがある。この様に薄膜構造
体のコストは１／４波長板よりも安いが、他の複雑さを
招来した。
単一の薄膜の外部反射から得られる最大の位相シフトは
３０°以下であるので必要な９０°位相シフトを得るた
めには少なく共４回の反射が必要である。互換実施例と
して、内部気体−空気の境界面が使用される時は、少な
く共２回の内部反射が必要とされる。この様な次第でコ
ストが高くなり。
３０°以下であるので必要な９０°位相シフトを得るた
めには少なく共４回の反射が必要である。互換実施例と
して、内部気体−空気の境界面が使用される時は、少な
く共２回の内部反射が必要とされる。この様な次第でコ
ストが高くなり。
取付けと整列が複雑になり、１７４波長板に比する長所
が失なわれる。さらに、この２つの偏光手段の反射率は
１００％に近い事が要求されるので設計上の自由度が著
しく阻害される。
が失なわれる。さらに、この２つの偏光手段の反射率は
１００％に近い事が要求されるので設計上の自由度が著
しく阻害される。
［問題点を解決するための手段］
本発明の主目的は一回の内部反射で２つの偏光間に９０
°の位相シフトを与える薄膜構造体を与える事にある。
°の位相シフトを与える薄膜構造体を与える事にある。
本発明に従えば、９０°の位相シフトを与えるために光
学経路上の一つの素子の表面に薄膜が与えられた光学デ
ータ記憶システムが与えられる。
学経路上の一つの素子の表面に薄膜が与えられた光学デ
ータ記憶システムが与えられる。
本発明に従えば、薄膜位相シフト表面素子と他の素子を
結合する事によって光学データ記憶システム中の光学素
子の数が減少される。
結合する事によって光学データ記憶システム中の光学素
子の数が減少される。
本発明の手段は薄膜構造体によってビーム分離プリズム
の内部の一つの薄膜−ガラス境界面から光ビームを完全
反射させる事を特徴とする。
の内部の一つの薄膜−ガラス境界面から光ビームを完全
反射させる事を特徴とする。
［実施例］
この発明の実施例の理解を助けるため、ここではまず従
来の手法について述べる。
来の手法について述べる。
第２図は従来の代表的な光学テータ記憶システムにおけ
る光学経路を示した図である。この様なシステムの詳細
は１９８２年６月刊Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓｏｆ ＩＥ
ＥＥ、第７０巻、第６号、第５８９−５９７頁のＲｏｂ
ｅｒｔ Ａ、Ｂａｒｔｏｌｉｎｉの論文“Ｑｐｔｉｃａ
ｌｌｌｅｃｏｒｄｉｎｇ：ｌＩｉｇｈ−Ｄｅｎｓｉｔｙ
Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ Ｓｔｏｒａｇｅａｎｄ Ｒ
ｅｔｒｉｅｒａｌ”に記載されている。半導体レーザ１
及びコリメート・レンズ２はＰに偏向され、平行にされ
ているが楕円の断面の光ビーム３を発生する。光ビーム
が適切な角度θでプリズム４上に入射される事によって
円形の断面の光ビーム′がＹ方向に伝播される。偏光ビ
ーム分離器５はＰ偏光された光ビームを真直ぐに１／４
波長板６に通過させる。１７４波長板６は光ビームの偏
光状態を円偏光に変化させる。レンズ７は光ビームを光
学ディスク８の鏡状表面に入射させる。光ビームは同一
の経路に沿ってもと来た路に反射して戻される。１／４
波長板６はここで光ビームの円偏光状態をＳ偏光状態に
変化させる。次にＳ偏光された光ビームは偏光ビーム分
離器５の内部表面９でＸ方向に反射される。プリズム４
、偏光ビーム分離器５及び１／４波長板６の表面は光ビ
ームの入射角及び波長に従って選択された反射防止膜で
被覆されている。
る光学経路を示した図である。この様なシステムの詳細
は１９８２年６月刊Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓｏｆ ＩＥ
ＥＥ、第７０巻、第６号、第５８９−５９７頁のＲｏｂ
ｅｒｔ Ａ、Ｂａｒｔｏｌｉｎｉの論文“Ｑｐｔｉｃａ
ｌｌｌｅｃｏｒｄｉｎｇ：ｌＩｉｇｈ−Ｄｅｎｓｉｔｙ
Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ Ｓｔｏｒａｇｅａｎｄ Ｒ
ｅｔｒｉｅｒａｌ”に記載されている。半導体レーザ１
及びコリメート・レンズ２はＰに偏向され、平行にされ
ているが楕円の断面の光ビーム３を発生する。光ビーム
が適切な角度θでプリズム４上に入射される事によって
円形の断面の光ビーム′がＹ方向に伝播される。偏光ビ
ーム分離器５はＰ偏光された光ビームを真直ぐに１／４
波長板６に通過させる。１７４波長板６は光ビームの偏
光状態を円偏光に変化させる。レンズ７は光ビームを光
学ディスク８の鏡状表面に入射させる。光ビームは同一
の経路に沿ってもと来た路に反射して戻される。１／４
波長板６はここで光ビームの円偏光状態をＳ偏光状態に
変化させる。次にＳ偏光された光ビームは偏光ビーム分
離器５の内部表面９でＸ方向に反射される。プリズム４
、偏光ビーム分離器５及び１／４波長板６の表面は光ビ
ームの入射角及び波長に従って選択された反射防止膜で
被覆されている。
第１図は本発明に従い１７４波長板６が薄膜位相遅延素
子１０によって置換されている光学システムを示してい
る。位相遅延素子１０は斜辺に対応する面１１が通常の
処理方法によって適切な屈折率及び厚さの材料の薄膜構
造体によって被覆され入射及び出射光ビームに所望の９
０”位相遅延を与えるプリズムであり得る。プリズム１
０は偏光ビーム分離器５に関して光学軸のまわりに４５
゜回転されていて、光ビームが２つの成分に分解される
様になっている。入射ビーム３がプリズム１０に入射す
る時、プリズム１０の面１１にある薄膜構造体で完全に
反射され、その偏光が円偏光に変化される。レンズ７が
光ビームを光学ディスク８の表面上に投射し、表面は光
ビームを同じ経路に７行う様に反射させる。戻りの反射
ビームがプリスム１０中に入射する時、光ビームは而１
１の薄膜構造体から完全反射され、その偏光状態が（円
偏光から）Ｓ偏光に変化される。可能性のある薄膜構造
体は、例えば誘電材料の単一の薄膜、多層薄膜もしくは
単一金属薄膜である。
子１０によって置換されている光学システムを示してい
る。位相遅延素子１０は斜辺に対応する面１１が通常の
処理方法によって適切な屈折率及び厚さの材料の薄膜構
造体によって被覆され入射及び出射光ビームに所望の９
０”位相遅延を与えるプリズムであり得る。プリズム１
０は偏光ビーム分離器５に関して光学軸のまわりに４５
゜回転されていて、光ビームが２つの成分に分解される
様になっている。入射ビーム３がプリズム１０に入射す
る時、プリズム１０の面１１にある薄膜構造体で完全に
反射され、その偏光が円偏光に変化される。レンズ７が
光ビームを光学ディスク８の表面上に投射し、表面は光
ビームを同じ経路に７行う様に反射させる。戻りの反射
ビームがプリスム１０中に入射する時、光ビームは而１
１の薄膜構造体から完全反射され、その偏光状態が（円
偏光から）Ｓ偏光に変化される。可能性のある薄膜構造
体は、例えば誘電材料の単一の薄膜、多層薄膜もしくは
単一金属薄膜である。
第３図は第１図の偏光ビーム分離器５及びプリズム１０
の関係を示す平面図である。
の関係を示す平面図である。
第４図は屈折率Ｈ，＝＝１．５０９のプリズムの表面上
に被覆された厚さｄ及び屈折率ｎｐの誘電材料の単一の
薄膜のための位相差を正規化された厚さｄ／λの関数と
して示したグラフである。ここでλは光ビームの波長で
あり、入射角αは４５゜である。グラフのパラメータｎ
ｐは左方上から順器にｎｐ＝１．６，１．８，２．０，
２．２，２゜４である。
に被覆された厚さｄ及び屈折率ｎｐの誘電材料の単一の
薄膜のための位相差を正規化された厚さｄ／λの関数と
して示したグラフである。ここでλは光ビームの波長で
あり、入射角αは４５゜である。グラフのパラメータｎ
ｐは左方上から順器にｎｐ＝１．６，１．８，２．０，
２．２，２゜４である。
図面から、９０°の位相差は２．０５以上の屈折率を有
する薄膜の場合に得られる事が明らかである。例えば９
０°の位相差はｉｌｐζ２．０５乃至２．１、ｄ＝７０
０人、波長λ＝０．６５乃至０．９ミクロンの場合に得
らｈる。薄膜の屈折率を選択する事によって、波長の変
化によってどの様に位相差が変化するかを決定する事が
出来る。
する薄膜の場合に得られる事が明らかである。例えば９
０°の位相差はｉｌｐζ２．０５乃至２．１、ｄ＝７０
０人、波長λ＝０．６５乃至０．９ミクロンの場合に得
らｈる。薄膜の屈折率を選択する事によって、波長の変
化によってどの様に位相差が変化するかを決定する事が
出来る。
位相差が略１／λに比例する１次の複屈折１／４波長板
と比較して、薄膜１／４波長素子の遅延の波長に対する
依存度をはるかに低くする事が出来る。
と比較して、薄膜１／４波長素子の遅延の波長に対する
依存度をはるかに低くする事が出来る。
プリズム上に多層薄膜を被覆する場合には、特定の性能
のものを設８１する事が出来る。例えば広範囲の波長も
しくは入射角内で位相差が一定である薄膜を設ｎ１する
事が出来る。
のものを設８１する事が出来る。例えば広範囲の波長も
しくは入射角内で位相差が一定である薄膜を設ｎ１する
事が出来る。
第５図は波数λ／λ。がＱ、９乃至１．２間にあり、Ｈ
，＝１，５０９及びα＝４５°の場合に位相シフト９０
°を与える様に最適化された３層設計の性能の例（破線
）を示している。又同様に比較のために実線で最適化さ
れている単一薄膜に対する性能が示されている。単一層
の場合のｄ／λは０．０８９、ｎｐは２．０５’３５で
あり、３層の場合のｄ／λは夫々０．０４４７．０．１
１１．０．３８５６及びｎｐは夫々２．３４６，１゜６
６４．１．４９６である。
，＝１，５０９及びα＝４５°の場合に位相シフト９０
°を与える様に最適化された３層設計の性能の例（破線
）を示している。又同様に比較のために実線で最適化さ
れている単一薄膜に対する性能が示されている。単一層
の場合のｄ／λは０．０８９、ｎｐは２．０５’３５で
あり、３層の場合のｄ／λは夫々０．０４４７．０．１
１１．０．３８５６及びｎｐは夫々２．３４６，１゜６
６４．１．４９６である。
位相遅延は同様に単一金属薄膜が被覆されたプリズムか
らも得られる。金属薄膜の利点はその厚さに厳密性が要
求されない点にある。被覆のための適切な金属は例えば
ＡＱ（λ＝０．２ミクロン）Ａｇ（λ＝０．４ミクロン
）、Ｋ（λ＝０．５４６ミクロン、０．４３５８ミクロ
ン）である。
らも得られる。金属薄膜の利点はその厚さに厳密性が要
求されない点にある。被覆のための適切な金属は例えば
ＡＱ（λ＝０．２ミクロン）Ａｇ（λ＝０．４ミクロン
）、Ｋ（λ＝０．５４６ミクロン、０．４３５８ミクロ
ン）である。
好ましい実施例においてはプリズム４の機能は偏光ビー
ム分離器５の機能と組合され得る。この場合第６図に示
された如く偏光ビーム分離器５の入射面１２をプリズム
４（第１図）に使用さ肛た角度と同じ角度で単に切断し
て表面１４を有するプリズム１３（第６図）を作り、こ
れが適切な屈折率を一致させる接着剤で位相遅延素子１
０に結合さＪしる。第１図の内部表面９は１５で示さＪ
している。これによって４つのガラス−空気境界面がな
くされ、光効率が改善される。
ム分離器５の機能と組合され得る。この場合第６図に示
された如く偏光ビーム分離器５の入射面１２をプリズム
４（第１図）に使用さ肛た角度と同じ角度で単に切断し
て表面１４を有するプリズム１３（第６図）を作り、こ
れが適切な屈折率を一致させる接着剤で位相遅延素子１
０に結合さＪしる。第１図の内部表面９は１５で示さＪ
している。これによって４つのガラス−空気境界面がな
くされ、光効率が改善される。
第７図を参照するに、プリズム１６は第６図の偏光ビー
ム分離器１３の表面１４の反射防止膜を内部表面（境界
面）１５にある被膜と一緒にする事によって得られる他
の改良を示している。この組合せ被膜２０はプリズム自
体の反射率と比較して交互に高い及び低い反射率を有す
る材料の積層体であり得る。
ム分離器１３の表面１４の反射防止膜を内部表面（境界
面）１５にある被膜と一緒にする事によって得られる他
の改良を示している。この組合せ被膜２０はプリズム自
体の反射率と比較して交互に高い及び低い反射率を有す
る材料の積層体であり得る。
第８図は第７図のプリズム１０及びプリズム１６を組合
してまとまった一体構造体１７に形成されたプリズムを
取入れた光学データ記憶装置の全体図を示している。
してまとまった一体構造体１７に形成されたプリズムを
取入れた光学データ記憶装置の全体図を示している。
レーザ１及びコリメート・レンズ２は楕円の断面を有す
る平行光ビームを発生し、これが適切な入射角でプリズ
ム１７に入射される。プリズム１７は第１図に示された
プリズム４、偏光ビーム分離器５及び薄膜位相遅延素子
１０を組合したものである。復帰光ビームはプリズム１
７から出た後、例えばレンズ１８によって検出器１９に
入射される。検出器１９は光ビームからデータ、進路及
び焦点情報を抽出するために４つ以上のセクタより成り
得る。
る平行光ビームを発生し、これが適切な入射角でプリズ
ム１７に入射される。プリズム１７は第１図に示された
プリズム４、偏光ビーム分離器５及び薄膜位相遅延素子
１０を組合したものである。復帰光ビームはプリズム１
７から出た後、例えばレンズ１８によって検出器１９に
入射される。検出器１９は光ビームからデータ、進路及
び焦点情報を抽出するために４つ以上のセクタより成り
得る。
［発明の効果コ
本発明に従い一回の内部反射で入射及び反射偏光ビーム
間に９０°の位相差が与えられる光学素子が与えられる
。
間に９０°の位相差が与えられる光学素子が与えられる
。
第１図は従来の１／４波長板が本発明に従う薄１換位相
遅延素子によって置換された光学データ記憶システムの
概略図である。第２図は従来の光学データ記憶システム
の概略図である。第３図は第１図の偏光ビーム分離器及
び薄膜位相遅延素子の関係を示す平面図である。第４図
はプリズム上に被覆された異なる誘電体材料に対する、
正規化されだ厚さの関数として内部反射されたビームの
２つの偏光成分間の位相差を示したグラフである。 第５図はプリズム上に単−薄膜及び３薄薄膜構造体が被
覆さ九た場合における、波数の関数として内部反射され
る光ビームの２つの偏光成分間の位相差を示したグラフ
である。第６図は第２図の２つの光学素子の改善された
組合せを示した概略図である。第７図は第６図の２つの
光学素子のさらに改善された組合せを示した図である。 第８図は第７図の２つの光学素子の改善された組合せを
示した図である。 １・・・・半導体レーザ、２・・・・コリメート・レン
ズ、３・・・・光ビーム、４・・・・プリズム、５・・
・・偏光ビーム分離器、６・・・・１７４波長板、７・
・・・レンズ、８・・・・光学ディスク、１０・・・・
薄膜位相遅延素子。 第２図 第１頁の続き ｏ発 明 者 フランシス・スチーブ アメン・リュッ
ケ ボッ ０発 明 者 ロナルド・リー・スダ アメ−ストロム
ステ ＠発明者 エバーハード・アドル アメフ・スピラー
コ、： リカ合衆国ミネソタ州５５９２０．バソロン、ルート１
、ラス１ｓ旙地 リカ合衆国ミネソタ州５５９０１、ロチニスター、シッ
クイーンス会アベニュー・ノースウェスト３８３２１’
地リカ合衆国ニューヨーク州１０５４ｇ５マウント・キ
スメークサイド・ロード（番地なし）
遅延素子によって置換された光学データ記憶システムの
概略図である。第２図は従来の光学データ記憶システム
の概略図である。第３図は第１図の偏光ビーム分離器及
び薄膜位相遅延素子の関係を示す平面図である。第４図
はプリズム上に被覆された異なる誘電体材料に対する、
正規化されだ厚さの関数として内部反射されたビームの
２つの偏光成分間の位相差を示したグラフである。 第５図はプリズム上に単−薄膜及び３薄薄膜構造体が被
覆さ九た場合における、波数の関数として内部反射され
る光ビームの２つの偏光成分間の位相差を示したグラフ
である。第６図は第２図の２つの光学素子の改善された
組合せを示した概略図である。第７図は第６図の２つの
光学素子のさらに改善された組合せを示した図である。 第８図は第７図の２つの光学素子の改善された組合せを
示した図である。 １・・・・半導体レーザ、２・・・・コリメート・レン
ズ、３・・・・光ビーム、４・・・・プリズム、５・・
・・偏光ビーム分離器、６・・・・１７４波長板、７・
・・・レンズ、８・・・・光学ディスク、１０・・・・
薄膜位相遅延素子。 第２図 第１頁の続き ｏ発 明 者 フランシス・スチーブ アメン・リュッ
ケ ボッ ０発 明 者 ロナルド・リー・スダ アメ−ストロム
ステ ＠発明者 エバーハード・アドル アメフ・スピラー
コ、： リカ合衆国ミネソタ州５５９２０．バソロン、ルート１
、ラス１ｓ旙地 リカ合衆国ミネソタ州５５９０１、ロチニスター、シッ
クイーンス会アベニュー・ノースウェスト３８３２１’
地リカ合衆国ニューヨーク州１０５４ｇ５マウント・キ
スメークサイド・ロード（番地なし）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 光ビームを伝播する部材であって平坦面を有するものと
、 上記平坦面に被着された薄膜構造体とを具備し、この薄
膜構造体に関連する反射に基いて、上記部材に入射する
２つの垂直な偏光成分間に９０’の位相差を発生させる
ことを特徴とする光学素子。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/541,604 US4595261A (en) | 1983-10-13 | 1983-10-13 | Phase retardation element and prism for use in an optical data storage system |
| US541604 | 1983-10-13 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6088903A true JPS6088903A (ja) | 1985-05-18 |
| JPH0139561B2 JPH0139561B2 (ja) | 1989-08-22 |
Family
ID=24160281
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59190717A Granted JPS6088903A (ja) | 1983-10-13 | 1984-09-13 | 光学素子 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4595261A (ja) |
| EP (1) | EP0138026A3 (ja) |
| JP (1) | JPS6088903A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06254110A (ja) * | 1993-03-01 | 1994-09-13 | Michihiro Tamura | 植毛用材料とその製造方法 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB8720923D0 (en) * | 1987-09-05 | 1987-10-14 | Emi Plc Thorn | Optical image rotators |
| US5070493A (en) * | 1989-05-22 | 1991-12-03 | Hewlett-Packard Company | Wedge prism assembly for optical information storage |
| JPH04191703A (ja) * | 1990-11-27 | 1992-07-10 | Fujitsu Ltd | 偏光無依存性光学部品 |
| DE69327369T2 (de) * | 1992-02-07 | 2000-06-21 | Sony Corp | Optisches abtastgerät für eine magneto-optische speicherung |
| US5491580A (en) * | 1992-12-17 | 1996-02-13 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | High power multilayer stack quarter wave plate |
| US6398364B1 (en) | 1999-10-06 | 2002-06-04 | Optical Coating Laboratory, Inc. | Off-axis image projection display system |
Citations (3)
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Also Published As
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| JPH0139561B2 (ja) | 1989-08-22 |
| EP0138026A3 (en) | 1987-08-19 |
| EP0138026A2 (en) | 1985-04-24 |
| US4595261A (en) | 1986-06-17 |
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