JPS608802A - ブレ−ズド格子の製造方法 - Google Patents
ブレ−ズド格子の製造方法Info
- Publication number
- JPS608802A JPS608802A JP11614083A JP11614083A JPS608802A JP S608802 A JPS608802 A JP S608802A JP 11614083 A JP11614083 A JP 11614083A JP 11614083 A JP11614083 A JP 11614083A JP S608802 A JPS608802 A JP S608802A
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- JP
- Japan
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- film
- electron beam
- grating
- ion
- substrate
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- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/18—Diffraction gratings
- G02B5/1847—Manufacturing methods
- G02B5/1857—Manufacturing methods using exposure or etching means, e.g. holography, photolithography, exposure to electron or ion beams
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、分光器の波長分散素子やホログラム素子と
して使われるブレーズド格子の製造方法に関する。
して使われるブレーズド格子の製造方法に関する。
回折格子は、分光器の波長分散素子やホログラム素子と
して種々の応用、例えばホログラフィックスキャナや、
ホログラフィックレンズ等があるが、一般に回折効率が
低く実用上問題である。ブレーズド格子は特定の回折次
数へ理論上100%の光を回折できる特徴があるが、格
子溝の形状を制御して製作しなければならないため製作
が困難である。現在最も現実的と思われるのは、あらか
じメ作ったレリーフ格子をシャドウマスクとして基板を
斜め方向からイオンビームでイオンエツチングする方法
である。この手法で現在知られているのは、基板をガリ
ウム砒素、又はカラス板上に塗布したポリメチルメタク
リレート(PMMA)としたものであるが、前者は結晶
であるため高価で、又、不透明のため透過型格子にはで
きない欠点がある。一方、後者は、ガラス板上に塗布し
たPMMAを十分に乾燥しても、塗膜上にホトレジスト
でレリーフ格子を形成する際にホトレジストの溶剤でP
MMA膜が溶解し、相溶しやすいため、レリーフ格子自
体が良質なものができす、したがって良質なブレーズド
格子が製作できない欠点が内った0 1 この発明の目的は、上述の欠点を除去した、透過型
の高品質のブレーズド格子の製造方法を提供することに
ある。
して種々の応用、例えばホログラフィックスキャナや、
ホログラフィックレンズ等があるが、一般に回折効率が
低く実用上問題である。ブレーズド格子は特定の回折次
数へ理論上100%の光を回折できる特徴があるが、格
子溝の形状を制御して製作しなければならないため製作
が困難である。現在最も現実的と思われるのは、あらか
じメ作ったレリーフ格子をシャドウマスクとして基板を
斜め方向からイオンビームでイオンエツチングする方法
である。この手法で現在知られているのは、基板をガリ
ウム砒素、又はカラス板上に塗布したポリメチルメタク
リレート(PMMA)としたものであるが、前者は結晶
であるため高価で、又、不透明のため透過型格子にはで
きない欠点がある。一方、後者は、ガラス板上に塗布し
たPMMAを十分に乾燥しても、塗膜上にホトレジスト
でレリーフ格子を形成する際にホトレジストの溶剤でP
MMA膜が溶解し、相溶しやすいため、レリーフ格子自
体が良質なものができす、したがって良質なブレーズド
格子が製作できない欠点が内った0 1 この発明の目的は、上述の欠点を除去した、透過型
の高品質のブレーズド格子の製造方法を提供することに
ある。
:・
;この発明のブレーズド格子の製造方法は、基板にネガ
型の電子線レジストを塗布する工程と、塗布された前記
電子線レジスト膜に電子線を照射する工程と、電子線を
照射した前記電子線レジスト膜に前記電子線レジストよ
りもイオンエツチング速度の遅いホトレジストを塗布す
る工程と、塗布されたホトレジスト膜をレリーフ型の回
折格子に形成する工程と、前記回折格子をシャドウマス
クとして、基板に対して斜め方向からイオンビームによ
ってイオンエツチングする工程とによってブレーズド格
子を製造する方法である。
型の電子線レジストを塗布する工程と、塗布された前記
電子線レジスト膜に電子線を照射する工程と、電子線を
照射した前記電子線レジスト膜に前記電子線レジストよ
りもイオンエツチング速度の遅いホトレジストを塗布す
る工程と、塗布されたホトレジスト膜をレリーフ型の回
折格子に形成する工程と、前記回折格子をシャドウマス
クとして、基板に対して斜め方向からイオンビームによ
ってイオンエツチングする工程とによってブレーズド格
子を製造する方法である。
次に図面を参照して、この発明の詳細な説明する。
にネガ型の電子線レジスト2を塗布した状態を示す断面
図である。基板としては、ガラス板及びアクリル板を用
いた。ネガ型の電子線レジストとしては種々実験した結
果、イオンエツチング速度の早いソマール工業製の5E
L−NタイプAを用いそ。5EL−NタイプAはメタク
リルグリシジルとテクリル酸エチルの共重合体である。
図である。基板としては、ガラス板及びアクリル板を用
いた。ネガ型の電子線レジストとしては種々実験した結
果、イオンエツチング速度の早いソマール工業製の5E
L−NタイプAを用いそ。5EL−NタイプAはメタク
リルグリシジルとテクリル酸エチルの共重合体である。
イオンエツチング速度は1 mA%i”のアルコンイオ
ンに対し660 A/分であった。基板にはスピナーで
回転塗布した。塗布厚は約1μmである。その後、ガラ
ス基板の時は80℃で30分間焼きしめを行なった。
ンに対し660 A/分であった。基板にはスピナーで
回転塗布した。塗布厚は約1μmである。その後、ガラ
ス基板の時は80℃で30分間焼きしめを行なった。
アクリル板の時は50℃で60分間焼きしめを行なった
。次にこの電子線レジストに電子線を全面照射して、架
橋反応によって硬化させた。電子線の照射量は、約10
−6クーロン/cIIL2で加速電圧は約3Q Ke
Vとした。電子線の照射によって、電子線レジスト膜2
は、次の工程で塗布されるホトレジストの法線照射した
電子線レジスト膜2の上にホトレジアト3を塗布した状
態を示す断面図である。ホトレジストとしてはシプレー
社製AZ −1350Jを使用した。イオンエツチング
速度は1mA/crrL2のアルゴンイオンに対し30
0Å/分であった。電子線レジスト膜上にはスピナーで
回転塗布した。焼きしめは、電子線レジストと同じ条件
で行なった。塗布厚は、次に形成する格子のピッチによ
り異なり0.3μfJ′L〜1μmとした。次に、ホト
レジスト膜ζこ加速電圧300〜700V、イオン電流
密度0.3〜0.7mA/cIIL2で行なった。
。次にこの電子線レジストに電子線を全面照射して、架
橋反応によって硬化させた。電子線の照射量は、約10
−6クーロン/cIIL2で加速電圧は約3Q Ke
Vとした。電子線の照射によって、電子線レジスト膜2
は、次の工程で塗布されるホトレジストの法線照射した
電子線レジスト膜2の上にホトレジアト3を塗布した状
態を示す断面図である。ホトレジストとしてはシプレー
社製AZ −1350Jを使用した。イオンエツチング
速度は1mA/crrL2のアルゴンイオンに対し30
0Å/分であった。電子線レジスト膜上にはスピナーで
回転塗布した。焼きしめは、電子線レジストと同じ条件
で行なった。塗布厚は、次に形成する格子のピッチによ
り異なり0.3μfJ′L〜1μmとした。次に、ホト
レジスト膜ζこ加速電圧300〜700V、イオン電流
密度0.3〜0.7mA/cIIL2で行なった。
以上、述べた様に本発明により、透過型の茜品質のブレ
ーズド格子が得られる。
ーズド格子が得られる。
第1図は、この発明の工程を(a)〜(e)の順に示す
断面図である。 図において、1は基板、2はネガ型電子線レジスト、3
はホトレジストを各々表イつす。
断面図である。 図において、1は基板、2はネガ型電子線レジスト、3
はホトレジストを各々表イつす。
Claims (1)
- 1、基板にネガ型の電子線レジストを塗布する工程と、
塗布された前記電子線レジスト膜に電子線を照射する工
程と、電子線を照射した前記電子線レジスト膜に前記電
子線レジストよりもイオンエツチング速度の遅いホトレ
ジストを塗布する工程と、塗布されたホトレジスト膜を
レリーフ型の回折格子に形成する工程と、前記回折格子
をシャドウマスクとして、基板に対して斜め方向からイ
オンビームによってイオンエツチングする工程とを含む
ことを特徴とするブレーズド格子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11614083A JPS608802A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | ブレ−ズド格子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11614083A JPS608802A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | ブレ−ズド格子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS608802A true JPS608802A (ja) | 1985-01-17 |
JPH0374362B2 JPH0374362B2 (ja) | 1991-11-26 |
Family
ID=14679726
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11614083A Granted JPS608802A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | ブレ−ズド格子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS608802A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6264408U (ja) * | 1985-10-14 | 1987-04-21 | ||
US4776356A (en) * | 1986-02-01 | 1988-10-11 | Yukigaya Kagaku Kogyo Kabushiki-Kaisha | Cosmetic applicator |
EP1417517A1 (en) * | 2001-05-08 | 2004-05-12 | Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation | An optical device and methods of manufacture |
US9176266B2 (en) | 2009-12-04 | 2015-11-03 | Giesecke & Devrient Gmbh | Security element, value document comprising such a security element and method for producing such a security element |
US9297941B2 (en) | 2011-07-21 | 2016-03-29 | Giesecke & Deverient Gmbh | Optically variable element, in particular security element |
US9827802B2 (en) | 2009-12-04 | 2017-11-28 | Giesecke+Devrient Currency Technology Gmbh | Security element, value document comprising such a security element, and method for producing such a security element |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55157705A (en) * | 1979-05-29 | 1980-12-08 | Nec Corp | Production of blazed grating |
JPS5643620A (en) * | 1979-09-17 | 1981-04-22 | Mitsubishi Electric Corp | Production of blazed grating |
JPS56113108A (en) * | 1980-02-12 | 1981-09-05 | Rikagaku Kenkyusho | Preparation for echelette grating |
-
1983
- 1983-06-29 JP JP11614083A patent/JPS608802A/ja active Granted
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55157705A (en) * | 1979-05-29 | 1980-12-08 | Nec Corp | Production of blazed grating |
JPS5643620A (en) * | 1979-09-17 | 1981-04-22 | Mitsubishi Electric Corp | Production of blazed grating |
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Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS6264408U (ja) * | 1985-10-14 | 1987-04-21 | ||
JPH0333304Y2 (ja) * | 1985-10-14 | 1991-07-15 | ||
US4776356A (en) * | 1986-02-01 | 1988-10-11 | Yukigaya Kagaku Kogyo Kabushiki-Kaisha | Cosmetic applicator |
EP1417517A1 (en) * | 2001-05-08 | 2004-05-12 | Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation | An optical device and methods of manufacture |
EP1417517A4 (en) * | 2001-05-08 | 2008-06-04 | Commw Scient Ind Res Org | OPTICAL DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING |
US9176266B2 (en) | 2009-12-04 | 2015-11-03 | Giesecke & Devrient Gmbh | Security element, value document comprising such a security element and method for producing such a security element |
US9827802B2 (en) | 2009-12-04 | 2017-11-28 | Giesecke+Devrient Currency Technology Gmbh | Security element, value document comprising such a security element, and method for producing such a security element |
US10525758B2 (en) | 2009-12-04 | 2020-01-07 | Giesecke+Devrient Currency Technology Gmbh | Security element, value document comprising such a security element, and method for producing such a security element |
US9297941B2 (en) | 2011-07-21 | 2016-03-29 | Giesecke & Deverient Gmbh | Optically variable element, in particular security element |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0374362B2 (ja) | 1991-11-26 |
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