JPS6086885A - 半導体レ−ザのパルス変調方式 - Google Patents
半導体レ−ザのパルス変調方式Info
- Publication number
- JPS6086885A JPS6086885A JP58195572A JP19557283A JPS6086885A JP S6086885 A JPS6086885 A JP S6086885A JP 58195572 A JP58195572 A JP 58195572A JP 19557283 A JP19557283 A JP 19557283A JP S6086885 A JPS6086885 A JP S6086885A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pulse
- optical
- laser
- drive
- lasers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/0607—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying physical parameters other than the potential of the electrodes, e.g. by an electric or magnetic field, mechanical deformation, pressure, light, temperature
- H01S5/0608—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying physical parameters other than the potential of the electrodes, e.g. by an electric or magnetic field, mechanical deformation, pressure, light, temperature controlled by light, e.g. optical switch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/06209—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in single-section lasers
- H01S5/06216—Pulse modulation or generation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4006—Injection locking
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/50—Amplifier structures not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）発明の技術分野
本発明は半導体レーザのパルス変調方式に係り、特に２
個の半導体レーザの結合及びそれらの駆動に工夫を凝ら
して発振遅延時間の影響を実質的に除去した半導体レー
ザのパルス変調方式に関する。
個の半導体レーザの結合及びそれらの駆動に工夫を凝ら
して発振遅延時間の影響を実質的に除去した半導体レー
ザのパルス変調方式に関する。
（ｏ）技術の背景
光パルス信号を伝送する場合に、その発生時にパルス変
調を施されることがある。このようなパルス変調を行な
う場合に光パルス信号の発振遅延時間（立ち上がりジン
ク）及び立ち上がり時間が可能な限り小さく、又パルス
変調に供される電気パルス列によって光パルス信号が左
右されないことが望ましい。このような特性は高速パル
ス変調において一層厳しく要求される。
調を施されることがある。このようなパルス変調を行な
う場合に光パルス信号の発振遅延時間（立ち上がりジン
ク）及び立ち上がり時間が可能な限り小さく、又パルス
変調に供される電気パルス列によって光パルス信号が左
右されないことが望ましい。このような特性は高速パル
ス変調において一層厳しく要求される。
しかしながら、従来の光パルス変調回路は上述のような
要求を十分に満たし得るものはないので、そのような要
求を可能な限り満たし得る技術手段の開発がパルス変調
の高速化に伴って強く要望されるに至っている。
要求を十分に満たし得るものはないので、そのような要
求を可能な限り満たし得る技術手段の開発がパルス変調
の高速化に伴って強く要望されるに至っている。
（ハ）従来技術と問題点
従来のレーザパルス変開回路には、第１図に示すものが
ある。この回路では、その光出力信号が次式、即ち （但し、上式で、τｄはキャリヤのライフタイム、１ｔ
ｈはレーザダイオードＬＤのしきい値電流、Ｉｂはバイ
アス電流、ＩはＬＤの駆動電流（Ｉ７１ｂ＋Ｉｐ）であ
る。） で示されるような発振遅延時間τｄだけ遅れて発生され
る（第２図参照）という不具合がある。
ある。この回路では、その光出力信号が次式、即ち （但し、上式で、τｄはキャリヤのライフタイム、１ｔ
ｈはレーザダイオードＬＤのしきい値電流、Ｉｂはバイ
アス電流、ＩはＬＤの駆動電流（Ｉ７１ｂ＋Ｉｐ）であ
る。） で示されるような発振遅延時間τｄだけ遅れて発生され
る（第２図参照）という不具合がある。
そのため、第り図のＬＤを第３図に示すようなパルス列
で駆動しようとすると、パルス“１″の前のパルスが０
″であるが“１″であるかに従って光出力パルス幅が変
化してしまう。即ち、１１″の前のパルスが“０″の場
合には発振遅延が生じ易いが、６前のパルスが１″の場
合にはそのパルスによりＬＤが発振領域まで励起されて
いるから発振遅延時間が少なくなる。従って、光出力の
パルス幅は最初の“１″パルスでは小さく、次のパルス
から正常な値になり、パルス列に立ち上がりジッタが生
ずる。これは光パルス伝送における回路の劣化要因とな
る。
で駆動しようとすると、パルス“１″の前のパルスが０
″であるが“１″であるかに従って光出力パルス幅が変
化してしまう。即ち、１１″の前のパルスが“０″の場
合には発振遅延が生じ易いが、６前のパルスが１″の場
合にはそのパルスによりＬＤが発振領域まで励起されて
いるから発振遅延時間が少なくなる。従って、光出力の
パルス幅は最初の“１″パルスでは小さく、次のパルス
から正常な値になり、パルス列に立ち上がりジッタが生
ずる。これは光パルス伝送における回路の劣化要因とな
る。
このような不具合はパルス変調の高速化が進めば進むほ
ど顕著に現われる。
ど顕著に現われる。
そのような不具合の原因たる発振遅延時間はＩｂ＞１ｔ
ｈとすることにより除き得る反面、１０″パルスにおい
てもレーザ光が出力されることになるから消光比（光出
力のオン−オフ比）が悪化してしまうという不都合があ
る。
ｈとすることにより除き得る反面、１０″パルスにおい
てもレーザ光が出力されることになるから消光比（光出
力のオン−オフ比）が悪化してしまうという不都合があ
る。
に）発明の目的
本発明は上述したような従来回路方式の有する欠点に鑑
みて創案されたもので、その目的は発振遅延時間が実質
的に現われない半導体レーザのパルス変開方式を提供す
ることにある。
みて創案されたもので、その目的は発振遅延時間が実質
的に現われない半導体レーザのパルス変開方式を提供す
ることにある。
け）発明の構成
そして、この目的達成のため、本発明方式は同一特性の
２個の半導体レーザをそれらの光軸を一致させて配置し
、一方の半導体レーザからの光注入によって予備励起さ
れる他方の半導体レーザが発振領域近くになる時刻に上
記他方の半導体レーザに変調パルスを印加するようにし
たものである。
２個の半導体レーザをそれらの光軸を一致させて配置し
、一方の半導体レーザからの光注入によって予備励起さ
れる他方の半導体レーザが発振領域近くになる時刻に上
記他方の半導体レーザに変調パルスを印加するようにし
たものである。
（ハ）発明の実施例
以下、添付図面を参照しながら本発明の詳細な説明する
。
。
第４図は本発明の第１の実施例を示す。この図において
、ＬＤＩ、ＬＤ２は同一特性を有し、光軸を一致させて
配置された半導体レーザである。
、ＬＤＩ、ＬＤ２は同一特性を有し、光軸を一致させて
配置された半導体レーザである。
ＬＤＩはパルス電流供給源１へ接続され、ＬＤ２は遅延
回路ＤＬを介してパルス電流供給源１へ接続されている
。パルス電流供給源１は駆、動パルス源２とバイアス電
流源３とから成る。
回路ＤＬを介してパルス電流供給源１へ接続されている
。パルス電流供給源１は駆、動パルス源２とバイアス電
流源３とから成る。
次に、第４図回路の動作を説明する。
第５図の（５−１）に示すようなパルスＩｐが駆動パル
ス源２のトランジスタＴｒのベースへ供給されると、半
導体レーザＬＤＩが第５図の（５−２）に示すようなパ
ルス電流によって駆動され、そこから第５図の（５−４
）に示すような光パルスが発生され、この光パルスがＬ
Ｄ２へ注入され□てこれに予備励起する。
ス源２のトランジスタＴｒのベースへ供給されると、半
導体レーザＬＤＩが第５図の（５−２）に示すようなパ
ルス電流によって駆動され、そこから第５図の（５−４
）に示すような光パルスが発生され、この光パルスがＬ
Ｄ２へ注入され□てこれに予備励起する。
一方、ＬＤＩを駆動するパルス電流は遅延回路ＤＬによ
ってＬＤＩの発振遅延時間分（ｔＤＬ）程度遅延されて
（第５図の（５−３）参照）ＬＤ２を駆動するようにな
る。換言すれば、上述のようにして予備励起されて発振
領域近くまで達した時刻にＬＤ２は遅延されたパルス電
流によって駆動され、第５図の（５−５）に示されるよ
うな光パルスを発生する。
ってＬＤＩの発振遅延時間分（ｔＤＬ）程度遅延されて
（第５図の（５−３）参照）ＬＤ２を駆動するようにな
る。換言すれば、上述のようにして予備励起されて発振
領域近くまで達した時刻にＬＤ２は遅延されたパルス電
流によって駆動され、第５図の（５−５）に示されるよ
うな光パルスを発生する。
その光パルスの立ち上がりは速く、ＬＤ２の発振遅延時
間を極めて小さくすることが出来る。
間を極めて小さくすることが出来る。
又、このような動作を生ぜしめ得るから、Ｔｒのベース
へ供給されるパルス列を構成する“１”及び“０”の現
われ方、即ち“１”の前に“０”が現われる場合であっ
ても“１″が現われる場合であってもそれに左右される
ことはな（なり、立ち上がりジッタを小さくすることが
出来る。従って、高速パルス変調が可能になる。
へ供給されるパルス列を構成する“１”及び“０”の現
われ方、即ち“１”の前に“０”が現われる場合であっ
ても“１″が現われる場合であってもそれに左右される
ことはな（なり、立ち上がりジッタを小さくすることが
出来る。従って、高速パルス変調が可能になる。
第６図は本発明の第２の実施例を示し、この実、雄側は
ＬＤＩ及びＬＤ２別にトランジスタＴｒｉ及びＴ ｒ
２を設け、Ｔｒ２のオンへのスイッチングをＴｒｉのオ
ンへのスイッチングよりも上述と同様の遅延回路ＤＬに
より遅らせて構成した点に第１の実施例と相違するだけ
で、本発明の要旨は何ら変わるところはない。
ＬＤＩ及びＬＤ２別にトランジスタＴｒｉ及びＴ ｒ
２を設け、Ｔｒ２のオンへのスイッチングをＴｒｉのオ
ンへのスイッチングよりも上述と同様の遅延回路ＤＬに
より遅らせて構成した点に第１の実施例と相違するだけ
で、本発明の要旨は何ら変わるところはない。
１ なお、上記実施例における遅延回路は電気的手段だ
けでなく、光学的手段例えば光路差を利用したものにて
代替してもよい。
けでなく、光学的手段例えば光路差を利用したものにて
代替してもよい。
（ト）発明の効果
以上述べたように、本発明によれば、
■発振遅延時間を実質的に排除し、
■レーザを駆動するパルス列によって光出力パルスに入
ってしまっていた立ち上がりジンクを除去し得て、 ■高速パルス変調を可能にする、 等の効果が得られる。
ってしまっていた立ち上がりジンクを除去し得て、 ■高速パルス変調を可能にする、 等の効果が得られる。
第１図は従来の回路例を示す図、第２図及び第３ＬＸ！
Ｊは第１図回路の動作上の欠点を説明するための図、第
４図は本発明の第１の実施例を示す図、第５図は第４図
実施例を説明するための各種波形図、第６図は本発明の
第２の実施例を示す図である。 図中、ＬＤｌ、ＬＤ２は半導体レーザ、１はパルス電流
供給源、ＤＬは遅延回路である。 第１図 一■ 第２図 ＊ｓＩ！Ｉ 第４図 一寸 ′ＤＬ 第５図 （５−１） −丁一工−− （５−５） −」−シー 第６図 一イー ７丁 、ＬＤ２ ）２ 一梵エカ ・２
Ｊは第１図回路の動作上の欠点を説明するための図、第
４図は本発明の第１の実施例を示す図、第５図は第４図
実施例を説明するための各種波形図、第６図は本発明の
第２の実施例を示す図である。 図中、ＬＤｌ、ＬＤ２は半導体レーザ、１はパルス電流
供給源、ＤＬは遅延回路である。 第１図 一■ 第２図 ＊ｓＩ！Ｉ 第４図 一寸 ′ＤＬ 第５図 （５−１） −丁一工−− （５−５） −」−シー 第６図 一イー ７丁 、ＬＤ２ ）２ 一梵エカ ・２
Claims (1)
- 同一特性の２個の半導体レーザをそれらの光軸を一致さ
せて配置し、一方の半導体レーザからの光注入によって
予備励起された他方の半導体レーザが発振領域近くに至
る時刻に上記他方の半導体レーザに変調パルスを印加す
るようにしたことを特徴とする半導体レーザのパルス変
調方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58195572A JPS6086885A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | 半導体レ−ザのパルス変調方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58195572A JPS6086885A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | 半導体レ−ザのパルス変調方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6086885A true JPS6086885A (ja) | 1985-05-16 |
Family
ID=16343352
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58195572A Pending JPS6086885A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | 半導体レ−ザのパルス変調方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6086885A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0562518A2 (en) * | 1992-03-23 | 1993-09-29 | Canon Kabushiki Kaisha | An optical apparatus and a method using the apparatus, which utilizes the occurrence of a change in a both-end voltage of an amplifying region |
| DE10245717A1 (de) * | 2002-09-25 | 2004-04-22 | Technische Universität Berlin | Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen eines optischen Laserpulses |
| JP2019077100A (ja) * | 2017-10-25 | 2019-05-23 | 株式会社リコー | レーザ駆動装置、光源装置、光走査装置、画像形成装置、画像表示装置及びレーザ駆動方法 |
-
1983
- 1983-10-19 JP JP58195572A patent/JPS6086885A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0562518A2 (en) * | 1992-03-23 | 1993-09-29 | Canon Kabushiki Kaisha | An optical apparatus and a method using the apparatus, which utilizes the occurrence of a change in a both-end voltage of an amplifying region |
| US5521754A (en) * | 1992-03-23 | 1996-05-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical apparatus and a method using the apparatus, which utilizes the occurrence of a change in a both-end voltage of an amplifying region |
| US5608572A (en) * | 1992-03-23 | 1997-03-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical apparatus and a method using the apparatus, which utilizes the occurrence of a change in a both-end voltage of an amplifying region |
| DE10245717A1 (de) * | 2002-09-25 | 2004-04-22 | Technische Universität Berlin | Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen eines optischen Laserpulses |
| WO2004030167A3 (de) * | 2002-09-25 | 2004-08-05 | Univ Berlin Tech | Verfahren und vorrichtung zum erzeugen eines optischen laserpulses |
| JP2019077100A (ja) * | 2017-10-25 | 2019-05-23 | 株式会社リコー | レーザ駆動装置、光源装置、光走査装置、画像形成装置、画像表示装置及びレーザ駆動方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7542684B2 (en) | Light emitting diode driving device and optical transmission device including the same | |
| JPS5851435B2 (ja) | 発光素子の駆動方式 | |
| WO1991000621A1 (en) | Light-emitting diode drive circuit | |
| JP2010136244A (ja) | 送信回路およびコンプリメンタリー光配線システム | |
| JPH0983050A (ja) | 半導体レーザの駆動方法、半導体レーザの駆動回路及び外部変調器 | |
| JPS60113546A (ja) | 光送信器 | |
| JPS6244435B2 (ja) | ||
| US5550855A (en) | Optical modulator | |
| JPS6086885A (ja) | 半導体レ−ザのパルス変調方式 | |
| CA1281075C (en) | Semiconductor laser modulation control system | |
| JPH04283978A (ja) | レーザダイオード駆動回路 | |
| JPH01166582A (ja) | レーザ駆動回路 | |
| JPH1117625A (ja) | 発光素子駆動回路およびそれを用いた光送信器 | |
| JPH05110142A (ja) | 発光素子駆動回路 | |
| JP3672424B2 (ja) | レーザダイオード駆動回路 | |
| JPS6025335A (ja) | 光出力安定化方式 | |
| JPH02170631A (ja) | 発光素子の駆動回路 | |
| JPH0655274U (ja) | 半導体レーザ用パルス駆動回路 | |
| JPH04359581A (ja) | レーザダイオード駆動装置 | |
| JPH0327633A (ja) | レーザダイオード駆動方式 | |
| JPS63234568A (ja) | 発光ダイオ−ド駆動装置 | |
| JPH04290483A (ja) | レーザダイオード駆動回路 | |
| JPH02246632A (ja) | レーザダイオード駆動回路 | |
| JPS59177982A (ja) | 半導体レ−ザ駆動回路 | |
| JPS6145642A (ja) | レ−ザ駆動回路 |