JPS6086885A - 半導体レ−ザのパルス変調方式 - Google Patents
半導体レ−ザのパルス変調方式Info
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- JPS6086885A JPS6086885A JP58195572A JP19557283A JPS6086885A JP S6086885 A JPS6086885 A JP S6086885A JP 58195572 A JP58195572 A JP 58195572A JP 19557283 A JP19557283 A JP 19557283A JP S6086885 A JPS6086885 A JP S6086885A
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- JP
- Japan
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- pulse
- optical
- laser
- drive
- lasers
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/0607—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying physical parameters other than the potential of the electrodes, e.g. by an electric or magnetic field, mechanical deformation, pressure, light, temperature
- H01S5/0608—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying physical parameters other than the potential of the electrodes, e.g. by an electric or magnetic field, mechanical deformation, pressure, light, temperature controlled by light, e.g. optical switch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/06209—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in single-section lasers
- H01S5/06216—Pulse modulation or generation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4006—Injection locking
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/50—Amplifier structures not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)発明の技術分野
本発明は半導体レーザのパルス変調方式に係り、特に2
個の半導体レーザの結合及びそれらの駆動に工夫を凝ら
して発振遅延時間の影響を実質的に除去した半導体レー
ザのパルス変調方式に関する。
個の半導体レーザの結合及びそれらの駆動に工夫を凝ら
して発振遅延時間の影響を実質的に除去した半導体レー
ザのパルス変調方式に関する。
(o)技術の背景
光パルス信号を伝送する場合に、その発生時にパルス変
調を施されることがある。このようなパルス変調を行な
う場合に光パルス信号の発振遅延時間(立ち上がりジン
ク)及び立ち上がり時間が可能な限り小さく、又パルス
変調に供される電気パルス列によって光パルス信号が左
右されないことが望ましい。このような特性は高速パル
ス変調において一層厳しく要求される。
調を施されることがある。このようなパルス変調を行な
う場合に光パルス信号の発振遅延時間(立ち上がりジン
ク)及び立ち上がり時間が可能な限り小さく、又パルス
変調に供される電気パルス列によって光パルス信号が左
右されないことが望ましい。このような特性は高速パル
ス変調において一層厳しく要求される。
しかしながら、従来の光パルス変調回路は上述のような
要求を十分に満たし得るものはないので、そのような要
求を可能な限り満たし得る技術手段の開発がパルス変調
の高速化に伴って強く要望されるに至っている。
要求を十分に満たし得るものはないので、そのような要
求を可能な限り満たし得る技術手段の開発がパルス変調
の高速化に伴って強く要望されるに至っている。
(ハ)従来技術と問題点
従来のレーザパルス変開回路には、第1図に示すものが
ある。この回路では、その光出力信号が次式、即ち (但し、上式で、τdはキャリヤのライフタイム、1t
hはレーザダイオードLDのしきい値電流、Ibはバイ
アス電流、IはLDの駆動電流(I71b+Ip)であ
る。) で示されるような発振遅延時間τdだけ遅れて発生され
る(第2図参照)という不具合がある。
ある。この回路では、その光出力信号が次式、即ち (但し、上式で、τdはキャリヤのライフタイム、1t
hはレーザダイオードLDのしきい値電流、Ibはバイ
アス電流、IはLDの駆動電流(I71b+Ip)であ
る。) で示されるような発振遅延時間τdだけ遅れて発生され
る(第2図参照)という不具合がある。
そのため、第り図のLDを第3図に示すようなパルス列
で駆動しようとすると、パルス“1″の前のパルスが0
″であるが“1″であるかに従って光出力パルス幅が変
化してしまう。即ち、11″の前のパルスが“0″の場
合には発振遅延が生じ易いが、6前のパルスが1″の場
合にはそのパルスによりLDが発振領域まで励起されて
いるから発振遅延時間が少なくなる。従って、光出力の
パルス幅は最初の“1″パルスでは小さく、次のパルス
から正常な値になり、パルス列に立ち上がりジッタが生
ずる。これは光パルス伝送における回路の劣化要因とな
る。
で駆動しようとすると、パルス“1″の前のパルスが0
″であるが“1″であるかに従って光出力パルス幅が変
化してしまう。即ち、11″の前のパルスが“0″の場
合には発振遅延が生じ易いが、6前のパルスが1″の場
合にはそのパルスによりLDが発振領域まで励起されて
いるから発振遅延時間が少なくなる。従って、光出力の
パルス幅は最初の“1″パルスでは小さく、次のパルス
から正常な値になり、パルス列に立ち上がりジッタが生
ずる。これは光パルス伝送における回路の劣化要因とな
る。
このような不具合はパルス変調の高速化が進めば進むほ
ど顕著に現われる。
ど顕著に現われる。
そのような不具合の原因たる発振遅延時間はIb>1t
hとすることにより除き得る反面、10″パルスにおい
てもレーザ光が出力されることになるから消光比(光出
力のオン−オフ比)が悪化してしまうという不都合があ
る。
hとすることにより除き得る反面、10″パルスにおい
てもレーザ光が出力されることになるから消光比(光出
力のオン−オフ比)が悪化してしまうという不都合があ
る。
に)発明の目的
本発明は上述したような従来回路方式の有する欠点に鑑
みて創案されたもので、その目的は発振遅延時間が実質
的に現われない半導体レーザのパルス変開方式を提供す
ることにある。
みて創案されたもので、その目的は発振遅延時間が実質
的に現われない半導体レーザのパルス変開方式を提供す
ることにある。
け)発明の構成
そして、この目的達成のため、本発明方式は同一特性の
2個の半導体レーザをそれらの光軸を一致させて配置し
、一方の半導体レーザからの光注入によって予備励起さ
れる他方の半導体レーザが発振領域近くになる時刻に上
記他方の半導体レーザに変調パルスを印加するようにし
たものである。
2個の半導体レーザをそれらの光軸を一致させて配置し
、一方の半導体レーザからの光注入によって予備励起さ
れる他方の半導体レーザが発振領域近くになる時刻に上
記他方の半導体レーザに変調パルスを印加するようにし
たものである。
(ハ)発明の実施例
以下、添付図面を参照しながら本発明の詳細な説明する
。
。
第4図は本発明の第1の実施例を示す。この図において
、LDI、LD2は同一特性を有し、光軸を一致させて
配置された半導体レーザである。
、LDI、LD2は同一特性を有し、光軸を一致させて
配置された半導体レーザである。
LDIはパルス電流供給源1へ接続され、LD2は遅延
回路DLを介してパルス電流供給源1へ接続されている
。パルス電流供給源1は駆、動パルス源2とバイアス電
流源3とから成る。
回路DLを介してパルス電流供給源1へ接続されている
。パルス電流供給源1は駆、動パルス源2とバイアス電
流源3とから成る。
次に、第4図回路の動作を説明する。
第5図の(5−1)に示すようなパルスIpが駆動パル
ス源2のトランジスタTrのベースへ供給されると、半
導体レーザLDIが第5図の(5−2)に示すようなパ
ルス電流によって駆動され、そこから第5図の(5−4
)に示すような光パルスが発生され、この光パルスがL
D2へ注入され□てこれに予備励起する。
ス源2のトランジスタTrのベースへ供給されると、半
導体レーザLDIが第5図の(5−2)に示すようなパ
ルス電流によって駆動され、そこから第5図の(5−4
)に示すような光パルスが発生され、この光パルスがL
D2へ注入され□てこれに予備励起する。
一方、LDIを駆動するパルス電流は遅延回路DLによ
ってLDIの発振遅延時間分(tDL)程度遅延されて
(第5図の(5−3)参照)LD2を駆動するようにな
る。換言すれば、上述のようにして予備励起されて発振
領域近くまで達した時刻にLD2は遅延されたパルス電
流によって駆動され、第5図の(5−5)に示されるよ
うな光パルスを発生する。
ってLDIの発振遅延時間分(tDL)程度遅延されて
(第5図の(5−3)参照)LD2を駆動するようにな
る。換言すれば、上述のようにして予備励起されて発振
領域近くまで達した時刻にLD2は遅延されたパルス電
流によって駆動され、第5図の(5−5)に示されるよ
うな光パルスを発生する。
その光パルスの立ち上がりは速く、LD2の発振遅延時
間を極めて小さくすることが出来る。
間を極めて小さくすることが出来る。
又、このような動作を生ぜしめ得るから、Trのベース
へ供給されるパルス列を構成する“1”及び“0”の現
われ方、即ち“1”の前に“0”が現われる場合であっ
ても“1″が現われる場合であってもそれに左右される
ことはな(なり、立ち上がりジッタを小さくすることが
出来る。従って、高速パルス変調が可能になる。
へ供給されるパルス列を構成する“1”及び“0”の現
われ方、即ち“1”の前に“0”が現われる場合であっ
ても“1″が現われる場合であってもそれに左右される
ことはな(なり、立ち上がりジッタを小さくすることが
出来る。従って、高速パルス変調が可能になる。
第6図は本発明の第2の実施例を示し、この実、雄側は
LDI及びLD2別にトランジスタTri及びT r
2を設け、Tr2のオンへのスイッチングをTriのオ
ンへのスイッチングよりも上述と同様の遅延回路DLに
より遅らせて構成した点に第1の実施例と相違するだけ
で、本発明の要旨は何ら変わるところはない。
LDI及びLD2別にトランジスタTri及びT r
2を設け、Tr2のオンへのスイッチングをTriのオ
ンへのスイッチングよりも上述と同様の遅延回路DLに
より遅らせて構成した点に第1の実施例と相違するだけ
で、本発明の要旨は何ら変わるところはない。
1 なお、上記実施例における遅延回路は電気的手段だ
けでなく、光学的手段例えば光路差を利用したものにて
代替してもよい。
けでなく、光学的手段例えば光路差を利用したものにて
代替してもよい。
(ト)発明の効果
以上述べたように、本発明によれば、
■発振遅延時間を実質的に排除し、
■レーザを駆動するパルス列によって光出力パルスに入
ってしまっていた立ち上がりジンクを除去し得て、 ■高速パルス変調を可能にする、 等の効果が得られる。
ってしまっていた立ち上がりジンクを除去し得て、 ■高速パルス変調を可能にする、 等の効果が得られる。
第1図は従来の回路例を示す図、第2図及び第3LX!
Jは第1図回路の動作上の欠点を説明するための図、第
4図は本発明の第1の実施例を示す図、第5図は第4図
実施例を説明するための各種波形図、第6図は本発明の
第2の実施例を示す図である。 図中、LDl、LD2は半導体レーザ、1はパルス電流
供給源、DLは遅延回路である。 第1図 一■ 第2図 *sI!I 第4図 一寸 ′DL 第5図 (5−1) −丁一工−− (5−5) −」−シー 第6図 一イー 7丁 、LD2 )2 一梵エカ ・2
Jは第1図回路の動作上の欠点を説明するための図、第
4図は本発明の第1の実施例を示す図、第5図は第4図
実施例を説明するための各種波形図、第6図は本発明の
第2の実施例を示す図である。 図中、LDl、LD2は半導体レーザ、1はパルス電流
供給源、DLは遅延回路である。 第1図 一■ 第2図 *sI!I 第4図 一寸 ′DL 第5図 (5−1) −丁一工−− (5−5) −」−シー 第6図 一イー 7丁 、LD2 )2 一梵エカ ・2
Claims (1)
- 同一特性の2個の半導体レーザをそれらの光軸を一致さ
せて配置し、一方の半導体レーザからの光注入によって
予備励起された他方の半導体レーザが発振領域近くに至
る時刻に上記他方の半導体レーザに変調パルスを印加す
るようにしたことを特徴とする半導体レーザのパルス変
調方式。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58195572A JPS6086885A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | 半導体レ−ザのパルス変調方式 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58195572A JPS6086885A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | 半導体レ−ザのパルス変調方式 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6086885A true JPS6086885A (ja) | 1985-05-16 |
Family
ID=16343352
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58195572A Pending JPS6086885A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | 半導体レ−ザのパルス変調方式 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6086885A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0562518A2 (en) * | 1992-03-23 | 1993-09-29 | Canon Kabushiki Kaisha | An optical apparatus and a method using the apparatus, which utilizes the occurrence of a change in a both-end voltage of an amplifying region |
DE10245717A1 (de) * | 2002-09-25 | 2004-04-22 | Technische Universität Berlin | Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen eines optischen Laserpulses |
JP2019077100A (ja) * | 2017-10-25 | 2019-05-23 | 株式会社リコー | レーザ駆動装置、光源装置、光走査装置、画像形成装置、画像表示装置及びレーザ駆動方法 |
-
1983
- 1983-10-19 JP JP58195572A patent/JPS6086885A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0562518A2 (en) * | 1992-03-23 | 1993-09-29 | Canon Kabushiki Kaisha | An optical apparatus and a method using the apparatus, which utilizes the occurrence of a change in a both-end voltage of an amplifying region |
US5521754A (en) * | 1992-03-23 | 1996-05-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical apparatus and a method using the apparatus, which utilizes the occurrence of a change in a both-end voltage of an amplifying region |
US5608572A (en) * | 1992-03-23 | 1997-03-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical apparatus and a method using the apparatus, which utilizes the occurrence of a change in a both-end voltage of an amplifying region |
DE10245717A1 (de) * | 2002-09-25 | 2004-04-22 | Technische Universität Berlin | Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen eines optischen Laserpulses |
WO2004030167A3 (de) * | 2002-09-25 | 2004-08-05 | Univ Berlin Tech | Verfahren und vorrichtung zum erzeugen eines optischen laserpulses |
JP2019077100A (ja) * | 2017-10-25 | 2019-05-23 | 株式会社リコー | レーザ駆動装置、光源装置、光走査装置、画像形成装置、画像表示装置及びレーザ駆動方法 |
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