JPS6180922A - 半導体レ−ザ駆動装置 - Google Patents
半導体レ−ザ駆動装置Info
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- JPS6180922A JPS6180922A JP59202053A JP20205384A JPS6180922A JP S6180922 A JPS6180922 A JP S6180922A JP 59202053 A JP59202053 A JP 59202053A JP 20205384 A JP20205384 A JP 20205384A JP S6180922 A JPS6180922 A JP S6180922A
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- H04L25/02—Details ; arrangements for supplying electrical power along data transmission lines
- H04L25/03—Shaping networks in transmitter or receiver, e.g. adaptive shaping networks
- H04L25/03828—Arrangements for spectral shaping; Arrangements for providing signals with specified spectral properties
- H04L25/03834—Arrangements for spectral shaping; Arrangements for providing signals with specified spectral properties using pulse shaping
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- H—ELECTRICITY
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- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/50—Transmitters
- H04B10/501—Structural aspects
- H04B10/503—Laser transmitters
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- Semiconductor Lasers (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は光通信の光送信器に用いられる半導体レーザ駆
動装置に関するものである。
動装置に関するものである。
（従来例の構成とその問題点）
近年、光ファイバを利用した光通信は、細径。
９１量、可とう性、無誘導・無漏話、低損失、広帯域の
特徴によって従来の電気ケーブルによる伝送方式にとっ
て代わりつつある。その中で半導体レーザは、小型、高
速変調特性、ファイバとの高結合効率と言う性質から光
通信における発光素子として注目をあび、すでに実用段
階に達しており、その半導体レーザを駆動させる半導体
レーザ駆動装置が研究されて来た。
特徴によって従来の電気ケーブルによる伝送方式にとっ
て代わりつつある。その中で半導体レーザは、小型、高
速変調特性、ファイバとの高結合効率と言う性質から光
通信における発光素子として注目をあび、すでに実用段
階に達しており、その半導体レーザを駆動させる半導体
レーザ駆動装置が研究されて来た。
以下１図面を参照しながら、上述したような従来の直流
バイアス電流型半導体レーザ駆動装置について説明を行
なう。
バイアス電流型半導体レーザ駆動装置について説明を行
なう。
第５図は、従来の半導体レーザ駆動装置の構成図を示す
ものである。第５図において１はＮＲＺ−ＲＺＺ号変換
回路で送信データ（ＮＲＺ）Ａを送信クロック（ＲＺ）
Ｂによってデユーティ５０％のＲＺ符符号上変換する
。２はパルス電流駆動回路でＲＺ符符号上よって変調さ
れたパルス電流ＩＰを出力する。３は直流バイアス電流
駆動回路で直流バイアス電流Ｉ、を出力する。ＩＬは半
導体レーザ駆動電流で直流バイアス電流工、にパルス電
流■、が重畳されている。４は半導体レーザでＤは半導
体レーザ４からの光出力信号である。
ものである。第５図において１はＮＲＺ−ＲＺＺ号変換
回路で送信データ（ＮＲＺ）Ａを送信クロック（ＲＺ）
Ｂによってデユーティ５０％のＲＺ符符号上変換する
。２はパルス電流駆動回路でＲＺ符符号上よって変調さ
れたパルス電流ＩＰを出力する。３は直流バイアス電流
駆動回路で直流バイアス電流Ｉ、を出力する。ＩＬは半
導体レーザ駆動電流で直流バイアス電流工、にパルス電
流■、が重畳されている。４は半導体レーザでＤは半導
体レーザ４からの光出力信号である。
以上のように構成された従来の直流バイアス電流型半導
体レーザ駆動装置について以下その動作について説明す
る。
体レーザ駆動装置について以下その動作について説明す
る。
まず、送信データ（ＮＲＺ） ＡはＮＲＺ−ＲＺＺ号変
換回路上によって送信クロック（ＲＺ） Ｂに同期した
デユーティ５０％のＲＺ符符号上変換される。次に、そ
のデユーティ５０％のＲＺ符符号上パルス電流駆動回路
２に加えられ、パルス電流駆動回路２からはＲＺ符符号
上よって変調されたパルス電流工、が出力される。一方
、直流バイアス電流駆動回路３からは直流バイアス電流
■８が出力され、これに先のパルス電流工、が重畳され
半導体レーザ駆動電流工、として半導体レーザ４に印加
される。そして半導体レーザ４は、この半導体レーザ駆
動電流工、によって変調され光出力信号りを放出する。
換回路上によって送信クロック（ＲＺ） Ｂに同期した
デユーティ５０％のＲＺ符符号上変換される。次に、そ
のデユーティ５０％のＲＺ符符号上パルス電流駆動回路
２に加えられ、パルス電流駆動回路２からはＲＺ符符号
上よって変調されたパルス電流工、が出力される。一方
、直流バイアス電流駆動回路３からは直流バイアス電流
■８が出力され、これに先のパルス電流工、が重畳され
半導体レーザ駆動電流工、として半導体レーザ４に印加
される。そして半導体レーザ４は、この半導体レーザ駆
動電流工、によって変調され光出力信号りを放出する。
送信データ（ＮＲＺ）Ａ、送信クロック（ＲＺ） Ｂ、
パルス電流工、。
パルス電流工、。
−直流バイアス電流工、と光出力信号りの関係を第６図
に示す。
に示す。
しかしながら、上記のような構成では、送信データがな
い時や低レベルの時でも常に直流バイア入電流工、を半
導体レーザに印加しておかねばならず（半導体レーザに
印加される平均電流による半導体レーザの寿命の問題）
、半導体レーザ駆動装置の消ｇ！！電流を低減できない
という欠点を有していた。
い時や低レベルの時でも常に直流バイア入電流工、を半
導体レーザに印加しておかねばならず（半導体レーザに
印加される平均電流による半導体レーザの寿命の問題）
、半導体レーザ駆動装置の消ｇ！！電流を低減できない
という欠点を有していた。
（発明の目的）
本発明は上記欠点に鑑み半導体レーザに印加される平均
電流を減少し半導体レーザの寿命を向上 ！
させ、かつ低消費電流の半導体レーザ駆動装置を提供す
るものである。
電流を減少し半導体レーザの寿命を向上 ！
させ、かつ低消費電流の半導体レーザ駆動装置を提供す
るものである。
（発明の構成）
この目的を達成するために本発明の半導体レーザ駆動装
置は、送信データを送信クロックにより符号変換する符
号変換回路、符号変換回路からの符号変換信号または送
信データを遅延する遅延回路、遅延回路からの遅延符号
変換信号または遅延送信データにより動作するパルス電
流駆動回路。
置は、送信データを送信クロックにより符号変換する符
号変換回路、符号変換回路からの符号変換信号または送
信データを遅延する遅延回路、遅延回路からの遅延符号
変換信号または遅延送信データにより動作するパルス電
流駆動回路。
前記送信データまたは前記送信クロックに同期し前記遅
延符号変換信号または前記遅延送信データの立ち上がり
より早く立ち上がり始めかつ前記遅延符号変換信号また
は前記遅延送信データの立ち下がりより遅く立ち下がり
始める交流バイアス電流を発生する交流バイアス電流駆
動回路から構成されており、この構成によって、バイア
ス電流を送信クロックまたは送信データに同期させた交
流バイアス電流とし、かつ交流バイアス電流を遅延符号
変換信号または遅延送信データより早く立ち上がり始め
させるとともに遅く立ち下がり始めさせることによって
、半導体レーザからの光出力信号の立ち上がり、立ち下
がり時間を劣化させることなく、バイアス電流の平均値
を減少させることにより半導体レーザの寿命を向上させ
るとともに半導体レーザ駆動装置の低消費電流化が達成
されることとなる。
延符号変換信号または前記遅延送信データの立ち上がり
より早く立ち上がり始めかつ前記遅延符号変換信号また
は前記遅延送信データの立ち下がりより遅く立ち下がり
始める交流バイアス電流を発生する交流バイアス電流駆
動回路から構成されており、この構成によって、バイア
ス電流を送信クロックまたは送信データに同期させた交
流バイアス電流とし、かつ交流バイアス電流を遅延符号
変換信号または遅延送信データより早く立ち上がり始め
させるとともに遅く立ち下がり始めさせることによって
、半導体レーザからの光出力信号の立ち上がり、立ち下
がり時間を劣化させることなく、バイアス電流の平均値
を減少させることにより半導体レーザの寿命を向上させ
るとともに半導体レーザ駆動装置の低消費電流化が達成
されることとなる。
（実施例の説明）
いか本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。
明する。
第１図は本発明の第１の実施例における送信々ロック同
期交流バイアスミ流型半道体レーザ駆動装置の構成図を
示すものである。第１図において１はＮＲＺ−ＲＺＺ号
変換回路、２はパルス電流駆動回路、４は半導体レーザ
、Ａは送信データ（ＮＲＺ）、Ｂは送信クロック（ＲＺ
）、Ｃはデユーティ５０％ＲＺ符号、Ｉ、はパルス電流
、Ｄは光出力信号で以上は第５図の構成と同じものであ
る。５は遅延回路でＲＺ符符号上時間ｔ、だけ遅延させ
、遅延ＲＺ符号Ｃｄを出力する。６は交流バイアス電流
駆動回路で送信クロックＢに同期しく遅延ＲＺ符号Ｃｄ
よりｔ、はど早く立ち上がり始め、ｔｌはど遅く立ち下
がり始める）、交流バイアス電流■、を出力する。工２
は半導体装置ザ駆動電流で送信クロックＢに同期した交
流バイアス電流工、にパルス電流Ｉ、が重畳されている
。
期交流バイアスミ流型半道体レーザ駆動装置の構成図を
示すものである。第１図において１はＮＲＺ−ＲＺＺ号
変換回路、２はパルス電流駆動回路、４は半導体レーザ
、Ａは送信データ（ＮＲＺ）、Ｂは送信クロック（ＲＺ
）、Ｃはデユーティ５０％ＲＺ符号、Ｉ、はパルス電流
、Ｄは光出力信号で以上は第５図の構成と同じものであ
る。５は遅延回路でＲＺ符符号上時間ｔ、だけ遅延させ
、遅延ＲＺ符号Ｃｄを出力する。６は交流バイアス電流
駆動回路で送信クロックＢに同期しく遅延ＲＺ符号Ｃｄ
よりｔ、はど早く立ち上がり始め、ｔｌはど遅く立ち下
がり始める）、交流バイアス電流■、を出力する。工２
は半導体装置ザ駆動電流で送信クロックＢに同期した交
流バイアス電流工、にパルス電流Ｉ、が重畳されている
。
第２図は、送信クロック（ＲＺ）Ｂ、遅延ＲＺ符号Ｃｄ
、パルス電流工２、送信クロックに同期した交流バイア
ス電流工、と光呂力信号りの関係を示したものである。
、パルス電流工２、送信クロックに同期した交流バイア
ス電流工、と光呂力信号りの関係を示したものである。
以上のように構成された第１の実施例の送信クロック同
期交流バイアス電流型半導体レーザ駆動装置について以
下その動作について説明する。
期交流バイアス電流型半導体レーザ駆動装置について以
下その動作について説明する。
まず送信データ（ＮＲＺ） ＡはＮＲＺ−ＲＺ符号変換
回路１によって送信クロック（ＲＺ） Ｂに同期したデ
ユーティ５０％のＲＺ符号Ｃに変換される。次に、この
ＲＺ符号Ｃは遅延回路５に入力され、時間ｔ、はど遅延
された遅延ＲＺ符号Ｃｄとして出力され、遅延ＲＺ符号
Ｃｄはパルス電流駆動回路２に印加され、パルス電流工
、が出力される。一方、送信クロックＢは、交流バイア
ス電流駆動回路６にも印加される。この交流バイアス電
流駆動回路６は、第２図に示されるように、遅延ＲＺ符
号Ｃｄの立ち上がりより１．はど早く立ち上がり始め、
遅延ＲＺ符号Ｃｄの立ち下がりよりＬイはど遅く立ち下
がり始めるような交流バイアス電流工、を出力する。そ
して、この交流バイアス電流丁、にパルス電流工、が第
２図のように重畳された半導体レーザ駆動電流工２が半
導体レーザ４に印加され、光出力信号りが放出される。
回路１によって送信クロック（ＲＺ） Ｂに同期したデ
ユーティ５０％のＲＺ符号Ｃに変換される。次に、この
ＲＺ符号Ｃは遅延回路５に入力され、時間ｔ、はど遅延
された遅延ＲＺ符号Ｃｄとして出力され、遅延ＲＺ符号
Ｃｄはパルス電流駆動回路２に印加され、パルス電流工
、が出力される。一方、送信クロックＢは、交流バイア
ス電流駆動回路６にも印加される。この交流バイアス電
流駆動回路６は、第２図に示されるように、遅延ＲＺ符
号Ｃｄの立ち上がりより１．はど早く立ち上がり始め、
遅延ＲＺ符号Ｃｄの立ち下がりよりＬイはど遅く立ち下
がり始めるような交流バイアス電流工、を出力する。そ
して、この交流バイアス電流丁、にパルス電流工、が第
２図のように重畳された半導体レーザ駆動電流工２が半
導体レーザ４に印加され、光出力信号りが放出される。
本実施例において半導体レーザ４として閾値電流４０ｍ
Ａ、発光波長８１０ｎｍ、定格出力２ 、５ｍＷ （駆
動電流５５ＩＩＩＡ）の近赤外半導体レーザを用い、パ
ルス電流工、として１８ｍＡ、交流バイアス電流１１と
して３７ｍＡ（ピーク値）と設定し、２０Ｍｂ／ｓ Ｎ
ＲＺの送信データＡを繰り返し周波数２０Ｍｆ（ｚの送
信クロック已によって２０Ｍｂ／ｓ ＲＺ符号Ｃに変換
し伝送実験を行なった。遅延回路６として高速ＴＴＬゲ
ートの伝搬遅延時間を利用し、ゲートを２段接続し、遅
延時間ｔ１として８ｎｓを得た。
Ａ、発光波長８１０ｎｍ、定格出力２ 、５ｍＷ （駆
動電流５５ＩＩＩＡ）の近赤外半導体レーザを用い、パ
ルス電流工、として１８ｍＡ、交流バイアス電流１１と
して３７ｍＡ（ピーク値）と設定し、２０Ｍｂ／ｓ Ｎ
ＲＺの送信データＡを繰り返し周波数２０Ｍｆ（ｚの送
信クロック已によって２０Ｍｂ／ｓ ＲＺ符号Ｃに変換
し伝送実験を行なった。遅延回路６として高速ＴＴＬゲ
ートの伝搬遅延時間を利用し、ゲートを２段接続し、遅
延時間ｔ１として８ｎｓを得た。
伝送実験の結果、従来の直流バイアス電流型のものに比
べ、伝送特性の劣化もなく、半導体レーザに印加される
平均電流は約１２ｍＡ減少し、半導体レーザ駆動装置の
消費電流も約８ｍＡ低減することができた。
べ、伝送特性の劣化もなく、半導体レーザに印加される
平均電流は約１２ｍＡ減少し、半導体レーザ駆動装置の
消費電流も約８ｍＡ低減することができた。
以上のように本実施例によれば、送信クロックに同期し
遅延ＲＺ符号の立ち上がりより遅延時間ｔ１はど早く立
ち上がり始め、遅延ＲＺ符号の立ち下がりより遅延時間
ｔイはど遅く立ち下がり始める交流バイアス電流を出力
する交流バイアス電流駆動回路を設けることにより、発
光遅れ時間の劣化、光出力信号の立ち上がり、立ち下が
り時間の劣化、パルス幅の変化による伝送特性の劣化も
なくバイアス電流の平均値を低減できるので、半導体レ
ーザの寿命の向上と半導体レーザ駆動装置の低消費電流
化をはかることができる。
遅延ＲＺ符号の立ち上がりより遅延時間ｔ１はど早く立
ち上がり始め、遅延ＲＺ符号の立ち下がりより遅延時間
ｔイはど遅く立ち下がり始める交流バイアス電流を出力
する交流バイアス電流駆動回路を設けることにより、発
光遅れ時間の劣化、光出力信号の立ち上がり、立ち下が
り時間の劣化、パルス幅の変化による伝送特性の劣化も
なくバイアス電流の平均値を低減できるので、半導体レ
ーザの寿命の向上と半導体レーザ駆動装置の低消費電流
化をはかることができる。
以下、本発明の第２の実施例について、図面を参照しな
がら説明する。第３図は本発明の第２の実施例における
送信データ同期交流バイアス電流型半導体レーザ駆動装
置の構成図を示すものである。第３図において、２はパ
ルス電流駆動回路。
がら説明する。第３図は本発明の第２の実施例における
送信データ同期交流バイアス電流型半導体レーザ駆動装
置の構成図を示すものである。第３図において、２はパ
ルス電流駆動回路。
４は半導体レーザ、５は遅延回路、Ａは送信データ（Ｎ
ＲＺ）、 Ｉ、はパルス電流、Ｄは光出力信号で以上は
第１図の構成と同じものである。７は送信データＡに同
期して動作する交流バイアス電流駆動回路で、遅延送信
データＡｄよりも早く立ち上がり始め、ｔイはど遅く立
ち下がり始める交流バイアス電流工、を出力する。
ＲＺ）、 Ｉ、はパルス電流、Ｄは光出力信号で以上は
第１図の構成と同じものである。７は送信データＡに同
期して動作する交流バイアス電流駆動回路で、遅延送信
データＡｄよりも早く立ち上がり始め、ｔイはど遅く立
ち下がり始める交流バイアス電流工、を出力する。
Ｉ４は半導体レーザ駆動電流で送信データＡに同期した
交流バイアス電流工、にパルス電流工、が重畳されてい
る。第４図は送信データ（ＮＲＺ） Ａ、遅延送信デー
タ（ＮＲＺ）Ａｄ、パルス電流工２、送信データに同期
した交流バイアス電流工、と光出力信号りの関係を示し
たものである。以上のように構成された第２の実施例送
信データ同期交流バイアス電流型半導体レーザ駆動装置
について以下その動作について説明する。
交流バイアス電流工、にパルス電流工、が重畳されてい
る。第４図は送信データ（ＮＲＺ） Ａ、遅延送信デー
タ（ＮＲＺ）Ａｄ、パルス電流工２、送信データに同期
した交流バイアス電流工、と光出力信号りの関係を示し
たものである。以上のように構成された第２の実施例送
信データ同期交流バイアス電流型半導体レーザ駆動装置
について以下その動作について説明する。
まず、送信データ（ＮＩｔＺ） Ａは遅延回路５によっ
て時間ｔ、たけ遅延され、遅延送信データ（ＮＲＺ）Ａ
ｄがパルス電流駆動回路２に印加され、パルス電流工、
が出力される。一方、送信データ（ＮＲＺ） Ａは、交
流バイアス電流駆動回路７にも印加されるにの交流バイ
アス電流駆動回路７は、第４図に示されるように、遅延
送信データ（ＮＲＺ）Ａｄの立ち上がりより１．早く立
ち上がり始め、遅延送信データ（ＮＲＺ）Ａｄの立ち下
がりよりｔ、遅く立ち下がり始めるような交流バイアス
電流Ｉ、を出力する。そして。
て時間ｔ、たけ遅延され、遅延送信データ（ＮＲＺ）Ａ
ｄがパルス電流駆動回路２に印加され、パルス電流工、
が出力される。一方、送信データ（ＮＲＺ） Ａは、交
流バイアス電流駆動回路７にも印加されるにの交流バイ
アス電流駆動回路７は、第４図に示されるように、遅延
送信データ（ＮＲＺ）Ａｄの立ち上がりより１．早く立
ち上がり始め、遅延送信データ（ＮＲＺ）Ａｄの立ち下
がりよりｔ、遅く立ち下がり始めるような交流バイアス
電流Ｉ、を出力する。そして。
この交流バイアス電流Ｉ３にパルス電流■、が第４図に
ように重畳された半導体レーザ駆動電流工、が半導体レ
ーザ４に印加され、光出力信号りが放出される。本実施
例において半導体レーザ４として閾値電流４０ｍＡ、発
光波長８１０ｒ＋ｍ、定格出力２．５ｎ＋Ｗ（駆動電流
５５ｍＡ）の近赤外半導体レーザを用い、パルス電流工
、として１８ｍＡ、交流バイアス電流工、として３７ｍ
Ａ（ピーク値）と設定し、送信データ（ＮＲＺ） Ａと
して６４Ｍｂ／ｓ ＮＲＺｉ似ラングランダムパターン
実験を行なった。遅延回路５として高速ＴＴＬゲートの
伝搬遅延時間を利用し、遅延時間４ｎｓを得た。伝送実
験の結果、従来の直流バイアス電流型のものに比べ伝送
特性の劣化もなく、半導体レーザに印加される平均電流
は約１２ＩａＡ減少し、半導体レーザ駆動装置の消費電
流も約７ｍＡ低減することができた。
ように重畳された半導体レーザ駆動電流工、が半導体レ
ーザ４に印加され、光出力信号りが放出される。本実施
例において半導体レーザ４として閾値電流４０ｍＡ、発
光波長８１０ｒ＋ｍ、定格出力２．５ｎ＋Ｗ（駆動電流
５５ｍＡ）の近赤外半導体レーザを用い、パルス電流工
、として１８ｍＡ、交流バイアス電流工、として３７ｍ
Ａ（ピーク値）と設定し、送信データ（ＮＲＺ） Ａと
して６４Ｍｂ／ｓ ＮＲＺｉ似ラングランダムパターン
実験を行なった。遅延回路５として高速ＴＴＬゲートの
伝搬遅延時間を利用し、遅延時間４ｎｓを得た。伝送実
験の結果、従来の直流バイアス電流型のものに比べ伝送
特性の劣化もなく、半導体レーザに印加される平均電流
は約１２ＩａＡ減少し、半導体レーザ駆動装置の消費電
流も約７ｍＡ低減することができた。
以上のように本実施例によれば、送信データに同期し、
遅延送信データの立ち上がりより遅延時間ｔイはど早く
立ち上がり始め、遅延送信データの立ち下がりより遅延
時間ｔ、はど遅く立ち下がり始ぬる交流バイアス電流を
出力する交流バイアス電流駆動回路を設けることにより
、高速の伝送レートにおいても発光遅れ時間、光出力信
号の立ち上かり、立ち下がり時間の劣化、パルス幅の変
化による伝送特性の劣化もなくバイアス電流の平均値を
低減できるので半導体レーザの寿命の向上、半導体レー
ザ駆動装置の低消費電流化をはかることができる。
遅延送信データの立ち上がりより遅延時間ｔイはど早く
立ち上がり始め、遅延送信データの立ち下がりより遅延
時間ｔ、はど遅く立ち下がり始ぬる交流バイアス電流を
出力する交流バイアス電流駆動回路を設けることにより
、高速の伝送レートにおいても発光遅れ時間、光出力信
号の立ち上かり、立ち下がり時間の劣化、パルス幅の変
化による伝送特性の劣化もなくバイアス電流の平均値を
低減できるので半導体レーザの寿命の向上、半導体レー
ザ駆動装置の低消費電流化をはかることができる。
′（発明の効果）
本発明の半導体レーザ駆動装置は、送信データを送信ク
ロックにより符号変換する符号変換回路、符号変換回路
からの符号変換信号または送信データを遅延する遅延回
路、遅延回路からの遅延符号変換信号または遅延送信デ
ータにより動作するパルス電流駆動回路、送信データま
たは送信クロックに同期し、遅延符号変換信号または遅
延送信データの立ち上がりより早く立ち上がり始めかつ
遅 ！延符号変換信号または遅延送信データ
の立ち下がりより遅く立ち下がり始める交流バイアス電
流を発生する交流バイアス電流駆動回路とで構成され、
バイアス電流を送信クロックまたは送信データに同期さ
せた交流バイアス電流とし、かつ交流バイアス電流を遅
延符号変換信号または遅延送信データより早く立ち上が
り始めさせるとともに遅く立ち下がり始めさせることに
よって、半導体レーザからの光出力信号の立ち上がり、
立ち下がり時間を劣化させることなく、バイアス電流の
平均値を減少させることにより半導体レーザの寿命を向
上させるとともに半導体レーザ駆動装置の低消費電流化
を行なうことができ、その実用的効果は大なるものであ
る。
ロックにより符号変換する符号変換回路、符号変換回路
からの符号変換信号または送信データを遅延する遅延回
路、遅延回路からの遅延符号変換信号または遅延送信デ
ータにより動作するパルス電流駆動回路、送信データま
たは送信クロックに同期し、遅延符号変換信号または遅
延送信データの立ち上がりより早く立ち上がり始めかつ
遅 ！延符号変換信号または遅延送信データ
の立ち下がりより遅く立ち下がり始める交流バイアス電
流を発生する交流バイアス電流駆動回路とで構成され、
バイアス電流を送信クロックまたは送信データに同期さ
せた交流バイアス電流とし、かつ交流バイアス電流を遅
延符号変換信号または遅延送信データより早く立ち上が
り始めさせるとともに遅く立ち下がり始めさせることに
よって、半導体レーザからの光出力信号の立ち上がり、
立ち下がり時間を劣化させることなく、バイアス電流の
平均値を減少させることにより半導体レーザの寿命を向
上させるとともに半導体レーザ駆動装置の低消費電流化
を行なうことができ、その実用的効果は大なるものであ
る。
第１図は第１の実施例の送信クロック同期交流バイアス
電流型半導体レーザ駆動装置の構成図、第２図は送信ク
ロック（ＲＺ） Ｂ 、遅延ＲＺ符号Ｃｄ、パルス電流
工２、送信クロックに同期した交流バイアス電流Ｉ３と
光出力信号りの関係を示す図、第３図は第２の実施例の
送信データ同期交流バイアス電流型半導体レーザ駆動装
置の構成図、第４図は送信データ（ＮＲＺ） Ａ、遅延
送信データ（ＮＲＺ） Ａｄ、パルス電流工２．送信デ
ータに同期した交流バイアス電流■３と光出力信号りの
関係を示す図である。第５図は従来の直流バイアス電流
型半導体レーザ駆動装置の構成図、第６図は送信データ
（ＮＲＺ） Ａ、送信クロック（ＲＺ） Ｂ 、パルス
電流工２、直流バイアス電流工、と光出力信号りの関係
を示す図である。 １ ・・・符号変換回路、 ２・・・パルス電流駆動回
路、 ５ ・・・遅延回路、 ６ ・・・送信クロック
に同期して動作する交流バイアス電流駆動回路、 ７
・・・送信データに同期して動作する交流バイアス電流
駆動回路。 特許出願人 松下電器産業株式会社 第１図 第２図 千導イ本レーデ°の饗ｉ阪−九よりヤＲ第３図 第４図 千ＷイＡ（レーデ゛乃屯広−ｕｐ十計性。 第５図 第６図
電流型半導体レーザ駆動装置の構成図、第２図は送信ク
ロック（ＲＺ） Ｂ 、遅延ＲＺ符号Ｃｄ、パルス電流
工２、送信クロックに同期した交流バイアス電流Ｉ３と
光出力信号りの関係を示す図、第３図は第２の実施例の
送信データ同期交流バイアス電流型半導体レーザ駆動装
置の構成図、第４図は送信データ（ＮＲＺ） Ａ、遅延
送信データ（ＮＲＺ） Ａｄ、パルス電流工２．送信デ
ータに同期した交流バイアス電流■３と光出力信号りの
関係を示す図である。第５図は従来の直流バイアス電流
型半導体レーザ駆動装置の構成図、第６図は送信データ
（ＮＲＺ） Ａ、送信クロック（ＲＺ） Ｂ 、パルス
電流工２、直流バイアス電流工、と光出力信号りの関係
を示す図である。 １ ・・・符号変換回路、 ２・・・パルス電流駆動回
路、 ５ ・・・遅延回路、 ６ ・・・送信クロック
に同期して動作する交流バイアス電流駆動回路、 ７
・・・送信データに同期して動作する交流バイアス電流
駆動回路。 特許出願人 松下電器産業株式会社 第１図 第２図 千導イ本レーデ°の饗ｉ阪−九よりヤＲ第３図 第４図 千ＷイＡ（レーデ゛乃屯広−ｕｐ十計性。 第５図 第６図
Claims (2)
- （１）送信データを送信クロックにより符号変換する符
号変換回路と前記符号変換回路からの符号変換信号を遅
延する遅延回路と前記遅延回路からの遅延符号変換信号
により動作するパルス電流駆動回路と前記送信クロック
に同期し前記遅延符号変換信号の立ち上がりより早く立
ち上がり始め、かつ前記遅延符号変換信号の立ち下がり
より遅く立ち下がり始める交流バイアス電流を発生する
交流バイアス電流駆動回路とを備えたことを特徴とする
半導体レーザ駆動装置。 - （２）送信データを遅延する遅延回路と前記遅延回路か
らの遅延送信データにより動作するパルス電流駆動回路
と前記送信データに同期し、前記遅延送信データの立ち
上がりより早く立ち上が始めかつ前記遅延送信データの
立ち下がりより遅く立ち下がり始める交流バイアス電流
を発生する交流バイアス電流駆動回路とを備えたことを
特徴とする半導体レーザ駆動装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59202053A JPS6180922A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | 半導体レ−ザ駆動装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59202053A JPS6180922A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | 半導体レ−ザ駆動装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6180922A true JPS6180922A (ja) | 1986-04-24 |
Family
ID=16451154
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59202053A Pending JPS6180922A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | 半導体レ−ザ駆動装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6180922A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6335032A (ja) * | 1986-07-30 | 1988-02-15 | Oki Electric Ind Co Ltd | レ−ザダイオ−ド駆動回路 |
| EP0772265A1 (en) * | 1995-11-01 | 1997-05-07 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Laser light source apparatus, OTDR apparatus, and optical communication line inspection system |
| US6256329B1 (en) | 1998-03-11 | 2001-07-03 | Fujitsu Limited | Semiconductor laser driver circuit |
| US7158551B2 (en) | 1999-08-03 | 2007-01-02 | Fujitsu Limited | Driver circuit and driving method for semiconductor laser |
| EP2189806A1 (de) * | 2008-11-20 | 2010-05-26 | Sick Ag | Optoelektronischer Sensor |
| JP2010136244A (ja) * | 2008-12-08 | 2010-06-17 | Toshiba Corp | 送信回路およびコンプリメンタリー光配線システム |
-
1984
- 1984-09-28 JP JP59202053A patent/JPS6180922A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6335032A (ja) * | 1986-07-30 | 1988-02-15 | Oki Electric Ind Co Ltd | レ−ザダイオ−ド駆動回路 |
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| US5771250A (en) * | 1995-11-01 | 1998-06-23 | Sumitomo Electric Indust., Ltd. | Laser light source apparatus, OTDR apparatus, and optical communication line inspection system |
| US6256329B1 (en) | 1998-03-11 | 2001-07-03 | Fujitsu Limited | Semiconductor laser driver circuit |
| US7158551B2 (en) | 1999-08-03 | 2007-01-02 | Fujitsu Limited | Driver circuit and driving method for semiconductor laser |
| EP2189806A1 (de) * | 2008-11-20 | 2010-05-26 | Sick Ag | Optoelektronischer Sensor |
| JP2010123956A (ja) * | 2008-11-20 | 2010-06-03 | Sick Ag | 光電センサ |
| US8279416B2 (en) | 2008-11-20 | 2012-10-02 | Sick Ag | Optoelectronic sensor |
| JP2010136244A (ja) * | 2008-12-08 | 2010-06-17 | Toshiba Corp | 送信回路およびコンプリメンタリー光配線システム |
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