JPS6086550A - 電子写真記録装置 - Google Patents
電子写真記録装置Info
- Publication number
- JPS6086550A JPS6086550A JP19417083A JP19417083A JPS6086550A JP S6086550 A JPS6086550 A JP S6086550A JP 19417083 A JP19417083 A JP 19417083A JP 19417083 A JP19417083 A JP 19417083A JP S6086550 A JPS6086550 A JP S6086550A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- light
- photoconductor
- substrate
- charge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/05—Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
- G03G5/0503—Inert supplements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は電子写真記録装置に係シ、特に半導体レーザ光
などの可干渉性光で光導電体層を感光する記録装置に関
する。
などの可干渉性光で光導電体層を感光する記録装置に関
する。
第１図は本発明を適用する従来のレーザビームプロンよ
／７″ＩＩ！！ＩＩ罰Ｍ〒ネ入−専道冒嘗−暴伏ψ本ス
戚光ドラムｌは図示せざる駆動源によって矢印（イ）方
向に回転させられシ・その表面は帯電器２によって一様
に帯電される。レーザ光３はドラム表面を軸方向に走査
するように照射され、ドラム表面を感光して帯電を消失
して電荷潜像を形成する。このようにして作られた電荷
潜像を現像器４で現像することによってトナー像が形成
される。トナー像が形成されたドラム表面に記録紙５を
接触させ、転写器６で転写用コロナ電荷を作用させるこ
とによってトナー像が記録紙５に転写される。トナー像
転写後のドラム表面はランプ７で一様に露光して残偉電
荷を消去し、残留するトナー像をクリーナ８で清掃する
。
／７″ＩＩ！！ＩＩ罰Ｍ〒ネ入−専道冒嘗−暴伏ψ本ス
戚光ドラムｌは図示せざる駆動源によって矢印（イ）方
向に回転させられシ・その表面は帯電器２によって一様
に帯電される。レーザ光３はドラム表面を軸方向に走査
するように照射され、ドラム表面を感光して帯電を消失
して電荷潜像を形成する。このようにして作られた電荷
潜像を現像器４で現像することによってトナー像が形成
される。トナー像が形成されたドラム表面に記録紙５を
接触させ、転写器６で転写用コロナ電荷を作用させるこ
とによってトナー像が記録紙５に転写される。トナー像
転写後のドラム表面はランプ７で一様に露光して残偉電
荷を消去し、残留するトナー像をクリーナ８で清掃する
。
このようなレーザビームプリンタにおいて、レーザ光３
は可干渉性単色光であるので、光導電記録体で干渉して
光の縞模様を形成するため、とのレーザ光３によって作
られた電荷潜像にも縞模様が重畳される。従って現像さ
れたトナー像も濃淡の模様が重畳されるが、この縞模様
は中間調部や背景部に生じやすい。トナー像にこのよう
な縞模様が発生しないようにするには、現像特性を硬調
とし、オーバ露光する方法が考えられるが、中間調の再
現性が悪くなつ７１ｃシ、細線が飛んでしまうなどの欠
点があった。また現像方法も正規現像方法は縞模様が発
生しやすいので反転現像方法を採用しなければならなか
った。
は可干渉性単色光であるので、光導電記録体で干渉して
光の縞模様を形成するため、とのレーザ光３によって作
られた電荷潜像にも縞模様が重畳される。従って現像さ
れたトナー像も濃淡の模様が重畳されるが、この縞模様
は中間調部や背景部に生じやすい。トナー像にこのよう
な縞模様が発生しないようにするには、現像特性を硬調
とし、オーバ露光する方法が考えられるが、中間調の再
現性が悪くなつ７１ｃシ、細線が飛んでしまうなどの欠
点があった。また現像方法も正規現像方法は縞模様が発
生しやすいので反転現像方法を採用しなければならなか
った。
本発明の目的は、可干渉性光によって光導電体層を感光
しても光の干渉による縞模様の発生を軽減または防止で
きる光導電記録体を有する電子写真記録装置を提供する
ことにある。
しても光の干渉による縞模様の発生を軽減または防止で
きる光導電記録体を有する電子写真記録装置を提供する
ことにある。
この目的を達成するため、本発明は、光導電記録体層を
透過した可干渉性光が反射して干渉するのを軽減または
防止したことを％徴とする。
透過した可干渉性光が反射して干渉するのを軽減または
防止したことを％徴とする。
第２図〜第５図で従来の種々の光導電記録体にレーザ光
などの可干渉性光を照射した場合に干渉縞が発生する理
由を説明する。
などの可干渉性光を照射した場合に干渉縞が発生する理
由を説明する。
第２図の光導電体層の中間部に主感光層をもつ多層光導
電記録体の例で、基板９上に第１光導電体層（電荷搬送
層）１０１第２光導電体層（電荷発生層）１１、第３光
導電体層（表面保護層）１２が積層しである。この光導
電記録体の主感光層は第２光導電体層１１である。例え
ば鏡面仕上けしたＡｔ基板９上に、５０μｍの厚さにＳ
ｅ光導電体層１０を蒸着し、その上に０．５〜１μｍの
厚さにＳｅ−’ｌ’ｅ光導電体層１１を蒸着し、更にそ
の上に２μｍの厚さに５ｅ光導電体層１２ｆｔ蒸着した
ものであるとき、第２光導電体１１のＴｅの含有量を５
〜２０原子チとすると６００〜９００ｎｍの波長の光に
高感度をもち、第１光導電体層１０、第３光導電体層１
２は５ＱＱｎｍ以上の波長の光を良く透過する光導電記
録体となる。か＼る光導電記録体に例えば７８００ｍの
波長の半導体レーザ光ｔ１〜ｔ３を照射すると、レーザ
光ｔｘ−ｔｓは第３光導電体層１２を透過して第２光導
電体層１１で吸光されこれを感光するが、その一部は更
に透過する。この透過光の一部は第２電 光導電体層１１と第１光−一層１９の境界面で反射して
反射光ｔ、／〜ｔｓ’となシ、他の一部は第１光導電体
層１０を透過して基板９０表面で反射して反射光１１“
〜ｔ３“となってイ１）び第１光導電体層１０、第２光
導電体層１１を透過する。反射光ｔ１“は第３光導電体
層１２の表面で再反射して再反射光Ｌ１′〃となって第
１〜第３光導電体層１０〜１２を透過する。このとき透
過光ｔ１“とｔ２′。
電記録体の例で、基板９上に第１光導電体層（電荷搬送
層）１０１第２光導電体層（電荷発生層）１１、第３光
導電体層（表面保護層）１２が積層しである。この光導
電記録体の主感光層は第２光導電体層１１である。例え
ば鏡面仕上けしたＡｔ基板９上に、５０μｍの厚さにＳ
ｅ光導電体層１０を蒸着し、その上に０．５〜１μｍの
厚さにＳｅ−’ｌ’ｅ光導電体層１１を蒸着し、更にそ
の上に２μｍの厚さに５ｅ光導電体層１２ｆｔ蒸着した
ものであるとき、第２光導電体１１のＴｅの含有量を５
〜２０原子チとすると６００〜９００ｎｍの波長の光に
高感度をもち、第１光導電体層１０、第３光導電体層１
２は５ＱＱｎｍ以上の波長の光を良く透過する光導電記
録体となる。か＼る光導電記録体に例えば７８００ｍの
波長の半導体レーザ光ｔ１〜ｔ３を照射すると、レーザ
光ｔｘ−ｔｓは第３光導電体層１２を透過して第２光導
電体層１１で吸光されこれを感光するが、その一部は更
に透過する。この透過光の一部は第２電 光導電体層１１と第１光−一層１９の境界面で反射して
反射光ｔ、／〜ｔｓ’となシ、他の一部は第１光導電体
層１０を透過して基板９０表面で反射して反射光１１“
〜ｔ３“となってイ１）び第１光導電体層１０、第２光
導電体層１１を透過する。反射光ｔ１“は第３光導電体
層１２の表面で再反射して再反射光Ｌ１′〃となって第
１〜第３光導電体層１０〜１２を透過する。このとき透
過光ｔ１“とｔ２′。
ｔ３と１１ ” ＋ ７２“とｔ３′が干渉して第２光
導電体層１１の内部で光の強弱縞模様をつくシ、第２光
導電体層１１を感光するため、電荷潜像はこの干渉縞模
様が重畳したものとなる。実際には更に多くの反射光が
存在して干渉縞を形成する原因となる。最上層の光導電
体１２がない２層の場合でも同様でるる。
導電体層１１の内部で光の強弱縞模様をつくシ、第２光
導電体層１１を感光するため、電荷潜像はこの干渉縞模
様が重畳したものとなる。実際には更に多くの反射光が
存在して干渉縞を形成する原因となる。最上層の光導電
体１２がない２層の場合でも同様でるる。
第３図は基板９上に下地層１３、光導電体層１４を形成
した光導電記録体の場合を示している。
した光導電記録体の場合を示している。
この光導電記録体に半導体レーザ光１１，１．を照射す
ると、ｔ２の一部は光導電体層１４を透過し更にその一
部は下地層１３と光導電体層１４の境界面で反射して反
射光ｔ２′ とな’）、Ａｘの−９の表面で反射して反
射光ｔ１／となって再び光導電体層１４を透過する。こ
の場合も反射光を五′。
ると、ｔ２の一部は光導電体層１４を透過し更にその一
部は下地層１３と光導電体層１４の境界面で反射して反
射光ｔ２′ とな’）、Ａｘの−９の表面で反射して反
射光ｔ１／となって再び光導電体層１４を透過する。こ
の場合も反射光を五′。
ｔ２′が干渉して光導電体層１４を感光するので第２図
の場合と同様に電荷潜像に縞模様が発生する。
の場合と同様に電荷潜像に縞模様が発生する。
この下地層１３による影響は第２図の光導電記録体に下
地層を設けた場合でも同様に発生する。
地層を設けた場合でも同様に発生する。
第４図、第５図は基板９上に第１、第２の光導電体層１
５； １６を設け、第１光４寛体層１５を感光層とし、
第２光導電体層１６を電荷搬送層とした光導電記録装置
を示す。第４図はレーザ光１１が基板９の表面と第１．
第２の光導電体層１５゜１６の境界面で反射してレーザ
光ｔ２と干渉して縞模様を形成する例を示す。また第５
図はレーザ光ｔ１の基板９の表面での反射光と、レーザ
光ｔ２の基板９と第２光導電体層１６との間での反射光
とが干渉する例を示す。
５； １６を設け、第１光４寛体層１５を感光層とし、
第２光導電体層１６を電荷搬送層とした光導電記録装置
を示す。第４図はレーザ光１１が基板９の表面と第１．
第２の光導電体層１５゜１６の境界面で反射してレーザ
光ｔ２と干渉して縞模様を形成する例を示す。また第５
図はレーザ光ｔ１の基板９の表面での反射光と、レーザ
光ｔ２の基板９と第２光導電体層１６との間での反射光
とが干渉する例を示す。
以上のように光導電体層内に侵入した光は光導電体層内
部で干渉したシ、その外に表面保護層、表面絶縁層、下
地層内で干渉してその光が光導電体層を威臀Ｌイ鎮錨洋
ル４μ虚千１ 発明者らは種々の実験によって、この干渉縞模様の発生
が基板９の表面での反射光に最も大きく影響されること
を発見した。
部で干渉したシ、その外に表面保護層、表面絶縁層、下
地層内で干渉してその光が光導電体層を威臀Ｌイ鎮錨洋
ル４μ虚千１ 発明者らは種々の実験によって、この干渉縞模様の発生
が基板９の表面での反射光に最も大きく影響されること
を発見した。
本発明は第２図のように基板９上に電荷搬送層１０、電
荷発生層１１、表面保護層１２からなる三層形成は表面
保該層をもたない二層形の光導電体の場合や第３図の如
き場合に生ずる干渉縞模様を防止する方法に関する。
荷発生層１１、表面保護層１２からなる三層形成は表面
保該層をもたない二層形の光導電体の場合や第３図の如
き場合に生ずる干渉縞模様を防止する方法に関する。
本発明は干渉縞防止の方法として特に基板に特殊な加工
を必要としないもので、電荷搬送層１゜や光導電体層１
４の全体又は１部で、電荷発生層を透過した光の１部を
吸収せしめるものである。
を必要としないもので、電荷搬送層１゜や光導電体層１
４の全体又は１部で、電荷発生層を透過した光の１部を
吸収せしめるものである。
以下実施例で述べる。
第６図は本発明実施例で、基板９、光吸収電荷搬送層１
７、電荷発生層１１、表面保護層１２がら成る。か＼る
構成において電荷発生層を透過した光は光吸収電荷搬送
層１７にてその光の多くを吸収するので、基板９が従来
の如く鏡面ケンスしてあっても反射光は弱く干渉縞も発
生することがない。
７、電荷発生層１１、表面保護層１２がら成る。か＼る
構成において電荷発生層を透過した光は光吸収電荷搬送
層１７にてその光の多くを吸収するので、基板９が従来
の如く鏡面ケンスしてあっても反射光は弱く干渉縞も発
生することがない。
第２図で説明した様に基板、Ｓｅ、Ｓｅ ’ｌ’ｅ。
Ｓｅ層の順に積層したものであるとき、本発明を適用す
る場合、基板９上に形成する光吸収電荷搬送層１７のＳ
ｅを蒸着する際基板温度を８０〜８５Ｕとなし、第７図
の如く、従来の（イ）がら←）のように長波長側に感度
をもつ８０層とし光吸収特性をわずかにもたせると７５
０〜８３０ｎｍの半導体レーザを用いたとき可干渉光に
対する感度は殆んど変化しないが干渉縞は発生しない。
る場合、基板９上に形成する光吸収電荷搬送層１７のＳ
ｅを蒸着する際基板温度を８０〜８５Ｕとなし、第７図
の如く、従来の（イ）がら←）のように長波長側に感度
をもつ８０層とし光吸収特性をわずかにもたせると７５
０〜８３０ｎｍの半導体レーザを用いたとき可干渉光に
対する感度は殆んど変化しないが干渉縞は発生しない。
この光吸収電荷搬送層１７は必ずしも層全体にゎた多形
成する必要はなく１部につくっても良い即ち層１７を蒸
着する初期、途中又は後半に処理しても良いのである。
成する必要はなく１部につくっても良い即ち層１７を蒸
着する初期、途中又は後半に処理しても良いのである。
このように、表面保護層は光を良く透過し、電荷発生層
では光を吸収し感光性を与え、光吸収電荷搬送層では電
荷発生層を透過した光の多くを吸収し、電荷発生層で発
生した電荷を搬送する。
では光を吸収し感光性を与え、光吸収電荷搬送層では電
荷発生層を透過した光の多くを吸収し、電荷発生層で発
生した電荷を搬送する。
次に他の実施例として電荷搬送層として有機光導電体を
可干渉光として半導体レーザを用いる場合で説明する。
可干渉光として半導体レーザを用いる場合で説明する。
この場合を表面保ｉｆ！ Ｍ＃、電荷発生層は有機、無
機物質のいずれでも良いが以下では有機物質の場合で述
べる。電荷搬送層を有機光導電体としたときその光吸収
特性の設計の自由度が大きい特徴がある。
機物質のいずれでも良いが以下では有機物質の場合で述
べる。電荷搬送層を有機光導電体としたときその光吸収
特性の設計の自由度が大きい特徴がある。
基板９に鏡面ケンスしたＡｔ板を用い、その上にポリカ
ーボネイトとポリビニルカルバゾール又はジスアゾ誘導
体を１＝１〜５：１の割で有機溶剤で溶かし塗布し１０
〜２０μの電荷搬送層１゜とし、次に銅７タロシアンを
主体とする電荷発生層１１を約１μの厚さに塗布し、更
にその上に保睦層１２を電荷搬送層と同じ組成のものを
１〜２μの厚さに形成した。か＼る構成で、７８０ｎｍ
の半導体レーザ光を用い記録した所、半導体レーザ光の
１部が電荷発生層１１、電荷搬送層を通過、さらに基板
９表面で反射し、前述した理由にょシ干渉縞が発生した
。そこで、本発明にもとづき、電荷搬送層１０に少量の
銅フタロシアニン或はニグロシン染料或はカーボンを添
加し、電荷搬送層を通過する半導体レーザ光を吸収する
ようにした所干渉縞の発生はなくなった。また光吸収剤
の代シに、Ｓ １０ｚのような微粒子を混入し、光散乱
せしめた場合でも同様の効果があった。また、か＼る光
吸収性或は散乱性の層は、電荷搬送層全体に作用が及ぼ
すようにする必要はな七、層の１部でも良く、特に基板
と接する部分に設けると電荷搬送層としての特性をそこ
なうことも少なく、また干渉防止効果ももたせることが
出来好ましい。
ーボネイトとポリビニルカルバゾール又はジスアゾ誘導
体を１＝１〜５：１の割で有機溶剤で溶かし塗布し１０
〜２０μの電荷搬送層１゜とし、次に銅７タロシアンを
主体とする電荷発生層１１を約１μの厚さに塗布し、更
にその上に保睦層１２を電荷搬送層と同じ組成のものを
１〜２μの厚さに形成した。か＼る構成で、７８０ｎｍ
の半導体レーザ光を用い記録した所、半導体レーザ光の
１部が電荷発生層１１、電荷搬送層を通過、さらに基板
９表面で反射し、前述した理由にょシ干渉縞が発生した
。そこで、本発明にもとづき、電荷搬送層１０に少量の
銅フタロシアニン或はニグロシン染料或はカーボンを添
加し、電荷搬送層を通過する半導体レーザ光を吸収する
ようにした所干渉縞の発生はなくなった。また光吸収剤
の代シに、Ｓ １０ｚのような微粒子を混入し、光散乱
せしめた場合でも同様の効果があった。また、か＼る光
吸収性或は散乱性の層は、電荷搬送層全体に作用が及ぼ
すようにする必要はな七、層の１部でも良く、特に基板
と接する部分に設けると電荷搬送層としての特性をそこ
なうことも少なく、また干渉防止効果ももたせることが
出来好ましい。
このことは前実施例の９６の場合にもあてはまる。
以上のように第２図の電荷搬送層に光吸収性又は散乱性
をもたせると同様の効果は、第３図の如き構成でも出す
ことができる。この場合にとくに光導電体層１４の下部
即ち下地層１３との境界近傍に光吸収性或は散乱性をも
たせると感度低下を起すことなく干渉しまの発生を防止
できる。第３図への適用例としては、光導電体にａ−８
ｉを用いたと！、ａ−８ｉ層をスパッタによ多形成する
際、カーボン、銅フタロシアニンを同時に微量スパッタ
蒸着することで作成できる。
をもたせると同様の効果は、第３図の如き構成でも出す
ことができる。この場合にとくに光導電体層１４の下部
即ち下地層１３との境界近傍に光吸収性或は散乱性をも
たせると感度低下を起すことなく干渉しまの発生を防止
できる。第３図への適用例としては、光導電体にａ−８
ｉを用いたと！、ａ−８ｉ層をスパッタによ多形成する
際、カーボン、銅フタロシアニンを同時に微量スパッタ
蒸着することで作成できる。
更に第３図の如き構成において、光導電体層１４の上に
普護層を設けたものにも本発明は適用できる。
普護層を設けたものにも本発明は適用できる。
以上の如く本発明は光導電体層または電荷搬送層を通過
し、基板又は層境界面で反射した光で生ずる可干渉光に
よる縞状像を防止するため、光導電体層または電荷搬送
層において可干渉光の１部を吸収するものであり、画像
濃度むらのない良画儂を得ることができる。
し、基板又は層境界面で反射した光で生ずる可干渉光に
よる縞状像を防止するため、光導電体層または電荷搬送
層において可干渉光の１部を吸収するものであり、画像
濃度むらのない良画儂を得ることができる。
第１図は本発明を適用するレーザビームプリンタの構造
図、第２図〜第５図は従来の干渉縞発生現象説明図、第
６図、第７図は本発明による光導電体の説明図である。 第１ω 第２図 第３図 第４−ω ％ｔ３ｍ 箋乙図 箋９図 番
図、第２図〜第５図は従来の干渉縞発生現象説明図、第
６図、第７図は本発明による光導電体の説明図である。 第１ω 第２図 第３図 第４−ω ％ｔ３ｍ 箋乙図 箋９図 番
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上に光導電体層を形成した光導電記録体に可干
渉性光を照射し電荷潜像を形成する電子写真記録装置に
おいて、光導電体層中に可干渉光を吸収又は散乱する物
質を混入或は該層中に吸収又は散乱する層を設けたこと
を特徴とする電子写真記録装置う ２、特許請求の範囲第１項において、前記可干渉性光を
半導体レーザとしたことを特徴とする電子写真記録装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19417083A JPS6086550A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | 電子写真記録装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19417083A JPS6086550A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | 電子写真記録装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6086550A true JPS6086550A (ja) | 1985-05-16 |
Family
ID=16320089
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19417083A Pending JPS6086550A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | 電子写真記録装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6086550A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61107248A (ja) * | 1984-10-31 | 1986-05-26 | Canon Inc | 積層型電子写真感光体 |
| JPS61163345A (ja) * | 1985-01-16 | 1986-07-24 | Canon Inc | 電子写真感光体 |
| JPS61238060A (ja) * | 1985-04-16 | 1986-10-23 | Canon Inc | 電子写真感光体及びその画像形成法 |
| US4766048A (en) * | 1986-02-20 | 1988-08-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member having surface layer containing fine spherical resin powder and apparatus utilizing the same |
| US5166023A (en) * | 1989-05-30 | 1992-11-24 | Fuji Xerox Corporation, Ltd. | Electrophotographic photoreceptor and related method |
| US5332643A (en) * | 1988-09-26 | 1994-07-26 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Method of wet honing a support for an electrophotographic photoreceptor |
| EP0716348A2 (en) | 1994-12-07 | 1996-06-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge including same and image forming apparatus |
-
1983
- 1983-10-19 JP JP19417083A patent/JPS6086550A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61107248A (ja) * | 1984-10-31 | 1986-05-26 | Canon Inc | 積層型電子写真感光体 |
| JPH0480382B2 (ja) * | 1984-10-31 | 1992-12-18 | Canon Kk | |
| JPS61163345A (ja) * | 1985-01-16 | 1986-07-24 | Canon Inc | 電子写真感光体 |
| JPH0462577B2 (ja) * | 1985-01-16 | 1992-10-06 | Canon Kk | |
| JPS61238060A (ja) * | 1985-04-16 | 1986-10-23 | Canon Inc | 電子写真感光体及びその画像形成法 |
| JPH0547101B2 (ja) * | 1985-04-16 | 1993-07-15 | Canon Kk | |
| US4766048A (en) * | 1986-02-20 | 1988-08-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member having surface layer containing fine spherical resin powder and apparatus utilizing the same |
| US5332643A (en) * | 1988-09-26 | 1994-07-26 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Method of wet honing a support for an electrophotographic photoreceptor |
| US5166023A (en) * | 1989-05-30 | 1992-11-24 | Fuji Xerox Corporation, Ltd. | Electrophotographic photoreceptor and related method |
| EP0716348A2 (en) | 1994-12-07 | 1996-06-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge including same and image forming apparatus |
| US5834145A (en) * | 1994-12-07 | 1998-11-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitve member and image forming apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0727243B2 (ja) | クロロインジウムフタロシアニンを含む感光性像形成部材 | |
| JPH0319541B2 (ja) | ||
| JPS6086550A (ja) | 電子写真記録装置 | |
| US4952473A (en) | Photosensitive member for electrophotography | |
| JPH0526190B2 (ja) | ||
| JPS6129851A (ja) | 電子写真装置 | |
| US5219698A (en) | Laser imaging method and apparatus for electrophotography | |
| JPH0210948B2 (ja) | ||
| US4669855A (en) | Electrophotographic apparatus for obtaining visible images by irradiation of an amorphous silicon photosensitive member and method therefore | |
| US3512967A (en) | Electrophotographic method and member for contact printing of relatively opaque documents | |
| JP2964515B2 (ja) | 静電潜像形成体 | |
| JPH04170554A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| Champ | A photoconductor for laser printers | |
| JPS5840560A (ja) | 静電潜像形成方法 | |
| US3481734A (en) | Photoelectrostatic recording member useful for contact photoprinting | |
| JPS63106757A (ja) | 像形成方法及び感光体 | |
| JPS5910964A (ja) | 画像記録装置 | |
| JPH054671B2 (ja) | ||
| JP2784828B2 (ja) | 画像形成装置 | |
| JPH0544668B2 (ja) | ||
| JPH039364A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH0193764A (ja) | 画像形成装置 | |
| JPS56135848A (en) | Electrophotographic method | |
| JPS59185352A (ja) | 画像形成方法 | |
| JPH0193772A (ja) | 画像形成方法 |