JPS6084883A - バイポ−ララテラル磁気トランジスタ - Google Patents

バイポ−ララテラル磁気トランジスタ

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Publication number
JPS6084883A
JPS6084883A JP59138056A JP13805684A JPS6084883A JP S6084883 A JPS6084883 A JP S6084883A JP 59138056 A JP59138056 A JP 59138056A JP 13805684 A JP13805684 A JP 13805684A JP S6084883 A JPS6084883 A JP S6084883A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
region
conductivity type
magnetic transistor
transistor
semiconductor substrate
Prior art date
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Pending
Application number
JP59138056A
Other languages
English (en)
Inventor
ヨルダン・デイミトロフ・カサボフ
ニコレイ・ドミトリエビツチエ・スミルノフ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
INST PHYS TVARDOTO TYALO
Original Assignee
INST PHYS TVARDOTO TYALO
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Filing date
Publication date
Application filed by INST PHYS TVARDOTO TYALO filed Critical INST PHYS TVARDOTO TYALO
Publication of JPS6084883A publication Critical patent/JPS6084883A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/82—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by variation of the magnetic field applied to the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70—Bipolar devices
    • H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
    • H01L29/73—Bipolar junction transistors
    • H01L29/735—Lateral transistors

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  • Measuring Magnetic Variables (AREA)
  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は磁界センサとして使用されるパイポー２ラテ
ラル磁気トランジスタに関する。
第１導電型の半導体基板と、この半導体基板の上表面に
連続かつ離間して形成される領域であって、前記半導体
基板と同じ導電型の第１ペース領域と、第２導電型の注
入領域と、第２導電型のコレクタ領域と、第１導電型の
第２に−ス領域から成るバイポーララテラル磁気トラン
ジスタが知られている。このトランジスタでは外部磁界
は磁気トランジスタの側面により、電流線に垂直に印加
される。
しかし、このような磁気トランジスタでは０．５μＡ以
上の電流磁界には感度が悪いという欠点がある。
この発明の目的は、コレクタ電流が大きくても磁界の感
度が良い磁気トランジスタを提供することである。
上記目的を達成するためにこの発明のバイポーララテラ
ル磁気トランジスタは、第１導電型の半導体基板と、そ
れぞれ前記半導体基板の上表面に、連続かつ離間して作
られる領域であって、前記第１導電型と同じ導電型の第
１ペース領域と、第２導電型の注入領域と、前記第２導
電型と同じ導電型のコレクタ領域と、前記第１導電型と
同じ導電型の第２ペース領域と、前記第１ペース領域の
反対側に形成され、前些第２、導電型と同じ導電型の第
２注入領域とで構成される。
この発明のバイポーラ２チラル磁気１ランジオー スタによれば、２又は３のヤダのコレクタ電流の増大に
伴って発生する非常に弱い磁界を検出することができる
。
以下図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。
バイポーララテラル磁気トランジスタはｎ型導電性を有
する半導体基板１と、この半導体基板ノの上表面に連続
かつ離間して形成される、ｎＩ５＆導電性の第１ペース
領域２と、ｐ型導電性を有する注入領域３と、ｐ型導電
性を有するコレクタ領域４と、ｎ型導電性を有する第２
ペース領域５とで構成される。さらにｐ型導電性を有す
る第２注入領域が第１ペース領域２の反対側に形成され
ている。
注入領域３および６は共に接続され、外部ＯＣ電詐Ｕ　
Ｉから、第２ペース領域５に対して順方向パイスス電圧
がかけられる。前記ペース領域５と同一電源同極性の電
圧が第１ペース領域２に印加される。コレクタｐ−ｎ接
合は、負荷抵抗Ｒ，を介して第２電圧源Ｕ２から第２ペ
ース領域５に対して逆バイアスされる。
一定又は交替外部磁界が磁気トランジスタの側面に垂直
に印加され、出力信号はコレクタ領域４と第２ベース領
域５０間から取出される。
次にこのバイポーララテラル磁気トランジスタの動作を
説明する。
この素子は、電源電圧ｔｒ、および調整抵抗Ｒ１および
Ｒ，により動作する。２つの領域３および６が、前記基
板１に、同時に小数キャリアを注入する。そのとき、注
入領域３は負性抵抗として動作する。この磁気トランジ
スタのルクタ電流は、注入領域３から、前記基板ｌに注
入された小数キャリアの電流により主に決定される。磁
界Ｂは注入領域３および６から注入された小数キャリア
に影響し、その磁界の方向によシコレクタ電流が増減す
る。
【図面の簡単な説明】
図はこの発明の一実施例を示す一部断面斜視図であろう １・・・半導体基板、２．５・・・ペース領域、３゜６
・・・注入領域、４・・・コレクタ領域。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 第１導電型の半導体基板と、それぞれ前記半導体基板の
    上表面に連続かつ離間して作られる領域であって、前記
    第１導電型と同じ導電型の第１ペース領域と、第２導電
    型の第１注入領域と、前記第２導電型と同じ導電型のコ
    レクタ領域と、前記第１導電型と同じ導電型の第２ベー
    ス領域と、前記第１ペース領域の反対側に形成され、前
    記第２導電型と同じ導電型の第２注入領域とから成るこ
    とを特徴とするバイポーラ２チラル磁気トランジスタ。
JP59138056A 1983-07-08 1984-07-05 バイポ−ララテラル磁気トランジスタ Pending JPS6084883A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
BG61655 1983-07-08
BG8361655A BG37507A1 (en) 1983-07-08 1983-07-08 Bipolar lateral magnetotransistor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6084883A true JPS6084883A (ja) 1985-05-14

Family

ID=3912453

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59138056A Pending JPS6084883A (ja) 1983-07-08 1984-07-05 バイポ−ララテラル磁気トランジスタ

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JP (1) JPS6084883A (ja)
BG (1) BG37507A1 (ja)
DE (1) DE3424631A1 (ja)
FR (1) FR2548834B1 (ja)
GB (1) GB2143085B (ja)
IT (1) IT1199153B (ja)
SU (1) SU1702458A1 (ja)

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Publication number Publication date
GB8416766D0 (en) 1984-08-08
GB2143085B (en) 1986-10-29
FR2548834B1 (fr) 1989-01-06
DE3424631A1 (de) 1985-01-17
SU1702458A1 (ru) 1991-12-30
GB2143085A (en) 1985-01-30
IT8448515A0 (it) 1984-07-05
DE3424631C2 (ja) 1989-08-31
IT1199153B (it) 1988-12-30
BG37507A1 (en) 1985-06-14
FR2548834A1 (fr) 1985-01-11

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