DE3424631A1 - Bipolarer lateraler magnetotransistor - Google Patents

Bipolarer lateraler magnetotransistor

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DE3424631A1
DE3424631A1 DE19843424631 DE3424631A DE3424631A1 DE 3424631 A1 DE3424631 A1 DE 3424631A1 DE 19843424631 DE19843424631 DE 19843424631 DE 3424631 A DE3424631 A DE 3424631A DE 3424631 A1 DE3424631 A1 DE 3424631A1
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magnetotransistor
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bipolar lateral
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    • H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
    • H01L29/73—Bipolar junction transistors
    • H01L29/735—Lateral transistors

Description

-2-Bipolarer lateraler Magnetotransistor
Die Erfindung betrifft einen bipolaren lateralen Magnetotransistor/ der als Magnetfeldgeber verwendet wird.
Es ist ein bipolarer lateraler Magnetotransistor bekannt (I.R.S. Popovic, Baltes, H.P. An investigation of the sensitivity of lateral magnetotransistors, IEEE EL.DEV.LETTERS, Vol. EDL-4, Nr. 3, März 1983), der ein Halbleitersubstrat eines ersten Leitungstyps enthält, in dessen einer Ober^- fläche nacheinander und im Abstand voneinander eine erste Basiszone desselben Leitfähigkeitstyps, eine Inpektionszone des zweiten Leitfähigkeitstyps, eine Kollektorzone des zweiten Leitfähigkeitstyps und eine zweite Basiszone des ersten Leitfähigkeitstyps angeordnet sind. Das äußere Magnetfeld wird seitlich zum Magnetotransistor senkrecht zu den Stromlinien angesetzt.
Ein Nachteil dieses Magnetotransistors ist es, daß er eine verhältnismäßig niedrige magnetische Empfindlichkeit für Kollektorströme größer als 0/5 μΑ aufweist.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen bipolaren lateralen Magnetotransistor mit hoher magnetischer Empfindlichkeit bei höheren Kollektorströmen zu entwickeln.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch einen bipolaren lateralen Magnetotransistor gelöst, der ein Halbleitersubstrat des ersten Leitungstyps
enthält, in dessen einer Oberfläche nacheinander und im Abstand voneinander eine erste Basiszone desselben Leitungstyps, eine Injektionszone des zweiten Leitungstyps, eine Kollektorzone des zweiten Leitungstyps und eine zweite Basiszone des ersten Leitungstpys angeordnet sind. Der bipolare laterale-Magnetotransistor ist dadurch gekennzeichnet, daß an der anderen Seite der ersten Basiszone eine zweite Injektionszone des zweiten Leitungstyps angeordnet ist.
Die Vorteile des erfindungsgemäßen Transistors sind eine erhöhte magnetische Empfindlichkeit und die Möglichkeit zur Feststellung von ganz schwachen Magnetfeldern bei gleichzeitiger Erhöhung des Ausgangskollektorstroms um zwei bis drei Größenordnungen. Als Ergebnis ist der Rauschabstand des Geräts erhöht und es kann aufgrund seiner Charakteristik als mit bipolaren Transistoren kompatibel angesehen werden.
Eine beispielsweise Ausführung des bipolaren lateralen Magnetotransistors gemäß der Erfindung ist in der Figur näher dargestellt, in der die Konstruktion und das Anschlußschema gezeigt wird.
Der bipolare laterale Magnetotransistor besteht aus einem η-leitenden Halbleitersubstrat 1, in dessen oberer Oberfläche nebeneinander aufeinanderfolgend angeordnet und einen Abstand voneinander aufweisend eine erste, η-leitende Basiszone 2, eine erste, p-leitende Injektionszone 3, eine p-leitende Kollektorzone 4 und eine zweite, η-leitende Basiszone 5 ausgebildet sind. An der anderen Seite der ersten Basiszone 2 ist eine zweite, p-leitende
-4-Injektionszone 6 angeordnet.
Die Injektionszonen 3 und 6 sind miteinander verbunden und in gerader Richtung bezüglich der Basis 5 mit einer Gleichspannungsquelle verbunden, die eine Speisespannung U-j abgibt. An der Basis 2 liegt bezüglich der Basis 5 aus derselben Quelle eine Spannung mit derselben Polarität an. Der Kollektorübergang p-n ist in Gegenrichtung hinsichtlich der Basis 5 mit einer zweiten, eine Spannung U2 abgebenden Gleichspannungsquelle verbunden. In seinen Stromkreis ist ein Lastwiderstand R„ geschaltet. An die Seite des Magnetotransistors wird senkrecht ein äußeres Gleich- oder Wechselmagnetfeld B angelegt, während das Ausgangssignal zwischen dem Kollektor 4 und der Basis 5 registriert wird.
Die Arbeitsweise des bipolaren lateralen Magnetotransistors ist die folgende:
Mittels der Speisespannung U-j und den regelbaren Widerständen R- und R2 wird der Arbeitspunkt des Geräts ausgewählt, bei dem beide Injektionszonen 3 und 6 gleichzeitig nicht-basische Träger in das Substrat 1 injizieren. Dabei arbeitet die Injektionszone 3 als negativer Widerstand. Der Kollektorstrom des bipolaren lateralen Magnetotransistors wird wesentlich durch den Strom der nicht-basischen Träger, welche in das Substrat 1 der Injektionszone 3 injiziert sind, bestimmt. Das Magnetfeld B wirkt auf die nicht-basischen Träger der Injektionszonen 3 und 6 und in Abhängigkeit seiner Richtung wird der Kollektorstrom erhöht
oder verringert.
- Leerseite -

Claims (1)

  1. FUN ER EBBINGHAUS FINCK
    PATENTANWÄLTE EUROPEAN PATENT ATTORNEYS
    MARIAHILFPLATZ 2 & 3, MÖNCHEN 9O 3 Λ 2 A 6 ^
    POSTADRESSE: POSTFACH 95 O1 6O, D-8OOO MÜNCHEN 95
    4. Juli 1984 DEAB-32020.7
    INSTITUT PO PHYSIKA NA TVARDOTO TJALO
    Bipolarer lateraler Magnetotransistor
    Pa tentan spruch
    Bipolarer lateraler Magnetotransistor, mit einem Halbleitersubstrat (1) eines ersten Leitungstyps, in dessen einer Oberfläche nacheinander und im Abstand voneinander eine erste Basiszone (2) desselben Leitungstyps, eine erste Injektionszone (3) des zweiten Leitungstyps, eine Kollektorzone (4) des zweiten Leitungstyps und eine zweite Basiszone (5) des ersten Leitungstyps angeordnet sind, dadurch gekennzeichnet, daß an der anderen Seite der ersten Basiszone (2) eine zweite Injektionszone (6) des zweiten Leitungstyps angeordnet ist.
DE19843424631 1983-07-08 1984-07-04 Bipolarer lateraler magnetotransistor Granted DE3424631A1 (de)

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BG8361655A BG37507A1 (en) 1983-07-08 1983-07-08 Bipolar lateral magnetotransistor

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IT (1) IT1199153B (de)
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JPS6084883A (ja) 1985-05-14
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FR2548834B1 (fr) 1989-01-06
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