SU1702458A1 - Бипол рный латеральный магнитотранзистор - Google Patents
Бипол рный латеральный магнитотранзистор Download PDFInfo
- Publication number
- SU1702458A1 SU1702458A1 SU847773490A SU7773490A SU1702458A1 SU 1702458 A1 SU1702458 A1 SU 1702458A1 SU 847773490 A SU847773490 A SU 847773490A SU 7773490 A SU7773490 A SU 7773490A SU 1702458 A1 SU1702458 A1 SU 1702458A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- region
- conductivity
- type
- conductivity type
- contact base
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 6
- 239000000969 carrier Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000036039 immunity Effects 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/82—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by variation of the magnetic field applied to the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/73—Bipolar junction transistors
- H01L29/735—Lateral transistors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к бипол рному латеральному магниготранзистору, который используетс в качестве датчика магнитного пол . Цель изобретени - повышение магниточувствительности. Бипол рный латеральный магтпотранзистор включает полупроводниковую пластину первого типа проводимости, в приповерхностной области которой сформированы последовательно на рассто нии дру( от друга перва контактна базова область первого типа проводимости, инжекторна область второго типа проводимости, коллекторна область второго типа проводимости и втора контактна базова область первого типа проводимости. В приповерхностной области пластины дополнительно сформирована втора инжекторна область второго типа проводимости, расположенна с противоположной сюроны от первой контактной базовой области ча рассто ни,. большем, чем оассю ние между первой контактной базо&ой областью и первой инжекторной областью, Введение дополг-:.- тельной инжекторной области погон ет управл ть коллекторным токлм в зависимо сти от направлени магнитного пол , что позвол ет детектировать г..рнь слабые магнитные пол . 1 ил. С
Description
Изобретение относитс к микроэлектронике , а именно к бипол рным латеральным магнитотранзисторам используемым в качестве датчиков магнитного пол .
Известны бипол рные магнитотранзи- сторы содержащие эмиттер, базу и коллектор с соответствующими контактами
Недостатком такого транзистора вл - е)С невысокое значение магниточувстви- тельностм, обусловленное размерами базовой области и расположением коллекторной области.
Наиболее близким к предлагаемому вл етс бипол рный ла1еральиый магнито- транзистор. содержащий полупроводниковую пластину первого типа ПрОГОЛИМОС И В приповерхностной области которой сфс.- мироеаны последовательно на очссто нии друг от друга перва контактна базова область периоготипа проводимости, игжек- торна область второго типа проводимо тп коллекторна область второго типа проводимости и втора контактна базовач область первого типа проводимости.
Однако известный бипол рный латеральный транзистор характеризуетс низ кой магниточувстви гель н остью г о и коллекторных токах, превышающих 0 5 л л
Цель изобретени - повышение магни- точувствитетьности.
г
kl
Р
И 4
СП СО
Поставленна цель достигаетс тем, что в бипол рном латеральном магнитотран- зисторе, содержащем полупроводниковую пластину первого типа проводимости, в приповерхностной области которой сформированы последовательно на рассто нии друг от друга перва контактна базова область первого типа проводимости, инжекторна область второго типа проводимости, коллекторна область второго типа проводимости и втора контактна базова область первого типа проводимости, в приповерхностной области пластины дополнительно сформирована втора инжекторна область второго типа проводимости, расположенна с противоположной стороны от первой контактной базовой области на рассто нии большем, чем рассто ние между первой контактной базовой областью и первой инжекторной областью.
На чертеже приведен бипол рный латеральный магниготранзистор, поперечный разрез, со схемой его внешнего соединени .
Бипол рный латеральный магнитотран- зистор состоит из полупроводниковой пластины 1 первого типа проводимости, в приповерхностной области которой сформированы посл-,:дорэтельно расположенные на рассто нии один от другого перва контактна базова область 2 первого типа проводимости, инжекторна область 3 второго типа проводимости, коллекторна область 4 второго типа проводимости и втора контактна базова область 5 первого типа проводимости. С другой стороны первой контактной базовой области 2 расположена дополнительна инжекторна область 6 второго типа проводимости. Инжекторные области 3 и 6 соединены между собой и подключены в пр мом направлении по отношению к второй контактной базовой области 5 с источником питани Ui. Перва контактна базова область 2 подключена к тому же источнику питани Ui и по отношению к второй контактной базовой области той же пол рности. Коллекторный р-п-пере- ход, образованный област ми 4 и 1, подключен в обратном направлении по отношению к второй контактной базовой области 5 и второму источнику посто нного напр жени U2, в его цепь подсоединено сопротивление нагрузки RK. Внешнее посто нное
или переменное магнитное поле В расположено перпендикул рно со стороны маг- нитотранзистора. Выходной сигнал снимаетс между коллекторной областью 4
и второй контактной базовой областью 5.
Устройство работает следующим образом .
Посредством напр жени питани Ui и регулируемых сопротивлений RI и R2 выбирают режим действи прибора, при котором обе инжекторные области 3 и 6 инжектируют одновременно неосновные носители в пластине 1, при этом инжекторна область 3 работает в режиме отрицательного сопротивлени . Коллекторный ток магнитотран- зистора определ етс током неосновных носителей, инжектированных в пластину 1 инжекторной областью 3. Магнитное поле В воздействует на инжектированные неосновные носители инжекторных областей 3 и 6, и в зависимости от направлени коллекторный ток повышаетс или понижаетс .
Введение дополнительной инжекторной областипозвол ет повысить
магниточувствительность и возможность
детектировани очень слабых магнитных
полей при одновременном повышении
коллекторного тока на два-три пор дка, что
способствует повышению помехозащищеннести .
Claims (1)
- Формула изобретени Бипол рный латеральный магнитотран- зистор, включающий полупроводниковуюпластину первого типа проводимости, в приповерхностной области которой сформированы последовательно на рассто нии одна от другой перва контактна базова область первого типа проводимости, инжек;орна область второго типа проводимости, коллекторна область второго типа проводимости и втора контактна базова область первого типа проводимости, отличающийс тем, что, с целью повышенимагниточувствительности, в приповерхностной области пластины дополнительно сформирована втора инжекторна область второго типа проводимости, расположенна с противоположной стороны от первой контактной базовой области на рассто ниибольшем, чем рассто ние между первой контактной базовой областью и первой инжекторной областью.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| BG8361655A BG37507A1 (en) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | Bipolar lateral magnetotransistor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU1702458A1 true SU1702458A1 (ru) | 1991-12-30 |
Family
ID=3912453
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU847773490A SU1702458A1 (ru) | 1983-07-08 | 1984-07-05 | Бипол рный латеральный магнитотранзистор |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6084883A (ru) |
| BG (1) | BG37507A1 (ru) |
| DE (1) | DE3424631A1 (ru) |
| FR (1) | FR2548834B1 (ru) |
| GB (1) | GB2143085B (ru) |
| IT (1) | IT1199153B (ru) |
| SU (1) | SU1702458A1 (ru) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3733836A1 (de) * | 1987-10-07 | 1989-04-27 | Messerschmitt Boelkow Blohm | Magnetfeldsonde zur messung der magnetfeldstaerke unter verwendung des halleffektes |
| US5591996A (en) * | 1995-03-24 | 1997-01-07 | Analog Devices, Inc. | Recirculating charge transfer magnetic field sensor |
| DE10105186A1 (de) * | 2001-02-06 | 2002-08-29 | Bosch Gmbh Robert | Halbleiteranordnung, Strommesser und Kraftfahrzeug |
| JP5069776B2 (ja) * | 2010-06-28 | 2012-11-07 | パナソニック株式会社 | 磁気検出装置 |
| CN107356885B (zh) * | 2017-08-18 | 2023-06-02 | 黑龙江大学 | 一种单片集成二维磁场传感器及其制作工艺 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0099979B1 (de) * | 1982-07-26 | 1987-04-08 | LGZ LANDIS & GYR ZUG AG | Magnetfeldsensor und dessen Verwendung |
-
1983
- 1983-07-08 BG BG8361655A patent/BG37507A1/xx unknown
-
1984
- 1984-07-02 GB GB08416766A patent/GB2143085B/en not_active Expired
- 1984-07-04 DE DE19843424631 patent/DE3424631A1/de active Granted
- 1984-07-05 IT IT48515/84A patent/IT1199153B/it active
- 1984-07-05 SU SU847773490A patent/SU1702458A1/ru active
- 1984-07-05 JP JP59138056A patent/JPS6084883A/ja active Pending
- 1984-07-06 FR FR8410740A patent/FR2548834B1/fr not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| IT1199153B (it) | 1988-12-30 |
| GB2143085A (en) | 1985-01-30 |
| JPS6084883A (ja) | 1985-05-14 |
| DE3424631A1 (de) | 1985-01-17 |
| BG37507A1 (en) | 1985-06-14 |
| GB8416766D0 (en) | 1984-08-08 |
| FR2548834B1 (fr) | 1989-01-06 |
| FR2548834A1 (fr) | 1985-01-11 |
| DE3424631C2 (ru) | 1989-08-31 |
| IT8448515A0 (it) | 1984-07-05 |
| GB2143085B (en) | 1986-10-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH06296010A (ja) | 位置検出器および位置変換器ー符号器 | |
| US9252355B2 (en) | Low offset and high sensitivity vertical hall effect sensor | |
| US3668439A (en) | Magnetically operated semiconductor device | |
| SU1702458A1 (ru) | Бипол рный латеральный магнитотранзистор | |
| US4286279A (en) | Multilayer semiconductor switching devices | |
| US6744250B2 (en) | Device for measuring the strength of a vector component of a magnetic field, current-measuring device and use of a field-effect transistor | |
| US3714559A (en) | Method of measuring magnetic fields utilizing a three dram igfet with particular bias | |
| US5099298A (en) | Magnetically sensitive semiconductor device | |
| GB1193465A (en) | Improvements in Semiconductor Integrated Circuits | |
| US4032953A (en) | Sensing circuits | |
| RU2284612C2 (ru) | Полупроводниковый магнитный преобразователь | |
| Zieren et al. | Comment on" Magnetic transistor behavior explained by modulation of emitter injection, not carrier deflection" | |
| US3585462A (en) | Semiconductive magnetic transducer | |
| ES437555A1 (es) | Circuito de deteccion. | |
| RU2387046C1 (ru) | Интегральный токомагнитный датчик на основе биполярного магнитотранзистора | |
| RU2127007C1 (ru) | Магниточувствительный биполярный транзистор | |
| RU2300824C1 (ru) | Интегральный токомагнитный датчик со светодиодным индикатором | |
| EP0305978A2 (en) | Magnetoelectric element and magnetoelectric apparatus | |
| SU505219A1 (ru) | Магниточувствительный элемент | |
| RU2055419C1 (ru) | Магниточувствительный биполярный транзистор | |
| RU1452410C (ru) | Магниточувствительный прибор | |
| RU2239916C1 (ru) | Полупроводниковый прибор, чувствительный к магнитному полю | |
| SU930175A1 (ru) | Датчик магнитного пол | |
| RU2008748C1 (ru) | Магнитотранзистор | |
| EP0040640A1 (en) | Magnetically sensitive semiconductor device |