SU505219A1 - Магниточувствительный элемент - Google Patents

Магниточувствительный элемент Download PDF

Info

Publication number
SU505219A1
SU505219A1 SU741982535A SU1982535A SU505219A1 SU 505219 A1 SU505219 A1 SU 505219A1 SU 741982535 A SU741982535 A SU 741982535A SU 1982535 A SU1982535 A SU 1982535A SU 505219 A1 SU505219 A1 SU 505219A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
faces
plate
carrier recombination
increased carrier
control electrode
Prior art date
Application number
SU741982535A
Other languages
English (en)
Inventor
К.К. Сталерайтис
В.П. Жебрюнайте
И.С. Левитас
Ю.К. Пожела
А.В. Рагаускас
Original Assignee
Институт Физики Полупроводников Литсср
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт Физики Полупроводников Литсср filed Critical Институт Физики Полупроводников Литсср
Priority to SU741982535A priority Critical patent/SU505219A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU505219A1 publication Critical patent/SU505219A1/ru

Links

Landscapes

  • Hall/Mr Elements (AREA)

Abstract

МАГНИТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕ- ' МЕНТ, содержащий пр моугольную полупроводниковую пластину с двум  токовыми электродами на противоположных торцах, область повышенной скорости рекомбинации носителей тока на одной из граней пластины и изолированный слоем диэлектрика, управл ющий электрод, отличают-и и* с   тем, что, с целью расширени  динамического диапазона, управл ющий электрод расположен на одной из граней полупроводниковой пластины; перпендикул рной направлению действующего магнитного пол , и грани с областью повышенной скорости рекомбинации носителей тока, причем торцы пластины снабжены омическими контактами.

Description

8 1
2 7
ел
о СП
ND
J J5 Изобретение относитс  к магнитсг чувствительным полупроводниковым элементам и может быть использовано в области измерени  магнитных полей , а также в автоматике и измерительной технике. Известен магниточувствительный элемент с электрически управл емой чувствительностью, содержащий пр моугольную полупроводниковую пластину с двум  токовыми торцами .на противоположных концах, область повышен ной скорости рекомбинаци  носителей тока на одной из граней пластины и изолированный слоем диэлектрика управл ющий электрод. В известном элементе ограничен динамический диапазон, так как вслед ствие режима двойной инжекции, при котором элемент чувствителен к магнитному полю, изменение поверхностной рекомбинации на грани с электродом сильно вли ет на концентрацию неравновесных (инжектированных) носи телей тока как при наличии магнитного пол , так и него. Целью изобретени   вл етс  расишрение динамического диапазона элемента . Поставле на  цель достигаетс  тем что управл ющий электрод расположен на одной из граней полупроводниковой пластины, перпендикул рной направлению действующего магнитного пол , и грани с областью повышенной скорости рекомбинации носителей 52192 тока, причем торцы элемента имеют омические контакты. На чертеже дано схематическое (изображение магниточувствительного элемента, 5 Пр моугольна  полупроводникова  пластина 1 содержит приложенный к грани 2 через слой диэлектрика 3 металличейкий электрод 4. Перпендикул рна  грани 2 грань 5 имеет область б с большой скоростью рекомбинации носителей тока. Торцы пластины имеют омические контакты 7 и 8. При помещении элемента в магнит15 нов поле Н, направление которого перпендикул рнр траки 2 с электродом, и пропускании через него электрического тока, в направлении грани 5 с областью большой скорости рекомбина0 возникает сила Лоренца и происходит отступление концентрации носителей тока от равновесной. Величина средней неравновесной концентрации тока, определ юща  магниточувстви25 тельность элемента, зависит от скорости поверхностной рекомбинации на грани 2, управл емой напр жением на металлическом электроде. Вследствие омического режима сопротивление элемента измен етс  от напр жени  на электроде только при наличии магнитного пол , так как без него неравновесные носители отсутствуют. Этим расшир етс  динамический диапазон элемента.

Claims (1)

  1. МАГНИТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ, содержащий прямоугольную полупроводниковую пластину с двумя токовыми электродами на противоположных торцах, область повышенной скоро сти рекомбинации носителей тока на одной из граней пластины и изолированный слоем диэлектрика, управляющий электрод, отлйчающ и йс я тем, что, с целью расширения динамического диапазона, управляющий электрод расположен на одной из граней полупроводниковой пластины; перпендикулярной направлению действующего магнитного поля, и грани с областью повышенной скорости рекомбинации носителей тока, причем торцы пластины снабжены омическими контактами.
    SU ... 505219
    И
SU741982535A 1974-01-02 1974-01-02 Магниточувствительный элемент SU505219A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU741982535A SU505219A1 (ru) 1974-01-02 1974-01-02 Магниточувствительный элемент

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU741982535A SU505219A1 (ru) 1974-01-02 1974-01-02 Магниточувствительный элемент

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU505219A1 true SU505219A1 (ru) 1983-11-07

Family

ID=20571495

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU741982535A SU505219A1 (ru) 1974-01-02 1974-01-02 Магниточувствительный элемент

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU505219A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US2736822A (en) Hall effect apparatus
KR910007155A (ko) 반도체장치
GB986518A (en) Planar-hall device
SU505219A1 (ru) Магниточувствительный элемент
GB1086034A (en) Method of determining resistivity
US3997909A (en) High carrier velocity magnetic sensor
SU1702458A1 (ru) Бипол рный латеральный магнитотранзистор
GB1073235A (en) Travel sensing devices employing hall generators
SU480119A1 (ru) Магниторезистор
SU930175A1 (ru) Датчик магнитного пол
SU529435A1 (ru) Магниточувствительный элемент
US2924759A (en) Hall-voltage generating device
SU966797A1 (ru) Магниточувствительный прибор
GB699746A (en) Improvements in and relating to magneto-responsive devices
SU855557A1 (ru) Магниточувствительный элемент
SU922666A1 (ru) Датчик Холла
SU1046720A1 (ru) Датчик магнитного пол Вальтаса
SU574012A1 (ru) Датчик магнитного пол
JPS58122474A (ja) 磁気センサ
SU892379A1 (ru) Устройство дл индукции магнитного пол
SU649994A1 (ru) Датчик дл измерени влажности газовой среды
SU457040A1 (ru) Бесконтактный датчик тока
SU502246A1 (ru) Магнитоупругий датчик
SU477334A1 (ru) Способ определени адгезии токопровод щих покрытий
SU341378A1 (ru) Тиристор