SU341378A1 - Тиристор - Google Patents

Тиристор

Info

Publication number
SU341378A1
SU341378A1 SU7001604128A SU1604128A SU341378A1 SU 341378 A1 SU341378 A1 SU 341378A1 SU 7001604128 A SU7001604128 A SU 7001604128A SU 1604128 A SU1604128 A SU 1604128A SU 341378 A1 SU341378 A1 SU 341378A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
control
region
voltage
thyristor
electrode
Prior art date
Application number
SU7001604128A
Other languages
English (en)
Inventor
А.И. Куртайкин
К.А. Полякрв
Original Assignee
Kurtajkin A I
Polyakrv K A
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kurtajkin A I, Polyakrv K A filed Critical Kurtajkin A I
Priority to SU7001604128A priority Critical patent/SU341378A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU341378A1 publication Critical patent/SU341378A1/ru

Links

Landscapes

  • Thyristors (AREA)

Description

Изобретение относитс  к полупроводниковым переключающим приборам, в частности к тиристорам .
Известны полупроводниковые переключающие устройства, например тиристоры, с пусковой областью , созданной в управл ющей базе и имеющей тип проводимости, противоположный последней.
Цель изобретени  - обеспечение управлени  уровнем чувствительности к управл ющему сигналу.
Это достигаетс  тем, что над границей управл ющей базы с пусковой областью размещен полевой электрод.
Напр жение пробо  пусковой области в таком устройстве определ етс  напр жением см,ещенн  между полевым электродом и контактом к управл ющей области. Это св зано с тем, что под нолевым электродом нндущруетс  оботгацекв&  основными носител ми область, граничаща  с пусковой областью.
Напр жение пробо  пусковш области под полевым электродом ниже, чем на остальной части границы с управл ющей областью, и зависит от величины напр жени  смешени  на полевом электроде.
На чертеже показан один из возможных вариантов такого устройства, где:- - анодна  область р-типа проводимости; 2 - область базы п-типа; 3 управл юща  область р-типа с созданными в ней катодной 4 и пусковой 5 област ми п -типа проводимости .
Над границей пусковой области 5 и управл ющей области 3 размещен полевот электрод, состоАщий из диэлектрического сло  6 и электрода 7.
К област м 1,3,4 и 5 подсоединены контакты 8-11. Э-ш контакты и металлический электрод имеют вьшоды 12-16 соответственно.
Если между выводами 12 и 14 приложено виещнее напр жение таким образом, что на вывод 12 подаетс  плюс, а на вывод 14 - минус, а между вьшодами 13 и 16 так, что вывод 13 смещаетс  йоложительно относительно вывода 16, то тиристор заперт, а под метаппическгой электродом в области 3 индувдруетс  обогащенна  дырками область , граничанши  с областью 5 н определ юща  напр жение пробо  пусковсй области.
В случае, если величина управл ннцего сигнала, приложенного k выводу 15, икюет положительную пол рность и болыие заданного ны1р же1шем смешени  напр жени  пробо  пусковой области 5, то в
результате пробо  последней и прохождени  тока управлени  между выводами 14 и 15 тиристор оереходат во включенное состо ние.
Копструющ  такого устр(и1ствв работоспособ а , когда волевой электрод не перекрывает одновременво границы катодаой к управл ющей облает.

Claims (1)

  1. Формула изобретени  Тиристор с пусковой областью, созданной в управл ющей базе к имеющей тип проводимости, противоположный последней, отличающийс   тем, что, с целью управлени  уровнем чувстви-. тельности к управл ющему сигналу, над границей управл ющей базы с пусковой областью размещен полевой электрод.
    О tS /J
    с ЯвЯЯвЯЛлВРтаМ Ftt
    гапмшгу
    9f
    авао
SU7001604128A 1970-12-28 1970-12-28 Тиристор SU341378A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU7001604128A SU341378A1 (ru) 1970-12-28 1970-12-28 Тиристор

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU7001604128A SU341378A1 (ru) 1970-12-28 1970-12-28 Тиристор

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU341378A1 true SU341378A1 (ru) 1977-07-05

Family

ID=20462182

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU7001604128A SU341378A1 (ru) 1970-12-28 1970-12-28 Тиристор

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU341378A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4942444A (en) * 1978-08-10 1990-07-17 Siemens Aktiengesellschaft Thyristor

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4942444A (en) * 1978-08-10 1990-07-17 Siemens Aktiengesellschaft Thyristor

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4454527A (en) Thyristor having controllable emitter short circuits and a method for its operation
SE7900337L (sv) Halvledaranordning
KR890008981A (ko) 칼집형 전극을 갖는 홈형 용량을 갖는 반도체 메모리
GB1480402A (en) Filament-type semiconductor switch device
IT7922902A0 (it) Dispositivi semiconduttori con un contatto ohmico con semiconduttori di tipo n dei gruppi iii-v.
KR890015426A (ko) Mos제어 다이리스터(mct)
SU341378A1 (ru) Тиристор
US3475666A (en) Integrated semiconductor switch system
US3508127A (en) Semiconductor integrated circuits
GB1323338A (en) Semiconductor switches
CH609814A5 (en) Regenerative multilayer semiconductor switching device
US4942444A (en) Thyristor
JPS6326549B2 (ru)
US3401320A (en) Positive pulse turn-off controlled rectifier
JPS5753944A (en) Semiconductor integrated circuit
US3210560A (en) Semiconductor device
GB1503300A (en) Schottky barrier diode memory devices
KR840006874A (ko) 양방향성 장치의 구성에 이용되는 고유스위치 접속기능을 가진 다이리스터
KR890008979A (ko) 모놀리식 과전압 보호용 어셈블리
KR840007203A (ko) 교류 고체 릴레이회로 및 다이리스터 구조
JPS546480A (en) Semiconductor device
US5040040A (en) Light-controlled semiconductor component having a field effect transistor
US4214255A (en) Gate turn-off triac with dual low conductivity regions contacting central gate region
JPH0666421B2 (ja) スイツチング装置
JPS5580352A (en) Transistor with high breakdown voltage