JPS6081843A - マイクロ波筐体の製造方法 - Google Patents

マイクロ波筐体の製造方法

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JPS6081843A
JPS6081843A JP58189160A JP18916083A JPS6081843A JP S6081843 A JPS6081843 A JP S6081843A JP 58189160 A JP58189160 A JP 58189160A JP 18916083 A JP18916083 A JP 18916083A JP S6081843 A JPS6081843 A JP S6081843A
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JP
Japan
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cap
ring
microwave
laser
housing
Prior art date
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Application number
JP58189160A
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English (en)
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JPH0259629B2 (ja
Inventor
Minoru Suzuki
実 鈴木
Satoshi Kotaka
智 小鷹
Hiromi Kikuchi
菊地 広美
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container

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  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 本発明はマイクロ波用回路の筐体構造に関し、特に気密
封止構造のマイクロ波筐体構造に関するものである。
従来技術と問題点 第1図は従来のマイクロ波用筐体を示す図である。同図
において、1及び2は銅合金で形成した筐体の本体及び
キャップであシ、キャップ2の溶接はレーザ溶接が完全
気密を保つ上で好ましいが、材料が銅合金系であり熱伝
導興が良いことからレーザ溶接が困難であるため接着剤
を用いて封止している。このためこのような従来のマイ
クロ波用筐体は完全な気密が保たれないという欠点があ
った。
発明の目的 本発明は上記従来の欠点に鑑み、レーザ溶接によシキャ
ップを封止し完全気密を保持し得るマイクロ波筐体構造
を提供することを目的とするものである。
発明の構成 そしてこの目的は本発明によれば、筐体本体にキャップ
をレーザ溶接して気密封止を行なったマイクロ波筐体構
造において、筐体本体とロー付は性が良く且つキャップ
とのレーザ溶性の良い金属で形成されたリングを筐体本
体にロー付けし、該リングにキャップをレーザ溶接して
成ることを特徴とするマイクロ波筐体構造を提供するこ
とによって達成される。
発明の実施例 以下、本発明実施例を図面によって詳述する。
第2図は本発明によるマイクロ波面体構造を説明するだ
めの分解斜視図であり、10は筐体本体、11はキャッ
プ、12はリングをそれぞれ示している。
本実施例は筐体の本体10が銅合金で形成されておりキ
ャップとの接合部にリング12を溶接しておく。リング
12の材料としては鉄・ニッケル・クロム合金(ステン
レス鋼’) 又ハ鉄・ニッケル・コバルト合金(商品名
コバール)を用いる。またキャップ11はリングに用い
た材料と同じ材料を用いるのが好ましいが、溶接性が良
ければリングがステンレスでキャップがコバールといつ
だ異種の組合わせでも良い。そしてリング12を本体1
0に銀ローでロー付けしたのち、本体10に高周波回路
を搭載し、その後キャップ11をかぶせレーザ溶接によ
りキャップ11とリング12とを溶接して本体10を密
封するのである。
このように構成された本実施例は、キャップ11は予め
本体10にロー付けされたレーザ溶接性の良いリング1
2にレーザ溶接されるため熱的な問題がなく加工性が良
くなり、従って完全なレーザ溶接ができ気密封止の信頼
度が向上する。
第3図はリングとキャップのレーザ溶接の実際例を説明
するだめの図であり、IL”−eはその工程を示す図で
ある。同図において、10は筐体、11はギャップ、1
2はリング、13はレーザ加工機、14はレーザビーム
をそれぞれ示す。
本実際例は、キャップ11には厚さ0.311!Il+
のステンレス鋼(5U8304 )を用い、リングは厚
さ2■のステンレス鋼(sUs 304 )を用い筐体
lOに銀ロー付けした。両者の溶接にはYAGレーザ加
工機を用い、溶接条件として、出力180W、溶接速度
10 tllJ/s 、 ビーム径0.3簡とし、雰囲
気には0□:3条I He : 10%、N287チの
混合ガスを用いた。
溶接は1回目をa図の如くレーザビーム14を45°の
角度から図に示す位置を照射し、次いで2回目をb図の
如く照射位置をずらしてレーザビーム14を照射し、0
図の如く完成した。このように溶接した本実際例の気密
性は1O−8Torr−t/BB以上(従来の接着剤封
止では10 ””Torr・/、8O程度)が得られた
発明の効果 以上、詳細に説明したように本発明のマイクロ波筐体構
造はマイクロ波筐体の本体に該筐体とロー付は性が良く
且つキャップとレーザ溶接性の良い金属で形成されたリ
ングを介してキャップを封止する構造により、マイクロ
波筐体の本体とキャップとのレーザ溶接が容易となり十
分な気密性が得られるといった効果大なるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のマイクロ波用筐体を説明するための図、
第2図は本発明によるマイクロ波筐体構造を説明するだ
めの図、第3図はレーザ溶接の実際例を説明するための
図である。 図面において、10は筐体本体、11はキャップ、12
はリングをそれぞれ示す。 第1図 第2図 く2 2

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、筐体本体にキャップをレーザ溶接して気密封止を行
    なったマイクロ波筐体構造において、筐体本体とロー付
    は性が良く且つキャップとのレーザ溶接性の良い金属で
    形成されたリングを筐体本体にロー付けし、該リングに
    キャップをレーザ溶接して成ることを特徴とするマイク
    ロ波筐体構造。
JP58189160A 1983-10-12 1983-10-12 マイクロ波筐体の製造方法 Granted JPS6081843A (ja)

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JPS6081843A true JPS6081843A (ja) 1985-05-09
JPH0259629B2 JPH0259629B2 (ja) 1990-12-13

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2648275A1 (fr) * 1989-06-09 1990-12-14 Thomson Csf Procede et dispositif d'encapsulation de modules hyperfrequence
US5656184A (en) * 1995-03-27 1997-08-12 General Electric Company Method of laser welding open receptacles
CN102653034A (zh) * 2011-12-16 2012-09-05 成都泛华航空仪表电器有限公司 高压密封阀体组件脉冲激光焊接的方法
JP2016099062A (ja) * 2014-11-21 2016-05-30 三浦工業株式会社 プレート式熱交換器

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5878443A (ja) * 1981-11-04 1983-05-12 Nec Corp 半導体装置の製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5878443A (ja) * 1981-11-04 1983-05-12 Nec Corp 半導体装置の製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2648275A1 (fr) * 1989-06-09 1990-12-14 Thomson Csf Procede et dispositif d'encapsulation de modules hyperfrequence
US5656184A (en) * 1995-03-27 1997-08-12 General Electric Company Method of laser welding open receptacles
CN102653034A (zh) * 2011-12-16 2012-09-05 成都泛华航空仪表电器有限公司 高压密封阀体组件脉冲激光焊接的方法
JP2016099062A (ja) * 2014-11-21 2016-05-30 三浦工業株式会社 プレート式熱交換器

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JPH0259629B2 (ja) 1990-12-13

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