JPS6080777A - 磁気検出器 - Google Patents
磁気検出器Info
- Publication number
- JPS6080777A JPS6080777A JP58189259A JP18925983A JPS6080777A JP S6080777 A JPS6080777 A JP S6080777A JP 58189259 A JP58189259 A JP 58189259A JP 18925983 A JP18925983 A JP 18925983A JP S6080777 A JPS6080777 A JP S6080777A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective film
- film
- sio
- deposited
- magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/09—Magnetoresistive devices
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、強磁性体薄膜材料から構成される磁気検出器
に係り、特に磁気記録媒体に記録された磁気信号および
永久磁石の磁気を検出する検出器に関するものである。
に係り、特に磁気記録媒体に記録された磁気信号および
永久磁石の磁気を検出する検出器に関するものである。
本発明が適用される例えばロータリーエンコーダは、第
１図に示すように、外周に多極着磁した磁気ドラム１、
磁気検出器２、波形整形回路３、支持構造部４およびカ
バー５を主要素として構成される。
１図に示すように、外周に多極着磁した磁気ドラム１、
磁気検出器２、波形整形回路３、支持構造部４およびカ
バー５を主要素として構成される。
このエンコーダにおいて、磁気ドラム１と磁気検出器２
の間のスペースは、磁気ドラム１の着磁密度および磁気
検出器２の感度から決められ、現抹品においては、５０
〜１５０（μｍ）である。
の間のスペースは、磁気ドラム１の着磁密度および磁気
検出器２の感度から決められ、現抹品においては、５０
〜１５０（μｍ）である。
従って、磁気検出器２の保護膜は、１０μ程度で、一般
のＩＣ’なみの耐環境性が要求される。
のＩＣ’なみの耐環境性が要求される。
従来磁気検出器２の保護膜は、第２図に示すように、基
板６上の磁気感応膜７の上にｓ：ｏ膜ｓを被覆し、この
ＳｉＯ膜上にさらに有機系の保護膜９を被覆することに
よシ形成されている。そして、端部は端子メタル１２、
金儲ハンダ１３に接続されている。
板６上の磁気感応膜７の上にｓ：ｏ膜ｓを被覆し、この
ＳｉＯ膜上にさらに有機系の保護膜９を被覆することに
よシ形成されている。そして、端部は端子メタル１２、
金儲ハンダ１３に接続されている。
本来保護膜としては、所定の厚さのＳｉＯ膜で十分であ
るが、ｓｈｏ膜は蒸着時の塵埃の影響によシ、多くのピ
ンホールが発生するものであり、このピンホールを被覆
するために有機系の樹脂保護膜が必要になるものである
。
るが、ｓｈｏ膜は蒸着時の塵埃の影響によシ、多くのピ
ンホールが発生するものであり、このピンホールを被覆
するために有機系の樹脂保護膜が必要になるものである
。
しかし、この構成では次に述べるような問題点を有する
。
。
（１）有機系の保護膜の被覆には長時間必要とするエン
チング工程が必要である。
チング工程が必要である。
（２）エンチング工程に用いる薬品および有機系保護膜
のベーキング時の熱が、磁気感応膜の特に端子部変質の
要因になる。
のベーキング時の熱が、磁気感応膜の特に端子部変質の
要因になる。
本発明の目的は、工程短縮と歩留りの向上を図ることに
ある。
ある。
本発明はＳｉＯ膜の有害なピンホールは、塵埃が主因で
発生することに着目し、ＳｉＯ膜の厚さを減らし、Ｓｉ
Ｏ蒸着→洗浄→ＳｉＯ蒸着という、２回蒸着で従来のＳ
ｉＯ膜程度の膜厚とし、ピンホールの防止を図シ、有機
系膜の廃止による工程短縮と端子の変質を防止するよう
にしだものである。
発生することに着目し、ＳｉＯ膜の厚さを減らし、Ｓｉ
Ｏ蒸着→洗浄→ＳｉＯ蒸着という、２回蒸着で従来のＳ
ｉＯ膜程度の膜厚とし、ピンホールの防止を図シ、有機
系膜の廃止による工程短縮と端子の変質を防止するよう
にしだものである。
以下第３図を用いて本発明の一実施例構成を説−明する
。
。
まず、ガラス等の基板６上に厚さ３００〜６００人の例
えばパーマロイからなる磁気感応素子を蒸着する。そし
て、この上にＳｉＯの第１の保護膜１０を１〜２μ蒸着
形成し、さらに同しくＳｉＯの第２の保護膜１１を第１
の保護膜の上に蒸着形成する。その後端子部のメタル１
２を蒸着し、金儲ハンダ１３を重畳し設ける。
えばパーマロイからなる磁気感応素子を蒸着する。そし
て、この上にＳｉＯの第１の保護膜１０を１〜２μ蒸着
形成し、さらに同しくＳｉＯの第２の保護膜１１を第１
の保護膜の上に蒸着形成する。その後端子部のメタル１
２を蒸着し、金儲ハンダ１３を重畳し設ける。
次に、第４図を用いて、工程について説明する。
まず、基板６の洗浄を行ない、基板面を清浄にし、磁気
感応素子７が着きやすくする。
感応素子７が着きやすくする。
次に、磁気感応素子７の蒸着を行なう。そして、マスク
を用いて露光を行なった後、現像を行ない、磁気感応素
子７のウェットエツチングを行なって、磁気感応素子の
パターンを得る。次に、レジストリムーブ、リームプ液
の洗浄をへて、第１の保護膜１０のＳｉＯを蒸着する。
を用いて露光を行なった後、現像を行ない、磁気感応素
子７のウェットエツチングを行なって、磁気感応素子の
パターンを得る。次に、レジストリムーブ、リームプ液
の洗浄をへて、第１の保護膜１０のＳｉＯを蒸着する。
次に洗浄によって、塵埃を除き第２の保護膜１１のＳｉ
Ｏを蒸着する。
Ｏを蒸着する。
そして、端子のメタル１２の蒸着、余備はんだ１３、ダ
イシングを行なって、個別の素子に分割し、磁気検出器
が構成される。
イシングを行なって、個別の素子に分割し、磁気検出器
が構成される。
μ上の構成および工程から理解されるように保護膜のＳ
ｉＯを１回蒸着した場合ピンホールがあっても、２回に
分けて（中間に洗浄工程を入れ）、約５０チの厚さを蒸
着すれば、第５図に示すように、第１保護膜のピンホー
ルと、第２の保護膜のピンホールの位置が、ずれるため
、二層を重畳した状態ではピンホールのない保護膜を形
成することができる。
ｉＯを１回蒸着した場合ピンホールがあっても、２回に
分けて（中間に洗浄工程を入れ）、約５０チの厚さを蒸
着すれば、第５図に示すように、第１保護膜のピンホー
ルと、第２の保護膜のピンホールの位置が、ずれるため
、二層を重畳した状態ではピンホールのない保護膜を形
成することができる。
上層と下層のピンホールが必ず不一致であるという保障
はないが、一致するのは極めて希であり、実質的に無視
できるものである。
はないが、一致するのは極めて希であり、実質的に無視
できるものである。
磁気検出器の磁気感応素子７の両端に定電圧を印加した
状態で、磁気感応素子７に外部から磁界を与えると磁気
感応素子７の内部抵抗が減少する。
状態で、磁気感応素子７に外部から磁界を与えると磁気
感応素子７の内部抵抗が減少する。
この抵抗変化を外部回路で取り出せば、磁気の検出）計
として１安能するものである。
として１安能するものである。
尚、前記保護膜としては５Ｉ０２も適宜使用できるもの
である。
である。
ト１１−１１１？ＡＩｙ１−ｒ士ＡｉＣＩＵ−ａｍｌ＋
乳イハユ、」−−ｋＩｚ−−り蒸着可能な保護膜を、少
なくとも２回重畳することによって、工程長が短縮でき
るとともに、薬品およびベーキング時の熱による磁気感
応膜７の劣化が減少し、結果として高品質の磁気検出器
を提供することができるものである。
乳イハユ、」−−ｋＩｚ−−り蒸着可能な保護膜を、少
なくとも２回重畳することによって、工程長が短縮でき
るとともに、薬品およびベーキング時の熱による磁気感
応膜７の劣化が減少し、結果として高品質の磁気検出器
を提供することができるものである。
第１図は磁気検出器の基本構成図、第２図は従来の保護
膜構成を示す図、第３図は本発明の一実施例構成を示す
保護膜構成図、第４図は製造工程を示す図、第５図は保
護膜のピンホールを拡大して示す図である。 １・・・磁気ドラム、２・・・磁気センサ、３・・・波
形整形回路、４・・・支持構造部、５・・・カバー、６
・・・基板、７・・・磁気感応素子、８・・・ＳｉＯ膜
、９・・・有機系の保護膜、１０・・・第一の保護膜、
１１・・・第二の保護葺 ｔｔｍ ｋ １２ 図 ／′１
膜構成を示す図、第３図は本発明の一実施例構成を示す
保護膜構成図、第４図は製造工程を示す図、第５図は保
護膜のピンホールを拡大して示す図である。 １・・・磁気ドラム、２・・・磁気センサ、３・・・波
形整形回路、４・・・支持構造部、５・・・カバー、６
・・・基板、７・・・磁気感応素子、８・・・ＳｉＯ膜
、９・・・有機系の保護膜、１０・・・第一の保護膜、
１１・・・第二の保護葺 ｔｔｍ ｋ １２ 図 ／′１
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、絶縁基板に担持した磁気感応素子を保護膜で被覆し
て磁気感応素子を保護するものにおいて、前記保護膜を
複数層の無機質保護膜で構成したことを特徴とする磁気
検出器。 ２、前記特許請求の範囲第１項記載のものにおいて、無
機質保護膜はＳｉＯであることを特徴とする磁気検出器
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58189259A JPS6080777A (ja) | 1983-10-12 | 1983-10-12 | 磁気検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58189259A JPS6080777A (ja) | 1983-10-12 | 1983-10-12 | 磁気検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6080777A true JPS6080777A (ja) | 1985-05-08 |
Family
ID=16238302
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58189259A Pending JPS6080777A (ja) | 1983-10-12 | 1983-10-12 | 磁気検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6080777A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01124509U (ja) * | 1988-02-16 | 1989-08-24 |
-
1983
- 1983-10-12 JP JP58189259A patent/JPS6080777A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01124509U (ja) * | 1988-02-16 | 1989-08-24 |
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