JPS6078645A - 陽イオン交換膜の再生方法 - Google Patents
陽イオン交換膜の再生方法Info
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- JPS6078645A JPS6078645A JP58184539A JP18453983A JPS6078645A JP S6078645 A JPS6078645 A JP S6078645A JP 58184539 A JP58184539 A JP 58184539A JP 18453983 A JP18453983 A JP 18453983A JP S6078645 A JPS6078645 A JP S6078645A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、アルカリ金属塩水溶液の電解用隔膜として用
いられるパーフルオロカーボン型陽イオン交換膜の再生
方法に関する。
いられるパーフルオロカーボン型陽イオン交換膜の再生
方法に関する。
詳しくは、食塩水電解に際して、食塩水中に含まれる微
量のカルシウム、マグネシウム等の不純物によって汚染
され、電解性能が低下したカルボン酸基を有するパーフ
ルオロカーボン型陽イオン交換膜の性能を回復させる方
法に関するものである。
量のカルシウム、マグネシウム等の不純物によって汚染
され、電解性能が低下したカルボン酸基を有するパーフ
ルオロカーボン型陽イオン交換膜の性能を回復させる方
法に関するものである。
従来、食塩水を電解して苛性ソーダを製造する方法とし
ては、水銀法やアスベストを隔膜として使用する隔膜法
などが知られているが、最近では隔膜として経済性、製
造される苛性ソーダの純度、耐熱性及び耐薬品性の優れ
たパーフルオロカーボン型陽イオン交換膜を用いるイオ
ン交換膜法が注目されてきた。特にカルボン酸基をイオ
ン交換基として有するパーフルオロカーボン型陽イオン
交換膜は、陰極室中のＯＨ−イオンの陽極への移動を効
果的に阻止する利点を有し、高濃度の苛性ソーダを生成
する場合も、よシ高電流効率で製造できるためアルカリ
金属塩水溶液の電解用隔膜として極めて優れていること
が明らかにされている。
ては、水銀法やアスベストを隔膜として使用する隔膜法
などが知られているが、最近では隔膜として経済性、製
造される苛性ソーダの純度、耐熱性及び耐薬品性の優れ
たパーフルオロカーボン型陽イオン交換膜を用いるイオ
ン交換膜法が注目されてきた。特にカルボン酸基をイオ
ン交換基として有するパーフルオロカーボン型陽イオン
交換膜は、陰極室中のＯＨ−イオンの陽極への移動を効
果的に阻止する利点を有し、高濃度の苛性ソーダを生成
する場合も、よシ高電流効率で製造できるためアルカリ
金属塩水溶液の電解用隔膜として極めて優れていること
が明らかにされている。
しかしながら、かかるカルボン酸基を有するパーフルオ
ロカーボン型陽イオン交換膜を使用して長期にわたって
電解した場合、カルシウム、マグネシウム等の不純物に
よって汚染され、電流効率の低下、摺電圧の上昇等、膜
性能の低下を避けることができないのが現状である。
ロカーボン型陽イオン交換膜を使用して長期にわたって
電解した場合、カルシウム、マグネシウム等の不純物に
よって汚染され、電流効率の低下、摺電圧の上昇等、膜
性能の低下を避けることができないのが現状である。
このように電解性能の低下したパーフルオロカーボン型
陽イオン交換膜の再生方法として従来提案されているの
は、例えば（１）汚染された膜を酸溶液よシ洗浄し、つ
いで極性の大きい有機溶媒にょシ膨潤させた後、高濃度
苛性ソーダ溶液に接触させる方法（特開昭５４−１１２
３８２）、（２）汚染された膜をｐＨ２〜１ｏの範囲の
ハロゲン化アルカリ金属水溶液に接触させ、直流電流を
通じて電解を行なう方法（％開昭５３−１５４０７９）
等をあげることができる。
陽イオン交換膜の再生方法として従来提案されているの
は、例えば（１）汚染された膜を酸溶液よシ洗浄し、つ
いで極性の大きい有機溶媒にょシ膨潤させた後、高濃度
苛性ソーダ溶液に接触させる方法（特開昭５４−１１２
３８２）、（２）汚染された膜をｐＨ２〜１ｏの範囲の
ハロゲン化アルカリ金属水溶液に接触させ、直流電流を
通じて電解を行なう方法（％開昭５３−１５４０７９）
等をあげることができる。
しかしながら、これらの従来技術をカルシウム、マグネ
シウム等の不純物によって汚染されたカルボン酸基を有
するパーフルオロカーボン型陽イオン交換膜に適用した
ところ、電流効率の上昇、電解電圧の低下などの電解性
能の回復は認められず、むしろ電流効率が低下する傾向
にあることが明らかとなった。
シウム等の不純物によって汚染されたカルボン酸基を有
するパーフルオロカーボン型陽イオン交換膜に適用した
ところ、電流効率の上昇、電解電圧の低下などの電解性
能の回復は認められず、むしろ電流効率が低下する傾向
にあることが明らかとなった。
例えば、カルシウム、マグネシウム等の不純物によって
汚染されたカルボン酸層とスルポン酸層の２層によシな
るイオン交換膜を酸溶液に接触させたとζろ、カルボン
酸層よシ二酸化炭素の発生が認められた。また酸溶液に
よる洗浄後のイオン交換膜の断面を観察した結果、カル
ボン酸層に多数の微孔が生じていることが判明した。こ
のカルボン酸層は陰極室中のＯＨ−イオンの陽極への移
動を効果的に阻止する機能を有するため、この部分に微
孔が多数存在することは電流効率の低下等の電解性能の
低下を招くと考えられる。
汚染されたカルボン酸層とスルポン酸層の２層によシな
るイオン交換膜を酸溶液に接触させたとζろ、カルボン
酸層よシ二酸化炭素の発生が認められた。また酸溶液に
よる洗浄後のイオン交換膜の断面を観察した結果、カル
ボン酸層に多数の微孔が生じていることが判明した。こ
のカルボン酸層は陰極室中のＯＨ−イオンの陽極への移
動を効果的に阻止する機能を有するため、この部分に微
孔が多数存在することは電流効率の低下等の電解性能の
低下を招くと考えられる。
そこで本発明者らは、カルシウム、マグネシウム等の不
純物によって汚染され、電解性能が低下シタカルボン酸
基を有するパーフルオロカーボン型陽イオン交換膜の性
能を回復させる方法を検討した結果、該層をキレート試
薬で処理した後、カルボン酸基をＨ型とした状態で、該
層のガラス転移点以上の温度下で熱処理することを特徴
とする方法を見出した。
純物によって汚染され、電解性能が低下シタカルボン酸
基を有するパーフルオロカーボン型陽イオン交換膜の性
能を回復させる方法を検討した結果、該層をキレート試
薬で処理した後、カルボン酸基をＨ型とした状態で、該
層のガラス転移点以上の温度下で熱処理することを特徴
とする方法を見出した。
すなわち、カルシウム、マグネシウム等の不純物を汚染
膜から取除く方法として、従来性なわれている酸洗法で
は汚染物質を取除く際、汚染物質中に含まれる炭酸塩の
分解等により二酸化炭素の発生を伴い、カルボン酸層に
多数の微孔が生じるため、本発明者らは、酸洗処理にか
わジエチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）等の水溶性キ
レート化合物を形成するキレート試薬で処理することに
よシ、カルボン酸層に微孔を残すことなく汚染物質を取
出せることを見出した。さらに、汚染物質を取除いた後
のカルボン酸層は汚染物質の蓄積等によシ膜の組織がゆ
るんでいることから、該層をＨ型とした状態で、カルボ
ン酸層のガラス転移点以上の温度下で熱処理し、カルボ
ン酸層を収縮させることによシ、膜の再生を行なうこと
ができることを見出したのである。
膜から取除く方法として、従来性なわれている酸洗法で
は汚染物質を取除く際、汚染物質中に含まれる炭酸塩の
分解等により二酸化炭素の発生を伴い、カルボン酸層に
多数の微孔が生じるため、本発明者らは、酸洗処理にか
わジエチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）等の水溶性キ
レート化合物を形成するキレート試薬で処理することに
よシ、カルボン酸層に微孔を残すことなく汚染物質を取
出せることを見出した。さらに、汚染物質を取除いた後
のカルボン酸層は汚染物質の蓄積等によシ膜の組織がゆ
るんでいることから、該層をＨ型とした状態で、カルボ
ン酸層のガラス転移点以上の温度下で熱処理し、カルボ
ン酸層を収縮させることによシ、膜の再生を行なうこと
ができることを見出したのである。
即ち本発明は、イオン交換基＋ｃｏｏ）ｍＭ （Ｍは、
アルカリ金属、アルカリ土類金属又は水素を表わし、ｍ
はＭの価数である）を有し、塩化アルカリ水溶液の電解
に使用されて性能の低下したパーフルオロカーボン型陽
イオン交換膜の性能を回復させるにあたシ、該層をキレ
ート試薬で処理した後、上記交換基を一〇〇〇Ｈとした
状態で該層のガラス転移点以上の温度下で熱処理する方
法である。
アルカリ金属、アルカリ土類金属又は水素を表わし、ｍ
はＭの価数である）を有し、塩化アルカリ水溶液の電解
に使用されて性能の低下したパーフルオロカーボン型陽
イオン交換膜の性能を回復させるにあたシ、該層をキレ
ート試薬で処理した後、上記交換基を一〇〇〇Ｈとした
状態で該層のガラス転移点以上の温度下で熱処理する方
法である。
本発明の方法は、食塩水中の不純物によって汚染され、
電解性能が低下したカルボン酸基を有するパーフルオロ
カーボン型陽イオン交換膜に適用されるが、食塩水中の
不純物としては、カルシウム、マグネシウム、ストロン
チウム、バリウム等のアルカリ土類金属、鉄、ニッケル
等の鉄、ニッケル族の金属、その他、水銀等をあげるこ
とができる。
電解性能が低下したカルボン酸基を有するパーフルオロ
カーボン型陽イオン交換膜に適用されるが、食塩水中の
不純物としては、カルシウム、マグネシウム、ストロン
チウム、バリウム等のアルカリ土類金属、鉄、ニッケル
等の鉄、ニッケル族の金属、その他、水銀等をあげるこ
とができる。
本発明の対象となるイオン交換膜は、イオン交換基とし
てカルボン酸基を有するパーフルオロ型であればよく、
具体的には、イオン交換基＋ ＣＯＯ）ｍ Ｍ （Ｍは
、アルカリ金属、アルカリ土類金属又は水素を表わし、
ｍはＭの価数である）を有スルパーフルオ四カーボン型
陽イオン交換膜を示す。また、イオン交換基としてカル
ボン酸基のほか、スルホン酸基、リン酸基を有してもよ
い。
てカルボン酸基を有するパーフルオロ型であればよく、
具体的には、イオン交換基＋ ＣＯＯ）ｍ Ｍ （Ｍは
、アルカリ金属、アルカリ土類金属又は水素を表わし、
ｍはＭの価数である）を有スルパーフルオ四カーボン型
陽イオン交換膜を示す。また、イオン交換基としてカル
ボン酸基のほか、スルホン酸基、リン酸基を有してもよ
い。
膜の構造も特に限定されるものでなく、カルボン酸基が
膜の片面に偏在する膜、カルボン酸基とスルホン酸基の
混在する膜、カルボン酸基を有する膜と、スルホン酸基
とを有する膜とを貼合わせた複合膜等、各種の膜が本発
明の対象となる・これらの膜をたとえば食塩電解に使用
すると、優れた電解性能を示すが、食塩水中のカルシウ
ム、マグネシウム等の不純物によって徐々に電解性能が
低下する。このように不純物によって汚染され本発明で
は、このようにカルシウム等によって汚染された膜をま
ずキレート試薬で浸漬処理する。
膜の片面に偏在する膜、カルボン酸基とスルホン酸基の
混在する膜、カルボン酸基を有する膜と、スルホン酸基
とを有する膜とを貼合わせた複合膜等、各種の膜が本発
明の対象となる・これらの膜をたとえば食塩電解に使用
すると、優れた電解性能を示すが、食塩水中のカルシウ
ム、マグネシウム等の不純物によって徐々に電解性能が
低下する。このように不純物によって汚染され本発明で
は、このようにカルシウム等によって汚染された膜をま
ずキレート試薬で浸漬処理する。
キレート試薬としては、エチレンジアミン四酢酸、エチ
レンジアミン四酢酸塩、クエン酸等の水溶性キレート化
合物を形成するキレート試薬を使用することができるが
、エチレンジアミン四酢酸及びエチレンジアミン四酢酸
塩を使用するのが最も好ましい。
レンジアミン四酢酸塩、クエン酸等の水溶性キレート化
合物を形成するキレート試薬を使用することができるが
、エチレンジアミン四酢酸及びエチレンジアミン四酢酸
塩を使用するのが最も好ましい。
キレート試薬の溶媒としては水を使用し、キレート試薬
の濃度を１〜１０重量％、好ましくは５〜１０重量％と
する。浸漬処理は好ましくは温度２０℃〜８０℃、反応
時間１〜２０時間、にて行なわれる。
の濃度を１〜１０重量％、好ましくは５〜１０重量％と
する。浸漬処理は好ましくは温度２０℃〜８０℃、反応
時間１〜２０時間、にて行なわれる。
次いで、該層を、そのイオン交換基がＨ型のカルボン酸
の場合はそのまま、金属塩の場合はＨ型に転化した状態
で該層のガラス転移点以上の温度下で熱処理する。
の場合はそのまま、金属塩の場合はＨ型に転化した状態
で該層のガラス転移点以上の温度下で熱処理する。
カルボン酸基をＨ型に転化する方法は、キレート試薬で
処理できなかった金属の除去を考慮して塩酸、硫酸等の
無機酸を使用し、ｗｌ、膜を浸漬処理するのが良い。浸
漬処理は好ましくは温度２０℃〜８０℃、反応時間１〜
２０時間にて行なわれる。
処理できなかった金属の除去を考慮して塩酸、硫酸等の
無機酸を使用し、ｗｌ、膜を浸漬処理するのが良い。浸
漬処理は好ましくは温度２０℃〜８０℃、反応時間１〜
２０時間にて行なわれる。
膜のガラス転移点は膜それぞれに固有値を有するが、本
発明の膜ではカルボン酸基が金屑塩型の場合は２４０℃
以上、Ｈ型の場合は１１０’ 〜１３０℃程度である。
発明の膜ではカルボン酸基が金屑塩型の場合は２４０℃
以上、Ｈ型の場合は１１０’ 〜１３０℃程度である。
したがって熱処理温度としては、１１０°から膜の熱分
解温度までが適当である。好ましくは１２０°〜１８０
℃が良い。熱処理の雰囲気は空気中、窒素中、有機溶媒
中、水蒸気中等から選ばれるが、有機溶媒中、水蒸気中
が最も好ましい。
解温度までが適当である。好ましくは１２０°〜１８０
℃が良い。熱処理の雰囲気は空気中、窒素中、有機溶媒
中、水蒸気中等から選ばれるが、有機溶媒中、水蒸気中
が最も好ましい。
また熱処理は、常圧下あるいは１〜５０ Ｋｇ／ｃｄの
加圧下で行なうのが好ましい。
加圧下で行なうのが好ましい。
上記の操作によって再生した膜は、新しい膜と＃１ぼ同
様の膜性能を有するが、膜の種類によっては膜の強度が
低下することがあるため、ガラス転移点での熱処理後、
熱プレスにより強度を増加させるようにしてもよい。ま
た前記した複合膜では貼合わせ面にもすき間が生じてい
ることが６Ｄ、このすき間はガラス転移点以上での熱処
理では塞ぐととができないので熱プレスを併用して塞ぐ
ことが望ましい。
様の膜性能を有するが、膜の種類によっては膜の強度が
低下することがあるため、ガラス転移点での熱処理後、
熱プレスにより強度を増加させるようにしてもよい。ま
た前記した複合膜では貼合わせ面にもすき間が生じてい
ることが６Ｄ、このすき間はガラス転移点以上での熱処
理では塞ぐととができないので熱プレスを併用して塞ぐ
ことが望ましい。
このようにして再生された膜は、使用前の膜と＃１は等
しい膜性能を有し、食塩電解のみならず芒硝電解、アミ
ノ酸電解等の隔膜として使用することができる。
しい膜性能を有し、食塩電解のみならず芒硝電解、アミ
ノ酸電解等の隔膜として使用することができる。
本発明では、イオン交換基としてカルボン酸基を有し、
性能の低下した陽イオン交換膜を、キレート試薬で処理
して微孔を残すこと永くカルシウム、マグネシウム等を
除去し、かつ膜のガラス転移点以上で熱処理してゆるん
でいる膜の組織を収縮させるようにしてアル、これによ
り従来再使用不能として廃棄されていた膜を、使用前と
ほぼ等しい膜性能を有する膜に再生し、再使用を可能と
したものであシ、工業的に極めて有利である。
性能の低下した陽イオン交換膜を、キレート試薬で処理
して微孔を残すこと永くカルシウム、マグネシウム等を
除去し、かつ膜のガラス転移点以上で熱処理してゆるん
でいる膜の組織を収縮させるようにしてアル、これによ
り従来再使用不能として廃棄されていた膜を、使用前と
ほぼ等しい膜性能を有する膜に再生し、再使用を可能と
したものであシ、工業的に極めて有利である。
以下実施例をあげて本発明を具体的に説明するが、本発
明はこれらに限定されるものではない。
明はこれらに限定されるものではない。
実施例１
イオン交換膜としてカルボン酸基を有するパーフルオロ
カーボン型の陽イオン卒柩臆（デーボン社製ナフィオン
■９０１）を用い、電流密度３０Ａ ／ ｄｍ”、電解
温度８５℃で食塩水の電解を行なった。陽極にはチタン
メツシュにＴ ｉ Ｏｓ ＋ Ｒｕ０ｔをコーティング
したものを、陰極にはステンレス製のメツシュを用いた
。陽極液は、３００？／ＡＩの食塩水溶液で不純物とし
てＣａ” １ ｐｐｍ を含んでいる。
カーボン型の陽イオン卒柩臆（デーボン社製ナフィオン
■９０１）を用い、電流密度３０Ａ ／ ｄｍ”、電解
温度８５℃で食塩水の電解を行なった。陽極にはチタン
メツシュにＴ ｉ Ｏｓ ＋ Ｒｕ０ｔをコーティング
したものを、陰極にはステンレス製のメツシュを用いた
。陽極液は、３００？／ＡＩの食塩水溶液で不純物とし
てＣａ” １ ｐｐｍ を含んでいる。
また陰極液の苛性ソーダの濃度は３０重量％である。
電解開始当初の電解電圧は３．３５Ｖ、電流効率は９６
％であったが、継続して電解を行なううちに該層は食塩
水の不純物によって汚染され、３８後電解電圧は３．３
８Ｖ、電流効率は９３％となった。該膜中のＣａの定量
を行なった結果、膜中にＣａが１００μｔ／ｃｒ／ｌ蓄
積していることが確認された。
％であったが、継続して電解を行なううちに該層は食塩
水の不純物によって汚染され、３８後電解電圧は３．３
８Ｖ、電流効率は９３％となった。該膜中のＣａの定量
を行なった結果、膜中にＣａが１００μｔ／ｃｒ／ｌ蓄
積していることが確認された。
この汚染膜を電解槽よシはずし水洗後、１０％エチレン
ジアミン四酢酸四ナトリウム（ＥＤＴＡ−４Ｎａ）水溶
液中、６０℃で５時間浸漬処理し、ついでＩＮＨＣＪ中
、室温で２０時間浸漬処理した〇該層中のＣａの定量を
行なった結果、膜中にＣａが＃１とんど残存していない
ことが確認された。
ジアミン四酢酸四ナトリウム（ＥＤＴＡ−４Ｎａ）水溶
液中、６０℃で５時間浸漬処理し、ついでＩＮＨＣＪ中
、室温で２０時間浸漬処理した〇該層中のＣａの定量を
行なった結果、膜中にＣａが＃１とんど残存していない
ことが確認された。
該層を乾燥器に入れ、１３０℃で１時間熱処理した。つ
いで熱処理後の膜を２４ ＮａＣ／水溶液中、９０℃で
３０分間浸漬処理し、再び電解試験を行なった。電解開
始当初の電解電圧は３．３６Ｖ、電流効率は９５チとな
シ、その後長期にわたシ安定した値が得られた。
いで熱処理後の膜を２４ ＮａＣ／水溶液中、９０℃で
３０分間浸漬処理し、再び電解試験を行なった。電解開
始当初の電解電圧は３．３６Ｖ、電流効率は９５チとな
シ、その後長期にわたシ安定した値が得られた。
実施例２
実施例１と同様の方法で汚染膜を作製した。この汚染膜
を電解槽よシはすし、水洗後１０チＥＤＴＡ−４Ｎａ水
溶液中、６０℃で５時間浸漬処理し、ついでＩＮＨＣＪ
中室温で２０時間浸漬処理した。
を電解槽よシはすし、水洗後１０チＥＤＴＡ−４Ｎａ水
溶液中、６０℃で５時間浸漬処理し、ついでＩＮＨＣＪ
中室温で２０時間浸漬処理した。
該層を１．１，２．２−テトラクロロエタン中、１３０
℃、１時間熱処理した。ついで熱処理後の膜を２−Ｎａ
Ｃ１水溶液中、９０℃で３０分間浸漬処理し、再び電解
試験を行なった。電解開始当初の電解電圧は３．３６Ｖ
、電流効率は９５チとなシ、その後長期にわたシ安定し
た値が得られた。
℃、１時間熱処理した。ついで熱処理後の膜を２−Ｎａ
Ｃ１水溶液中、９０℃で３０分間浸漬処理し、再び電解
試験を行なった。電解開始当初の電解電圧は３．３６Ｖ
、電流効率は９５チとなシ、その後長期にわたシ安定し
た値が得られた。
実施例３
実施例１と同様の方法で汚染膜を作製した。この汚染膜
を電解槽よシはすし、水洗後１０チＥＤＴＡ−４Ｎａ水
溶液中、６０℃で５時間浸漬処理し、ついでＩ Ｎ Ｈ
（Ｊ中室温で２０時間浸漬処理した。
を電解槽よシはすし、水洗後１０チＥＤＴＡ−４Ｎａ水
溶液中、６０℃で５時間浸漬処理し、ついでＩ Ｎ Ｈ
（Ｊ中室温で２０時間浸漬処理した。
該層を耐圧容器に入れ、少量の水を添加した後、密封し
、オイルバスで１３０℃、１時間加熱処理した。ついで
熱処理後の膜を２％Ｎａ（Ｊ水溶液中、９０℃で３０分
間浸漬処理し、再び電解試験を行なった。電解開始当初
の電解電圧は３．３６Ｖ、電流効率は９６％となシ、そ
の後長期にわたり安定した値が得られた。
、オイルバスで１３０℃、１時間加熱処理した。ついで
熱処理後の膜を２％Ｎａ（Ｊ水溶液中、９０℃で３０分
間浸漬処理し、再び電解試験を行なった。電解開始当初
の電解電圧は３．３６Ｖ、電流効率は９６％となシ、そ
の後長期にわたり安定した値が得られた。
実施例４
実施例１と同様の方法で汚染膜を作製した。この汚染膜
を電解槽よシはすし、水洗後１０％ＥＤＴＡ−４Ｎａ水
溶液中、６０℃で５時間浸漬処理し、ついでＩＮＨＣＪ
中室温で２０時間浸漬処理した。
を電解槽よシはすし、水洗後１０％ＥＤＴＡ−４Ｎａ水
溶液中、６０℃で５時間浸漬処理し、ついでＩＮＨＣＪ
中室温で２０時間浸漬処理した。
該層を１．１．λ２−テト２クロロエタンに浸漬し、膨
潤させた後、平板の熱プレスを使用して温度１３０℃、
圧力１０１１ｗ／（”ｌｌｔの条件で熱処理した。つい
で熱処理後の膜を２ ％Ｎａ（Ｊ水溶液中、９０℃で３
０分間浸漬処理し、再び電解試験を行なった。
潤させた後、平板の熱プレスを使用して温度１３０℃、
圧力１０１１ｗ／（”ｌｌｔの条件で熱処理した。つい
で熱処理後の膜を２ ％Ｎａ（Ｊ水溶液中、９０℃で３
０分間浸漬処理し、再び電解試験を行なった。
電解開始当初の電解電圧は３．３７Ｖ、電流効率は９６
チとなシ、長期にわたシ安定した値が得られた。
チとなシ、長期にわたシ安定した値が得られた。
実施例５
実施例１と同様の方法で汚染膜を作製した。この汚染膜
を電解槽よシはすし、水洗後２％クエン酸水溶液中、２
０℃で５時間浸漬処理し、ついでＩＮＨ（Ｊ中室温で２
０時間浸漬処理した。水洗後、膜を２％ＮａＣ１水溶液
中、９０℃で３０分間浸漬処理し、再び電解試験を行な
った。電解開始当初の電解電圧は３．３７Ｖ、電流効率
は９６％となシ、その後長期にわたシ安定した値が得ら
れた。
を電解槽よシはすし、水洗後２％クエン酸水溶液中、２
０℃で５時間浸漬処理し、ついでＩＮＨ（Ｊ中室温で２
０時間浸漬処理した。水洗後、膜を２％ＮａＣ１水溶液
中、９０℃で３０分間浸漬処理し、再び電解試験を行な
った。電解開始当初の電解電圧は３．３７Ｖ、電流効率
は９６％となシ、その後長期にわたシ安定した値が得ら
れた。
比較例１
実施例１と同様の方法で汚染膜を作製した。この汚染膜
を電解槽よシはすし、水洗後ＥＤＴＡで洗浄せず、直接
ＩＮＨ（Ｊ中室温で２０時間浸漬処理した。汚染膜をＩ
ＮＨＣノに浸漬した直後、膜表面から二酸化炭素の発生
が認められた。
を電解槽よシはすし、水洗後ＥＤＴＡで洗浄せず、直接
ＩＮＨ（Ｊ中室温で２０時間浸漬処理した。汚染膜をＩ
ＮＨＣノに浸漬した直後、膜表面から二酸化炭素の発生
が認められた。
該層を１．１，２．２−テトラクロロエタン中、１３０
℃、１時間熱処理した。ついで熱処理後の膜を２チＮａ
Ｃノ水溶液中、９０℃で３０分間浸漬処理し、再び電解
試験を行なった。電解開始当初の電解電圧は３．３６Ｖ
、電流効率は９３％であった。
℃、１時間熱処理した。ついで熱処理後の膜を２チＮａ
Ｃノ水溶液中、９０℃で３０分間浸漬処理し、再び電解
試験を行なった。電解開始当初の電解電圧は３．３６Ｖ
、電流効率は９３％であった。
比較例２
実施例１と同様の方法で汚染膜を作製した。この汚染膜
を電解槽よシはすし、水洗後１０チＥＤＴＡ−４Ｎａ水
溶液中、６０℃で５時間浸漬処理し、ついでＩＮＨ（Ｊ
中室源で２０時間浸漬処理した。水洗後、膜を２チＮａ
（Ｊ水溶液中、９０℃で３０分間浸漬処理し、再び電解
試験を行なった。電解開始当初の電解電圧は３．３５Ｖ
、電流効率は９４％であった。
を電解槽よシはすし、水洗後１０チＥＤＴＡ−４Ｎａ水
溶液中、６０℃で５時間浸漬処理し、ついでＩＮＨ（Ｊ
中室源で２０時間浸漬処理した。水洗後、膜を２チＮａ
（Ｊ水溶液中、９０℃で３０分間浸漬処理し、再び電解
試験を行なった。電解開始当初の電解電圧は３．３５Ｖ
、電流効率は９４％であった。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） イオン交換基４ＣＯＯ）ｍＭ （Ｍｕ、アルカ
リ金属、アルカリ土類金属又は水素を表わし、ｍはＭの
価数である）を有し、塩化アルカリ水溶液の電解に使用
されて性能の低下したパーフルオロカーボン型陽イオン
交換膜の性能を回復させるにおたシ、該層をキレート試
薬で処理した後、上記交換基を一〇〇〇にとした状態で
該層のガラス転移点以上の温度下で熱処理することを特
徴とする陽イオン交換膜の再生方法。 （３）キレート試薬が水溶性キレート化合物を形成する
化合物である特許請求の範囲第（１）項に記載の方法。 （３）水溶性キレート化合物を形成する化合物が、エチ
レンジアミン四酢酸、エチレンジアミン四酢酸塩、クエ
ン酸から選ばれたものである特許請求の範囲第（２）項
に記載の方法。 （４） 熱処理温度が１１０℃以上膜の分解温度以下で
ある特許請求の範囲第（１）項から第（３）項のいずれ
かに記載の方法。 （５） 熱処理を常圧下又は５０ Ｋｙ／ｃＩｔまでの
加圧下で行なう特許請求の範囲第（１）項から第（４）
項のいずれかに記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58184539A JPS6078645A (ja) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | 陽イオン交換膜の再生方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58184539A JPS6078645A (ja) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | 陽イオン交換膜の再生方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6078645A true JPS6078645A (ja) | 1985-05-04 |
| JPH0366022B2 JPH0366022B2 (ja) | 1991-10-15 |
Family
ID=16154969
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58184539A Granted JPS6078645A (ja) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | 陽イオン交換膜の再生方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6078645A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62182549U (ja) * | 1986-05-09 | 1987-11-19 | ||
| EP1110992A1 (en) * | 1999-11-29 | 2001-06-27 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Solid polymer electrolyte having high-durability |
| US6607856B2 (en) | 1999-11-29 | 2003-08-19 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Solid polymer electrolyte having high-durability |
| CN104404567A (zh) * | 2014-12-15 | 2015-03-11 | 天津渤天化工有限责任公司 | 受钙镁离子严重污染的次新离子膜活性的恢复方法 |
| CN111138570A (zh) * | 2018-11-05 | 2020-05-12 | 中昊晨光化工研究院有限公司 | 一种含氟分散浓缩液浮渣的处理方法 |
-
1983
- 1983-10-04 JP JP58184539A patent/JPS6078645A/ja active Granted
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62182549U (ja) * | 1986-05-09 | 1987-11-19 | ||
| JPH0338834Y2 (ja) * | 1986-05-09 | 1991-08-15 | ||
| EP1110992A1 (en) * | 1999-11-29 | 2001-06-27 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Solid polymer electrolyte having high-durability |
| US6607856B2 (en) | 1999-11-29 | 2003-08-19 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Solid polymer electrolyte having high-durability |
| CN104404567A (zh) * | 2014-12-15 | 2015-03-11 | 天津渤天化工有限责任公司 | 受钙镁离子严重污染的次新离子膜活性的恢复方法 |
| CN111138570A (zh) * | 2018-11-05 | 2020-05-12 | 中昊晨光化工研究院有限公司 | 一种含氟分散浓缩液浮渣的处理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0366022B2 (ja) | 1991-10-15 |
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