JPS6077481A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
- Publication number
- JPS6077481A JPS6077481A JP58184531A JP18453183A JPS6077481A JP S6077481 A JPS6077481 A JP S6077481A JP 58184531 A JP58184531 A JP 58184531A JP 18453183 A JP18453183 A JP 18453183A JP S6077481 A JPS6077481 A JP S6077481A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- semiconductor laser
- laser
- monitoring
- photodiode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02257—Out-coupling of light using windows, e.g. specially adapted for back-reflecting light to a detector inside the housing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は光通信・光情報処理等で用いられる半導体レー
ザ装置に関するものである。
ザ装置に関するものである。
（従来例の構成とその問題点）
近年、半導体レーザは小型軽量・高効率・高信頼性のレ
ーザ光源として光エレクトロニクスの様々の分野に応用
されている。
ーザ光源として光エレクトロニクスの様々の分野に応用
されている。
以下図面を参照しながら、従来の半導体レーザについて
説明する。第１図は従来の半導体レーザｎ）１ノ「−−
・ｙにカフ４Ｌシーニニートーｎ）４４シフ１ノー書−
Ｌシンク、２はサブマウント、３は半導体レーザチッゾ
である。４はビン・フォトダイオード、５はガラス窓、
６はリード線、７はキャンプ、８はステム本体である。
説明する。第１図は従来の半導体レーザｎ）１ノ「−−
・ｙにカフ４Ｌシーニニートーｎ）４４シフ１ノー書−
Ｌシンク、２はサブマウント、３は半導体レーザチッゾ
である。４はビン・フォトダイオード、５はガラス窓、
６はリード線、７はキャンプ、８はステム本体である。
従来の半導体レーザでは、共振器の前後両端面の反射率
を同じ３２チのままで用いておシ、レーザ光をパッケー
ジから取シ出さない方の端面（後端面）からの出射光は
レーザ出力モニタ光としてビン・フォトダイオード４で
受けていた。この場合、前端面と同じ出力のレーザ光が
後端面からも出ており、モニタ光として用いるには十分
すぎて無駄であった。また、この光がビン・フォトダイ
オード表面で反射されて前方へ出て来てゴーストとなる
ので、これをなくすために第１図から分るように、通常
ピン・フォトダイオードを傾けていた。
を同じ３２チのままで用いておシ、レーザ光をパッケー
ジから取シ出さない方の端面（後端面）からの出射光は
レーザ出力モニタ光としてビン・フォトダイオード４で
受けていた。この場合、前端面と同じ出力のレーザ光が
後端面からも出ており、モニタ光として用いるには十分
すぎて無駄であった。また、この光がビン・フォトダイ
オード表面で反射されて前方へ出て来てゴーストとなる
ので、これをなくすために第１図から分るように、通常
ピン・フォトダイオードを傾けていた。
以上の問題点を解決するには後端面に、金属または誘電
体の多層膜をコーティングして反射率を上げ、レーザ光
を前方のみから取り出せばよい。
体の多層膜をコーティングして反射率を上げ、レーザ光
を前方のみから取り出せばよい。
このように半導体レーザの祷端面を１に近い窩反財宝に
すると、閾電流が２５憾も下シ、微分効率が６０％も上
るという素晴しい特性向上が実現でき、動作電流の大幅
な低減による高効率・高信頼化が可能となる。また縦モ
ード、横モードの単一性が改善され、ノイズの低減にも
効果があるなどと、誠に好ましい結果となる。しかしな
がら、モニタビン電流が十分に得られないという欠点を
有していた。
すると、閾電流が２５憾も下シ、微分効率が６０％も上
るという素晴しい特性向上が実現でき、動作電流の大幅
な低減による高効率・高信頼化が可能となる。また縦モ
ード、横モードの単一性が改善され、ノイズの低減にも
効果があるなどと、誠に好ましい結果となる。しかしな
がら、モニタビン電流が十分に得られないという欠点を
有していた。
（発明の目的）
本発明は上記欠点に鑑み、半導体レーザチッグの後端面
反射率を１に近い値にしても、半導体レーザを定出力（
ＡＰＣ）駆動させるのに必要なモニタビン電流を得るこ
とのできる・ぞッケージに組み込まれた半導体レーザ装
置を提供するものである。
反射率を１に近い値にしても、半導体レーザを定出力（
ＡＰＣ）駆動させるのに必要なモニタビン電流を得るこ
とのできる・ぞッケージに組み込まれた半導体レーザ装
置を提供するものである。
（発明の構成）
この目的を達成するために、本発明の半導体レーザは前
面光出力の一部をモニタ光として用いるためにキャップ
の内側にドーナツ状のビン・フォトダイオードを置いて
いる。そして楕円状のレーザ光の長軸方向のすそをモニ
タ光として用い、レーザ光はドーナツの穴から出射する
という構成になっている。
面光出力の一部をモニタ光として用いるためにキャップ
の内側にドーナツ状のビン・フォトダイオードを置いて
いる。そして楕円状のレーザ光の長軸方向のすそをモニ
タ光として用い、レーザ光はドーナツの穴から出射する
という構成になっている。
（実施例の説明）
以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。第２図は本発明による半導体レーザのパッケー
ジ構造である。９はビン・フォトダ・；オードであり、
前方光の一部を受けることができるようにキャラｆ７の
内側に置いている。半導体レーザの出射光の典型的な半
値全角は接合に水平方向が５°〜１５°、垂直方向が２
０°〜４０°であるので、ビン・フォトダイオードの感
度や、レーザ光出力を考慮して幾伺学的な寸法を設計す
る必要がある。この場合、前方光出力の一部が外部に取
シ出せないで損をすることに々るが、後端面反射率を１
に近い値にすることによる高効率化によって十分に補え
る。
明する。第２図は本発明による半導体レーザのパッケー
ジ構造である。９はビン・フォトダ・；オードであり、
前方光の一部を受けることができるようにキャラｆ７の
内側に置いている。半導体レーザの出射光の典型的な半
値全角は接合に水平方向が５°〜１５°、垂直方向が２
０°〜４０°であるので、ビン・フォトダイオードの感
度や、レーザ光出力を考慮して幾伺学的な寸法を設計す
る必要がある。この場合、前方光出力の一部が外部に取
シ出せないで損をすることに々るが、後端面反射率を１
に近い値にすることによる高効率化によって十分に補え
る。
前方光出力の一部をモニタし、その光電流でレーザをＡ
ＰＣ駆動させるとノイズを著しく低減させる事ができる
。第３図に電流に対するレーザ光のＳ／Ｎを示す。横軸
は閾値で正規化してｂる。中心周波数ｆ ＝ ｌ ＭＨ
ｙ、 、帯域幅Δｆ ＝ ３００ ｋＨｚである。
ＰＣ駆動させるとノイズを著しく低減させる事ができる
。第３図に電流に対するレーザ光のＳ／Ｎを示す。横軸
は閾値で正規化してｂる。中心周波数ｆ ＝ ｌ ＭＨ
ｙ、 、帯域幅Δｆ ＝ ３００ ｋＨｚである。
■は後端面の出力光をビン・フォトダイオードで受けて
レーザ駆動回路にフィードバックし、ＡＰＣをかけた場
合で、■のＡＰＣをかけない時に比べ約１０ｄＢＳ／Ｎ
が良くなっている。更に■の様に前面の光出力でフィー
ドバックをかけると、Ｓ／Ｎをもう５ ｄＢ改善するこ
とができ、ノイズ低減に大きな効果がある。
レーザ駆動回路にフィードバックし、ＡＰＣをかけた場
合で、■のＡＰＣをかけない時に比べ約１０ｄＢＳ／Ｎ
が良くなっている。更に■の様に前面の光出力でフィー
ドバックをかけると、Ｓ／Ｎをもう５ ｄＢ改善するこ
とができ、ノイズ低減に大きな効果がある。
（発明の効果）
以上のように本発明は、前方光をビン・フォトダイオー
ドで受け、モニタ電流を得る事により後端面を高反射率
にして半導体レーデの特性を大幅に向上させることがで
き、その実用的効果は犬なるものがある。
ドで受け、モニタ電流を得る事により後端面を高反射率
にして半導体レーデの特性を大幅に向上させることがで
き、その実用的効果は犬なるものがある。
第１図は従来の半導体レーザのパッケージ構造を示す図
、第２図は本発明による半導体レーザの・ぐ、ケーノ構
造を示す図、 第３図は半導体レーザの電流値に対するレーザー客小
ｑへｉ−７＋；−士Ｍ苧串ｌ汁 ＾ＤＩ” か禍、計も
ｌへ憔ム θ１は後方光で、■は前方光でＡＰＣをかけ
た場合を示す。 １・・・ヒートシンク、２・・・サブマウント、３・・
・半導体レーザチッグ、４・・ビン・フォトダイオード
、５・・・ガラス窓、６・・・リード線、７・・キャッ
プ、８・ステム本体、９・・本発明のドーナツ状ビン・
フォトダイオード。 第１図 第２図 第３図 （Ｉ／１ｔｈ）
、第２図は本発明による半導体レーザの・ぐ、ケーノ構
造を示す図、 第３図は半導体レーザの電流値に対するレーザー客小
ｑへｉ−７＋；−士Ｍ苧串ｌ汁 ＾ＤＩ” か禍、計も
ｌへ憔ム θ１は後方光で、■は前方光でＡＰＣをかけ
た場合を示す。 １・・・ヒートシンク、２・・・サブマウント、３・・
・半導体レーザチッグ、４・・ビン・フォトダイオード
、５・・・ガラス窓、６・・・リード線、７・・キャッ
プ、８・ステム本体、９・・本発明のドーナツ状ビン・
フォトダイオード。 第１図 第２図 第３図 （Ｉ／１ｔｈ）
Claims (1)
- モニタ用ピン・フォトダイオードを、レーザ素子と前方
出射光取シ出し窓との間に設け、前方出射光の一部をモ
ニタ光として利用し、モニタ用ピン電流を得ることを特
徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58184531A JPS6077481A (ja) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58184531A JPS6077481A (ja) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6077481A true JPS6077481A (ja) | 1985-05-02 |
Family
ID=16154825
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58184531A Pending JPS6077481A (ja) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6077481A (ja) |
-
1983
- 1983-10-04 JP JP58184531A patent/JPS6077481A/ja active Pending
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