JP3638060B2 - 信号処理回路および半導体レーザ素子 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体レーザ素子を構成する回路を含んで構成された信号処理回路および半導体レーザ素子に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の光ディスクのピックアップなどに用いられる半導体レーザ素子のアセンブリの構成について図3を参照して説明すると、この半導体レーザ素子1はステム2とこれを覆うキャップ3とを有し、このキャップ3内のステム2上にはブロック4が載置されている。ブロック4の側面上部には前面側をキャップ3のガラス付窓5に向け後面側をステム2に向けた状態で半導体チップからなるレーザダイオード6が取り付けられている。レーザダイオード6は前面側と後面側とからそれぞれ信号用レーザ光Lfとモニタ用レーザ光Lrとをそれぞれ出射するようになっていて、前面側と後面側とにはそれぞれ図示されていない反射膜がコーティングされているとともに、前面側から後面側までの長さを光共振器長とされている。そして、レーザダイオード6は、前面側反射膜の光反射率をRf、後面側反射膜の光反射率をRr、前面側から出射される信号用レーザ光Lfの強度をPf、後面側から出射されるモニタ用レーザ光Lrの強度をPrとすると、これらの間には次式の関係式が成立することで知られている。
【0003】
Pf/Pr=〔(1−Rf)/(1−Rr)〕×(Rr/Rf)1/2
レーザダイオード6はステム2に固定されたリード端子7からリード線8を介して図3で図示していないレーザダイオード駆動回路(後述の図4で符号9で示される回路)の出力部から駆動用電流Iopを与えられて駆動されて前述のようにそれぞれ前面側と後面側とから強度がそれぞれPf,Prの信号用とモニタ用のレーザ光を出射するようになっている。キャップ3内のステム2上のレーザダイオード6の後面側の下方位置にはピンフォトダイオード10が該後面側からのモニタ用レーザ光Lrが受光可能な位置に配置されている。ピンフォトダイオード10はレーザダイオード6の後面側からの強度Prのモニタ用レーザ光Lrを受光し、このレーザ光強度Prに対応した電流をモニタ用電流Imとしてリード線11を介してステム2に固定されたリード端子12から前記レーザダイオード駆動回路9の入力部に外部出力する。レーザダイオード6の前面側からは強度Pfの信号用レーザ光Lfがキャップ3のガラス付窓5を介して当該半導体レーザ素子1に対向している図示していない光ディスクに向けて出射されるようになっている。光ディスクで反射された信号用レーザ光Lfはブロック4上に搭載された高周波受光素子13で受光される。高周波受光素子13は受光した信号用レーザ光Lfを処理してその処理信号をリード線14を介してステム2に固定されたリード端子15から外部に接続された図示していない電子機器内の回路に出力するようになっている。
【0004】
上述した半導体レーザ素子1は回路的には図4を参照するように点線で囲まれた回路ブロックで構成されている。図4は半導体レーザ素子1を構成する回路ブロックと該半導体レーザ素子1内のレーザダイオード6を駆動するレーザダイオード駆動回路9とからなる信号処理回路16の回路図である。図4を参照して、この回路ブロック内のピンフォトダイオード10の出力部とレーザダイオード6の入力部との間にレーザダイオード駆動回路9の入出力部が接続されている。レーザダイオード駆動回路9はピンフォトダイオード10からのモニタ用電流Imを監視し、これに対応した駆動用電流Iopをレーザダイオード6に出力してこれを駆動するようになっている。また、この回路ブロック内の高周波受光素子13は高周波受光ダイオード17aとこの受光ダイオード17a出力を増幅する増幅回路17bなどから構成されている。レーザダイオード6の前面側から出射された信号用レーザ光Lfは光ディスクで反射されて高周波受光素子13内の高周波受光ダイオード17aで受光される一方、後面側から出射されたモニタ用レーザ光Lrはピンフォトダイオード10で受光されるようになっている。
【0005】
ところで、近年、このような半導体レーザ素子1および駆動回路9を備えた電子機器においてはレーザダイオード6を小さい駆動用電流Iopで駆動できるようにしてその消費電力の低減化が強く要望されるようになってきている。
【0006】
そのための従来におけるレーザダイオード6の低駆動用電流化においてはレーザダイオード6の後面側の反射率Rrを大きくするようになっているものがある。この反射率Rrを大きくすると、前記関係式から信号用レーザ光Lfの強度Pfを一定にするとモニタ用レーザ光Lrの強度Prがこれに対して相対的に小さくなることになる。そして、駆動用電流Iopとレーザダイオード6の前面側から出射されるレーザ光強度Pfとの間には後面反射率Rrに関して図5で示すような関係がある。ここで横軸は駆動用電流Iop、縦軸はレーザダイオード6の前面側からのレーザ光Lfの強度Pfである。この図5から明らかなように後面側反射率Rrが例えば30%から90%のように大きくなると、同一のレーザ光強度Pf1であっても駆動用電流IopがIop1からIop2のように小さくなってくる。したがって、レーザ光Lrの後面側の反射膜のコーティング制御で該後面側の反射膜の反射率Rrを大きくしてレーザダイオード6に対する低駆動用電流化を図ることができるので、これを用いた電子機器における低消費電力化を達成できることになるのである。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のように後面側の反射率Rrを大きくしたのでは、低駆動用電流化が可能となっても、この低駆動用電流化を進めると、後面側から出射されるレーザ光Lrの強度Prが非常に小さくなり、これに伴いピンフォトダイオード10からのモニタ電流Imが微小になってくることとなる。その結果、図4ではピンフォトダイオード10からモニタ用電流Imをレーザダイオード駆動回路9に出力させる場合、これは図3ではピンフォトダイオード10からリード線11およびリード端子12を介して半導体レーザ素子1のアセンブリ外のレーザダイオード駆動回路9に外部出力することとなってしまう。これでは、モニタ用電流Imに電気的ノイズが容易に混入しやすくなり、レーザダイオード駆動回路9から出力される駆動用電流Iopによるレーザダイオード6の信号用レーザ光Lfの発振制御が不正確になってしまう。この結果、低消費電力化を達成できるとしても光ディスクの信号用レーザ光Lfとして用いることが困難になってしまうという課題があった。
【0008】
このことからさらに、低駆動用電流化で消費電力を低減化を図るためには駆動用電流Iopを小さくする場合に限界が生じてしまい、さらなる低消費電力化を図れないという課題にもつながるものとなっていた。
【0009】
そこで、本発明においては、上述の課題に鑑みて、後面側の反射率が大きいレーザダイオードを用いてレーザ光を低駆動用電流で駆動できるようにして電子機器における低消費電力化の達成を図れる一方で、このようなレーザダイオードを用いてもこれを正確に駆動できるようにモニタ用電流に対するSNの向上が図れるような信号処理回路および半導体レーザ素子を提供するものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明の信号処理回路においては、後面反射率が90%とされたレーザダイオードの後面側から出射されるモニタ用レーザ光を受光しこれをモニタ用電流に変換する変換素子と、前記変換素子からのモニタ用電流を増幅するカレントミラー型電流増幅回路と、前記カレントミラー型電流増幅回路で増幅された前記変換素子からのモニタ用電流に基づいて前記レーザダイオードに駆動用電流を制御出力して該レーザダイオードの前面側から出射される信号用レーザ光の強度を制御するレーザダイオード駆動回路と、外部からのレーザ光を受光する受光素子を構成する回路とを同一パッケージ内に収納し、前記受光素子とカレントミラー型電流増幅回路とを同一の半導体チップに一体化したことによって上述した課題を解決している。
【0011】
本発明の半導体レーザ素子においては、ステムとこれを覆うキャップとを備え、かつ前記ステム上に固定されたブロックの側面に前記レーザダイオードがその前面側を前記キャップ方向に、その後面反射率が90%とされた後面側を前記ステム方向に向けて固定され、前記ステム上の前記レーザダイオード後面に対向する位置に、該後面から出射されるモニタ用レーザ光を受光し、これをモニタ用電流に変換する変換素子と、この変換素子からのモニタ用電流を増幅するカレントミラー型電流増幅回路が設けられるとともに、外部からのレーザ光を受光する受光素子が、カレントミラー型電流増幅回路と同一の半導体チップに一体化されていることによって上述した課題を解決している。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【0013】
本発明の半導体レーザ素子は構造的には後述のように高周波受光素子を除いては図3と同様であるため、この実施の形態において詳しい説明は省略するものの、再度、図3を参照して説明すると、この実施の形態に係る半導体レーザ素子1はステム2とこれを覆うキャップ3とを有している。このキャップ3内のステム2上にはブロック4が載置されている。ブロック4の側面には前面側をキャップ3のガラス付窓5に向け後面側をステム2に向けた状態でレーザダイオード6が取り付けられている。レーザダイオード6は前面側と後面側とからそれぞれ信号用レーザ光Lfとモニタ用レーザ光Lrをそれぞれ出射するようになっていて、前面側と後面側とにはそれぞれ反射膜がコーティングされているとともに、前面側から後面側までの長さを共振器長とされている。
【0014】
レーザダイオード6はステム2に固定されたリード端子7からリード線8を介して外部のレーザダイオード駆動回路9から駆動電流Iopを与えられてそれぞれ前面側レーザ光出射端面と後面側レーザ光出射端面とから強度がそれぞれPf,Prの信号用レーザ光Lfとモニタ用レーザ光Lrを出射するようになっている。キャップ3内のステム2上のレーザダイオード6の後面側の下方位置にはピンフォトダイオード10が該後面側からのモニタ用レーザ光Lrが受光可能な位置に配置されている。ピンフォトダイオード10はレーザダイオード6の後面側からの強度Prのモニタ用レーザ光Lrを受光し、このモニタ用レーザ光Lrの強度Prに対応した電流をモニタ用電流Imとしてリード線11を介してステム2に固定されたリード端子12から外部のレーザダイオード駆動回路9に出力する。レーザダイオード6の前面側からは強度Pfの信号用レーザ光Lfがキャップ3の窓5を介して当該半導体レーザ素子1に対向している図示していない光ディスクに向けて出射されるようになっている。光ディスクで反射された信号用レーザ光Lfはブロック4上に搭載された高周波受光素子13で受光される。高周波受光素子13は受光した信号用レーザ光Lfを処理してその処理信号をリード線14を介してステム2に固定されたリード端子15から外部に出力するようになっている。
【0015】
次に上述した半導体レーザ素子1の回路を図1を参照して説明すると、半導体レーザ素子1は、レーザダイオード6と、上述の請求項に言う変換素子としてのピンフォトダイオード10と、高周波受光素子13とを有し、さらに、本発明においては、ピンフォトダイオード10からのモニタ用電流Imを増幅するカレントミラー回路などからなる電流増幅回路18を有している。
【0016】
そして、この半導体レーザ素子1内のピンフォトダイオード10からのモニタ用電流Imは電流増幅回路18で増幅された後、レーザダイオード駆動回路9に与えられる。このレーザダイオード駆動回路9は、電流増幅回路18で増幅されたピンフォトダイオード10からのモニタ用電流Imを監視し、これに対応した駆動用電流Iopでレーザダイオード6を駆動するようになっている。
【0017】
上述のようにピンフォトダイオード10とレーザダイオード駆動回路9との間に該ピンフォトダイオード10からのモニタ用電流Imを増幅する電流増幅回路18を設けた場合では、低駆動用電流化のためにレーザダイオード6の後面側の反射膜の反射率Rrを大きくすることができる。これは、このレーザダイオード6の後面側の反射膜の反射率Rrを大きくした場合では、低消費電力化のためにレーザダイオード駆動回路9からの駆動用電流Iopを小さくしても信号用レーザ光Lfの強度Pfは同一のまま維持できる。そして、この場合、モニタ用レーザ光Lrの強度Prは上述の関係式から明らかなように小さくなるから、このモニタ用レーザ光Lrを受光するピンフォトダイオード10から出力されるモニタ用電流Imも小さくなるのであるが、電流増幅回路18でこのモニタ用電流Imが増幅されるので、このモニタ用電流Imに混入する電気的ノイズのSNは向上する。その結果、電流増幅回路18を介してピンフォトダイオード10に外部接続されるレーザダイオード駆動回路9側ではSNの良好なモニタ用電流Imに基づいて駆動用電流Iopを制御することができることになるので、正確にこの駆動電流Iopを制御してレーザダイオード6の前面側から出射される信号用レーザ光Lfの正確な制御ができることとなる。
【0018】
なお、上述した本発明の実施の形態において、高周波受光素子13は図2を参照して説明するようにそれを構成する回路素子である高周波受光ダイオード17aおよび増幅回路17bなどが半導体チップ19内に構成されているとともに、それと同一の半導体チップ19内に前記した電流増幅回路18が構成されていてもよい。この半導体チップ19内への回路素子の形成は、高周波受光素子13も電流増幅回路18もレイアウト設計上、同一の半導体製造工程で可能であり、同一の半導体チップ19内に形成しても、半導体チップとしての面積はせいぜい数%程度の増大であり、したがって、電流増幅回路18を高周波受光素子13とは別に構成する場合とくらべてみてコスト的な増大はほとんどない一方で、別に構成する場合では半導体レーザ素子1のアセンブリ内に占めるスペースは増大してしまうが、同一の半導体チップ内で構成する場合ではアセンブリ内のスペースの増大は無いという利点がある。なお、図2について詳しく説明すると、これは半導体チップ19の平面構成であり、第1の領域20は高周波受光素子13の形成領域であり、第2の領域21は電流増幅回路18の形成領域である。高周波受光素子形成領域20には、複数の電極パッド22、グランド用パッド23が形成され、また、フォーカシングの制御とかトラッキングの制御などのため光ディスクから反射された信号用レーザ光Lfを受光するための複数の受光領域24が形成されている。これら受光領域24と信号用レーザ光Lfがどのようにしてこれら受光領域24で受光されるかなどのこれ以上の詳しい説明は本発明とは直接的には無関係であるので省略する。このように図2の場合では電流増幅回路18の形成領域21は高周波受光素子の形成領域20の空き領域に形成される。
【0019】
なお、上述した本発明の実施の形態においては、モニタ用レーザ光Lrをモニタ用電流Imに変換する変換素子としてピンフォトダイオード10であったが、これに限定されるものではなく、他の変換素子であっても構わない。
【0020】
なお、上述した本発明の実施の形態における半導体レーザ素子は光ディスクのような電子機器の適用だけに限定されるものではなく他の電子機器にも適用できるものである。
【0021】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば次の効果を得られる。
【0022】
請求項1の発明
後面反射率が90%とされたレーザダイオードの後面側から出射されるモニタ用レーザ光を受光しこれをモニタ用電流に変換する変換素子と、前記変換素子からのモニタ用電流を増幅するカレントミラー型電流増幅回路と、前記カレントミラー型電流増幅回路で増幅された前記変換素子からのモニタ用電流に基づいて前記レーザダイオードに駆動用電流を制御出力して該レーザダイオードの前面側から出射される信号用レーザ光の強度を制御するレーザダイオード駆動回路と、外部からのレーザ光を受光する受光素子を構成する回路とを同一パッケージ内に収納し、前記受光素子とカレントミラー型電流増幅回路とを同一の半導体チップに一体化した構成とされるので、レーザダイオードとしては後面側の反射率が90%と高いものを用いたためにレーザダイオードの後面側からの出射されるモニタ用レーザ光が小さくなり、これに伴い前記変換素子からのモニタ用電流が微小になってもカレントミラー型電流増幅回路でそれが増幅されるので、このモニタ用電流のSNが向上する結果、レーザダイオード駆動回路はモニタ用電流に基づいて正確にレーザダイオードを駆動制御できる。その結果、レーザダイオードを低駆動電流で正確に駆動できる一方で、これを用いた電子機器における低消費電力を図れる。
【0023】
請求項2の発明
反射膜がコーティングされた前面側からは信号用レーザ光を、また同じく反射膜がコーティングされた後面側からはモニタ用レーザ光をそれぞれ出射するよう構成されたレーザダイオードと、ステムとこれを覆うキャップとを備え、かつ前記ステム上に固定されたブロックの側面に前記レーザダイオードがその前面側を前記キャップ方向に、その後面反射率が90%とされた後面側を前記ステム方向に向けて固定され、前記ステム上の前記レーザダイオード後面に対向する位置に、該後面から出射されるモニタ用レーザ光を受光し、これをモニタ用電流に変換する変換素子と、この変換素子からのモニタ用電流を増幅するカレントミラー型電流増幅回路が設けられるとともに、外部からのレーザ光を受光する受光素子が、カレントミラー型電流増幅回路と同一の半導体チップに一体化されているので、前記カレントミラー型電流増幅回路で増幅された前記変換素子からのモニタ用電流をレーザダイオード駆動回路に出力することができることになり、レーザダイオードとして後面側の反射率が90%と大きいものを用いたために、レーザダイオードの後面側からの出力されるモニタ用レーザ光が小さくなってこれに伴い前記変換素子からのモニタ用電流のSNを向上させられる結果、この半導体レーザ素子に外部接続されるレーザダイオード駆動回路はそのモニタ用電流に基づいて正確にレーザダイオードを駆動制御できる。その結果、レーザダイオードを低駆動電流で正確に駆動できる一方、これを用いた電子機器における低消費電力を図れる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係る半導体レーザ素子を含む信号処理回路の回路図である。
【図2】図1で示されている高周波受光素子と電流増幅回路とを有する半導体チップの平面図である。
【図3】半導体レーザ素子のアセンブリ構成を示す部分切り欠き斜視図である。
【図4】従来の技術に係る半導体レーザ素子を信号処理回路の回路図である。
【図5】レーザダイオードの後面側の反射率の変化に対してレーザダイオード駆動回路からの出力される駆動用電流とレーザダイオードの前面側から出射される信号用レーザ光の強度との関係を示す図である。
【符号の説明】
1 半導体レーザ素子
2 ステム
3 キャップ
4 ブロック
5 窓
6 レーザダイオード
9 レーザダイオード駆動回路
10 ピンフォトダイオード(変換素子)
13 高周波受光素子
16 信号処理回路
18 電流増幅回路
19 半導体チップ
Claims (2)
- 後面反射率が90%とされたレーザダイオードの後面側から出射されるモニタ用レーザ光を受光しこれをモニタ用電流に変換する変換素子と、前記変換素子からのモニタ用電流を増幅するカレントミラー型電流増幅回路と、前記カレントミラー型電流増幅回路で増幅された前記変換素子からのモニタ用電流に基づいて前記レーザダイオードに駆動用電流を制御出力して該レーザダイオードの前面側から出射される信号用レーザ光の強度を制御するレーザダイオード駆動回路と、外部からのレーザ光を受光する受光素子を構成する回路とを同一パッケージ内に収納し、前記受光素子とカレントミラー型電流増幅回路とを同一の半導体チップに一体化したことを特徴とする信号処理回路。
- 反射膜がコーティングされた前面側からは信号用レーザ光を、また同じく反射膜がコーティングされた後面側からはモニタ用レーザ光をそれぞれ出射するよう構成されたレーザダイオードと、ステムとこれを覆うキャップとを備え、かつ前記ステム上に固定されたブロックの側面に前記レーザダイオードがその前面側を前記キャップ方向に、その後面反射率が90%とされた後面側を前記ステム方向に向けて固定され、前記ステム上の前記レーザダイオード後面に対向する位置に、該後面から出射されるモニタ用レーザ光を受光し、これをモニタ用電流に変換する変換素子と、この変換素子からのモニタ用電流を増幅するカレントミラー型電流増幅回路が設けられるとともに、外部からのレーザ光を受光する受光素子が、カレントミラー型電流増幅回路と同一の半導体チップに一体化されていることを特徴とする半導体レーザ素子。
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