JPS6077411A - 軟磁性材料の製造方法 - Google Patents
軟磁性材料の製造方法Info
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- JPS6077411A JPS6077411A JP18550083A JP18550083A JPS6077411A JP S6077411 A JPS6077411 A JP S6077411A JP 18550083 A JP18550083 A JP 18550083A JP 18550083 A JP18550083 A JP 18550083A JP S6077411 A JPS6077411 A JP S6077411A
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- Japan
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- magnetic material
- soft magnetic
- alloy
- thermal expansion
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- Pending
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気ヘッド等の用いられるパーマロイ。
センダス［−１非晶質合金等の合金軟磁性材料の透磁率
の改善に関するものである。
の改善に関するものである。
合金軟磁性材料をＶＴＲヘッドあるいはコンピュータヘ
ッド等に応用するには、使用周波、数帯で透磁率の大き
いことが要求される。
ッド等に応用するには、使用周波、数帯で透磁率の大き
いことが要求される。
しかし、合金はフエライ］−に比べ比抵抗が小さいので
渦電流損が大きく、高周波では層間絶縁を施し多層構造
で用いられるのが普通であり、イの場合には高飽和磁束
密度である合金の特長を生かすことができる。
渦電流損が大きく、高周波では層間絶縁を施し多層構造
で用いられるのが普通であり、イの場合には高飽和磁束
密度である合金の特長を生かすことができる。
多層４Ｒ造の磁気ヘッドの形成にはスパッタリング等の
薄膜技術が有効であるが、多層膜形成時の温度上昇ある
いはイの後の熱処理により、軟磁性膜と絶縁膜との熱膨
張係数の差に起因する応力が残る。一般に軟磁性膜は磁
歪が零に近い組成を持つように形成されるが、そのよう
に小さな！！歪を示す場合でも上述の残留応力によって
透磁率は低下する。従って、透磁率の低下を防ぐには残
留応力を減少させる必要がある。
薄膜技術が有効であるが、多層膜形成時の温度上昇ある
いはイの後の熱処理により、軟磁性膜と絶縁膜との熱膨
張係数の差に起因する応力が残る。一般に軟磁性膜は磁
歪が零に近い組成を持つように形成されるが、そのよう
に小さな！！歪を示す場合でも上述の残留応力によって
透磁率は低下する。従って、透磁率の低下を防ぐには残
留応力を減少させる必要がある。
本発明は上記従来技術の欠員を改良し、高周波において
透磁率の高い軟磁性材ｒ３＋を提供づることを目的とす
る。
透磁率の高い軟磁性材ｒ３＋を提供づることを目的とす
る。
本発明では、スパッタリングによってパーマロイ。
センダス［・、非晶質合金等の合金軟磁性材料を形成す
る際、その磁性材料の層間絶縁膜として熱膨張係数が６
０ｘｌＯ−”〜１６０Ｘ ｉｏ−’７の非磁性材料を用
いることを特徴とする。
る際、その磁性材料の層間絶縁膜として熱膨張係数が６
０ｘｌＯ−”〜１６０Ｘ ｉｏ−’７の非磁性材料を用
いることを特徴とする。
このように合金軟磁性材料との熱膨張係数の差の小さい
層間絶縁膜を用いれば、多層Ｉ！戸形成後あるいは熱処
理後の残留応力が小さく、従って磁歪による透磁率低下
が小さく高周波特性の良好な合金軟磁性材料を得ること
ができる。また、熱膨張係数の値が上記範囲からはずれ
ると残留応力が大きくなるため、透磁率の低下が生じ望
ましくイｆい。
層間絶縁膜を用いれば、多層Ｉ！戸形成後あるいは熱処
理後の残留応力が小さく、従って磁歪による透磁率低下
が小さく高周波特性の良好な合金軟磁性材料を得ること
ができる。また、熱膨張係数の値が上記範囲からはずれ
ると残留応力が大きくなるため、透磁率の低下が生じ望
ましくイｆい。
以下、実施例を用い本発明の効果を示す。
実施例１
平板マグネ１− ｏンスパツタ装置を用い、センダスト
（Ｆｅ −３ｉ−ＡＩ金合金と非磁性材（熱膨張係数１
６０Ｘ １０ ）との多層膜を非磁性基板上に形成した
。ターゲット径は１２７φ、高周波ミノｊは１ｋＷ一定
とし、基板温度は３００℃に設定した。センダスト膜は
４ｍｍ厚５層とし、層間に０．１μｍ厚の非磁性膜を４
層形成しスパッタ後６２０℃でＩ ｌｌｌｌ間熱処理し
た。比較のため０．１μｍ厚の８１０２膜を上記非磁性
膜と同様に層間に形成し、同様の熱処理を行った。まＩ
ζ、高周波特性の比較のため、２０μｍ厚のセンダス１
へ単層膜も同様に形成した。
（Ｆｅ −３ｉ−ＡＩ金合金と非磁性材（熱膨張係数１
６０Ｘ １０ ）との多層膜を非磁性基板上に形成した
。ターゲット径は１２７φ、高周波ミノｊは１ｋＷ一定
とし、基板温度は３００℃に設定した。センダスト膜は
４ｍｍ厚５層とし、層間に０．１μｍ厚の非磁性膜を４
層形成しスパッタ後６２０℃でＩ ｌｌｌｌ間熱処理し
た。比較のため０．１μｍ厚の８１０２膜を上記非磁性
膜と同様に層間に形成し、同様の熱処理を行った。まＩ
ζ、高周波特性の比較のため、２０μｍ厚のセンダス１
へ単層膜も同様に形成した。
得られたセンダスト膜の組成はＦ ｅ ８５，０ｗｔ％
。
。
Ｓ ｉ ９，６ｗｔ％およびＡＩ ５，４ｗｔ％であっ
た。磁気測定の結果を第１表に示す。
た。磁気測定の結果を第１表に示す。
第１表
第１表より明らかなように、本発明による非磁性層間膜
を用いた多層膜は高周波特性に優れており、この多層膜
を用いて作成したヘッドの出力は他のものより高いこと
が判った。
を用いた多層膜は高周波特性に優れており、この多層膜
を用いて作成したヘッドの出力は他のものより高いこと
が判った。
実施例２
実施例１と同じスパッタ装置を用いパーマロイとガラス
（熱膨張係数ａｏｘ＋ｏ ）との多層膜を形成した。多
層膜の構造は実施例１と同様である。
（熱膨張係数ａｏｘ＋ｏ ）との多層膜を形成した。多
層膜の構造は実施例１と同様である。
比較のためｓｒ ｏ２層間膜を用いた多層膜および２０
μｍ厚の単層膜を形成した。基板にはガラスを用い、基
板温度は１００℃とした。
μｍ厚の単層膜を形成した。基板にはガラスを用い、基
板温度は１００℃とした。
得られたパーマロイ膜の組成は、Ｎ ｉ ａｔ、ｓｗｔ
％およびＦｅ １８，５ｗｔ％であった。磁気特性を第
２表に示す。
％およびＦｅ １８，５ｗｔ％であった。磁気特性を第
２表に示す。
明細書の、７ｉ言（内容に変更なし）
第２表
第２表より明らかなように、本発明のガラスによる多層
膜は熱膨張係数の小さい（５，５Ｘ１０ ）Ｓ：０２を
用いた多層膜のように積層膜による透磁率の低下がなく
、しかも高周波特性が優れている。
膜は熱膨張係数の小さい（５，５Ｘ１０ ）Ｓ：０２を
用いた多層膜のように積層膜による透磁率の低下がなく
、しかも高周波特性が優れている。
実施例３
実施例１と同じスパッタ装置を用い非晶質合金とガラス
（熱膨張係数１００ｘ１６’ ）との多層膜を形成した
。多層膜の構造は実施例１と同様である比較のためＳ！
０２層間膜を用いた多１１１％および２０μｍ厚の単層
膜を形成した。基板にはガラスを用い基板加熱は行わな
かった。
（熱膨張係数１００ｘ１６’ ）との多層膜を形成した
。多層膜の構造は実施例１と同様である比較のためＳ！
０２層間膜を用いた多１１１％および２０μｍ厚の単層
膜を形成した。基板にはガラスを用い基板加熱は行わな
かった。
得られた膜の組成は、ｃｏ ８９．５ａｔ％およびＺｒ
１０．５ａｔ％である。また、スパッタ後に透磁率を高
明細書の浄臣内容に変更なし） めるため磁場中３００℃で熱処理を行った。第３表に磁
気特性を示づ。
１０．５ａｔ％である。また、スパッタ後に透磁率を高
明細書の浄臣内容に変更なし） めるため磁場中３００℃で熱処理を行った。第３表に磁
気特性を示づ。
第３表
第３表より明らかなＪ：うに本発明の方法によれば、高
透磁率、高飽和磁束密度の軟磁性材料がｉｑられる。
透磁率、高飽和磁束密度の軟磁性材料がｉｑられる。
以上のように本頼明の方法によれば、高周波特性の良好
な積層膜が１ｑられ、しかも他の軟磁気特性を損うこと
がない。これらの膜を磁気ヘッド、。 例えばＶＴＲヘ
ッド、コンピュータヘッド等に適用すれば電磁変換特性
に優れたものが得られ、その工業的価値は極めて大きい
。
な積層膜が１ｑられ、しかも他の軟磁気特性を損うこと
がない。これらの膜を磁気ヘッド、。 例えばＶＴＲヘ
ッド、コンピュータヘッド等に適用すれば電磁変換特性
に優れたものが得られ、その工業的価値は極めて大きい
。
手続補正書
昭和５９年１ 月−ｉ （日
昭和５８年 特許願 第１８５５００号発明の名称 軟
磁性材料の製造方法 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都千代田区丸）内二丁目１ Ｍ ２号名称
（５０ｇ）日立金属株式会社 電話 東京０３−２８４−４６４２ 明Ｓｔ書の「発明の詳細な説明」の欄。
磁性材料の製造方法 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都千代田区丸）内二丁目１ Ｍ ２号名称
（５０ｇ）日立金属株式会社 電話 東京０３−２８４−４６４２ 明Ｓｔ書の「発明の詳細な説明」の欄。
補正の内容
１、明ｍ書の１゛発明の詳細な説明」の欄の記載を下記
の通り訂正する。
の通り訂正する。
記
（１）明細書第３頁第１２行のｌ−４ｍｎ＋厚」を「４
μＩｌｌ厚Ｊに訂正Ｊる。
μＩｌｌ厚Ｊに訂正Ｊる。
（２〉同門第５頁第９行の「ｆｉ層膜」を「積層化Ｊに
訂正づる。
訂正づる。
以上
手続補正書（方式〕
事件の表示
昭和５８年↑）′許願第１８５５００号’ｒ＆ 明（７
） 名称 軟磁性材料の製造ヵ法補１１：をする者 明糺曹の「発明の詳細な説明」の掴 補市の内容
） 名称 軟磁性材料の製造ヵ法補１１：をする者 明糺曹の「発明の詳細な説明」の掴 補市の内容
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （登録商標） スパッタリングによってバーマロイ、センダスト、非晶
質合金等の合金軟磁性材料を形成する際、層間絶縁膜と
して熱膨張係数が、６０Ｘ １０ 〜１００ｘｌｏ の
非磁性材料を用いることを特徴とづる軟磁性材料の製造
方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18550083A JPS6077411A (ja) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | 軟磁性材料の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18550083A JPS6077411A (ja) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | 軟磁性材料の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6077411A true JPS6077411A (ja) | 1985-05-02 |
Family
ID=16171856
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18550083A Pending JPS6077411A (ja) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | 軟磁性材料の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6077411A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103014627A (zh) * | 2013-01-17 | 2013-04-03 | 大连理工大学 | 一种可调制带隙宽度的Fe-Si-Al系三元非晶薄膜及其制备方法 |
-
1983
- 1983-10-04 JP JP18550083A patent/JPS6077411A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103014627A (zh) * | 2013-01-17 | 2013-04-03 | 大连理工大学 | 一种可调制带隙宽度的Fe-Si-Al系三元非晶薄膜及其制备方法 |
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